Стр. 30
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
или оптимизированное для производства
структур с критическим размером
0,3 мкм или менее и погрешностью (3Q),
равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
______________________________
Q - греческая буква "сигма".
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 8456 10;
автоматически загружаемые 8456 91 000 0;
многокамерные системы с центральной 8456 99 800 0;
загрузкой полупроводниковых пластин 8456 99 300 0;
(подложек), имеющие все следующие 8479 50 000 0
характеристики:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки
пластин (подложек), к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной
системы последовательной
многопозиционной обработки пластин
(подложек) в вакууме
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы управления
загрузкой пластин (подложек), не
предназначенные для работы в вакууме.
3.2.1.6. Управляемое встроенной программой
оборудование для литографии:
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с 9009 22 000 0
использованием методов оптической или
рентгеновской литографии с пошаговым
совмещением и экспозицией
(непосредственно на пластине) или
сканированием (сканер), имеющее любое
из следующего:
а) источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) возможность формирования рисунка с
минимальным разрешаемым размером
элемента 0,35 мкм и менее
Техническое примечание. Минимальный
разрешаемый размер элемента (МРР)
рассчитывается по следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света в
микрометрах) х (К фактор) / (числовая
апертура),
где К фактор = 0,7.
3.2.1.6.2. Оборудование, специально разработанное 8456 10;
для изготовления шаблонов или 8456 99
производства полупроводниковых
приборов с использованием отклоняемого
сфокусированного электронного, ионного
или лазерного пучка, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) возможность формирования рисунка с
размером элементов менее 1 мкм; или
в) точность совмещения слоев лучше
+-0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 9010 90
разработанные для производства
интегральных схем, контролируемых по
пункту 3.1.1
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 9010 90
слоем
3.2.2. Управляемое встроенной программой
оборудование, специально разработанное
для испытания готовых или находящихся
в разной степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально разработанные для этого
компоненты и приспособления:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390 0
транзисторных приборов на частотах
выше 31 ГГц
3.2.2.2. Для испытания интегральных схем, 9030;
способное выполнять функциональное 9031 20 000 0;
тестирование (по таблицам истинности) 9031 80 390 0
с частотой тестирования строк выше
333 МГц
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется оборудование,
специально разработанное для испытания:
а) электронных сборок или любого
класса электронных сборок бытового или
развлекательного назначения;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
в) запоминающих устройств.
Техническое примечание.
Для целей этого пункта частота
тестирования определяется как
максимальная частота цифрового режима
работы испытательного устройства.
Поэтому она является эквивалентом
скорости тестирования, которую может
обеспечить указанное устройство во
внемультиплексном режиме. Она может
также считаться скоростью испытания,
относиться к максимальной цифровой
частоте или к максимальной цифровой
скорости.
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9030;
интегральных схем, контролируемых по 9031 20 000 0;
пункту 3.1.1.2.2 9031 80 390 0
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры
(материалы), состоящие из подложки с
несколькими последовательно
наращенными эпитаксиальными слоями
любого из следующих материалов:
3.3.1.1. Кремний 3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия или 3818 00 900 0
индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это либо
поликристаллические, либо бинарные или
многокомпонентные монокристаллические
продукты, состоящие из элементов групп
IIIA и VA (по отечественной
классификации это группы А3 и В5)
периодической системы Менделеева
(например, арсенид галлия, алюмоарсенид
галлия, фосфид индия и тому подобное).
3.3.2. Материалы резистов, а также подложки,
покрытые контролируемыми резистами:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные 3824 90 990 0
для полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования
на длине волны менее 350 нм
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или
лучше
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 990 0
технологии формирования рисунка,
включая силилированные резисты
Техническое примечание.
Технология силилирования - это процесс,
включающий окисление поверхности
резиста, для повышения качества
мокрого и сухого проявления.
3.3.3. Следующие органо-неорганические
соединения:
3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 00 950 0
алюминия, галлия или индия с чистотой
металлической основы более 99,999%
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 00 950 0
сурьмы и фосфорорганические соединения
с чистотой неорганического элемента
более 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только соединения,
металлический, частично металлический
или неметаллический элемент в которых
непосредственно связан с углеродом
органической части молекулы.
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 2848 00 000 0;
имеющие чистоту более 99,999%, даже 2850 00 200 0
будучи растворенными в инертных газах
или водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие
20% и более молей инертных газов или
водорода.
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
разработанное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам
3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом по пункту
3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), имеющее все следующие
составляющие:
а) предназначено для разработки
полупроводниковых приборов или
интегральных схем; и
б) предназначено для выполнения или
использования любого из следующего:
реализации правил проектирования или
правил проверки схем;
моделирования физической топологии
схем; или
проектного моделирования
литографических процессов
Техническое примечание.
Проектное моделирование литографических
процессов - это пакет программного
обеспечения, используемый на этапе
проектирования для определения
последовательности операций
литографии, травления и осаждения в
целях воплощения маскирующих шаблонов
в конкретные топологические рисунки на
проводниках, диэлектриках или
полупроводниках.
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
разработанное для ввода описания схемы,
моделирования логической схемы,
раскладки и трассировки (проведения
соединений между точками схемы),
проверки топологии или ленты-носителя
формирования рисунка.
2. Библиотеки, проектные атрибуты или
сопутствующие данные для проектирования
полупроводниковых приборов или
интегральных схем рассматриваются как
технология.
3.5. Технология
3.5.1. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Перечню для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пункту
3.1, 3.2 или 3.3
3.5.2. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Перечню другие, чем те,
которые контролируются по пункту
3.5.1, для разработки или производства
микросхем микропроцессоров, микросхем
микрокомпьютеров и микросхем
микроконтроллеров, имеющих совокупную
теоретическую производительность (СТП)
530 Мтопс (миллионов теоретических
операций в секунду) или более и
арифметико-логическое устройство с
длиной выборки 32 бит или более
Примечание. По пунктам 3.5.1 и 3.5.2
не контролируются технологии для
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых
по пунктам 3.1.1.1.3-3.1.1.1.11,
имеющих оба нижеперечисленных признака:
1) использующие технологии с
разрешением 0,5 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных структур.
Техническое примечание.
Термин "многослойные структуры",
приведенный в подпункте 2 пункта "б"
примечания, не включает приборы,
содержащие максимум три металлических
слоя и три слоя поликристаллического
кремния.
3.5.3. Прочие технологии для разработки или
производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с квантовыми
ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек из алмазных пленок для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на
диэлектрике (КНД-структур) для
интегральных схем, в которых
диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для
электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп,
работающих на частотах 31 ГГц или выше
КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и
программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях или
локальных вычислительных сетях, должны
быть также проанализированы на
соответствие характеристикам, указанным
в части 1 категории 5
(Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
устройства оперативной памяти или
дисковые контроллеры, не
рассматриваются как
телекоммуникационное оборудование,
описанное в части 1 категории 5
(Телекоммуникации).
Особое примечание.
Для определения контрольного статуса
программного обеспечения, специально
разработанного для коммутации пакетов,
следует применять пункт 5.4.1.
3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и
программное обеспечение, выполняющие
функции криптографии, криптоанализа,
сертифицируемой многоуровневой защиты
информации или сертифицируемые функции
изоляции пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны быть также
проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 2
категории 5 (Защита информации)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. ЭВМ и сопутствующее оборудование, а
также электронные сборки и специально
разработанные для них компоненты:
4.1.1.1. Специально разработанные для 8471
достижения любой из следующих
характеристик:
а) по техническим условиям пригодные
для работы при температуре внешней
среды ниже 228 К (-45°С) или выше
358 К (85°С)
Примечание. По подпункту "а" пункта
4.1.1.1 не контролируются ЭВМ,
специально созданные для гражданских
автомобилей или железнодорожных
поездов.
б) радиационно стойкие при превышении
любого из следующих требований:
общая доза 5 х 10**3 Гр (Si)
[5 х 10**5 рад];
мощность дозы 5 х 10**6 Гр (Si)/с
[5 х 10**8 рад/с];
сбой от однократного события
10**-7 ошибок/бит/день
Особое примечание.
В отношении систем, оборудования и
компонентов, соответствующих
требованиям подпункта "б" пункта
4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1
раздела 2.
4.1.1.2. Имеющие характеристики или функции 8471
производительности, превосходящие
пределы, указанные в части 2 категории
5 (Защита информации)
Примечание. По пункту 4.1.1.2 не
контролируются ЭВМ и относящееся к ним
оборудование, когда они вывозятся
пользователями для своего
индивидуального использования.
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные сборки и 8471 10
специально разработанные для них
компоненты, имеющие в своем составе:
а) цифровые ЭВМ, которые
контролируются по пункту 4.1.3;
б) аналого-цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
32 каналами или более; и
разрешающей способностью 14 бит (плюс
знаковый разряд) или более со
скоростью 200000 преобразований/с или
более
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты:
4.1.3.1. Спроектированные или модифицированные 8471
для обеспечения отказоустойчивости (кроме 8471 10)
Примечание. Применительно к пункту
4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее
оборудование не считаются
спроектированными или
модифицированными для обеспечения
отказоустойчивости, если в них
используется любое из следующего:
а) алгоритмы обнаружения или
исправления ошибок, хранимые в
оперативной памяти;
б) соединение двух цифровых
вычислительных машин такое, что если
происходит отказ активного
центрального процессора, то холостой
зеркальный центральный процессор может
продолжить функционирование системы;
в) соединение двух центральных
процессоров посредством каналов
передачи данных или с применением
разделяемой памяти, для того чтобы
обеспечить одному центральному
процессору возможность выполнять
некоторую работу, пока не откажет
другой центральный процессор; тогда
первый центральный процессор принимает
его работу на себя, чтобы продолжить
функционирование системы; или
г) синхронизация двух центральных
процессоров, объединенных посредством
программного обеспечения так, что один
центральный процессор распознает,
когда отказывает другой центральный
процессор, и восстанавливает задачи,
выполнявшиеся отказавшим процессором.
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме 8471 10)
(СТП), превышающую 190000 Мтопс
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
разработанные или модифицированные для (кроме 8471 10)
повышения производительности путем
объединения вычислительных элементов
таким образом, чтобы совокупная
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
|
