Стр. 29
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
полупроводниковых приборов,
и специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 9031 80 390
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам
истинности) с частотой тестирования
строк более 333 МГц;
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для
испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем.
Техническое примечание. Для целей
этого пункта оценочной
характеристикой является
максимальная частота цифрового
режима работы тестера, поэтому она
является эквивалентом наивысшему
значению оценки, которое может
обеспечить тестер во
внемультиплексном режиме. Она также
относится к скорости испытания,
максимальной цифровой частоте или к
максимальной цифровой скорости.
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9031 20 000;
интегральных схем, контролируемых 9031 80 390
по пункту 3.1.1.2.2
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими
любую из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100;
3818 00 900
3.3.1.2. Германий; или 3818 00 900
3.3.1.3. Соединения III/V на основе 3818 00 900
галлия или индия
Техническое примечание. Соединения
III/V - это поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп IIIA и
VA периодической системы Менделеева
(по отечественной классификации это
группы A3 и B5) (арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид индия и
т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки,
покрытые контролируемыми резистами,
такие как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные 3824 90 900
для полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования
на спектральную чувствительность
менее 350 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные 3824 90 900
для использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм
или лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные 3824 90 900
для использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 900
технологии формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Техническое примечание. Методы
силицирования - это процессы,
включающие оксидирование поверхности
резиста, для повышения качества
мокрого и сухого проявления.
3.3.3. Органо-неорганические компаунды,
такие как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 2931 00 800
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы
свыше 99,999%;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 2931 00 800
органо-сурьмянистые и
органо-фосфорные соединения
с чистотой органической элементной
основы свыше 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только соединения,
чей металлический, частично
металлический или неметаллический
элемент непосредственно связан с
углеродом в органической части
молекулы.
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000;
сурьмы, имеющие чистоту свыше 2850 00 100
99,999% даже после растворения в
инертных газах или водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие
20% и более молей инертных газов или
водорода.
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам
3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом
по пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую из
следующих составляющих:
3.4.3.1. Правила проектирования или правила
проверки (верификации) схем;
3.4.3.2. Моделирование схем по их физической
топологии; или
3.4.3.3. Имитаторы литографических процессов
для проектирования
Техническое примечание. Имитатор
литографических процессов - это
пакет программного обеспечения,
используемый на этапе проектирования
для определения последовательности
операций литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в конкретные
топологические рисунки проводников,
диэлектриков или полупроводникового
материала.
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки),
проверки топологии или размножения
шаблонов.
2. Библиотеки, проектные атрибуты
или сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология.
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования
или материалов, контролируемых по
пунктам 3.1, 3.2 или 3.3
Примечание. По пункту 3.5.1
и подпункту "ж" пункта 3.5.2
не контролируются технологии
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем,
контролируемых по пунктам
3.1.1.1.3-3.1.1.1.12, имеющих оба
нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы
0,7 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных
структур.
Техническое примечание. Термин
"многослойные структуры" в подпункте
2 пункта "б" примечания не включает
приборы, содержащие максимум два
металлических слоя и два слоя
поликремния.
3.5.2. Прочие технологии для разработки
или производства:
а) вакуумных микроэлектронных
приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов
на гетероструктуре, приборов с
квантовыми ямами или приборов на
сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния
на диэлектрике (КНД - структур) для
интегральных схем с диэлектриком из
двуокиси кремния;
е) подложек из карбида кремния
для электронных компонентов;
ж) технологии, соответствующие
общему технологическому примечанию,
другие, чем те, которые
контролируются по пункту 3.5.1,
для разработки или производства
микропроцессорных микросхем,
микрокомпьютерных микросхем
и микросхем микроконтроллеров,
имеющих совокупную теоретическую
производительность (СТП) 530 Мтопс
или более и арифметико-логическое
устройство с длиной выборки 32 бита
или более
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование
или программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях
или локальных вычислительных сетях,
должны быть также проанализированы
на соответствие характеристикам,
указанным в части 1 Категории 5
(Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
оперативную память или контроллеры
накопителей на магнитных дисках, не
входят в понятие
телекоммуникационной аппаратуры,
рассматриваемой в части 1
Категории 5 (Телекоммуникации);
Особое примечание. Для определения
контрольного статуса программного
обеспечения, которое специально
создано для коммутации пакетов,
следует использовать пункт 5.4.1.
3. ЭВМ, сопутствующее оборудование
или программное обеспечение,
выполняющие функции криптографии,
криптоанализа, сертифицируемой
многоуровневой защиты информации
или сертифицируемые функции
изоляции пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны
быть также проанализированы
на соответствие характеристикам,
указанным в части 2 Категории 5
(Защита информации).
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и
сопутствующее оборудование, а также
электронные сборки и специально
разработанные для них компоненты:
4.1.1.1. Специально созданные для достижения 8471
любой из следующих характеристик:
а) по техническим условиям пригодные
для работы при температуре внешней
среды ниже 228 K (-45°C) или выше
358 K (85°C);
Примечание. По подпункту "а" пункта
4.1.1.1 не контролируются ЭВМ,
специально созданные для гражданских
автомобилей или железнодорожных
поездов.
б) радиационно стойкие, превышающие
любое из следующих требований:
1) поглощенная доза 5x1E3 Гр
(кремний) [5x1E5 рад (кремний)];
2) мощность дозы на сбой 5x1E6 Гр/с
(кремний) [5x1E8 рад (кремний)/с];
или
3) сбой от высокоэнергетической
частицы 1E(-7) ошибок/бит/день;
4.1.1.2. Имеющие характеристики или 8471
функциональные особенности,
превосходящие пределы, указанные в
части 2 Категории 5 (Защита
информации)
Примечание. По пункту 4.1.1.2 не
контролируются цифровые
персональные ЭВМ и относящееся к ним
оборудование, когда они вывозятся
пользователями для своего
индивидуального использования.
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные 8471 10
сборки и специально разработанные
для них компоненты:
а) имеющие в своем составе цифровые
ЭВМ, которые контролируются по
пункту 4.1.3;
б) имеющие в своем составе
аналого-цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) 32 каналами или более; и
2) разрешающей способностью 14 бит
(плюс знаковый разряд) или выше со
скоростью 200000 преобразований/с
или выше
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие как:
Примечания:
1. Пункт 4.1.3 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) цифровые центральные процессоры;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения
качества изображения;
е) оборудование для обработки
сигналов.
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ
или сопутствующего оборудования,
описанных в пункте 4.1.3,
определяется контрольным статусом
другого оборудования или других
систем в том случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование необходимы для работы
другого оборудования или других
систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование не являются основным
элементом другого оборудования или
других систем; и
в) технология для цифровых ЭВМ и
сопутствующего оборудования
подпадает под действие пункта 4.5.
Особые примечания:
1. Контрольный статус оборудования
обработки сигналов или улучшения
качества изображения, специально
спроектированного для другого
оборудования с функциями,
ограниченными функциональным
назначением другого оборудования,
определяется контрольным статусом
другого оборудования, даже если
первое соответствует критерию
основного элемента.
2. Для определения контрольного
статуса цифровых ЭВМ или
сопутствующего оборудования
для телекоммуникационной
аппаратуры см.часть 1 Категории 5
(Телекоммуникации).
4.1.3.1. Спроектированные или 8471
модифицированные для обеспечения (кроме 8471 10)
отказоустойчивости
Примечание. Применительно к пункту
4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее
оборудование не считаются
спроектированными или
модифицированными для обеспечения
отказоустойчивости, если в них
используется любое из следующего:
а) алгоритмы обнаружения или
исправления ошибок, хранимые в
оперативной памяти;
б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ
такая, что если активный центральный
процессор отказывает, ждущий, но
отслеживающий центральный процессор
может продолжить функционирование
системы;
в) взаимосвязь двух центральных
процессоров посредством каналов
передачи данных или с применением
общей памяти, чтобы обеспечить
одному центральному процессору
возможность выполнять другую работу,
пока не откажет второй центральный
процессор, тогда первый центральный
процессор принимает его работу на
себя, чтобы продолжить
функционирование системы; или
г) синхронизация двух центральных
процессоров, объединенных
посредством программного обеспечения
так, что один центральный
процессор распознает, когда
отказывает другой центральный
процессор, и восстанавливает задачи
отказавшего устройства;
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме 8471 10)
(СТП) свыше 6500 Мтопс;
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
спроектированные или (кроме 8471 10)
модифицированные для повышения
производительности путем объединения
вычислительных элементов таким
образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала
пределы, указанные в пункте 4.1.3.2;
Примечания:
1. Пункт 4.1.3.3 распространяется
только на электронные сборки и
программируемые взаимосвязи, не
превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2, при поставке в виде
необъединенных электронных сборок.
Он не применим к электронным
сборкам, конструкция которых
пригодна только для использования в
качестве сопутствующего
оборудования, контролируемого по
пунктам 4.1.3.4 или 4.1.3.5.
2. По пункту 4.1.3.3 не
контролируются электронные сборки,
специально спроектированные для
продукции или целого семейства
продукции, максимальная конфигурация
которых не превышает пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2.
4.1.3.4. Графические акселераторы или 8473 30 100
графические сопроцессоры,
превышающие скорость исчисления
трехмерных векторов, равную 3000000;
4.1.3.5. Оборудование, выполняющее 8543 89 900
аналого-цифровые преобразования,
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55
|
