Стр. 29
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57
частот, формирующие выходные частоты
с управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты, имеющие
любую из следующих характеристик:
а)максимальную синтезируемую частоту
более 31 ГГц;
б) время переключения с одной
заданной частоты на другую менее 1
мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126+20 lgF-20 lgf) в
единицах дБхс/Гц, где F - смещение
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание.
По пункту 3.1.2.4 не контролируется
аппаратура, в которой выходная
частота создается либо путем сложения
или вычитания частот с двух или более
кварцевых генераторов, либо путем
сложения или вычитания с последующим
умножением результирующей частоты;
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 9030409000
рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527909800
имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543200000
любую из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10-11 в
месяц; или
б)годные для применения в космосе
Примечание.
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не
контролируются рубидиевые стандарты,
не предназначенные для космического
применения
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка
для них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания, такие,
как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 8479896500
толщину слоя с отклонением не более
2,5% на протяжении 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 8419892000
металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки 8479896500;
эпитаксиального выращивания, 8543896500
использующие газовые или твердые
источники
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 8543110000
программой, специально
предназначенные для ионной
имплантации, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) энергию излучения (ускоряющее
напряжение) свыше 1 МэВ;
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
энергией излучения (ускоряющим
напряжением) ниже 2 кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для высокоэнергетической
имплантации кислорода в нагретую
подложку полупроводникового
материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления 8456910000;
анизотропной плазмой, управляемые 8456998000
встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные или оптимизированные
для производства структур с
критической виличиной отклонения
размера 0,3 мкм или менее при
среднеквадратичной погрешности
3б=+-5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) разработанные или оптимизированные
для производства структур с
критической виличиной отклонения
размера 0,3 мкм или менее при
среднеквадратичной погрешности
3б=+-5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.4. Установки химического парофазового 8419892000;
осаждения и плазменной стимуляции, 8419893000
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированные для производства
структур с критической виличиной
отклонения размера 0,3 мкм или менее
при среднеквадратичной погрешности
3б=5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) разработанные в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированные для производства
структур с критической виличиной
отклонения размера 0.3 мкм или менее
при среднеквадратичной погрешности
3б=5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 845610;
автоматически загружаемые 8456910000;
многокамерные системы с центральной 8456998000;
загрузкой пластин, имеющие все 8456993000;
следующие составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки 8479500000
пластин, к которым присоединяется
более двух единиц оборудования для
обработки полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин в вакуумной среде
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются
автоматические робототехнические
системы загрузки пластин, не
предназначенные для работы в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие, как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 9009220000
экспонирования (прямого
последовательного шагового
экспонирования) или шагового
сканирования (сканеры) для обработки
пластин методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие
любую из следующих составляющих:
а)источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) способность воспроизводить рисунок
с минимальным размером разрешения от
0,5 мкм и менее
Технические примечания.
Минимальный размер разрешения (МРР)
рассчитывается по следующей формуле:
(экспозиция источника освещения
с длиной волны в мкм)х(К-фактор),
МРР=--------------------------------
цифровая апертура
где К фактор=0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально 845610; 845699
спроектированные для производства
шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча,
пучка ионов или лазерного луча,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а)размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок с
минимальными разрешенными проектными
нормами менее 1 мкм; или
в)точность совмещения лучше 0,20 мкм
(3 сигма)
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные для
интегральных схем, контролируемых по
пункту 3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 901090
слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031803900
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 9031803900
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам истинности)
с частотой тестирования строк более
333 МГц
Примечание.
По пункту 3.2.2.2 не контролируется
аппаратура испытаний, специально
спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
в) запоминающих устройств;
Техническое примечание.
Для целей этого пункта, оценочной
характеристикой является максимальная
частота цифрового режима работы
тестера. Поэтому она является
эквивалентом наивысшему значению
оценки, которое может обеспечить
тестер во вне мультиплексном режиме.
Она также относится к скорости
испытания, максимальной цифровой
частоте или к максимальной цифровой
скорости
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9031200000;
интегральных схем, контролируемых по 9031803900
пункту 3.1.1.2.2;
3.2.2.4. Исключен
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими
любую из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 3818001000;
3818009000
3.3.1.2. Германий; 3818009000
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818009000
3.3.1.4. Соединения III/V на основе 3818009000
галлия или индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это поликристал-
лические или двухэлементные или
сложные монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп IIIA и
VA периодической системы Менделеева
(по отечественной классификации это
группы А3 и B5) (арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид индия и
т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки,
покрытые контролируемыми резистами,
такие, как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные 3824909900
для полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования
на спектральную чувствительность
менее 350 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824909900
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или
лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824909900
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824909900
технологии формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Техническое примечание.
Методы силицирования - это процессы,
включающие оксидирование поверхности
резиста, для повышения качества
мокрого и сухого проявления
3.3.3. Органо-неорганические компаунды,
такие, как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 2931009500
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы свыше
99,999%;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 2931009500
органо-сурьмянистые и
органо-фосфорные соединения с
чистотой органической элементной
основы свыше 99,999%
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются только
соединения, чей металлический,
частично металлический или
неметаллический элемент
непосредственно связан с углеродом в
органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 2848000000; из
имеющие чистоту свыше 99,999% даже 2850002000
после растворения в инертных газах
или водороде
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются
гидриды, содержащие 20% и более
молей инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам 3.1.1.2 -
3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом по пункту
3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), имеющее все следующие
составляющие:
3.4.3.1. Спроектировано для разработки
полупроводниковых приборов или
интегральных схем; и;
3.4.3.2. Спроектировано для выполнения или
использования любой из следующих
составляющих:
а) правил проектирования или правил
проверки схем;
б) моделирования схем по их
физической топологии; или
в) имитаторов литографических
процессов для проектирования
Техническое примечание.
Имитатор литографических процессов -
это пакет программного обеспечения,
используемый на этапе проектирования
для определения последовательности
операций литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в конкретные
топологические рисунки проводников,
диэлектриков или полупроводникового
материала
Примечания:
По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
созданное для описания принципиальных
схем, логического моделирования,
раскладки и маршрутизации
(трассировки), проверки топологии или
размножения шаблонов; Библиотеки,
проектные атрибуты или сопутствующие
данные для проектирования
полупроводниковых приборов или
интегральных схем рассматриваются как
технология
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
3.1, 3.2 или 3.3
Примечание.
По пункту 3.5.1 и пункту 3.5.2 не
контролируются технологии разработки
или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых
по пунктам 3.1.1 .1.3 - 3.1.1.1.12,
имеющих оба нижеперечисленных
признака:
1) использующие проектные нормы 0,7
мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных
структур
Техническое Примечание.
Термин "многослойные структуры" в
подпункте 2 пункта "б" примечания не
включает приборы, содержащие максимум
два металлических слоя и два слоя
поликремния
3.5.2. Технологии, соответствующие общему
технологическому примечанию, другие,
чем те, которые контролируются по
пункту 3.5.1, для разработки или
производства микропроцессорных
микросхем, микрокомпьютерных
микросхем и микросхем
микроконтроллеров, имеющих совокупную
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57
|
