Стр. 29
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56
техническими условиями
производителя или оптимизированные
для производства структур с
критической величиной отклонения
размера 0,3 мкм или менее при
среднеквадратичной погрешности
3б=+-5%; или
______________________________
б - греческая буква "сигма".
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц
размером более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 8456 10;
автоматически загружаемые 8456 91 000 0;
многокамерные системы с центральной 8456 99 800 0;
загрузкой пластин, имеющие все 8456 99 300 0;
следующие составляющие: 8479 50 000 0
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин, к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин в вакуумной среде
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются
автоматические робототехнические
системы загрузки пластин, не
предназначенные для работы в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие, как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения 9009 22 000 0
и экспонирования (прямого
последовательного шагового
экспонирования) или шагового
сканирования (сканеры) для обработки
пластин методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие
любую из следующих составляющих:
а) источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) способность воспроизводить
рисунок с минимальным размером
разрешения от 0,5 мкм и менее
Технические примечания:
Минимальный размер разрешения (МРР)
рассчитывается по следующей формуле:
(экспозиция источника
освещения с длиной волны в
мкм) х (К фактор)
МРР = ----------------------------,
цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально 8456 10;
спроектированные для производства 8456 99
шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча,
пучка ионов или лазерного луча,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок
с минимальными разрешенными
проектными нормами менее 1 мкм; или
в) точность совмещения лучше
+-0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные
для интегральных схем,
контролируемых по пункту
3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 9010 90
фазосдвигающим слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов,
и специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390 0
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 9031 80 390 0
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам
истинности) с частотой тестирования
строк более 333 МГц
Примечание.
По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура
испытаний, специально
спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
в) запоминающих устройств
Техническое примечание.
Для целей этого пункта оценочной
характеристикой является
максимальная частота цифрового
режима работы тестера, поэтому она
является эквивалентом наивысшему
значению оценки, которое может
обеспечить тестер во
внемультиплексном режиме. Она также
относится к скорости испытания,
максимальной цифровой частоте или к
максимальной цифровой скорости;
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9031 20 000 0;
интегральных схем, контролируемых 9031 80 390 0
по пункту 3.1.1.2.2;
3.2.2.4. Исключен
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими
любую из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III/V на основе 3818 00 900 0
галлия или индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это
поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп IIIA и
VA периодической системы Менделеева
(по отечественной классификации это
группы A3 и B5) (арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид индия и
т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки,
покрытые контролируемыми резистами,
такие, как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные 3824 90 990 0
для полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования
на спектральную чувствительность
менее 350 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные 3824 90 990 0
для использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм
или лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные 3824 90 990 0
для использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 990 0
технологии формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Техническое примечание.
Методы силицирования - это процессы,
включающие оксидирование поверхности
резиста, для повышения качества
мокрого и сухого проявления
3.3.3. Органо-неорганические компаунды,
такие, как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 2931 00 950 0
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы
свыше 99,999%;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 2931 00 950 0
органо-сурьмянистые и
органо-фосфорные соединения
с чистотой органической элементной
основы свыше 99,999%
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются
только соединения, чей
металлический, частично
металлический или неметаллический
элемент непосредственно связан с
углеродом в органической части
молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000 0;
сурьмы, имеющие чистоту свыше из
99,999% даже после растворения в 2850 00 200 0
инертных газах или водороде
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются
гидриды, содержащие 20% и более
молей инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам
3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом
по пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР),имеющее все следующие
составляющие:
3.4.3.1. Спроектировано для разработки
полупроводниковых приборов или
интегральных схем; и
3.4.3.2. Спроектировано для выполнения или
использования любой из следующих
составляющих:
а) правил проектирования или правил
проверки схем;
б) моделирования схем по их
физической топологии; или
в) имитаторов литографических
процессов для проектирования
Техническое примечание.
Имитатор литографических процессов -
это пакет программного обеспечения,
используемый на этапе проектирования
для определения последовательности
операций литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в конкретные
топологические рисунки проводников,
диэлектриков или полупроводникового
материала
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки),
проверки топологии или размножения
шаблонов.
2. Библиотеки, проектные атрибуты
или сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования
или материалов, контролируемых по
пунктам 3.1, 3.2 или 3.3
Примечание.
По пункту 3.5.1 и пункту 3.5.2 не
контролируются технологии
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем,
контролируемых по пунктам
3.1.1.1.3-3.1.1.1.12, имеющих оба
нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы
0,7 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных
структур
Техническое примечание.
Термин "многослойные структуры" в
подпункте 2 пункта "б" примечания не
включает приборы, содержащие
максимум два металлических слоя и
два слоя поликремния
3.5.2. Технологии, соответствующие
общему технологическому примечанию,
другие, чем те, которые
контролируются по пункту 3.5.1,
для разработки или производства
микропроцессорных микросхем,
микрокомпьютерных микросхем
и микросхем микроконтроллеров,
имеющих совокупную теоретическую
производительность (СТП) 530 Мтопс
или более и арифметико-логическое
устройство с длиной выборки 32 бита
или более
3.5.3. Прочие технологии для разработки
или производства:
а) вакуумных микроэлектронных
приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов
на гетероструктуре, приборов с
квантовыми ямами или приборов на
сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния
на диэлектрике (КНД - структур) для
интегральных схем с диэлектриком из
двуокиси кремния;
е) подложек из карбида кремния
для электронных компонентов
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование
или программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях
или локальных вычислительных сетях,
должны быть также проанализированы
на соответствие характеристикам,
указанным в части 1 Категории 5
(Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
оперативную память или контроллеры
накопителей на магнитных дисках, не
входят в понятие
телекоммуникационной аппаратуры,
рассматриваемой в части 1
Категории 5 (Телекоммуникации);
Особое примечание.
Для определения контрольного статуса
программного обеспечения, которое
специально создано для коммутации
пакетов, следует использовать пункт
5.4.1
3. ЭВМ, сопутствующее оборудование
или программное обеспечение,
выполняющие функции криптографии,
криптоанализа, сертифицируемой
многоуровневой защиты информации
или сертифицируемые функции
изоляции пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны
быть также проанализированы
на соответствие характеристикам,
указанным в части 2 Категории 5
(Защита информации)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и
сопутствующее оборудование, а также
электронные сборки и специально
разработанные для них компоненты:
4.1.1.1. Специально созданные для достижения 8471
любой из следующих характеристик:
а) по техническим условиям пригодные
для работы при температуре внешней
среды ниже 228 K (-45°C) или выше
358 K (85°C)
Примечание.
По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не
контролируются ЭВМ, специально
созданные для гражданских
автомобилей или железнодорожных
поездов;
б) радиационно стойкие, превышающие
любое из следующих требований:
1) поглощенная доза 5x10**3 Гр
(кремний) [5x10**5 рад (кремний)];
2) мощность дозы на сбой 5x10**6
Гр/с (кремний) [5x10**8 рад
(кремний)]/с; или
3) сбой от высокоэнергетической
частицы 10**-7 ошибок/бит/день;
4.1.1.2. Имеющие характеристики или 8471
функциональные особенности,
превосходящие пределы, указанные в
части 2 Категории 5 (Защита
информации)
Примечание.
По пункту 4.1.1.2 не контролируются
цифровые персональные ЭВМ и
относящееся к ним оборудование,
когда они вывозятся пользователями
для своего индивидуального
использования
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные 8471 10
сборки и специально разработанные
для них компоненты:
а) имеющие в своем составе цифровые
ЭВМ, которые контролируются по
пункту 4.1.3;
б) имеющие в своем составе
аналого-цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) 32 каналами или более; и
2) разрешающей способностью 14 бит
(плюс знаковый разряд) или выше со
скоростью 200000 преобразований/с
или выше
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие, как:
Примечания:
1. Пункт 4.1.3 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) цифровые центральные процессоры;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения
качества изображения;
е) оборудование для обработки
сигналов.
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ
или сопутствующего оборудования,
описанных в пункте 4.1.3,
определяется контрольным статусом
другого оборудования или других
систем в том случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование необходимы для работы
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56
|
