Стр. 14
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1 Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1 Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1 Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
------------+---------------------------------------------+---------------¬
¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦Код ТН ВЭД <**>¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ ¦ Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1 ¦Системы, оборудование и компоненты. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Контрольный статус оборудования и ¦ ¦
¦ ¦компонентов, указанных в пункте 3.1, других, ¦ ¦
¦ ¦нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11 и которые ¦ ¦
¦ ¦специально разработаны или имеют те же самые ¦ ¦
¦ ¦функциональные характеристики, как и другое ¦ ¦
¦ ¦оборудование, определяется по контрольному ¦ ¦
¦ ¦статусу такого оборудования. ¦ ¦
¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно¦ ¦
¦ ¦запрограммированными или разработанными для ¦ ¦
¦ ¦выполнения функций другого оборудования, ¦ ¦
¦ ¦определяется по контрольному статусу такого ¦ ¦
¦ ¦оборудования. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или ¦ ¦
¦ ¦заявитель не может определить контрольный ¦ ¦
¦ ¦статус другого оборудования, этот статус ¦ ¦
¦ ¦определяется контрольным статусом ¦ ¦
¦ ¦интегральных схем, указанных в пунктах ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11 ¦ ¦
¦ ¦Если интегральная схема является кремниевой ¦ ¦
¦ ¦микросхемой микроЭВМ или микросхемой ¦ ¦
¦ ¦микроконтроллера, указанными в пункте ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда ¦ ¦
¦ ¦(данных) 8 бит или менее, то ее статус ¦ ¦
¦ ¦контроля должен определяться в соответствии с¦ ¦
¦ ¦пунктом 3.1.1.1.3 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1 ¦Электронные компоненты: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1 ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы ¦ ¦
¦ ¦общего назначения: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦8542 ¦
¦ ¦относящиеся к классу радиационно стойких, ¦ ¦
¦ ¦выдерживающие любое из следующих воздействий:¦ ¦
¦ ¦ 3 5 ¦ ¦
¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 ¦ ¦
¦ ¦рад] или выше; ¦ ¦
¦ ¦ 6 8 ¦ ¦
¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/c [5 x 10 ¦ ¦
¦ ¦рад/с] или выше; или ¦ ¦
¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов ¦ ¦
¦ ¦ 13 ¦ ¦
¦ ¦(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10 ¦ ¦
¦ ¦н/кв.см или более по кремнию или его ¦ ¦
¦ ¦эквивалент для других материалов. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦ ¦
¦ ¦к структуре металл - диэлектрик - ¦ ¦
¦ ¦полупроводник (МДП-структуре) ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 ¦
¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦
¦ ¦изготовленные из полупроводниковых соединений¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы памяти, аналого-цифровые ¦ ¦
¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые ¦ ¦
¦ ¦преобразователи, электронно-оптические или ¦ ¦
¦ ¦оптические интегральные схемы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, программируемые пользователем ¦ ¦
¦ ¦логические устройства, заказные интегральные ¦ ¦
¦ ¦схемы, функции которых неизвестны или не ¦ ¦
¦ ¦известно, распространяется ли статус контроля¦ ¦
¦ ¦на аппаратуру, в которой будут использоваться¦ ¦
¦ ¦эти интегральные схемы, процессоры быстрого ¦ ¦
¦ ¦преобразования Фурье, электрически ¦ ¦
¦ ¦перепрограммируемые постоянные запоминающие ¦ ¦
¦ ¦устройства (ЭППЗУ), память с групповой ¦ ¦
¦ ¦перезаписью или статические запоминающие ¦ ¦
¦ ¦устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦
¦ ¦среды выше 398 K (+125 град. C); ¦ ¦
¦ ¦б) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦
¦ ¦среды ниже 218 K (-55 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦
¦ ¦температур окружающей среды от 218 K (-55 ¦ ¦
¦ ¦град. C) до 398 K (+125 град. C). ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным¦ ¦
¦ ¦схемам, используемым для гражданских ¦ ¦
¦ ¦автомобилей и железнодорожных поездов ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 31 900 1; ¦
¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦8542 31 900 9; ¦
¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 39 900 9 ¦
¦ ¦соединениях и работающие на тактовой частоте,¦ ¦
¦ ¦превышающей 40 МГц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦
¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦
¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на ¦8542 31 900 1; ¦
¦ ¦полупроводниковых соединениях ¦8542 31 900 9; ¦
¦ ¦ ¦8542 39 900 9 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.5 ¦Следующие интегральные схемы для аналого- ¦8542 31 900 3; ¦
¦ ¦цифровых и цифроаналоговых преобразователей: ¦8542 31 900 9; ¦
¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 900 5; ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: разрешающую¦8542 39 900 9 ¦
¦ ¦способность 8 бит или более, но менее 10 бит,¦ ¦
¦ ¦со скоростью на выходе более 500 млн. слов в ¦ ¦
¦ ¦секунду; разрешающую способность 10 бит или ¦ ¦
¦ ¦более, но менее 12 бит, со скоростью на ¦ ¦
¦ ¦выходе более 200 млн. слов в секунду; ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью ¦ ¦
¦ ¦на выходе более 105 млн. слов в секунду; ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, но ¦ ¦
¦ ¦равную или меньше 14 бит, со скоростью на ¦ ¦
¦ ¦выходе более 10 млн. слов в секунду; или ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность более 14 бит со ¦ ¦
¦ ¦скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в ¦ ¦
¦ ¦секунду; ¦ ¦
¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи с ¦ ¦
¦ ¦разрешающей способностью 12 бит или более и ¦ ¦
¦ ¦временем установления сигнала менее 10 нс. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Разрешающая способность n битов ¦ ¦
¦ ¦ n ¦ ¦
¦ ¦соответствует 2 уровням квантования. ¦ ¦
¦ ¦2. Количество бит в выходном слове ¦ ¦
¦ ¦соответствует разрешающей способности ¦ ¦
¦ ¦аналого-цифрового преобразователя. ¦ ¦
¦ ¦3. Скорость на выходе является максимальной ¦ ¦
¦ ¦скоростью на выходе преобразователя ¦ ¦
¦ ¦независимо от структуры или выборки с запасом¦ ¦
¦ ¦по частоте дискретизации. Поставщики могут ¦ ¦
¦ ¦также ссылаться на скорость на выходе как на ¦ ¦
¦ ¦частоту выборки, скорость преобразования или ¦ ¦
¦ ¦пропускную способность. Ее часто определяют в¦ ¦
¦ ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в ¦ ¦
¦ ¦секунду (Мвыб./с). ¦ ¦
¦ ¦4. Для целей измерения скорости на выходе ¦ ¦
¦ ¦одно выходное слово в секунду равнозначно ¦ ¦
¦ ¦одному герцу или одной выборке в секунду ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.6 ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 ¦
¦ ¦интегральные схемы для обработки сигналов, ¦ ¦
¦ ¦имеющие одновременно все перечисленные ¦ ¦
¦ ¦составляющие: ¦ ¦
¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или более; ¦ ¦
¦ ¦б) один внутренний светочувствительный ¦ ¦
¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦
¦ ¦в) световоды ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.7 ¦Программируемые пользователем логические ¦8542 39 900 5 ¦
¦ ¦устройства, имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентное количество задействованных ¦ ¦
¦ ¦логических элементов более 30000 (в пересчете¦ ¦
¦ ¦на элементы с двумя входами); ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦
¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦
¦ ¦в) частоту переключения выше 133 МГц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.1.7 включает: ¦ ¦
¦ ¦простые программируемые логические устройства¦ ¦
¦ ¦(ППЛУ); ¦ ¦
¦ ¦сложные программируемые логические устройства¦ ¦
¦ ¦(СПЛУ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем вентильные ¦ ¦
¦ ¦матрицы (ППВМ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦
¦ ¦матрицы (ППЛМ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем межсоединения ¦ ¦
¦ ¦(ППМС). ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Программируемые пользователем логические ¦ ¦
¦ ¦устройства также известны как программируемые¦ ¦
¦ ¦пользователем вентильные или программируемые ¦ ¦
¦ ¦пользователем логические матрицы ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.8 ¦Интегральные схемы для нейронных сетей ¦8542 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.9 ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 900 3; ¦
¦ ¦неизвестны или изготовителю не известно, ¦8542 31 900 9; ¦
¦ ¦распространяется ли статус контроля на ¦8542 39 900 5; ¦
¦ ¦аппаратуру, в которой будут использоваться ¦8542 39 900 9 ¦
¦ ¦эти интегральные схемы, с любой из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) более 1000 выводов; ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦
¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦
¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.10 ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели ¦8542 ¦
¦ ¦указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого¦ ¦
¦ ¦полупроводникового соединения и ¦ ¦
¦ ¦характеризующиеся любым из нижеследующего: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентным количеством логических ¦ ¦
¦ ¦элементов более 3000 (в пересчете на элементы¦ ¦
¦ ¦с двумя входами); или ¦ ¦
¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.11 ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦8542 31 900 1; ¦
¦ ¦имеющие расчетное время выполнения ¦8542 31 900 9; ¦
¦ ¦комплексного N-точечного сложного быстрого ¦8542 39 900 9 ¦
¦ ¦преобразования Фурье менее (N log2 N) / 20 ¦ ¦
¦ ¦480 мс, где N - количество точек. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени ¦ ¦
¦ ¦выполнения 500 мкс. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или ¦ ¦
¦ ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена ¦ ¦
¦ ¦конкретная функция, оценивается по ¦ ¦
¦ ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 ¦ ¦
¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает ¦ ¦
¦ ¦следующие типы: монолитные интегральные ¦ ¦
¦ ¦схемы; гибридные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на сапфире";¦ ¦
¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2 ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦ ¦
¦ ¦диапазона: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.1 ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы¦ ¦
¦ ¦и катоды: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.1¦Лампы бегущей волны импульсного или ¦8540 79 000 0 ¦
¦ ¦непрерывного действия: ¦ ¦
¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ¦ ¦
¦ ¦ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со ¦ ¦
¦ ¦временем выхода лампы на предельную ¦ ¦
¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с; ¦ ¦
¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их ¦ ¦
¦ ¦модификации с относительной шириной полосы ¦ ¦
¦ ¦частот более 7% или пиком мощности, ¦ ¦
¦ ¦превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦
¦ ¦г) спиральные лампы или их модификации, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦мгновенную ширину полосы частот более одной ¦ ¦
¦ ¦октавы и произведение средней мощности ¦ ¦
¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту ¦ ¦
¦ ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ¦ ¦
¦ ¦ширину полосы частот в одну октаву или менее ¦ ¦
¦ ¦и произведение средней мощности (выраженной в¦ ¦
¦ ¦кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) ¦ ¦
¦ ¦более 1; или ¦ ¦
¦ ¦пригодные для применения в космосе ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.2¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦8540 71 000 0 ¦
¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.3¦Импрегнированные катоды, разработанные для ¦8540 99 000 0 ¦
¦ ¦электронных ламп, эмитирующие в непрерывном ¦ ¦
¦ ¦режиме и штатных условиях работы ток ¦ ¦
¦ ¦плотностью, превышающей 5 А/кв.см. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦лампы, спроектированные для работы в любом ¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦ ¦
¦ ¦следующим характеристикам: ¦ ¦
¦ ¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и ¦ ¦
¦ ¦б) диапазон распределен Международным союзом ¦ ¦
¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦
¦ ¦не для радиоопределения. ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦лампы, которые непригодны для применения в ¦ ¦
¦ ¦космосе и удовлетворяют всем следующим ¦ ¦
¦ ¦характеристикам: ¦ ¦
¦ ¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; ¦ ¦
¦ ¦и ¦ ¦
¦ ¦б) спроектированные для работы в любом ¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦ ¦
¦ ¦следующим характеристикам: частота выше 31,8 ¦ ¦
¦ ¦ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон ¦ ¦
¦ ¦распределен Международным союзом электросвязи¦ ¦
¦ ¦для обслуживания радиосвязи, но не для ¦ ¦
¦ ¦радиоопределения ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.2 ¦Монолитные микроволновые интегральные схемы ¦8542 31 900 3; ¦
¦ ¦(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из¦8542 33 000; ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦8542 39 900 5; ¦
¦ ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦8543 90 000 1 ¦
¦ ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт ¦ ¦
¦ ¦(36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦
¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦
¦ ¦более 15%; ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦
¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦
¦ ¦более 10%; ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,8 ¦ ¦
¦ ¦Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦ ¦
¦ ¦более 10%; ¦ ¦
¦ ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,25 ¦ ¦
¦ ¦Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦ ¦
¦ ¦более 10%; или ¦ ¦
¦ ¦е) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦
¦ ¦выше 43,5 ГГц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется ¦ ¦
¦ ¦радиопередающее спутниковое оборудование, ¦ ¦
¦ ¦разработанное или предназначенное для работы ¦ ¦
¦ ¦в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц. ¦ ¦
¦ ¦2. Контрольный статус ММИС, номинальные ¦ ¦
¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦ ¦
¦ ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах ¦ ¦
¦ ¦"а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется ¦ ¦
¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦
¦ ¦выходной мощности. ¦ ¦
¦ ¦3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 ¦ ¦
¦ ¦категории 3, подразумевают, что по пункту ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они ¦ ¦
¦ ¦специально разработаны для иных целей, ¦ ¦
¦ ¦например для телекоммуникаций, ¦ ¦
¦ ¦радиолокационных станций, автомобилей ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.3 ¦Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие¦8541 21 000 0; ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8541 29 000 0 ¦
¦ ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие¦ ¦
¦ ¦среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт ¦ ¦
¦ ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦ ¦
¦ ¦мВт); ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и ¦ ¦
¦ ¦имеющие среднюю выходную мощность, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых ¦ ¦
¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и ¦ ¦
¦ ¦имеющие среднюю выходную мощность, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых ¦ ¦
¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦
¦ ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и ¦ ¦
¦ ¦имеющие среднюю выходную мощность, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦
¦ ¦относительно уровня 1 мВт); или ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦
¦ ¦выше 43,5 ГГц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Контрольный статус транзисторов, номинальные ¦ ¦
¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦ ¦
¦ ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах ¦ ¦
¦ ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется ¦ ¦
¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦
¦ ¦выходной мощности ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.4 ¦Микроволновые твердотельные усилители и ¦8543 70 900 9 ¦
¦ ¦микроволновые сборки/модули, содержащие такие¦ ¦
¦ ¦усилители, имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт¦ ¦
¦ ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦ ¦
¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦
¦ ¦более 15%; ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт¦ ¦
¦ ¦(42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦
¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦
¦ ¦более 10%; ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; ¦ ¦
¦ ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦
¦ ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦ ¦
¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦
¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦
¦ ¦более 10%; ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦
¦ ¦выше 43,5 ГГц; или ¦ ¦
¦ ¦е) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦
¦ ¦выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: ¦ ¦
¦ ¦среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, ¦ ¦
¦ ¦чем результат от деления величины 150 (Вт x ¦ ¦
¦ ¦ 2 ¦ ¦
¦ ¦ГГц ) на максимальную рабочую частоту f ¦ ¦
¦ ¦ 2 ¦ ¦
¦ ¦(ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f или в ¦ ¦
¦ ¦ 2 ¦ ¦
¦ ¦единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц ) / ¦ ¦
¦ ¦ 2 ¦ ¦
¦ ¦(ГГц) ]; ¦ ¦
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
| 
