Стр. 27
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56
5.1.2. состав несущего газа;
5.1.3. температура подложки;
5.1.4. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.1.5. контроль и изменение дозировки газа;
5.2. для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. температура подложки;
5.2.3. состав химически активного газа;
5.2.4. норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала;
5.2.5. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.2.6. контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. параметры лазера:
5.2.7.1. длина волны;
5.2.7.2. плотность мощности;
5.2.7.3. длительность импульса;
5.2.7.4. периодичность импульсов;
5.2.7.5. источник;
5.3. для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. состав обмазки и формулировка;
5.3.2. состав несущего газа;
5.3.3. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.4. для плазменного напыления:
5.4.1. состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. температура подложки;
5.4.4. параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. дистанция напыления;
5.4.6. угол напыления;
5.4.7. состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. контроль и изменение дозировки плазменной пушки;
5.5. для металлизации распылением:
5.5.1. состав и структура мишени;
5.5.2. геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. состав химически активного газа;
5.5.4. высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.5.6. мощность триода;
5.5.7. изменение дозировки;
5.6. для ионной имплантации:
5.6.1. контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.6.4. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7. для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.7.4. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7.5. скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения;
5.7.6. температура подложки;
5.7.7. параметры наклона подложки.
---------------T------------------------------------T-----------------------
¦ ¦ Код товарной
№ позиции ¦ Наименование ¦ номенклатуры
¦ ¦ внешнеэкономической
¦ ¦ деятельности
---------------+------------------------------------+-----------------------
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования
и компонентов, указанных в пункте
3.1, других, нежели те, которые
указаны в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 или в пункте
3.1.1.1.12, которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как и
другое оборудование, определяется
по контрольному статусу другого
оборудования.
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или в пункте
3.1.1.1.12, программы которых не
могут быть изменены, или
разработанных для выполнения
конкретных функций для другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель
или заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или
пункте 3.1.1.1.12; если интегральная
схема является кремниевой
микросхемой микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте
3.1.1.1.3, и имеет длину слова
операнда 8 бит или менее, то ее
контрольный статус должен
определяться в соответствии с
пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания:
1. Контрольный статус готовых
пластин или полуфабрикатов для их
изготовления, на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам,
указанным в пункте 3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы,
включая интегральные схемы типа
"кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или определяемые как радиационно
стойкие, выдерживающие любое
из следующих воздействий:
а) общую дозу 5x10**3 Гр (кремний)
[5x10**5 рад (кремний)] или выше;
или
б) предел мощности дозы 5x10° Гр/с
(кремний) [5x10**8 рад (кремний)]/с
или выше;
3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, 8542
микрокомпьютерные микросхемы,
микросхемы микроконтроллеров,
интегральные схемы памяти,
изготовленные на полупроводниковых
соединениях, аналого-цифровые
преобразователи, цифро-аналоговые
преобразователи,
электронно-оптические или оптические
интегральные схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные схемы,
у которых функция неизвестна, либо
производителю неизвестно,
распространяется ли контрольный
статус на аппаратуру, в которой
будут использоваться данные
интегральные схемы, процессоры
быстрого преобразования Фурье,
интегральные схемы электрически
программируемых постоянных
запоминающих устройств (ЭППЗУ),
программируемые с ультрафиолетовым
стиранием, и статических
запоминающих устройств с
произвольной выборкой (СЗУПВ),
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 K
(+125°C);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 K (-55°C);
или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей
среды от 218 K (-55°C) до
398 K (+125°C)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные
схемы для гражданских автомобилей
и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы
и микросхемы микроконтроллеров,
имеющие любую из следующих
характеристик:
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры
цифровых сигналов, цифровые
матричные процессоры и цифровые
сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 8542 21 45;
производительность (СТП) 6500 млн. 8542 21 500 0;
теоретических операций в секунду 8542 21 83;
(Мтопс) или более и 8542 21 850 0;
арифметико-логическое устройство с 8542 60 000
длиной выборки 32 бита или более;
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542 21 45;
соединениях и работающие на 8542 21 500 0;
тактовой частоте, превышающей 8542 21 83;
40 МГц; или 8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или 8542 21 45;
команд, или порт последовательной 8542 21 500 0;
связи, которые обеспечивают прямое 8542 21 83;
внешнее межсоединение между 8542 21 850 0;
параллельными микросхемами 8542 60 000
микропроцессоров со скоростью
передачи, превышающей 150 Мбит/с
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 21 45;
изготовленные на полупроводниковых 8542 21 500 0;
соединениях; 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для 8542 29 600 0;
аналого-цифровых и цифро-аналоговых 8542 29 900 9;
преобразователей, такие, как: 8542 60 090 0
а) аналого-цифровые преобразователи,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или
более, но меньше 12 бит с общим
временем преобразования менее 5 нс;
2) разрешающую способность
12 бит с общим временем
преобразования менее 200 нс; или
3) разрешающую способность более
12 бит с общим временем
преобразования менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи
с разрешающей способностью 12 бит и
более и временем выхода на
установившийся режим менее 10 нс;
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов
n
соответствует 2 уровням квантования.
2. Общее время преобразования
является обратной величиной
разрешающей способности
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и 8542
оптические интегральные схемы для
обработки сигналов, имеющие
одновременно все перечисленные
составляющие:
а) один внутренний лазерный диод
или более;
б) один внутренний
светочувствительный элемент или
более; и
в) оптические волноводы;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542 21 690 0;
логические устройства, имеющие 8542 21 990 0
любую из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете
на двухвходовые);
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,4 нс;
или
в) частоту переключения, превышающую
133 МГц
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические
устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС);
Особое примечание.
Программируемые пользователем
логические устройства также известны
как программируемые пользователем
вентильные или программируемые
пользователем логические матрицы
3.1.1.1.8. Исключен
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для 8542
нейронных сетей;
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, 8542 21 690 0;
у которых функция неизвестна 8542 21 990 0;
либо производителю неизвестно, 8542 29;
распространяется ли контрольный 8542 60 000
статус на аппаратуру, в которой
будут использоваться данные
интегральные схемы, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) свыше 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс;
или
в) рабочую частоту, превышающую
3 ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 8542
отличающиеся от указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.10
и 3.1.1.1.12, созданные на основе
какого-либо полупроводникового
соединения и имеющие любую
из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 3000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) частоту переключения,
превышающую 1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 8542 21 45;
Фурье, имеющие расчетное время 8542 21 500 0;
выполнения комплексного N-точечного 8542 21 83;
сложного быстрого преобразования 8542 21 850 0;
Фурье менее (Nlog2N)/20480 мс, 8542 60 000
где N - число точек
Техническое примечание.
В случае, когда N равно 1024 точкам,
формула в пункте 3.1.1.1.12 дает
результат времени выполнения 500 мкс
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие,
как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, разработанные
или спроектированные для работы
в любом диапазоне частот,
который удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) распределен Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для
радиоопределения
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 0
непрерывного действия, такие, как:
а) работающие на частотах,
превышающих 31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода
со временем от включения до выхода
лампы на предельную радиочастотную
мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с относительной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более
одной октавы и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на
рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение
средней мощности (выраженной в кВт)
на рабочую частоту (выраженную в
ГГц) более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы - усилители магнетронного 8540 71 000 0
типа с коэффициентом усиления более
17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540 99 000 0
разработанные для электронных ламп,
имеющих плотность тока при
непрерывной эмиссии и штатных
условиях функционирования,
превышающую 5 А/кв.см
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные 8542 29;
схемы или модули, имеющие 8542 60 000;
все следующее: 8542 70 000 0
а) содержащие твердотельные
интегральные схемы, имеющие один
или более чем один элемент активных
цепей; и
б) работающие на частотах выше
3 ГГц"
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули
для оборудования, разработанного
или спроектированного для работы в
любом диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) распределен Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для
радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируется радиопередающее
спутниковое
оборудование,разработанное или
спроектированное для работы в полосе
частот от 40,5 до 42,5 ГГц;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541 21 000 0;
предназначенные для работы на 8541 29 000 0
частотах, превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543 89 950 0
усилители, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) работающие на частотах свыше
10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более пол-октавы;
б) работающие на частотах свыше
31 ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или 8543 89 950 0
магнитной настройкой, содержащие
более пяти настраиваемых
резонаторов, обеспечивающих
настройку в полосе частот с
соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1 (fmax/fmin)
менее чем за 10 мкс, имеющие
любую из следующих составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5% от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5%
от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8542 70 000 0
работать на частотах, превышающих
31 ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543 89 950 0
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5
или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 950 0
СВЧ, содержащие лампы,
контролируемые по пункту 3.1.1.2, и
имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб.см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
спроектированная для работы в любом
диапазоне частот, распределенном
Международным союзом электросвязи
для обслуживания радиосвязи, но не
для радиоопределения
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56
|
