Стр. 28
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
непосредственную обработку сигналов
на частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541 60 000
сигналов, использующие
взаимодействие между акустическими
волнами (объемными или
поверхностными) и световыми волнами,
что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или
изображения, включая анализ спектра,
корреляцию или свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;
содержащие компоненты, изготовленные 8541;
из сверхпроводящих материалов, 8542;
специально спроектированные 8543
для работы при температурах
ниже критической температуры
хотя бы одной из сверхпроводящих
составляющих, имеющие хотя
бы один из следующих признаков:
а) исключен. - приказ ГТК РФ от
18.10.2000 № 937
(см.текст в предыдущей редакции)
а) токовые переключатели для
цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у
которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на
рассеяние мощности на вентиль (в
ваттах) ниже 1E(-14) Дж; или
б) селекцию частоты на всех
частотах с использованием
резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители
энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на 8506;
фотоэлектрических элементах, 8507;
такие как: 8541 40 910
а) первичные элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг
и пригодные по техническим условиям
для работы в диапазоне температур
от 243 K (-30°C) и ниже до 343 K
(70°C) и выше;
Техническое примечание. Плотность
энергии определяется путем умножения
средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на
разомкнутых клеммах падает до 75% от
номинала, и деления полученного
произведения на общую массу элемента
(или батареи) в кг.
б) подзаряжаемые элементы и батареи
с плотностью энергии свыше
150 Вт.ч/кг после 75 циклов
заряда-разряда при токе разряда,
равном С/5 ч (С - номинальная
емкость в ампер-часах), при работе в
диапазоне температур от 253 K
(-20°C) и ниже до 333 K (60°C) и
выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с
удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м
при рабочей температуре 301 K (28°C)
и вольфрамовом источнике, нагретом
до 2800 K (2527°C) и создающем
энергетическую освещенность
1 кВт/кв.м;
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не
контролируются батареи объемом
27 куб.см и меньше (например,
стандартные угольные элементы или
батареи типа R14).
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, 8506;
такие как: 8507;
а) накопители с частотой повторения 8532
менее 10 Гц (одноразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее
5 кВ;
2) плотность энергии не менее
50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда-разряда
не менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 8505 19 900
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд или
разряд менее чем за одну секунду,
имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую
секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
свыше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально спроектированные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии.
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи 9031 80 310
абсолютного углового положения вала
в код, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +-2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и
специально разработанная
измерительная магнитная лента
для нее, такие как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 8520 39 900;
аналоговой аппаратуры, включая 8520 90 900;
аппаратуру с возможностью записи 8521 10 300;
цифровых сигналов (например, 8521 10 800
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц
на электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц
на электронный канал или дорожку,
при числе дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих
руководящих материалов
Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG)
или Ассоциации электронной
промышленности (EIA), менее
+-0,1 мкс;
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются как
записывающая аппаратура.
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, 8521 10;
имеющие максимальную пропускную 8521 90 000
способность цифрового интерфейса
свыше 360 Мбит/с;
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны, специально
спроектированные для телевизионной
записи, использующие формат сигнала,
который может включать сжатие
формата сигнала, стандартизированный
или рекомендуемый для применения
в гражданском телевидении
Международным союзом электросвязи,
Международной электротехнической
комиссией, Организацией инженеров по
развитию кино и телевидения,
Европейским союзом радиовещания или
Институтом инженеров по
электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 8521 10
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования
или принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с; или
б) годные для применения в космосе;
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются аналоговые накопители
на магнитной ленте, оснащенные
электронными блоками для
преобразования в цифровую запись
высокой плотности и предназначенные
для записи только цифровых данных.
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной 8521 90 000
пропускной способностью цифрового
интерфейса свыше 175 Мбит/с,
спроектированная в целях переделки
цифровых видеомагнитофонов для
использования их как устройств
записи данных цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования 8543 89 900
сигналов в цифровую форму и записи
переходных процессов, имеющие все
следующие характеристики:
а) скорость преобразования в
цифровую форму не менее 200 млн.проб
в секунду и разрешение 10 или более
проб в секунду; и
б) пропускную способность не менее
2 Гбит/с;
Техническое примечание. Для таких
приборов с архитектурой на
параллельной шине пропускная
способность есть произведение
наибольшего объема слов на
количество бит в слове. Пропускная
способность - это наивысшая
скорость передачи данных аппаратуры,
с которой информация поступает в
запоминающее устройство без
потерь при сохранении скорости
выборки и аналого-цифрового
преобразования.
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000
частоты, имеющие время переключения
с одной заданной частоты на
другую менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 9030 83 900;
а) способные анализировать частоты, 9030 89 920
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов
с полосой пропускания в реальном
времени, превышающей 25,6 кГц;
Примечание. По подпункту "б" пункта
3.1.2.3 не контролируются
динамические анализаторы сигналов,
использующие только фильтры
с полосой пропускания фиксированных
долей (известны также как октавные
или дробно-октавные фильтры).
3.1.2.4. Генераторы сигналов 8543 20 000
синтезированных частот, формирующие
выходные частоты с управлением по
параметрам точности, кратковременной
и долговременной стабильности
на основе или с помощью внутренней
эталонной частоты, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую
частоту более 31 ГГц;
б) время переключения с одной
заданной частоты на другую менее
1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126+20lgF-20lgf) в единицах
дБxс/Гц, где F - смещение рабочей
частоты в Гц, а f - рабочая частота
в МГц;
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо
путем сложения или вычитания частот
с двух или более кварцевых
генераторов, либо путем сложения или
вычитания с последующим умножением
результирующей частоты.
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с 9030 40 900
максимальной рабочей частотой,
превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 990
имеющие все следующие
характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543 20 000
любую из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 1E(-11) в
месяц; или
б) годные для применения в космосе
Примечание. По подпункту "а" пункта
3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
стандарты, не предназначенные для
космического применения.
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и
оснастка для них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания,
такие как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 8479 89 650
толщину слоя с отклонением не более
+-2,5% на протяжении 75 мм или
более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения 8419 89 200
паров металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки 8479 89 700;
эпитаксиального выращивания, 8543 89 700
использующие газовые или твердые
источники;
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 8543 11 000
программой, специально
предназначенные для ионной
имплантации, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) энергию излучения (ускоряющее
напряжение) свыше 1 МэВ;
б) специально спроектированные
и оптимизированные для работы с
энергией излучения (ускоряющим
напряжением) ниже 2 кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления 8456 91 000;
анизотропной плазмой, управляемые 8456 99 900
встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин
и загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный
резонанс;
б) специально спроектированные
для оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный
резонанс;
3.2.1.4. Установки химического парофазового 8419 89 200;
осаждения и плазменной стимуляции, 8419 89 300
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин
и загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные
для оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный
резонанс;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 8456 10 00;
автоматически загружаемые 8456 91 000;
многокамерные системы с центральной 8456 99 900;
загрузкой пластин, имеющие все 8456 99 300;
следующие составляющие: 8479 50 000
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин, к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин в вакуумной среде;
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы загрузки
пластин, не предназначенные для
работы в вакууме.
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения 9009 22 900
и экспонирования (прямого
последовательного шагового
экспонирования) или шагового
сканирования (сканеры) для обработки
пластин методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие
любую из следующих составляющих:
а) источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) способность воспроизводить
рисунок с минимальным размером
разрешения от 0,5 мкм и менее;
Техническое примечание. Минимальный
размер разрешения (МРР)
рассчитывается по следующей
формуле:
(экспозиция источника
освещения с длиной волны в
мкм) х (К фактор)
МРР = ----------------------------,
цифровая апертура
где К фактор = 0,7.
3.2.1.6.2. Установки, специально 8456 10;
спроектированные для производства 8456 99
шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча,
пучка ионов или лазерного луча,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок
с минимальными разрешенными
проектными нормами менее 1 мкм; или
в) точность совмещения лучше
+-0,20 мкм (3 сигма);
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные
для интегральных схем,
контролируемых по пункту
3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 9010 90 000
фазосдвигающим слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов,
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
|
