Стр. 51
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
титана, алюминия и высокопрочной
стали, а также составление
материалов для покрытий и
сердцевин электродов
12.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
металлических конструкций и
компонентов методом
электроннолучевой сварки с
использованием машинного
управления технологическим
процессом
Категория 13. Электроника
13.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
13.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
13.3. Материалы - нет
13.4. Программное обеспечение
13.4.1. Программное обеспечение,
разработанное для анализа
нелинейного взаимодействия пакета
волн
13.4.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки и
производства электрических и
механических элементов антенн, а
также для анализа тепловых
деформаций конструкции антенны
13.4.3. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
космических элементов спутниковой
системы связи и их элементов,
таких как:
13.4.3.1. развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн;
13.4.3.2. антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве;
13.4.3.3. антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.4.3.4. микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех;
13.4.3.5. трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.4.3.6. антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур
13.4.4. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
полосовых фильтров с полосой
пропускания менее 0,1% или более
10% среднего значения частоты
13.4.5. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или производства аппаратуры,
указанной в пунктах
13.5.5.1-13.5.5.5
13.5. Технологии
13.5.1. Технологии, связанные с
разработкой, производством или
применением вакуумной
электроники, акустоэлектроники и
сегнетоэлектрики
13.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования с
цифровым управлением,
позволяющего осуществлять
автоматическую ориентацию
рентгеновского луча и коррекцию
углового положения кварцевых
кристаллов с компенсацией
механических напряжений,
вращающихся по двум осям при
величине погрешности 10 угловых
секунд или менее, которая
поддерживается одновременно для
двух осей вращения;
13.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования для
равномерного покрытия поверхности
мембран, электродов и
волоконно-оптических элементов
монослоями биополимеров или
биополимерных композиций
13.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения криогенной техники:
13.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения низкотемпературных
контейнеров, криогенных
трубопроводов или
низкотемпературных
рефрижераторных систем закрытого
типа, предназначенных для
получения и поддержания
регулируемых температур ниже
100 К и пригодных для
использования на подвижных
наземных, морских, воздушных и
космических платформах
13.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения источников СВЧ и
микроволнового излучения большой
мощности (более 2,5 кВт):
13.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения мощных переключателей,
таких как водородные тиратроны,
и их компонентов, в том числе:
13.5.3.1.1. эффективных устройств охлаждения
путем рассеяния тепла;
13.5.3.1.2. малоразмерных элементов для
уменьшения индуктивности приборов
и улучшения характеристики di/dt;
13.5.3.1.3. катодов большой площади;
13.5.3.1.4. устройств получения длительных
(до 30 с) импульсов;
13.5.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения волноводов и их
компонентов, в том числе:
13.5.3.2.1. массового производства одно- и
двухгребневых волноводов и
высокоточных волноводных
компонентов;
13.5.3.2.2. механических конструкций и
вращающихся сочленений;
13.5.3.2.3. устройств охлаждения
ферромагнитных компонентов;
13.5.3.2.4. прецизионных волноводов
миллиметровых волн и их
компонентов;
13.5.3.2.5. ферритовых деталей для
использования в ферромагнитных
компонентах волноводов;
13.5.3.2.6. ферромагнитных и механических
деталей для сборки ферромагнитных
узлов волноводов;
13.5.3.2.7. материалов типа
"диэлектрик-феррит" для
управления фазой сигнала и
уменьшения размеров антенны;
13.5.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения СВЧ и ВЧ-антенн,
специально предназначенных для
ускорения ионов
13.5.4. Технологии, связанные с
исследованием проблем
распространения радиоволн в
интересах создания перспективных
систем связи и управления:
13.5.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств КВ-радиосвязи,
такие как:
13.5.4.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения автоматически
управляемых КВ-радиосистем, в
которых обеспечивается управление
качеством работы каналов связи;
13.5.4.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств настройки
антенн, позволяющих настраиваться
на любую частоту в диапазоне от
1,5 до 88 МГц, которые
преобразуют начальный импеданс
антенны с коэффициентом стоячей
волны от 3-1 и более до 3-1 и
менее, и обеспечивающих настройку
при работе в любом из следующих
режимов:
а) в режиме приема за время 200
мс или менее;
б) в режиме передачи за время 200
мс или менее при уровнях мощности
ниже 100 Вт и за 1 с или менее
при уровнях свыше 100 Вт;
13.5.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения широкополосных
передающих антенн, имеющих
коэффициент перекрытия частотного
диапазона в пределах 10 и более и
коэффициент стоячей волны не
более 4;
13.5.4.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения станций радиорелейной
связи, использующих эффект
тропосферного рассеяния, и их
компонентов, таких как:
13.5.4.3.1. усилителей мощности для работы в
диапазоне частот от 300 МГц до
8 ГГц, использующих жидкостно- и
пароохлаждаемые электронные лампы
мощностью более 10 кВт или лампы
с воздушным охлаждением мощностью
2 кВт или более и коэффициентом
усиления более 20%, включая
усилители, объединенные со своими
источниками электропитания;
13.5.4.3.2. приемников с уровнем шумов менее
ЗдБ;
13.5.4.3.3. специальных микроволновых
гибридных интегральных схем;
13.5.4.3.4. фазированных антенных решеток,
включая их распределенные
компоненты для формирования луча;
13.5.4.3.5. адаптивных антенн, способных к
установке нуля диаграммы
направленности в направлении на
источник помех;
13.5.4.3.6. средств радиорелейной связи для
передачи цифровой информации со
скоростью выше 2,1 Мбит/с и более
1 бит/цикл;
13.5.4.3.7. средств радиорелейной
многоканальной (более 120
каналов) связи с разделением
каналов по частоте;
13.5.4.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства, или
применения космических
спутниковых элементов, таких как:
систем связи и их
13.5.4.4.1. развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн;
13.5.4.4.2. антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве;
13.5.4.4.3. антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.5.4.4.4. микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех;
13.5.4.4.5. трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.5.4.4.6. антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур,
включая технологии стабилизации
параметров в процессе
изготовления компонентов из
эпоксидных смол с графитовым
наполнением;
13.5.4.5. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
усилителей мощности,
предназначенных для применения в
космосе и имеющих одно из
следующих устройств и
особенностей:
13.5.4.5.1. приборы с теплообменными
устройствами, содержащими схемы
теплопередачи от элемента к
поглотителю тепла мощностью свыше
25 Вт с площади 900 кв.см;
13.5.4.5.2. блоки, работающие на частотах
18 ГГц или обеспечивающие
следующие мощности: 10 Вт на
частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на
частоте 2 ГГц, или 1 Вт на
частоте 11 ГГц;
13.5.4.5.3. высоковольтные источники питания,
имеющие соотношение
мощность/масса и
мощность/габариты более 1 Вт/кг и
1 Вт на 320 кв.см
13.5.5. Технологии, связанные с
разработкой методов и способов
радиоэлектронной разведки и
подавления:
13.5.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
радиоэлектронной разведки и
подавления, такие как:
13.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем разведки и
подавления, управляемых
оператором или работающих
автоматизированно и
предназначенных для перехвата,
анализа, подавления и нарушения
нормальной работы систем связи
всех типов;
13.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников, работающих
с сигналами, имеющими коэффициент
сжатия, превышающий 100;
13.5.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
использующих дисперсионные
фильтры и конвольверы с уровнем
побочных сигналов на 20 дБ ниже
основного сигнала;
13.5.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
предназначенных для обнаружения,
перехвата, анализа, подавления
сигналов, в том числе с
модуляцией распределенным
спектром;
13.5.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств
автоматической настройки антенны,
обеспечивающих ее перестройку со
скоростью не менее 30 МГц/с;
13.5.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
автоматического определения
направления, способных считывать
пеленги со скоростями не менее
одного пеленга в секунду
13.5.6. Технологии, предназначенные для
разработки, изготовления или
применения запоминающих
устройств (ЗУ) на тонких пленках,
такие как:
13.5.6.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ЗУ на ЦМД;
13.5.6.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения материалов и
оборудования для изготовления ЗУ
на ЦМД;
13.5.6.3. Технологии, предназначенные для
выращивания и обработки
материалов для изготовления
подложек ЗУ на магнитных доменах,
например, из материала на основе
галлийгадолиниевого граната;
13.5.6.4. Технологии, предназначенные для
эпитаксиального выращивания
пленок для ЗУ на ЦМД;
13.5.6.5. Технологии, предназначенные для
осаждения пермаллоя и диэлектрика
и создания рисунка, включая
металлизацию напылением или
испарением и ионное фрезерование;
13.5.6.6. Технологии, предназначенные для
компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;
13.5.6.7. Технологии, предназначенные для
разработки ионных имплантантов и
ЗУ с соприкасающимися дисками и
методы создания рисунка
13.5.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ЗУ на проволоке с
гальваническим покрытием, такие
как:
13.5.7.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства ЗУ на
проволоке с гальваническим
покрытием, включая:
13.5.7.1.1. подготовку бериллиево-медной
подложки для обеспечения чистой и
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
|
