Стр. 40
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
¦ 3.2.1.1.1 ¦Микропроцессоры и оборудование с ¦8537 10 100 0; ¦
¦ ¦цифровым управлением, которые ¦8537 10 910 9; ¦
¦ ¦прослеживают сварной шов в реальном ¦8542 31 900 1; ¦
¦ ¦масштабе времени, контролируя его ¦9031 80 910 0; ¦
¦ ¦геометрию ¦9032 89 000 9 ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.1.2 ¦Микропроцессоры и оборудование с ¦8537 10 100 0; ¦
¦ ¦цифровым управлением, которые в реальном¦8537 10 910 9; ¦
¦ ¦масштабе времени контролируют и ¦8542 31 900 1; ¦
¦ ¦корректируют параметры сварки в ¦9031 80 910 0; ¦
¦ ¦зависимости от изменений сварного шва ¦9032 89 000 9 ¦
¦ ¦или состояния сварочной дуги ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.3 ¦Материалы - нет ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.4 ¦Программное обеспечение - нет ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5 ¦Технология ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения подшипниковых систем и их ¦ ¦
¦ ¦компонентов, определенных в пункте 3.1.1¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения высококачественной сварки: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.2.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения датчиков и систем управления ¦ ¦
¦ ¦для сварочного оборудования, таких как: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.2.1.1 ¦Микропроцессоров и оборудования, ¦ ¦
¦ ¦определенных в пункте 3.2.1.1.1 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.2.1.2 ¦Микропроцессоров и оборудования, ¦ ¦
¦ ¦определенных в пункте 3.2.1.1.2 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.3 ¦Технологии разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦проволоки, наплавочного материала и ¦ ¦
¦ ¦фитильных или покрытых электродов для ¦ ¦
¦ ¦сварки изделий из титана, алюминия и ¦ ¦
¦ ¦высокопрочной стали, а также композиции ¦ ¦
¦ ¦материалов покрытий и сердцевин ¦ ¦
¦ ¦электродов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.4 ¦Технологии разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦металлических конструкций с применением ¦ ¦
¦ ¦метода электронно-лучевой сварки с ¦ ¦
¦ ¦использованием автоматизированного ¦ ¦
¦ ¦управления технологическим процессом ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.5 ¦Технологии разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦систем и оборудования, указанных в ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.3 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ ¦ Категория 4. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.1.1 ¦Радиоэлектронные системы и оборудование,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для защиты ¦ ¦
¦ ¦информации от негласного доступа ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.1.2 ¦Генераторы (синтезаторы) сигналов, в том¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦числе программируемые, работающие в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот от 1215 до 1615 МГц ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.1.3 ¦Блокираторы радиовзрывателей ¦8543 20 000 0 ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.1.4 ¦Электронно-оптические приборы, ¦9005 80 000 0; ¦
¦ ¦предназначенные для дистанционного ¦9013 80 900 0 ¦
¦ ¦обнаружения ведущих встречное наблюдение¦ ¦
¦ ¦оптических и электронно-оптических ¦ ¦
¦ ¦средств в любых условиях освещения ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.1.5 ¦Оптические средства разведки огневых ¦9005 80 000 0; ¦
¦ ¦позиций стрелков (снайперов), ¦9013 80 900 0 ¦
¦ ¦позволяющие вычислять их координаты ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.2 ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование - нет ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.3 ¦Материалы - нет ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.1 ¦Программное обеспечение для разработки и¦ ¦
¦ ¦производства электрических и ¦ ¦
¦ ¦механических элементов антенн, а также ¦ ¦
¦ ¦для анализа тепловых деформаций ¦ ¦
¦ ¦конструкций антенн ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.2 ¦Программное обеспечение для разработки, ¦ ¦
¦ ¦производства или применения космических ¦ ¦
¦ ¦элементов спутниковой системы связи, ¦ ¦
¦ ¦радиолокационного наблюдения и их ¦ ¦
¦ ¦элементов, таких как: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.2.1 ¦Антенн и механизмов, указанных в пункте ¦ ¦
¦ ¦4.5.4.4.1 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.2.2 ¦Антенных решеток, указанных в пункте ¦ ¦
¦ ¦4.5.4.4.2 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.2.3 ¦Антенных решеток, состоящих из антенных ¦ ¦
¦ ¦решеток, указанных в пункте 4.5.4.4.3 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.2.4 ¦Антенных решеток и их компонентов, ¦ ¦
¦ ¦указанных в пункте 4.5.4.4.4 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.2.5 ¦Антенн и компонентов, указанных в пункте¦ ¦
¦ ¦4.5.4.4.5 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.3 ¦Программное обеспечение для разработки ¦ ¦
¦ ¦или производства аппаратуры, указанной в¦ ¦
¦ ¦пунктах 4.5.5.1 - 4.5.5.5 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.4 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для использования в ¦ ¦
¦ ¦системах и оборудовании, определенных в ¦ ¦
¦ ¦пункте 4.1.1 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.5 ¦Программное обеспечение для разработки ¦ ¦
¦ ¦или производства элементов ¦ ¦
¦ ¦электровакуумных СВЧ-приборов, указанных¦ ¦
¦ ¦в пунктах 4.5.3.4.1 - 4.5.3.4.3 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.6 ¦Программное обеспечение, предназначенное¦ ¦
¦ ¦для использования в генераторах ¦ ¦
¦ ¦(синтезаторах) сигналов, определенных в ¦ ¦
¦ ¦пункте 4.1.2 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.4.7 ¦Программное обеспечение для разработки ¦ ¦
¦ ¦оптико-электронных телескопических ¦ ¦
¦ ¦комплексов, указанных в пункте 4.5.10 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5 ¦Технология ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.1 ¦Технологии, связанные с разработкой, ¦ ¦
¦ ¦производством или применением вакуумной ¦ ¦
¦ ¦электроники, акустоэлектроники и ¦ ¦
¦ ¦сегнетоэлектрики: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.1.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения оборудования с цифровым ¦ ¦
¦ ¦управлением, позволяющего осуществлять ¦ ¦
¦ ¦автоматическую ориентацию рентгеновского¦ ¦
¦ ¦луча и коррекцию углового положения ¦ ¦
¦ ¦кварцевых кристаллов с компенсацией ¦ ¦
¦ ¦механических напряжений, вращающихся по ¦ ¦
¦ ¦двум осям при величине погрешности 10 ¦ ¦
¦ ¦угловых секунд или менее, которая ¦ ¦
¦ ¦поддерживается одновременно для двух ¦ ¦
¦ ¦осей вращения ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.1.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения оборудования для равномерного¦ ¦
¦ ¦покрытия поверхности мембран, электродов¦ ¦
¦ ¦и волоконно-оптических элементов ¦ ¦
¦ ¦монослоями биополимеров или ¦ ¦
¦ ¦биополимерных композиций ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения любой из нижеприведенной ¦ ¦
¦ ¦криогенной техники, разработанной для ¦ ¦
¦ ¦получения и поддержания регулируемых ¦ ¦
¦ ¦температур ниже 100 K и пригодной для ¦ ¦
¦ ¦использования на подвижных наземных, ¦ ¦
¦ ¦морских, воздушных или космических ¦ ¦
¦ ¦платформах: ¦ ¦
¦ ¦а) низкотемпературных контейнеров; ¦ ¦
¦ ¦б) криогенных трубопроводов; ¦ ¦
¦ ¦в) низкотемпературных рефрижераторных ¦ ¦
¦ ¦систем закрытого типа ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения источников микроволнового ¦ ¦
¦ ¦излучения (в том числе СВЧ-излучения) ¦ ¦
¦ ¦средней мощностью более 3 МВт с энергией¦ ¦
¦ ¦в импульсе более 10 кДж: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения мощных переключателей, таких ¦ ¦
¦ ¦как водородные тиратроны и их ¦ ¦
¦ ¦компонентов, в том числе устройств ¦ ¦
¦ ¦получения длительных (до 30 с) импульсов¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения волноводов и их компонентов, ¦ ¦
¦ ¦в том числе: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.1 ¦Массового производства одно- и ¦ ¦
¦ ¦двухгребневых волноводов и высокоточных ¦ ¦
¦ ¦волноводных компонентов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.2 ¦Механических конструкций вращающихся ¦ ¦
¦ ¦сочленений ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.3 ¦Устройств охлаждения ферромагнитных ¦ ¦
¦ ¦компонентов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.4 ¦Прецизионных волноводов миллиметровых ¦ ¦
¦ ¦волн и их компонентов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.5 ¦Ферритовых деталей для использования в ¦ ¦
¦ ¦ферромагнитных компонентах волноводов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.6 ¦Ферромагнитных и механических деталей ¦ ¦
¦ ¦для сборки ферромагнитных узлов ¦ ¦
¦ ¦волноводов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.2.7 ¦Материалов типа "диэлектрик-феррит" для ¦ ¦
¦ ¦управления фазой сигнала и уменьшения ¦ ¦
¦ ¦размеров антенны ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.3 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения СВЧ- и ВЧ-антенн, специально ¦ ¦
¦ ¦предназначенных для ускорения ионов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.4 ¦Технологии разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦следующих элементов электровакуумных ¦ ¦
¦ ¦СВЧ-приборов: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.4.1 ¦Безнакальных и вторично-эмиссионных ¦ ¦
¦ ¦эмиттеров ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.4.2 ¦Высокоэффективных эмиттеров с плотностью¦ ¦
¦ ¦тока катода более 10 А/кв.см ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.3.4.3 ¦Электронно-оптических и ¦ ¦
¦ ¦электродинамических систем для ¦ ¦
¦ ¦многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ), ¦ ¦
¦ ¦многолучевых приборов и гиротронов ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4 ¦Технологии, связанные с исследованием ¦ ¦
¦ ¦проблем распространения радиоволн в ¦ ¦
¦ ¦интересах создания перспективных систем ¦ ¦
¦ ¦связи и управления: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения средств КВ-радиосвязи ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.1.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения автоматически управляемых КВ-¦ ¦
¦ ¦радиосистем, в которых обеспечивается ¦ ¦
¦ ¦управление качеством работы каналов ¦ ¦
¦ ¦связи ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.1.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения устройств настройки антенн, ¦ ¦
¦ ¦позволяющих настраиваться на любую ¦ ¦
¦ ¦частоту в диапазоне от 1,5 до 88 МГц, ¦ ¦
¦ ¦которые преобразуют начальный импеданс ¦ ¦
¦ ¦антенны с коэффициентом стоячей волны от¦ ¦
¦ ¦3 - 1 или более до 3 - 1 или менее, и ¦ ¦
¦ ¦обеспечивающих настройку при работе в ¦ ¦
¦ ¦любом из следующих режимов: ¦ ¦
¦ ¦а) в режиме приема за время 200 мс или ¦ ¦
¦ ¦менее; ¦ ¦
¦ ¦б) в режиме передачи за время 200 мс или¦ ¦
¦ ¦менее при уровнях мощности менее 100 Вт ¦ ¦
¦ ¦и за 1 с или менее при уровнях более ¦ ¦
¦ ¦100 Вт ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения широкополосных передающих ¦ ¦
¦ ¦антенн, имеющих коэффициент перекрытия ¦ ¦
¦ ¦частотного диапазона в пределах 10 и ¦ ¦
¦ ¦более и коэффициент стоячей волны не ¦ ¦
¦ ¦более 4 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения станций радиорелейной связи, ¦ ¦
¦ ¦использующих эффект тропосферного ¦ ¦
¦ ¦рассеяния, и их компонентов, таких как: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.1 ¦Усилителей мощности для работы в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц, ¦ ¦
¦ ¦использующих жидкостно- и ¦ ¦
¦ ¦пароохлаждаемые электронные лампы ¦ ¦
¦ ¦мощностью более 10 кВт или лампы с ¦ ¦
¦ ¦воздушным охлаждением мощностью 2 кВт ¦ ¦
¦ ¦или более и коэффициентом усиления более¦ ¦
¦ ¦20 дБ, включая усилители, объединенные ¦ ¦
¦ ¦со своими источниками электропитания ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.2 ¦Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.3 ¦Специальных микроволновых гибридных ¦ ¦
¦ ¦интегральных схем ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.4 ¦Фазированных антенных решеток, включая ¦ ¦
¦ ¦их распределенные компоненты для ¦ ¦
¦ ¦формирования луча ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.5 ¦Адаптивных антенн, способных к становке ¦ ¦
¦ ¦нуля диаграммы направленности в ¦ ¦
¦ ¦направлении на источник помех ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.6 ¦Средств радиорелейной связи для передачи¦ ¦
¦ ¦цифровой информации со скоростью более ¦ ¦
¦ ¦2,1 Мбит/с и более 1 бит/цикл ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.3.7 ¦Средств радиорелейной многоканальной ¦ ¦
¦ ¦(более 120 каналов) связи с разделением ¦ ¦
¦ ¦каналов по частоте ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.4 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения космических спутниковых ¦ ¦
¦ ¦систем связи и их элементов, таких как: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.4.1 ¦Развертываемых антенн, а также ¦ ¦
¦ ¦механизмов их развертывания, включая ¦ ¦
¦ ¦контроль поверхности антенн при их ¦ ¦
¦ ¦изготовлении и динамический контроль ¦ ¦
¦ ¦развернутых антенн ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.4.2 ¦Антенных решеток с фиксированной ¦ ¦
¦ ¦апертурой, включая контроль их ¦ ¦
¦ ¦поверхности при производстве ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.4.3 ¦Антенных решеток, состоящих из линейки ¦ ¦
¦ ¦рупорных излучателей, формирующих ¦ ¦
¦ ¦диаграмму направленности путем изменения¦ ¦
¦ ¦фазы сигнала и установки нуля диаграммы ¦ ¦
¦ ¦направленности на источник помех ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.4.4 ¦Микрополосковых фазированных антенных ¦ ¦
¦ ¦решеток, включая компоненты для ¦ ¦
¦ ¦формирования нуля диаграммы в ¦ ¦
¦ ¦направлении на источник помех ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.4.5 ¦Антенн и компонентов на основе ¦ ¦
¦ ¦композиционных материалов для достижения¦ ¦
¦ ¦требуемых характеристик прочности и ¦ ¦
¦ ¦жесткости при минимальном весе, ¦ ¦
¦ ¦стабильности длительной их работы в ¦ ¦
¦ ¦широком диапазоне температур, включая ¦ ¦
¦ ¦технологии для стабилизации параметров в¦ ¦
¦ ¦процессе изготовления компонентов из ¦ ¦
¦ ¦эпоксидных смол с графитовым наполнением¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.4.5 ¦Технологии разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦усилителей мощности, предназначенных для¦ ¦
¦ ¦применения в космосе и имеющих одно из ¦ ¦
¦ ¦следующих устройств и особенностей: ¦ ¦
¦ ¦а) приборы с теплообменными ¦ ¦
¦ ¦устройствами, содержащими схемы ¦ ¦
¦ ¦теплопередачи от элемента к поглотителю ¦ ¦
¦ ¦тепла мощностью более 25 Вт с площади ¦ ¦
¦ ¦900 кв.см; ¦ ¦
¦ ¦б) блоки, работающие на частотах 18 ГГц ¦ ¦
¦ ¦или обеспечивающие следующие мощности: ¦ ¦
¦ ¦10 Вт на частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на ¦ ¦
¦ ¦частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте 11 ¦ ¦
¦ ¦ГГц; ¦ ¦
¦ ¦в) высоковольтные источники питания, ¦ ¦
¦ ¦имеющие соотношение мощность/масса и ¦ ¦
¦ ¦мощность/габариты более 1 Вт/кг и 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦на 320 кв.см ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5 ¦Технологии, связанные с разработкой ¦ ¦
¦ ¦методов и способов радиоэлектронной ¦ ¦
¦ ¦разведки и подавления: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения средств радиоэлектронной ¦ ¦
¦ ¦разведки и подавления, таких как: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.1.1 ¦Систем разведки и подавления, ¦ ¦
¦ ¦управляемых оператором или работающих ¦ ¦
¦ ¦автоматизированно и разработанных для ¦ ¦
¦ ¦перехвата и анализа сигналов, подавления¦ ¦
¦ ¦и нарушения нормальной работы систем ¦ ¦
¦ ¦связи всех типов или навигации ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.1.2 ¦Приемников, работающих с сигналами, ¦ ¦
¦ ¦имеющими коэффициент сжатия, превышающий¦ ¦
¦ ¦100 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения приемников, использующих ¦ ¦
¦ ¦дисперсионные фильтры и конвольверы с ¦ ¦
¦ ¦уровнем побочных сигналов на 20 дБ ниже ¦ ¦
¦ ¦основного сигнала ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.3 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения приемопередающих устройств, ¦ ¦
¦ ¦предназначенных для обнаружения, ¦ ¦
¦ ¦перехвата, анализа, подавления сигналов,¦ ¦
¦ ¦в том числе с модуляцией распределенным ¦ ¦
¦ ¦спектром ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.4 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения устройств автоматической ¦ ¦
¦ ¦настройки антенны, обеспечивающих ее ¦ ¦
¦ ¦перестройку со скоростью не менее 30 ¦ ¦
¦ ¦МГц/с ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.5 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения средств автоматического ¦ ¦
¦ ¦определения направления, способных ¦ ¦
¦ ¦считывать пеленги со скоростями не менее¦ ¦
¦ ¦одного пеленга в секунду ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.5.6 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения генераторов (синтезаторов) ¦ ¦
¦ ¦сигналов, в том числе программируемых, с¦ ¦
¦ ¦характеристиками, указанными в пункте ¦ ¦
¦ ¦4.1.2 ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6 ¦Технологии разработки, изготовления или ¦ ¦
¦ ¦применения запоминающих устройств (ЗУ) ¦ ¦
¦ ¦на тонких пленках, такие как: ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.1 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения ЗУ на цилиндрических ¦ ¦
¦ ¦магнитных доменах (ЦМД) ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.2 ¦Технологии разработки, производства или ¦ ¦
¦ ¦применения материалов и оборудования для¦ ¦
¦ ¦изготовления ЗУ на ЦМД ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.3 ¦Технологии выращивания и обработки ¦ ¦
¦ ¦материалов для изготовления подложек ЗУ ¦ ¦
¦ ¦на магнитных доменах, например из ¦ ¦
¦ ¦материала на основе галлий-гадолиниевого¦ ¦
¦ ¦граната ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.4 ¦Технологии эпитаксиального выращивания ¦ ¦
¦ ¦пленок для ЗУ на ЦМД ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.5 ¦Технологии осаждения пермаллоя и ¦ ¦
¦ ¦диэлектрика и создания рисунка с ¦ ¦
¦ ¦пространственным разрешением лучше 10 ¦ ¦
¦ ¦мкм, включая металлизацию напылением или¦ ¦
¦ ¦испарением и ионное фрезерование ¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.6 ¦Технологии компоновки и сборки ЗУ на ЦМД¦ ¦
+----------------+----------------------------------------+---------------+
¦ 4.5.6.7 ¦Технологии разработки ионных ¦ ¦
¦ ¦имплантатов и ЗУ с соприкасающимися ¦ ¦
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
| 
