Стр. 51
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
металлами, в части их составов,
режимов получения и обработки
11.5.1.2. Технологии разработки или
производства изделий сложной
формы путем отливки из
направленно отверждающихся
эвтектических и
монокристаллических суперсплавов,
включая состав литья, свойства и
технологические процессы, а также
режимы и контроль параметров
отверждения и промежуточный
контроль во время плавки и
отливки
11.5.1.3. Технологии разработки или
производства слитков
алюминий-литиевых сплавов:
11.5.1.3.1. Технологии разработки или
применения процессов плавки,
легирования и литья слитков,
позволяющих преодолеть химическую
активность таких сплавов
11.5.1.3.2. Технологии разработки или
применения процессов
термомеханической обработки,
необходимых для получения
требуемых механических свойств
сплавов
11.5.2. Технологии разработки,
производства или применения
композиционных материалов типа
"Стекларм" на основе
стекломатрицы, армированной
высокопрочными волокнами, с целью
изготовления деталей силовых
установок (узлов трения),
работающих в агрессивных средах
при повышенных температурах
(500°C или выше)
11.5.3. Технологии разработки,
производства или применения
композиционных материалов на
основе стекла, армированного
непрерывными высокопрочными
волокнами с плотностью
1900 кг/куб.м или более,
прочностью 150 МПА или более и
температурой эксплуатации 500°С
или выше
11.5.4. Технологии разработки,
производства или применения
композиционных материалов на
основе стекла в системе
SiO2-Al2O3-B2O3, армированного
жгутами из непрерывных
высокопрочных волокон, с
плотностью 1730 кг/куб.м или
более и модулем упругости 230 Гпа
или более
11.5.5. Технологии разработки,
производства или применения
сплавов на основе Fe-Cr-Al,
работающих длительное время в
окислительной среде при
температуре 1400°С или выше,
способных к экструдированию и
прокатыванию
11.5.6. Технологии измельчения
материалов, основанные на
формировании струй газовзвеси в
соплах с криволинейной осью с
последующим столкновением ее с
вращающимися мишенями, имеющими
разные знаки направления векторов
окружных скоростей, позволяющие
осуществлять измельчение
полидисперсных материалов до
средних размеров частиц диаметром
менее 40 мкм
11.5.7. Технологии изготовления
посредством сращивания
кремниевых пластин со сколом
внедрения водородом
(технология DeleCut) структур
кремний-на-изоляторе (КНИ),
разработанных для производства
радиационно стойких СБИС
11.5.8. Технологии изготовления на основе
бескислотных керамических
материалов (нитриды алюминия,
кремния, карбид кремния) подложек
для теплоотводов СВЧ-приборов
11.5.9. Технологии выращивания
бездислокационного
монокристаллического кварца для
использования в оптических
приборах и пьезотехнике
КАТЕГОРИЯ 12. ОБРАБОТКА И ПОЛУЧЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ
12.1. Системы, оборудование и
компоненты
12.1.1. Высокоточные воздушные 8483 30 390 0;
подшипниковые системы и их 8483 30 900 0;
компоненты 8483 90 300 0
12.1.2. Системы и оборудование, 8401 20 000 0
специально разработанные или
подготовленные для разделения
стабильных изотопов химических
элементов центрифужным,
электромагнитным или лазерным
методом
12.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
12.2.1. Оборудование высококачественной
сварки:
12.2.1.1. Датчики и системы управления для
сварочного оборудования, такие,
как:
12.2.1.1.1. Микропроцессоры и оборудование с 8537 10 100 0;
цифровым управлением, которые 8537 10 910 0;
прослеживают сварной шов в 8542 21 83;
реальном масштабе времени, 9031 80 910 0;
контролируя его геометрию 9032 89 900 0
12.2.1.1.2. Микропроцессоры и оборудование с 8537 10 100 0;
цифровым управлением, которые в 8537 10 910 0;
реальном масштабе времени 8542 21 83;
контролируют и корректируют 9031 80 910 0;
параметры сварки в зависимости от 9032 89 900 0
изменений сварного шва или
состояния сварочной дуги
12.3. Материалы - нет
12.4. Программное обеспечение - нет
12.5. Технология
12.5.1. Технологии разработки,
производства или применения
высокоточных воздушных
подшипниковых систем и их
компонентов
12.5.2. Технологии разработки,
производства или применения
высококачественной сварки:
12.5.2.1. Технологии разработки,
производства или применения
датчиков и систем управления для
сварочного оборудования, таких,
как:
12.5.2.1.1. Микропроцессоров и оборудования с
цифровым управлением, которые в
реальном масштабе времени
прослеживают сварной шов,
контролируя его геометрию
12.5.2.1.2. Микропроцессоров и оборудования с
цифровым управлением, которые в
реальном масштабе времени
контролируют и корректируют
параметры сварки в зависимости от
изменений сварного шва или
состояния сварочной дуги
12.5.3. Технологии разработки или
производства проволоки,
наплавочного материала и
фитильных или покрытых электродов
для сварки изделий из титана,
алюминия и высокопрочной стали, а
также композиции материалов
покрытий и сердцевин электродов
12.5.4. Технологии разработки или
производства металлических
конструкций и компонентов методом
электронно-лучевой сварки с
использованием машинного
управления технологическим
процессом
12.5.5. Технологии разработки или
производства систем и
оборудования, указанных в пункте
12.1.2
КАТЕГОРИЯ 13. ЭЛЕКТРОНИКА
13.1. Системы, оборудование и
компоненты
13.1.1. Радиоэлектронные системы и
оборудование, специально
разработанные для защиты
информации от негласного доступа
13.1.2. Генераторы (синтезаторы) 8543 20 000 0
сигналов, в том числе
программируемые, работающие в
диапазоне частот от 1215 МГц
до 1615 МГц
13.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
13.3. Материалы - нет
13.4. Программное обеспечение
13.4.1. Программное обеспечение для
разработки и производства
электрических и механических
элементов антенн, а также для
анализа тепловых деформаций
конструкций антенн
13.4.2. Программное обеспечение для
разработки, производства или
применения космических элементов
спутниковой системы связи и их
элементов, таких, как:
13.4.2.1. Развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн
13.4.2.2. Антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве
13.4.2.3. Антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех
13.4.2.4. Микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех
13.4.2.5. Трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование
13.4.2.6. Антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур
13.4.3. Программное обеспечение для
разработки, производства или
применения полосовых фильтров с
полосой пропускания менее 0,1%
или более 10% среднего значения
частоты
13.4.4. Программное обеспечение для
разработки или производства
аппаратуры, указанной в
пунктах 13.5.5.1-13.5.5.5
13.4.5. Программное обеспечение,
специально разработанное для
использования в системах и
оборудовании, указанных в
пункте 13.1.1
13.4.6. Программное обеспечение для
разработки или производства
элементов электровакуумных
СВЧ-приборов, указанных в пунктах
13.5.3.4.1-13.5.3.4.3
13.4.7. Программное обеспечение,
предназначенное для использования
в генераторах (синтезаторах)
сигналов, указанных в пункте
13.1.2
13.5. Технология
13.5.1. Технологии, связанные с
разработкой, производством или
применением вакуумной
электроники, акустоэлектроники
и сегнетоэлектрики:
13.5.1.1. Технологии разработки,
производства или применения
оборудования с цифровым
управлением, позволяющего
осуществлять автоматическую
ориентацию рентгеновского луча и
коррекцию углового положения
кварцевых кристаллов с
компенсацией механических
напряжений, вращающихся по двум
осям при величине погрешности
10 угловых секунд или менее,
которая поддерживается
одновременно для двух осей
вращения
13.5.1.2. Технологии разработки,
производства или применения
оборудования для равномерного
покрытия поверхности мембран,
электродов и волоконно-оптических
элементов моно слоями био
полимеров или биополимерных
композиций
13.5.2. Технологии разработки,
производства или применения
криогенной техники:
13.5.2.1. Технологии разработки,
производства или применения
низкотемпературных контейнеров,
криогенных трубопроводов или
низкотемпературных
рефрижераторных систем закрытого
типа, разработанных для получения
и поддержания регулируемых
температур ниже 100 К и пригодных
для использования на подвижных
наземных, морских, воздушных и
космических платформах
13.5.3. Технологии разработки,
производства или применения
источников микроволнового
излучения (в том числе
СВЧ-излучения) средней мощностью
более 3 МВт с энергией в импульсе
более 10 кДж:
13.5.3.1. Технологии разработки,
производства или применения
мощных переключателей, таких, как
водородные тиратроны и их
компонентов, в том числе
устройств получения длительных
(до 30 с) импульсов
13.5.3.2. Технологии разработки,
производства или применения
волноводов и их компонентов,
в том числе:
13.5.3.2.1. Массового производства одно- и
двухгребневых волноводов и
высокоточных волноводных
компонентов
13.5.3.2.2. Механических конструкций
вращающихся сочленений
13.5.3.2.3. Устройств охлаждения
ферромагнитных компонентов
13.5.3.2.4. Прецизионных волноводов
миллиметровых волн и их
компонентов
13.5.3.2.5. Ферритовых деталей для
использования в ферромагнитных
компонентах волноводов
13.5.3.2.6. Ферромагнитных и механических
деталей для сборки ферромагнитных
узлов волноводов
13.5.3.2.7. Материалов типа
"диэлектрик-феррит" для
управления фазой сигнала и
уменьшения размеров антенны
13.5.3.3. Технологии разработки,
производства или применения СВЧ-
и ВЧ-антенн, специально
предназначенных для ускорения
ионов
13.5.3.4. Технологии разработки или
производства следующих элементов
электровакуумных СВЧ-приборов:
13.5.3.4.1. Безнакальных и
вторично-эмиссионных эмиттеров
13.5.3.4.2. Высокоэффективных эмиттеров
с плотностью тока катода более
10 А/кв.см
13.5.3.4.3. Электронно-оптических и
электродинамических систем для
многорежимных ламп бегущей волны
(ЛБВ), многолучевых приборов и
гиротронов
13.5.4. Технологии, связанные с
исследованием проблем
распространения радиоволн в
интересах создания перспективных
систем связи и управления:
13.5.4.1. Технологии разработки,
производства или применения
средств КВ-радиосвязи:
13.5.4.1.1. Технологии разработки,
производства или применения
автоматически управляемых
КВ-радиосистем, в которых
обеспечивается управление
качеством работы каналов связи
13.5.4.1.2. Технологии разработки,
производства или применения
устройств настройки антенн,
позволяющих настраиваться на
любую частоту в диапазоне от
1,5 МГц до 88 МГц, которые
преобразуют начальный импеданс
антенны с коэффициентом стоячей
волны от 3-1 или более до 3-1 или
менее, и обеспечивающих настройку
при работе в любом из следующих
режимов:
а) в режиме приема за время
200 мс или менее;
б) в режиме передачи за время
200 мс или менее при уровнях
мощности менее 100 Вт и за 1 с
или менее при уровнях более
100 Вт
13.5.4.2. Технологии разработки,
производства или применения
широкополосных передающих антенн,
имеющих коэффициент перекрытия
частотного диапазона в пределах
10 и более и коэффициент стоячей
волны не более 4
13.5.4.3. Технологии разработки,
производства или применения
станций радиорелейной связи,
использующих эффект тропосферного
рассеяния, и их компонентов,
таких, как:
13.5.4.3.1. Усилителей мощности для работы в
диапазоне частот от 300 МГц до
8 ГГц, использующих жидкостно- и
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
|
