Стр. 29
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 8541 60 000 0
волнах и на акустических волнах в
тонком поверхностном слое (то есть
приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны
в материале), имеющие любую
из следующих характеристик:
а) несущую частоту выше 2,5 ГГц;
б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
частотное подавление боковых лепестков
диаграммы направленности более 55 дБ;
произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
ширину полосы частот выше 250 МГц; или
дисперсионную задержку более 10 мкс;
или
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
дисперсионную задержку более 10 мкс;
или
частотное подавление боковых лепестков
диаграммы направленности более 55 дБ и
ширину полосы частот, превышающую
50 МГц
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0
волнах (то есть приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны в
материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов на
частотах, превышающих 1 ГГц
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541 60 000 0
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;
содержащие компоненты, изготовленные 8541;
из сверхпроводящих материалов, 8542;
специально спроектированные для работы 8543
при температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
а) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение
времени задержки на вентиль (в
секундах) на рассеиваемую мощность на
вентиль (в ваттах) менее 10**-14 Дж;
или
б) селекцию частоты на всех частотах с
использованием резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные
энергетические устройства:
3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических
элементов:
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с 8506;
плотностью энергии, превышающей 8507;
480 Вт·ч/кг, и пригодные для работы 8541 40 900 0
в диапазоне температур от ниже 243 К
(-30°С) до выше 343 К (70°С);
3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с 8506;
плотностью энергии более 8507;
150 Вт·ч/кг после 75 циклов 8541 40 900 0
заряд-разряда при токе разряда, равном
С/5 (С - номинальная емкость в
ампер-часах, 5 - время разряда в
часах), при работе в диапазоне
температур от ниже 253 К (-20°С) до
выше 333 К (60°С)
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем
умножения средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на разомкнутых
клеммах падает до 75% от номинала, и
деления полученного произведения на
общую массу элемента (или батареи) в
килограммах.
3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения в 8506;
космосе, и радиационно стойкие сборки 8507;
фотоэлектрических элементов с удельной 8541 40 900 0
мощностью более 160 Вт/кв.м при
рабочей температуре 301 К (28°С) и
облучении от вольфрамового источника,
нагретого до температуры 2800 К
(2527°С) с плотностью мощности
излучения 1 кВт/кв.м
Примечание. По пунктам
3.1.1.5.1.1-3.1.1.5.1.3 не
контролируются батареи объемом
27 куб.см или менее (например,
стандартные элементы с угольными
стержнями или батареи типа R14).
3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные
конденсаторы:
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
ниже 10 Гц (одноразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все следующие 8532
характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
в) полную энергию 25 кДж или более
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
10 Гц и выше (многоразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все следующие 8532
характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или
более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда
10000 или более
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 8504 50;
соленоиды, специально разработанные на 8505 90 100 0
полный заряд или разряд менее чем за
1 с, имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
больше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке более 300 А/кв.мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально разработанные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии.
3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного 9031 80 320 0;
углового положения вращающегося вала, 9031 80 340 0
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +-2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее:
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте 8520 32 500 0;
показаний аналоговой аппаратуры, 8520 32 990 0;
включая аппаратуру с возможностью 8520 39 900 0;
записи цифровых сигналов (например, 8520 90 900 0;
использующие модуль цифровой записи 8521 10 300 0;
высокой плотности), имеющие любую из 8521 10 800 0
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на
электронный канал или дорожку, при
количестве дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих руководящих
материалов Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(ЕIA), менее +-0,1 мкс
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны на магнитной ленте,
специально разработанные для
гражданского применения, не
рассматриваются как записывающие
устройства, использующие ленту.
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на магнитной 8521 10;
ленте, имеющие максимальную пропускную 8521 90 000 0
способность цифрового интерфейса более
360 Мбит/с
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны на магнитной ленте,
специально разработанные для
телевизионной записи, использующие
формат сигнала, который может включать
сжатие формата сигнала,
стандартизированный или рекомендуемый
для применения в гражданском
телевидении Международным союзом
электросвязи, Международной
электротехнической комиссией,
Организацией инженеров по развитию
кино и телевидения, Европейским союзом
радиовещания, Европейским институтом
стандартов по телекоммуникациям или
Институтом инженеров по электротехнике
и радиоэлектронике.
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте 8471 70 600 0;
показаний цифровой аппаратуры, 8521 10
использующие принципы спирального
сканирования или принципы
фиксированной головки и имеющие любую
из следующих характеристик:
а) максимальную пропускную способность
цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;
или
б) пригодные для применения в космосе
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются устройства записи
данных на магнитной ленте, оснащенные
электронными блоками для
преобразования в цифровую запись
высокой плотности и предназначенные
для записи только цифровых данных.
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 8521 90 000 0
способностью цифрового интерфейса,
превышающей 175 Мбит/с, разработанная
в целях переделки цифровых
видеомагнитофонов на магнитной ленте
для использования их как устройств
записи данных цифровой аппаратуры
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 8471 90 000 0;
цифровую форму и записи переходных 8543 89 950 0
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму 200 млн.проб в секунду или
более и разрешение 10 бит или более; и
б) непрерывную пропускную способность
2 Гбит/с или более
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на
параллельной шине непрерывная
пропускная способность есть
произведение наибольшего объема слов
на количество бит в слове. Непрерывная
пропускная способность - это наивысшая
скорость передачи данных аппаратуры, с
которой информация поступает в
запоминающее устройство без потерь при
сохранении скорости выборки и
аналого-цифрового преобразования.
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50;
аппаратуры, использующие способ 8471 60 100 0;
хранения на магнитном диске, имеющие 8471 60 900 0;
все следующие характеристики: 8471 70 100 0;
а) скорость преобразования в цифровую 8471 70 510 0;
форму 100 млн.проб в секунду и 8471 70 530 0;
разрешение 8 бит или более; и 8520 90 100 0;
б) непрерывную пропускную способность 8520 90 900 0;
не менее 1 Гбит/с или более; 8521 90 000 0;
8522 90 590 0;
8522 90 930 0;
8522 90 980 0
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000 0
частот, имеющие время переключения
частоты менее 1 мс
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, анализирующие 9030 83 900 0;
любые сигналы с частотой выше 9030 89 920 0
31,8 ГГц, но ниже 37,5 ГГц, или
превышающие 43,5 ГГц
3.1.2.3.2. Динамические анализаторы сигналов с 9030 83 900 0;
полосой частот в реальном масштабе 9030 89 920 0
времени, превышающей 500 кГц
Примечание. По пункту 3.1.2.3.2 не
контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие
только фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей (известны также
как октавные или дробно-октавные
фильтры).
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 8543 20 000 0
частот, формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую частоту,
превышающую 31,8 ГГц;
б) время переключения с одной
выбранной частоты на другую менее
1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в
единицах дБ/Гц, где F - смещение от
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо путем
сложения или вычитания частот с двух
или более кварцевых генераторов, либо
путем сложения или вычитания с
последующим умножением результирующей
частоты.
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные 9030 40 900 0
измерители полных сопротивлений;
измерители амплитуды, фазы и групповой
задержки двух сигналов относительно
опорного сигнала) с максимальной
рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 980 0
имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 43,5 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 8543 20 000 0
из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) меньше (лучше) 1·10**-11
в месяц; или
б) пригодные для применения в космосе
Примечание. По подпункту "а" пункта
3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
эталоны, непригодные для применения в
космосе.
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты,
указанных в подпункте "б" пункта
3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1
раздела 2.
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка
для них:
3.2.1.1. Управляемое встроенной программой
оборудование для эпитаксиального
выращивания:
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее толщину 8479 89 650 0
выращиваемого слоя с отклонением менее
+-2,5% на расстояниях 75 мм или более
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического 8419 89 200 0
осаждения из паровой фазы
металлоорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов
полупроводниковых соединений с
использованием материалов,
контролируемых по пункту 3.3.3 или
3.3.4, в качестве исходных
Особое примечание.
В отношении оборудования, указанного
в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт
3.2.1 раздела 2.
3.2.1.1.3. Оборудование для 8479 89 700 0;
молекулярно-эпитаксиального 8543 89 650 0
выращивания с использованием
газообразных или твердых источников
3.2.1.2. Управляемое встроенной программой 8543 11 000 0
оборудование, предназначенное для
ионной имплантации, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) энергию пучка (ускоряющее
напряжение) более 1 МэВ;
б) специально спроектированное и
оптимизированное для работы с энергией
пучка (ускоряющим напряжением) менее
2 кэВ;
в) имеет возможность непосредственного
формирования рисунка; или
г) имеет возможность
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала
3.2.1.3. Управляемое встроенной программой
оборудование для сухого анизотропного
плазменного травления:
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из 8456 91 000 0;
кассеты в кассету и шлюзовой 8456 99 800 0
загрузкой, имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное или оптимизированное
для производства структур с
критическим размером 0,3 мкм или менее
и погрешностью (3Q), равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
3.2.1.3.2. Оборудование, специально 8456 91 000 0;
спроектированное для систем, 8456 99 800 0
контролируемых по пункту 3.2.1.5, и
имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное или оптимизированное
для производства структур с критическим
размером 0,3 мкм или менее и
погрешностью (3Q), равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
______________________________
Q - греческая буква "сигма".
3.2.1.4. Управляемое встроенной программой 8419 89 200 0;
оборудование химического осаждения из 8419 89 300 0
паровой фазы с применением плазменного
разряда, ускоряющего процесс:
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из
кассеты в кассету и шлюзовой
загрузкой, имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированное для производства
структур с критическим размером
0,3 мкм или менее и погрешностью (3Q),
равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
3.2.1.4.2. Оборудование, специально
спроектированное для систем,
контролируемых по пункту 3.2.1.5, и
имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированное для производства
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
|
