Стр. 28
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в
зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры,
относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации
поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой
нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения
материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру
(гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость
потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения
материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения
------------T---------------------------------------T---------------
№ пункта ¦ Наименование ¦ Код ТН ВЭД
------------+---------------------------------------+---------------
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и
компонентов, указанных в пункте 3.1,
других, нежели указанные в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или пункте
3.1.1.1.11, и которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как и
другое оборудование, определяется по
контрольному статусу такого
оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.8 или пункте
3.1.1.1.11, которые являются неизменно
запрограммированными или разработанными
для выполнения функций другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу такого
оборудования.
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или
заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус определяется
контрольным статусом интегральных схем,
указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.8 или пункте
3.1.1.1.11. Если интегральная схема
является кремниевой микросхемой
микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанными в пункте
3.1.1.1.3 и имеющими длину слова
операнда (данных) 8 бит или менее, то
ее статус контроля должен определяться
в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3.
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или относящиеся к классу радиационно
стойких, выдерживающие любое из
следующих воздействий:
а) суммарную дозу 5 х 10**3 Гр (Si)
[5 х 10**5 рад] или выше;
б) мощность дозы 5 х 10**6 Гр (Si)/с
[5 х 10**8 рад/с] или выше; или
в) флюенс (интегральный поток)
нейтронов (соответствующий энергии в
1 МэВ) 5 х 10**13 н/кв.см или более по
кремнию или его эквивалент для других
материалов
Примечание. Подпункт "в" пункта
3.1.1.1.1 не применяется к структуре
металл-диэлектрик-полупроводник
(МДП-структуре).
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542
микросхемы микроЭВМ, микросхемы
микроконтроллеров, изготовленные из
полупроводниковых соединений
интегральные схемы памяти,
аналого-цифровые преобразователи,
цифроаналоговые преобразователи,
электронно-оптические или оптические
интегральные схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные схемы,
функции которых неизвестны или не
известно, распространяется ли статус
контроля на аппаратуру, в которой
будут использоваться эти интегральные
схемы, процессоры быстрого
преобразования Фурье, электрически
перепрограммируемые постоянные
запоминающие устройства (ЭППЗУ),
память с групповой перезаписью или
статические запоминающие устройства с
произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К (+125°С);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К (-55°С);
или
в) работоспособные во всем диапазоне
температур окружающей среды от 218 К
(-55°С) до 398 К (+125°С)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные
схемы, применяемые для гражданских
автомобилей и железнодорожных поездов.
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров,
микросхемы микроЭВМ,
микросхемы микроконтроллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых 8542 21 45;
соединениях и работающие на тактовой 8542 21 500 0;
частоте, превышающей 40 МГц; или 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.3.2. Более одной шины данных или команд 8542 21 45;
либо последовательный порт связи, что 8542 21 500 0;
обеспечивает прямое внешнее соединение 8542 21 83;
между параллельными микросхемами 8542 21 850 0;
микропроцессоров со скоростью 8542 60 000
передачи, превышающей 150 Мбайт/с
Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает
процессоры цифровых сигналов, цифровые
матричные процессоры и цифровые
сопроцессоры.
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 21 45;
изготовленные на полупроводниковых 8542 21 500 0;
соединениях 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для 8542 29 600 0;
аналого-цифровых и цифроаналоговых 8542 29 900 9;
преобразователей: 8542 60 000 9
а) аналого-цифровые преобразователи,
имеющие любую из следующих
характеристик:
разрешающую способность 8 бит или
более, но менее 12 бит с общим
временем преобразования
менее 5 нс;
разрешающую способность 12 бит с общим
временем преобразования менее 20 нс;
разрешающую способность более 12 бит,
но равную или меньше 14 бит с общим
временем преобразования менее 200 нс;
или
разрешающую способность более 14 бит с
общим временем преобразования менее
1 мкс;
б) цифроаналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит или
более и временем установления сигнала
менее 10 нс
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов
n
соответствует 2 уровням квантования.
2. Общее время преобразования является
величиной, обратной частоте выборки.
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно
все перечисленные составляющие:
а) один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний светочувствительный
элемент или более; и
в) световоды;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542 21 690 0;
логические устройства, имеющие любую 8542 21 990 0
из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество
задействованных логических элементов
более 30000 (в пересчете на элементы
с двумя входами);
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс; или
в) частоту переключения выше 133 МГц
Примечание. Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические
устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС).
Особое примечание.
Программируемые пользователем
логические устройства также известны
как программируемые пользователем
вентильные или программируемые
пользователем логические матрицы.
3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей 8542
3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, функции 8542 21 690 0;
которых неизвестны или изготовителю не 8542 21 990 0;
известно, распространяется ли статус 8542 29;
контроля на аппаратуру, в которой 8542 60 000
будут использоваться эти интегральные
схемы, с любой из следующих
характеристик:
а) более 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, 8542
нежели указанные в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 и пункте
3.1.1.1.11, созданные на основе любого
полупроводникового соединения и
характеризующиеся любым из
нижеследующего:
а) эквивалентным количеством
логических элементов более 3000
(в пересчете на элементы с двумя
входами); или
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования 8542 21 45;
Фурье, имеющие расчетное время 8542 21 500 0;
выполнения комплексного N-точечного 8542 21 83;
сложного быстрого преобразования Фурье 8542 21 850 0;
менее (N log2 N)/20 480 мс, 8542 60 000
где N - количество точек
Техническое примечание.
В случае когда N равно 1024 точкам,
формула в пункте 3.1.1.1.11 дает
результат времени выполнения 500 мкс.
Примечания:
1. Контрольный статус подложек (готовых
или полуфабрикатов), на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным
в пункте 3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
монолитные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая
интегральные схемы типа "кремний на
сапфире";
оптические интегральные схемы.
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 0
непрерывного действия:
а) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со
временем выхода лампы на предельную
радиочастотную мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с относительной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
мгновенную ширину полосы частот более
одной октавы и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
мгновенную ширину полосы частот в одну
октаву или менее и произведение
средней мощности (выраженной в кВт) на
рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 1; или
пригодные для применения в космосе
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540 71 000 0
коэффициентом усиления более 17 дБ
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные 8540 99 000 0
для электронных ламп, эмитирующие в
непрерывном режиме и штатных условиях
работы ток плотностью, превышающей
5 А/кв.см
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, спроектированные
для работы в любом диапазоне частот,
который удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) частота не превышает 31 ГГц; и
б) диапазон распределен Международным
союзом электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, которые
непригодны для применения в космосе и
удовлетворяют всем следующим
характеристикам:
а) средняя выходная мощность не более
50 Вт; и
б) спроектированные для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
частота выше 31 ГГц, но не превышает
43,5 ГГц; и
диапазон распределен Международным
союзом электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения.
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или 8542 29;
модули, которые: 8542 60 000;
а) содержат монолитные интегральные 8542 70 000 0
схемы, имеющие один или более активных
элементов; и
б) работают на частотах выше 3 ГГц
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули для
оборудования, разработанного или
предназначенного для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) диапазон распределен Международным
союзом электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируется радиопередающее
спутниковое оборудование, разработанное
или предназначенное для работы в полосе
частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц.
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541 21 000 0;
предназначенные для работы на 8541 29 000 0
частотах, превышающих 31 ГГц
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, 8543 89 950 0
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах, превышающих
10,5 ГГц, и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более половины октавы;
или
б) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц
3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с 8543 89 950 0
электронной или магнитной перестройкой,
содержащие более пяти настраиваемых
резонаторов, обеспечивающих настройку
в полосе частот с соотношением
максимальной и минимальной частот
1,5:1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс,
и имеющие любую из следующих
характеристик:
а) полосу пропускания частоты более
0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее
0,5% от резонансной частоты
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8529 10 700 0;
работать на частотах, превышающих 8542 70 000 0
31 ГГц
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543 89 950 0
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5
или 3.1.2.6
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 950 0
СВЧ-диапазона, содержащие лампы,
контролируемые по пункту 3.1.1.2, и
имеющие все следующие характеристики:
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) плотность средней выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб.см
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
спроектированная для работы в любом
диапазоне частот, распределенном
Международным союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не для
радиоопределения.
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально разработанные для них
компоненты:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 8541 60 000 0
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57 |
Стр.58
|
