Стр. 28
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57
3.1.1.1.8. Исключен
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных 8542
сетей;
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у 8542216900;
которых функция неизвестна либо 8542219900;
производителю неизвестно, 854229;
распространяется ли контрольный 854260000
статус на аппаратуру, в которой будут
использоваться данные интегральные
схемы, имеющие любую из следующих
характеристик:
а)свыше 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс;
или
в) рабочую частоту, превышающую 3
ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 8542
отличающиеся от указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,
созданные на основе какого-либо
полупроводникового соединения и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 3000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б)частоту переключения, превышающую
1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 85422145;
Фурье, имеющие расчетное время 8542215000;
выполнения комплексного N-точечного 85422183;
сложного быстрого преобразования 8542218500;
Фурье менее (N log2 N)/20480 мс, где 854260000
N - число точек
Техническое примечание.
В случае, когда N равно 1024 точкам,
формула в пункте 3.1.1.1.12 дает
результат времени выполнения 500 мкс
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие, как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются
лампы, разработанные или
спроектированные для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) распределен Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для
радиоопределения
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540790000
непрерывного действия, такие, как:
а) работающие на частотах,
превышающих 31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода
со временем от включения до выхода
лампы на предельную радиочастотную
мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с относительной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более
одной октавы и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на
рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение
средней мощности (выраженной в кВт)
на рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540710000
коэффициентом усиления более 17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540990000
разработанные для электронных ламп,
имеющих плотность тока при
непрерывной эмиссии и штатных
условиях функционирования,
превышающую 5 А/кв.см
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные 854229;
схемы или модули, имеющие все 854260000;
следующее: 8542700000
а) содержащие твердотельные
интегральные схемы, имеющие один или
более чем один элемент активных
цепей; и
б) работающие на частотах выше 3 ГГц
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули для
оборудования, разработанного или
спроектированного для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) распределен Международным
союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не
для радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируется радиопередающее
спутниковое оборудование,
разработанное или спроектированное
для работы в полосе частот от 40.5 до
42,5 ГГц;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541210000;
предназначенные для работы на 8541290000
частотах, превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543899500
усилители, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах свыше 10,5
ГГц и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более пол-октавы;
б)работающие на частотах свыше 31
ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 8543899500
настройкой, содержащие более пяти
настраиваемых резонаторов,
обеспечивающих настройку в полосе
частот с соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1
(fmax/fmin) менее чем за 10 мкс,
имеющие любую из следующих
составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5% от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5%
от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8542700000
работать на частотах, превышающих 31
ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543899500
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5
или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 8543899500
содержащие лампы, контролируемые по
пункту 3.1.1.2, и имеющие все
следующие характеристики:
а)рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в)объем менее 400 куб.см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется
аппаратура, спроектированная для
работы в любом диапазоне частот,
распределенном Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для
радиоопределения
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 8541600000
волнах и на акустических волнах в
тонкой подложке (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ;
2) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250
МГц; или
4) задержку рассеяния, превышающую 10
мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую 10
мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541600000
волнах (т.е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны
в материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов
на частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541600000
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами
(объемными или поверхностными) и
световыми волнами, что позволяет
непосредственно обрабатывать сигналы
или изображения, включая анализ
спектра, корреляцию или свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540; 8541;
содержащие компоненты, изготовленные 8542; 8543
из сверхпроводящих материалов,
специально спроектированные для
работы при температурах ниже
критической температуры хотя бы одной
из сверхпроводящих составляющих,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
а) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение
времени задержки на вентиль (в
секундах) на рассеяние мощности на
вентиль (в ваттах) ниже 10-14 Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах
с использованием резонансных контуров
с добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на 8506; 8507;
фотоэлектрических элементах, такие,
как:
а) первичные элементы и батареи с из 8541409000
плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг
и пригодные по техническим условиям
для работы в диапазоне температур от
243 К (-30°С) и ниже до 343 К (70°С)
и выше
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем
умножения средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на разомкнутых
клеммах падает до 75% от номинала, и
деления полученного произведения на
общую массу элемента (или батареи) в
кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг
после 75 циклов заряда-разряда при
токе разряда, равном С/5 ч (С -
номинальная емкость в ампер-часах),
при работе в диапазоне температур от
253 К (-20°С) и ниже до 333 К (60°С)
и выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с
удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м
при рабочей температуре 301 К (28°С)
и вольфрамовом источнике, нагретом до
2800 К (2527°С) и создающем
энергетическую освещенность 1
кВт/кв.м
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются
батареи объемом 27 куб.см и меньше
(например, стандартные угольные
элементы или батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, 8506;
как:
а) накопители с частотой повторения 8507; 8532
менее 10 Гц (одноразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее 5
кВ;
2) плотность энергии не менее 50
Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
количество циклов заряда-разряда не
менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 8505199000
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд или
разряд менее чем за одну секунду,
имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
свыше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются
сверхпроводящие электромагниты или
соленоиды, специально
спроектированные для медицинской
аппаратуры магниторезонансной
томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи 9031803400
абсолютного углового положения вала в
код, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше 2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 8520399000;
аналоговой аппаратуры, включая 8520909000;
аппаратуру с возможностью записи 8521103000;
цифровых сигналов (например, 8521108000
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц
на электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц
на электронный канал или дорожку, при
числе дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих руководящих
материалов Межведомственного совета
по радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(ЕIA), менее +0,1 мкс
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны,
специально разработанные для
гражданского применения, не
рассматриваются как записывающая
аппаратура;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110;
максимальную пропускную способность 8521900000
цифрового интерфейса свыше 360
Мбит/с;
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются
цифровые видеомагнитофоны, специально
спроектированные для телевизионной
записи, использующие формат сигнала,
который может включать сжатие формата
сигнала, стандартизированный или
рекомендуемый для применения в
гражданском телевидении Международным
союзом электросвязи, Международной
электротехнической комиссией,
Организацией инженеров по развитию
кино и телевидения, Европейским
союзом радиовещания или Институтом
инженеров по электротехнике и
радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 852110
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с; или
б) годные для применения в космосе
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются
аналоговые накопители на магнитной
ленте, оснащенные электронными
блоками для преобразования в цифровую
запись высокой плотности и
предназначенные для записи только
цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 8521900000
способностью цифрового интерфейса
свыше 175 Мбит/с, спроектированная в
целях переделки цифровых
видеомагнитофонов для использования
их как устройств записи данных
цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 8543899500
цифровую форму и записи переходных
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму не менее 200 млн. проб в
секунду и разрешение 10 или более
проб в секунду; и
б)пропускную способность не менее 2
Гбит/с
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на
параллельной шине пропускная
способность есть произведение
наибольшего объема слов на количество
бит в слове. Пропускная способность -
это наивысшая скорость передачи
данных аппаратуры, с которой
информация поступает в запоминающее
устройство без потерь при сохранении
скорости выборки и аналого-цифрового
преобразования
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543200000
частоты, имеющие время переключения с
одной заданной частоты на другую
менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 9030839000;
а) способные анализировать частоты, 9030899200
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов
с полосой пропускания в реальном
времени, превышающей 500 кГц
Примечание.
По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не
контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие
только фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей (известны также
как октавные или дробно-октавные
фильтры)
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 8543200000
частот, формирующие выходные частоты
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57
|
