Стр. 32
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53
г) пригодные для
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала
3.2.1.3. установки сухого травления 845690000
анизотропной плазмой,
управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой
пластин и загрузкой через
загрузочные шлюзы, имеющие любую
из следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс
б) специально спроектированные
для оборудования,
контролируемого по пункту
3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс
3.2.1.4. установки химического 845690000
парофазового осаждения и
плазменной стимуляции,
управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой
пластин и загрузкой через
загрузочные шлюзы, имеющие любую
из следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс;
б) специально спроектированные
для оборудования,
контролируемого по пункту
3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс
3.2.1.5. управляемые встроенной 845610000;
программой автоматически 845690000
загружаемые многокамерные
системы с центральной загрузкой
пластин, имеющие все следующие
составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин, к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников, и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной
многопозиционной обработки
пластин в вакуумной среде
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робото-технические системы
загрузки пластин, не
предназначенные для работы в
вакууме.
3.2.1.6. установки литографии,
управляемые встроенной
программой, такие, как:
3.2.1.6.1. установки многократного 900922900
совмещения и экспонирования для
обработки пластин методом
фотооптической или рентгеновской
литографии, имеющие любую из
следующих составляющих:
а) источник света с длиной волны
короче 400 нм или
б) способность воспроизводить
рисунок с минимальным размером
разрешения от 0,7 мкм и менее
Примечание. Минимальный размер
разрешения (МРР) рассчитывается
по следующей формуле:
(экспозиция источника освещения с
длиной волны в мкм) х (К-фактор)
МРР=-----------------------------,
цифровая апертура
где К - фактор = 0,7.
3.2.1.6.2. установки, специально 845610000
спроектированные для
производства шаблонов или
обработки полупроводниковых
приборов с использованием
отклоняемого фокусируемого
электронного луча, пучка ионов
или лазерного луча, имеющие
любую из следующих
характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить
рисунок с минимальными
разрешенными проектными нормами
менее 1 мкм или
в) точность совмещения лучше
+-0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные для
интегральных схем,
контролируемых по пункту 3.1.1
3.2.1.8. многослойные шаблоны с 901090000
фазосдвигающим слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний,
управляемая встроенной
программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально спроектированные
компоненты и приспособления для
нее:
3.2.2.1. для измерения S-параметров 903180390
транзисторных приборов на
частотах свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. для испытаний интегральных схем, 903180390
способная выполнять
функциональное тестирование (по
таблицам истинности) с частотой
тестирования строк более 60 МГц
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура
испытаний, специально
спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой
или игровой электронной
аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок
или интегральных схем.
3.2.2.3. для испытаний микроволновых 903180390
интегральных схем на частотах,
превышающих 3 ГГц
Примечание. По пункту 3.2.2.3 не
контролируется аппаратура
испытаний, специально
спроектированная для испытания
микроволновых интегральных
микросхем для оборудования,
предназначенного или пригодного
по техническим условиям для
работы в стандартном диапазоне
частот, установленном
Международным союзом
электросвязи, с частотами, не
превышающими 31 ГГц.
3.2.2.4. электронно-лучевые системы, 903180390
спроектированные для работы на
уровне 3 кэВ или менее, или
лазерные лучевые системы для
бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых
приборов, имеющие все следующие
составляющие:
а) стробоскопический режим либо
с затенением луча, либо с
детекторным стробированием и
б) электронный спектрометр для
замера напряжений менее 0,5 В
Примечание. По пункту 3.2.2.4 не
контролируются сканирующие
электронные микроскопы, кроме
тех, которые специально
спроектированы и оснащены для
бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых
приборов.
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с
несколькими последовательно
наращенными эпитаксиальными
слоями, имеющими любую из
следующих составляющих:
3.3.1.1. кремний 381800900
3.3.1.2. германий или 381800900
3.3.1.3. соединения III/V на основе 381800900
галлия или индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это
поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп
IIIA и VA периодической системы
Менделеева (по отечественной
классификации это группы A3 и
B5) (арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид
индия и т.п.).
3.3.2. Материалы резистов и подложки,
покрытые контролируемыми
резистами, такие, как:
3.3.2.1. позитивные резисты, 854140990
предназначенные для
полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для
использования на спектральную
чувствительность менее 370 нм
3.3.2.2. все резисты, предназначенные для 854140990
использования при экспонировании
электронными или ионными
пучками, с чувствительностью
0,01 мкКл/кв.мм или лучше
3.3.2.3. все резисты, предназначенные для 854150990
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм
или лучше
3.3.2.4. все резисты, оптимизированные 854140990
под технологии формирования
рисунка, включая силицированные
резисты
Техническое примечание. Методы
силицирования - это процессы,
включающие оксидирование
поверхности резиста, для
повышения качества мокрого и
сухого проявления.
3.3.3. Органо-неорганические компаунды,
такие, как:
3.3.3.1. органо-металлические соединения 293100900
на основе алюминия, галлия или
индия с чистотой металлической
основы свыше 99,999%
3.3.3.2. органо-мышьяковистые, 293100900
органо-сурьмянистые и
органо-фосфорные
соединения с чистотой
органической элементной основы
свыше 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только
соединения, чей металлический,
частично металлический или
неметаллический элемент
непосредственно связан с углеродом
в органической части молекулы.
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 284890000;
сурьмы, имеющие чистоту свыше 285000100
99,999% даже после растворения
в инертных газах или водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды,
содержащие 20% и более молей
инертных газов или водорода.
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение,
специально созданное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пунктам 3.1.1.2-3.1.2.7 или
по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение,
специально созданное для
применения в оборудовании,
управляемом встроенной
программой и контролируемом по
пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного
проектирования (САПР),
предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую
из следующих составляющих:
3.4.3.1. правила проектирования или
правила проверки (верификации)
схем
3.4.3.2. моделирование схем по их
физической топологии или
3.4.3.3. имитаторы литографических
процессов для проектирования
Техническое примечание. Имитатор
литографических процессов - это
пакет программного обеспечения,
используемый на этапе
проектирования для определения
последовательности операций
литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в
конкретные топологические
рисунки проводников,
диэлектриков или
полупроводникового материала.
Примечание. По пункту 3.4.3 не
контролируется программное
обеспечение, специально
созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки),
проверки топологии или
размножения шаблонов.
Особое примечание. Библиотеки,
проектные атрибуты или
сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология.
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с
общим технологическим
примечанием предназначенные для
разработки или производства
оборудования или материалов,
контролируемых по пунктам 3.1,
3.2 или 3.5
Примечание: По пункту 3.5.1 не
контролируются технологии
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31
ГГц;
б) интегральных схем,
контролируемых по пунктам
3.1.1.1.3-3.1.1.1.12, имеющих
оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы
1 мкм или выше и
2) не содержащие многослойных
структур.
Особое примечание. Термин
"многослойные структуры" в
подпункте 2 пункта "б"
примечания не включает приборы,
содержащие максимум два
металлических слоя и два слоя
поликремния.
3.5.2. Прочие технологии для разработки
или производства:
а) вакуумных микроэлектронных
приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой
подвижностью электронов,
биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с
квантовыми ямами или приборов на
сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания: 1. ЭВМ,
сопутствующее оборудование или
программное обеспечение,
задействованные в
телекоммуникациях или локальных
вычислительных сетях, должны
быть также проанализированы на
соответствие характеристикам,
указанным в части 1 категории 5
(Телекоммуникации).
Особые примечания: а) устройства
управления, которые
непосредственно связывают шины
или каналы центральных
процессоров, оперативную память
или контроллеры накопителей на
магнитных дисках, не входят в
понятие телекоммуникационной
аппаратуры, рассматриваемой в
части 1 категории 5
(Телекоммуникации);
б) для определения контрольного
статуса программного
обеспечения, которое специально
создано для коммутации пакетов,
следует использовать пункт 5.4.1.
2. ЭВМ, сопутствующее
оборудование или программное
обеспечение, выполняющие функции
криптографии, криптоанализа,
сертифицируемой многоуровневой
защиты информации или
сертифицируемые функции изоляции
пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны быть
также проанализированы на
соответствие характеристикам,
указанным в части 2 категории 5
(Защита информации).
4.1. Системы, оборудование и
компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и
сопутствующее оборудование, а
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53
|
