Стр. 41
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
Примечание 1. По пункту 1.3.1.1 не
контролируются:
а) абсорберы волосяного типа,
изготовленные из натуральных и
синтетических волокон, с немагнитным
наполнением для абсорбции;
б) абсорберы, не имеющие магнитных
потерь, рабочая поверхность которых
не является плоской, включая
пирамиды, конусы, клинья и
спиралевидные поверхности;
в) плоские абсорберы, имеющие все
следующие характеристики:
1) изготовленные из любых следующих
материалов:
пенопластических материалов (гибких
или негибких) с углеродным
наполнением или органических
материалов, включая связывающие
присадки, обеспечивающих коэффициент
отражения более 5% по сравнению с
металлом в диапазоне волн,
отличающихся от центральной частоты
падающей энергии более чем на +-15%,
и не способных противостоять
температурам, превышающим 450 K
(177°C); или
керамических материалов,
обеспечивающих более чем 20%
отражение по сравнению с металлом в
диапазоне волн, отличающихся от
центральной частоты падающей энергии
более чем на +-15%, и не способных
противостоять температурам,
превышающим 800 K (527°C);
Техническое примечание. Образцы для
проведения испытаний на поглощение
по последнему подпункту примечания к
пункту 1.3.1.1 должны иметь форму
квадрата со стороной не менее пяти
длин волн на центральной частоте,
расположенной в дальней зоне
излучающего элемента.
2) с прочностью на растяжение менее
7x1E6 Н/кв.м; и
3) с прочностью на сжатие менее
14x1E6 Н/кв.м;
г) плоские абсорберы, выполненные из
спеченного феррита, имеющие:
1) удельный вес более 4,4; и
2) максимальную рабочую температуру
548 K (275°C).
Примечание 2. Магнитные материалы
для обеспечения поглощения волн,
указанные в примечании 1 к пункту
1.3.1.1, не освобождаются от
контроля, если они содержатся в
красках.
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на 3815 19 000;
частотах, превышающих 1,5x1E14 Гц, 3910 00 000
но меньших 3,7x1E14 Гц, и
непрозрачные для видимого света;
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные
материалы с объемной
электропроводностью свыше 10000 См/м
или поверхностным удельным
сопротивлением менее 100 Ом/кв.м,
выполненные на основе любого из
следующих полимеров:
1.3.1.3.1. Полианилина; 3909 30 000
1.3.1.3.2. Полипиррола; 3911 90 900
1.3.1.3.3. Политиофена; 3911 90 900
1.3.1.3.4. Полифенилен-винилена; или 3911 90 900
1.3.1.3.5. Политиенилен-винилена 3919 90 900
1.3.7. Материалы на керамической основе,
некомпозиционные керамические
материалы, композиционные материалы
с керамической матрицей, а также их
предшественники, такие как:
1.3.7.3. Композиционные материалы типа 2849;
керамика - керамика со стеклянной 2850 00;
или оксидной матрицей, укрепленные 8803 90 990;
волокнами, имеющими удельную 9306 90
прочность на растяжение 12,7х1E3 м,
любой из нижеследующих систем:
а) Si-N;
б) Si-C;
в) Si-Al-O-N; или
г) Si-O-N;
1.3.7.4. Композиционные материалы типа 2849 20 000;
керамика - керамика с постоянной 2849 90 100;
металлической фазой или без нее, 2850 00 300;
включающие частицы, нитевидные 3926 90 100;
кристаллы или волокна, в которых 8109 90 000;
матрица образована из карбидов или 8803 90 990;
нитридов кремния, циркония или бора 9306 90
1.3.10. Нитевидные или волокнистые
материалы, которые могут быть
использованы в органических,
металлических или углеродных
матричных композиционных материалах
или слоистых структурах, такие как:
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или 3926 90 100;
нитевидные материалы, имеющие все 8101 92 000;
следующие характеристики: 8108 90 300-
а) удельный модуль упругости, 8108 90 700
превышающий 2,54x1E6 м; и
б) точку плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде, превышающую 1922 K (1649°C);
Примечание. По пункту
1.3.10.3 не контролируются:
а) дискретные, многофазные,
поликристаллические волокна
глинозема, содержащие 3% или более
по весу кремнезема, имеющие удельный
модуль упругости менее 10x1E6 м;
б) молибденовые волокна и волокна из
молибденовых сплавов;
в) волокна на основе бора;
г) дискретные керамические волокна с
температурой плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде менее 2043 K (1770°C).
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные
материалы:
1.3.10.4.1. Изготовленные из любого из
следующих материалов:
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по 5402 20 000;
пунктам 1.3.8.1.1-1.3.8.1.4 раздела 5402 49 990;
1; или 5501 90 000;
5502 00 900;
5503 90 900
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по 5402 20 000;
пунктам 1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 5402 49 990;
1.3.8.5 или 1.3.8.6 раздела 1; или 5501 90 000;
5502 00 900;
5503 90 900
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов,
контролируемых по пункту
1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2
настоящего раздела, и связанные с
волокнами других типов,
контролируемых по пунктам 1.3.10.1,
1.3.10.2 или 1.3.10.3 раздела 1
1.3.12. Следующие материалы:
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием 2844 20 510;
изотопа плутония-238 более 50% (по 2844 20 590;
весу); 2844 20 810;
2844 20 890
Примечание. По пункту 1.3.12.1 не
контролируются:
а) поставки, содержащие один
грамм плутония или менее;
б) поставки, содержащие три
"эффективных грамма" плутония или
менее при использовании в качестве
чувствительного элемента в приборах.
1.3.12.2. Предварительно очищенный 2844 40 200;
нептуний-237 в любой форме 2844 40 300
Примечание. По пункту 1.3.12.2
контролируются поставки с
содержанием в один грамм
нептуния-237 или менее.
Техническое примечание. Материалы,
указанные в пункте 1.3.12, обычно
используются для ядерных тепловых
источников
(техническое примечание введено
приказом ГТК РФ от 18.10.2000
№ 937).
1.4. Программное обеспечение
1.4.2. Программное обеспечение для
разработки органических матриц,
металлических матриц или углеродных
матричных ламинатов или
композиционных материалов, указанных
в настоящем разделе Перечня
1.5. Технология
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, указанных в пункте 1.1.2
или 1.3 настоящего раздела Перечня
1.5.2. Другие технологии, такие как:
1.5.2.5. Технологии для сборки, эксплуатации
или восстановления материалов,
контролируемых по пункту 1.3.1;
1.5.2.6. Технологии для восстановления
композиционных материалов, слоистых
структур или материалов,
контролируемых по пунктам 1.1.2,
1.3.7 или 1.3.7.4 настоящего раздела
Примечание. По пункту 1.5.2.6 не
контролируются технологии для
ремонта структур гражданских
летательных аппаратов, использующие
углеродные волокнистые или
нитевидные материалы и эпоксидные
смолы, содержащиеся в авиационных
изделиях.
Категория 2. Обработка материалов
2.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
2.2.1. Станки, приведенные ниже, и любые их
сочетания для обработки или резки
металлов, керамики и композиционных
материалов, которые в соответствии с
техническими спецификациями
изготовителя могут быть оснащены
электронными устройствами для
числового программного управления:
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все 8458;
следующие характеристики: 8464 90 900;
а) точность позиционирования со всей 8465 99 100
доступной компенсацией равную или
меньшую (лучшую) 3,6 мкм в
соответствии с международным
стандартом ИСО 230/2 (1997) или его
национальным эквивалентом вдоль
любой линейной оси; и
б) две или более оси, которые могут
быть одновременно скоординированы
для контурного управления;
Примечание. По пункту 2.2.1.1 не
контролируются токарные станки,
специально разработанные для
производства контактных линз.
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из 8459 31 000;
следующих характеристик: 8459 39 000;
а) точность позиционирования со всей 8459 51 000;
доступной компенсацией меньшую 8459 61;
(лучшую) 3,6 мкм в соответствии с 8459 69
международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной
оси; и
три линейных оси и одну ось
вращения, которые могут быть
одновременно скоординированы для
контурного управления;
б) пять или более осей, которые
могут быть одновременно
скоординированы для контурного
управления и имеющие точность
позиционирования со всей доступной
компенсацией меньшую (лучшую) 3,6
мкм в соответствии с международным
стандартом ИСО 230/2 (1997) или его
национальным эквивалентом вдоль
любой линейной оси (общий выбор
позиции);
в) точность позиционирования для
координатно-расточных станков со
всей доступной компенсацией равную
или меньшую (лучшую) 3 мкм в
соответствии с международным
стандартом ИСО 230/2 (1997) или его
национальным эквивалентом вдоль
любой линейной оси;
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки 8456 30
(СЭО) без подачи проволоки, имеющие
две или более оси вращения, которые
могут быть одновременно
скоординированы для контурного
управления;
2.2.1.6. Станки для сверления глубоких 8458;
отверстий или токарные станки, 8459 21 000;
модифицированные для сверления 8459 29 000
глубоких отверстий, обеспечивающие
максимальную глубину сверления
отверстий 5000 мм или более, и
специально разработанные для них
компоненты
2.2.3. Станки с ЧПУ или станки с ручным 8461 40 710;
управлением и специально 8461 40 790
разработанные для них компоненты,
оборудование для контроля и
приспособления, специально
разработанные для шевингования,
финишной обработки, шлифования или
хонингования закаленных (Rc=40 или
более) прямозубых цилиндрических,
одно- или двухзаходных винтовых
шестерен с модулем более 1250 мм и с
лицевой шириной, равной 15% от
модуля или более, с качеством после
финишной обработки в соответствии с
международным стандартом ИСО 1328 по
классу 3
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем
контролируемое по пункту 2.4.2,
специально предназначенное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пункту 2.2 настоящего раздела
Перечня
2.5. Технология
2.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
пункту 2.2 или 2.4 настоящего
раздела Перечня
2.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по
пункту 2.2 настоящего раздела
Перечня
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543 20 000
любую из следующих характеристик:
б) годные для применения в космосе
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка
для них:
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения 8419 89 200
паров металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4 раздела 1 Перечня
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 3.1.2.7
или 3.2 настоящего раздела Перечня
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 3.1 или
3.2 настоящего раздела Перечня
Категория 4. Вычислительная техника
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и
сопутствующее оборудование, а также
электронные сборки и специально
разработанные для них компоненты:
4.1.1.1. б) радиационно стойкие, превышающие 8471
любое из следующих требований:
1) поглощенная доза 5x1E3 Гр
(кремний) [5x1E5 рад (кремний)];
2) мощность дозы на сбой 5x1E6 Гр/с
(кремний) [5x1E8 рад (кремний)/с];
или
3) сбой от высокоэнергетической
частицы 1E(-7) ошибок/бит/день
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие как:
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме 8471 10)
(СТП) свыше 6500 Мтопс;
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
спроектированные или (кроме 8471 10)
модифицированные для повышения
производительности путем объединения
вычислительных элементов таким
образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала
пределы, указанные в пункте 4.1.3.2
настоящего раздела Перечня
Примечания:
1. Пункт 4.1.3.3 распространяется
только на электронные сборки и
программируемые взаимосвязи, не
превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2 настоящего раздела
Перечня, при поставке в виде
необъединенных электронных сборок.
2. По пункту 4.1.3.3 не
контролируются электронные сборки,
специально спроектированные для
продукции или целого семейства
продукции, максимальная конфигурация
которых не превышает пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2
настоящего раздела Перечня.
4.4. Программное обеспечение
4.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
настоящего раздела Перечня
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
настоящего раздела Перечня
Категория 5
Часть 1. Телекоммуникации
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты
5.1.1.2. Телекоммуникационные передающие
системы и аппаратура и специально
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
|
