Стр. 31
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ;
2) произведение максимального
времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц)
более 100;
3) ширину полосы частот более
250 МГц или
4) задержку
рассеяния, превышающую 10 мкс;
или
в) несущую частоту от 1 ГГц и
менее и дополнительно имеющие
любую из следующих
характеристик:
1) произведение максимального
времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц)
более 100;
2) задержку рассеяния,
превышающую 10 мкс или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ и
ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц
3.1.1.3.2. приборы на объемных акустических 854160000
волнах (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале),
обеспечивающие непосредственную
обработку сигналов на частотах
свыше 1 ГГц
3.1.1.3.3. акустооптические приборы 854160000
обработки сигналов, использующие
взаимодействие между
акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет
непосредственно обрабатывать
сигналы или изображения, включая
анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. электронные приборы и схемы, 854280000
содержащие компоненты,
изготовленные из сверхпроводящих
материалов, специально
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих,
имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
а) электромагнитное усиление:
1) на частотах, равных или ниже
31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5
дБ или
2) на частотах свыше 31 ГГц;
б) токовые переключатели для
цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у
которых произведение времени
задержки на вентиль (в
секундах) на рассеяние мощности
на вентиль (в ваттах) ниже
10E--14 Дж, или
в) селекцию
частоты на всех частотах с
использованием резонансных
контуров с добротностью,
превышающей 10000
3.1.1.5. нижеперечисленные накопители
энергии:
3.1.1.5.1. батареи и батареи на 850619900
фотоэлектрических элементах,
такие, как:
а) первичные элементы и батареи
с плотностью энергии свыше 480
Вт.ч/кг и пригодные по
техническим условиям для работы
в диапазоне температур от 243 K
(-30°C) и ниже до 343 K (70°C)
и выше
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется
путем умножения средней мощности
в ваттах (произведение среднего
напряжения в вольтах на средний
ток в амперах) на длительность
цикла разряда в часах, при
котором напряжение на
разомкнутых клеммах падает до
75% от номинала, и деления
полученного произведения на
общую массу элемента (или
батареи) в кг;
б) подзаряжаемые элементы и
батареи с плотностью энергии
свыше 150 Вт.ч/кг после 75
циклов заряда-разряда при токе
разряда, равном С/5 ч (С -
номинальная емкость в ампер-
часах), при работе в диапазоне
температур от 253 K (-20°C) и
ниже до 333 K (60°C) и выше;
в) батареи, по техническим
условиям годные для применения в
космосе, и радиационно стойкие
батареи на фотоэлектрических
элементах с удельной мощностью
свыше 160 Вт/кв.м при рабочей
температуре 301 K (28°C) и
вольфрамовом источнике, нагретом
до 2800 K (2527°C) и создающем
энергетическую освещенность 1
кВт/кв.м.
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1
не контролируются батареи
объемом 27 куб.см и меньше
(например, стандартные угольные
элементы или батареи типа R14).
3.1.1.5.2. накопители большой энергии, 850619900;
такие, как: 850780900
а) накопители с частотой
повторения менее 10 Гц
(одноразовые накопители),
имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ
или более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг
или более и
3) общую энергию 25 кДж или
более;
б) накопители с частотой
повторения 10 Гц и более
(многоразовые накопители),
имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не
менее 5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50
Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж
и
4) количество циклов
заряда-разряда не менее 10000
3.1.1.5.3. сверхпроводящие электромагниты и 850519900
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд
или разряд менее чем за одну
секунду, имеющие все
нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при
разряде, превышающую 10 кДж за
первую секунду;
б) внутренний диаметр
токопроводящих обмоток более 250
мм и
в) номинальную магнитную
индукцию свыше 8 Т или суммарную
плотность тока в обмотке больше
300 А/кв.мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3
не контролируются
сверхпроводящие электромагниты
или соленоиды, специально
спроектированные для медицинской
аппаратуры магниторезонансной
томографии.
3.1.1.6. вращающиеся преобразователи 903180310
абсолютного углового положения
вала в код, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит) или
б) точность лучше +-2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. записывающая аппаратура и
специально разработанная
измерительная магнитная лента
для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. накопители на магнитной ленте 852039900
для аналоговой аппаратуры,
включая аппаратуру с
возможностью записи цифровых
сигналов (например, использующие
модуль цифровой записи высокой
плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4
МГц на электронный канал или
дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2
МГц на электронный канал или
дорожку, при числе дорожек более
42 или
в) ошибку рассогласования
(основную) временной шкалы,
измеренную по методикам
соответствующих руководящих
материалов Межведомственного
совета по радиопромышленности
(IRIG) или Ассоциации
электронной промышленности
(EIA), менее +-0,1 мкс
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются
как записывающая аппаратура.
3.1.2.1.2. цифровые видеомагнитофоны, 852110;
имеющие максимальную пропускную 852190000
способность цифрового интерфейса
свыше 180 Мбит/с
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2
не контролируются цифровые
видеомагнитофоны, специально
спроектированные для
телевизионной записи,
использующие стандартный формат
сигнала для гражданского
телевидения, рекомендуемый
Международным союзом
электросвязи либо Международной
электротехнической комиссией
(МЭК).
3.1.2.1.3. накопители на магнитной ленте 852110
для цифровой аппаратуры,
использующие принципы
спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с или
б) годные для применения в
космосе
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3
не контролируются аналоговые
накопители на магнитной ленте,
оснащенные электронными блоками
для преобразования в цифровую
запись высокой плотности и
предназначенные для записи
только цифровых данных.
3.1.2.1.4. аппаратура с максимальной 852190000
пропускной способностью
цифрового интерфейса свыше 175
Мбит/с, спроектированная в целях
переделки цифровых
видеомагнитофонов для
использования их как устройств
записи данных цифровой
аппаратуры
3.1.2.1.5. приборы для преобразования 854380900
сигналов в цифровую форму и
записи переходных процессов,
имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в
цифровую форму не менее 200 млн.
проб в секунду и разрешение 10
или более проб в секунду и
б) пропускную способность не
менее 2 Гбит/с
Техническое примечание. Для
таких приборов с архитектурой на
параллельной шине пропускная
способность есть произведение
наибольшего объема слов на
количество бит в слове.
Пропускная способность - это
наивысшая скорость передачи
данных аппаратуры, с которой
информация поступает в
запоминающее устройство без
потерь при сохранении скорости
выборки и аналого-цифрового
преобразования.
3.1.2.2. электронные сборки синтезаторов 854380900
частоты, имеющие время
переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс
3.1.2.3. анализаторы сигналов: 854380900
а) способные анализировать
частоты, превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы
сигналов с полосой пропускания в
реальном масштабе времени,
превышающей 25,6 кГц
Примечание. По подпункту "б"
пункта 3.1.2.3 не контролируются
динамические анализаторы
сигналов, использующие только
фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей.
Техническое примечание. Фильтры
с полосой пропускания
фиксированных долей известны
также как октавные или
дробнооктавные фильтры.
3.1.2.4. генераторы сигналов 854320000
синтезированных частот,
формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам
точности, кратковременной и
долговременной стабильности на
основе или с помощью внутренней
эталонной частоты, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую
частоту более 31 ГГц;
б) время переключения с одной
заданной частоты на другую менее
1 мс или
в) фазовый шум одной боковой
полосы лучше - (126+20 lgF - 20
lgf) в единицах дБ.с/Гц, где F
- смещение рабочей частоты в Гц;
f - рабочая частота в МГц
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в
которой выходная частота
создается либо путем сложения
или вычитания частот с двух или
более кварцевых генераторов,
либо путем сложения или
вычитания с последующим
умножением результирующей
частоты.
3.1.2.5. сетевые анализаторы с 854380900
максимальной рабочей частотой,
превышающей 40 ГГц
3.1.2.6. микроволновые приемники-тестеры, 852790990
имеющие все следующие
характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц и
б) способные одновременно
измерять амплитуду и фазу
3.1.2.7. атомные эталоны частоты, имеющие 854320000
любую из следующих
характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10E--11
в месяц или
б) годные для применения в
космосе
Примечание. По подпункту "а"
пункта 3.1.2.7 не контролируются
рубидиевые стандарты, не
предназначенные для космического
применения.
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование
для производства
полупроводниковых приборов или
материалов и специально
разработанные компоненты и
оснастка для них:
3.2.1.1. установки, управляемые
встроенной программой,
предназначенные для
эпитаксиального выращивания,
такие, как:
3.2.1.1.1. установки, способные выдерживать 841989900
толщину слоя с отклонением не
более +-2,5% на протяжении 75 мм
или более
3.2.1.1.2. установки химического осаждения 841989900
паров металлорганических
соединений, специально
разработанные для выращивания
кристаллов сложных
полупроводников с помощью
химических реакций между
материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3
или 3.3.4
3.2.1.1.3. молекулярно-лучевые установки 841780100
эпитаксиального выращивания,
использующие газовые источники
3.2.1.2. установки, управляемые 845610000
встроенной программой,
специально предназначенные для
ионной имплантации, имеющие
любую из следующих
характеристик:
а) ускоряющее напряжение свыше
200 кэВ;
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
ускоряющими напряжениями ниже 10
кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи или
г) пригодные для
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53
|
