Право
Загрузить Adobe Flash Player
Навигация
Новые документы

Реклама

Законодательство России

Долой пост президента Беларуси

Ресурсы в тему
ПОИСК ДОКУМЕНТОВ

Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"

Текст документа с изменениями и дополнениями по состоянию на 10 июля 2009 года

Архив

< Главная страница

Стр. 14


Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |



5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1 Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1 Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1 Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.



------------+---------------------------------------------+---------------¬
¦ N пункта  ¦              Наименование <*>               ¦Код ТН ВЭД <**>¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦           ¦          Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦    3.1    ¦Системы, оборудование и компоненты.          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. Контрольный статус оборудования и         ¦               ¦
¦           ¦компонентов, указанных в пункте 3.1, других, ¦               ¦
¦           ¦нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -       ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11 и которые    ¦               ¦
¦           ¦специально разработаны или имеют те же самые ¦               ¦
¦           ¦функциональные характеристики, как и другое  ¦               ¦
¦           ¦оборудование, определяется по контрольному   ¦               ¦
¦           ¦статусу такого оборудования.                 ¦               ¦
¦           ¦2. Контрольный статус интегральных схем,     ¦               ¦
¦           ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно¦               ¦
¦           ¦запрограммированными или разработанными для  ¦               ¦
¦           ¦выполнения функций другого оборудования,     ¦               ¦
¦           ¦определяется по контрольному статусу такого  ¦               ¦
¦           ¦оборудования.                                ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Особое примечание.                           ¦               ¦
¦           ¦В тех случаях, когда изготовитель или        ¦               ¦
¦           ¦заявитель не может определить контрольный    ¦               ¦
¦           ¦статус другого оборудования, этот статус     ¦               ¦
¦           ¦определяется контрольным статусом            ¦               ¦
¦           ¦интегральных схем, указанных в пунктах       ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11  ¦               ¦
¦           ¦Если интегральная схема является кремниевой  ¦               ¦
¦           ¦микросхемой микроЭВМ или микросхемой         ¦               ¦
¦           ¦микроконтроллера, указанными в пункте        ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда    ¦               ¦
¦           ¦(данных) 8 бит или менее, то ее статус       ¦               ¦
¦           ¦контроля должен определяться в соответствии с¦               ¦
¦           ¦пунктом 3.1.1.1.3                            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦   3.1.1   ¦Электронные компоненты:                      ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.1  ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы    ¦               ¦
¦           ¦общего назначения:                           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные или     ¦8542           ¦
¦           ¦относящиеся к классу радиационно стойких,    ¦               ¦
¦           ¦выдерживающие любое из следующих воздействий:¦               ¦
¦           ¦                        3                5   ¦               ¦
¦           ¦а) суммарную дозу 5 x 10  Гр (Si) [5 x 10    ¦               ¦
¦           ¦рад] или выше;                               ¦               ¦
¦           ¦                       6                  8  ¦               ¦
¦           ¦б) мощность дозы 5 x 10  Гр (Si)/c [5 x 10   ¦               ¦
¦           ¦рад/с] или выше; или                         ¦               ¦
¦           ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов     ¦               ¦
¦           ¦                                        13   ¦               ¦
¦           ¦(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10     ¦               ¦
¦           ¦н/кв.см или более по кремнию или его         ¦               ¦
¦           ¦эквивалент для других материалов.            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦               ¦
¦           ¦к структуре металл - диэлектрик -            ¦               ¦
¦           ¦полупроводник (МДП-структуре)                ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы      ¦8542           ¦
¦           ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров,      ¦               ¦
¦           ¦изготовленные из полупроводниковых соединений¦               ¦
¦           ¦интегральные схемы памяти, аналого-цифровые  ¦               ¦
¦           ¦преобразователи, цифроаналоговые             ¦               ¦
¦           ¦преобразователи, электронно-оптические или   ¦               ¦
¦           ¦оптические интегральные схемы для обработки  ¦               ¦
¦           ¦сигналов, программируемые пользователем      ¦               ¦
¦           ¦логические устройства, заказные интегральные ¦               ¦
¦           ¦схемы, функции которых неизвестны или не     ¦               ¦
¦           ¦известно, распространяется ли статус контроля¦               ¦
¦           ¦на аппаратуру, в которой будут использоваться¦               ¦
¦           ¦эти интегральные схемы, процессоры быстрого  ¦               ¦
¦           ¦преобразования Фурье, электрически           ¦               ¦
¦           ¦перепрограммируемые постоянные запоминающие  ¦               ¦
¦           ¦устройства (ЭППЗУ), память с групповой       ¦               ¦
¦           ¦перезаписью или статические запоминающие     ¦               ¦
¦           ¦устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ),  ¦               ¦
¦           ¦имеющие любую из следующих характеристик:    ¦               ¦
¦           ¦а) работоспособные при температуре окружающей¦               ¦
¦           ¦среды выше 398 K (+125 град. C);             ¦               ¦
¦           ¦б) работоспособные при температуре окружающей¦               ¦
¦           ¦среды ниже 218 K (-55 град. C); или          ¦               ¦
¦           ¦в) работоспособные во всем диапазоне         ¦               ¦
¦           ¦температур окружающей среды от 218 K (-55    ¦               ¦
¦           ¦град. C) до 398 K (+125 град. C).            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным¦               ¦
¦           ¦схемам, используемым для гражданских         ¦               ¦
¦           ¦автомобилей и железнодорожных поездов        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы      ¦8542 31 900 1; ¦
¦           ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров,      ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦изготовленные на полупроводниковых           ¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦соединениях и работающие на тактовой частоте,¦               ¦
¦           ¦превышающей 40 МГц.                          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦               ¦
¦           ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и    ¦               ¦
¦           ¦цифровые сопроцессоры                        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на  ¦8542 31 900 1; ¦
¦           ¦полупроводниковых соединениях                ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦                                             ¦8542 39 900 9  ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.5 ¦Следующие интегральные схемы для аналого-    ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦цифровых и цифроаналоговых преобразователей: ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 900 5; ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик: разрешающую¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦способность 8 бит или более, но менее 10 бит,¦               ¦
¦           ¦со скоростью на выходе более 500 млн. слов в ¦               ¦
¦           ¦секунду; разрешающую способность 10 бит или  ¦               ¦
¦           ¦более, но менее 12 бит, со скоростью на      ¦               ¦
¦           ¦выходе более 200 млн. слов в секунду;        ¦               ¦
¦           ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью  ¦               ¦
¦           ¦на выходе более 105 млн. слов в секунду;     ¦               ¦
¦           ¦разрешающую способность более 12 бит, но     ¦               ¦
¦           ¦равную или меньше 14 бит, со скоростью на    ¦               ¦
¦           ¦выходе более 10 млн. слов в секунду; или     ¦               ¦
¦           ¦разрешающую способность более 14 бит со      ¦               ¦
¦           ¦скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в    ¦               ¦
¦           ¦секунду;                                     ¦               ¦
¦           ¦б) цифроаналоговые преобразователи с         ¦               ¦
¦           ¦разрешающей способностью 12 бит или более и  ¦               ¦
¦           ¦временем установления сигнала менее 10 нс.   ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Технические примечания:                      ¦               ¦
¦           ¦1. Разрешающая способность n битов           ¦               ¦
¦           ¦               n                             ¦               ¦
¦           ¦соответствует 2  уровням квантования.        ¦               ¦
¦           ¦2. Количество бит в выходном слове           ¦               ¦
¦           ¦соответствует разрешающей способности        ¦               ¦
¦           ¦аналого-цифрового преобразователя.           ¦               ¦
¦           ¦3. Скорость на выходе является максимальной  ¦               ¦
¦           ¦скоростью на выходе преобразователя          ¦               ¦
¦           ¦независимо от структуры или выборки с запасом¦               ¦
¦           ¦по частоте дискретизации. Поставщики могут   ¦               ¦
¦           ¦также ссылаться на скорость на выходе как на ¦               ¦
¦           ¦частоту выборки, скорость преобразования или ¦               ¦
¦           ¦пропускную способность. Ее часто определяют в¦               ¦
¦           ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в     ¦               ¦
¦           ¦секунду (Мвыб./с).                           ¦               ¦
¦           ¦4. Для целей измерения скорости на выходе    ¦               ¦
¦           ¦одно выходное слово в секунду равнозначно    ¦               ¦
¦           ¦одному герцу или одной выборке в секунду     ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.6 ¦Электронно-оптические и оптические           ¦8542           ¦
¦           ¦интегральные схемы для обработки сигналов,   ¦               ¦
¦           ¦имеющие одновременно все перечисленные       ¦               ¦
¦           ¦составляющие:                                ¦               ¦
¦           ¦а) один внутренний лазерный диод или более;  ¦               ¦
¦           ¦б) один внутренний светочувствительный       ¦               ¦
¦           ¦элемент или более; и                         ¦               ¦
¦           ¦в) световоды                                 ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.7 ¦Программируемые пользователем логические     ¦8542 39 900 5  ¦
¦           ¦устройства, имеющие любую из следующих       ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) эквивалентное количество задействованных  ¦               ¦
¦           ¦логических элементов более 30000 (в пересчете¦               ¦
¦           ¦на элементы с двумя входами);                ¦               ¦
¦           ¦б) типовое время задержки основного          ¦               ¦
¦           ¦логического элемента менее 0,1 нс; или       ¦               ¦
¦           ¦в) частоту переключения выше 133 МГц.        ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.1.7 включает:                    ¦               ¦
¦           ¦простые программируемые логические устройства¦               ¦
¦           ¦(ППЛУ);                                      ¦               ¦
¦           ¦сложные программируемые логические устройства¦               ¦
¦           ¦(СПЛУ);                                      ¦               ¦
¦           ¦программируемые пользователем вентильные     ¦               ¦
¦           ¦матрицы (ППВМ);                              ¦               ¦
¦           ¦программируемые пользователем логические     ¦               ¦
¦           ¦матрицы (ППЛМ);                              ¦               ¦
¦           ¦программируемые пользователем межсоединения  ¦               ¦
¦           ¦(ППМС).                                      ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Особое примечание.                           ¦               ¦
¦           ¦Программируемые пользователем логические     ¦               ¦
¦           ¦устройства также известны как программируемые¦               ¦
¦           ¦пользователем вентильные или программируемые ¦               ¦
¦           ¦пользователем логические матрицы             ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.8 ¦Интегральные схемы для нейронных сетей       ¦8542           ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.9 ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦неизвестны или изготовителю не известно,     ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦распространяется ли статус контроля на       ¦8542 39 900 5; ¦
¦           ¦аппаратуру, в которой будут использоваться   ¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦эти интегральные схемы, с любой из следующих ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) более 1000 выводов;                       ¦               ¦
¦           ¦б) типовое время задержки основного          ¦               ¦
¦           ¦логического элемента менее 0,1 нс; или       ¦               ¦
¦           ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.10 ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели    ¦8542           ¦
¦           ¦указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и  ¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого¦               ¦
¦           ¦полупроводникового соединения и              ¦               ¦
¦           ¦характеризующиеся любым из нижеследующего:   ¦               ¦
¦           ¦а) эквивалентным количеством логических      ¦               ¦
¦           ¦элементов более 3000 (в пересчете на элементы¦               ¦
¦           ¦с двумя входами); или                        ¦               ¦
¦           ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.11 ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье,    ¦8542 31 900 1; ¦
¦           ¦имеющие расчетное время выполнения           ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦комплексного N-точечного сложного быстрого   ¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦преобразования Фурье менее (N log2 N) / 20   ¦               ¦
¦           ¦480 мс, где N - количество точек.            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Техническое примечание.                      ¦               ¦
¦           ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени     ¦               ¦
¦           ¦выполнения 500 мкс.                          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или  ¦               ¦
¦           ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена   ¦               ¦
¦           ¦конкретная функция, оценивается по           ¦               ¦
¦           ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1       ¦               ¦
¦           ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает     ¦               ¦
¦           ¦следующие типы: монолитные интегральные      ¦               ¦
¦           ¦схемы; гибридные интегральные схемы;         ¦               ¦
¦           ¦многокристальные интегральные схемы;         ¦               ¦
¦           ¦пленочные интегральные схемы, включая        ¦               ¦
¦           ¦интегральные схемы типа "кремний на сапфире";¦               ¦
¦           ¦оптические интегральные схемы                ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.2  ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦               ¦
¦           ¦диапазона:                                   ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.1 ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы¦               ¦
¦           ¦и катоды:                                    ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.1¦Лампы бегущей волны импульсного или          ¦8540 79 000 0  ¦
¦           ¦непрерывного действия:                       ¦               ¦
¦           ¦а) работающие на частотах, превышающих 31,8  ¦               ¦
¦           ¦ГГц;                                         ¦               ¦
¦           ¦б) имеющие элемент подогрева катода со       ¦               ¦
¦           ¦временем выхода лампы на предельную          ¦               ¦
¦           ¦радиочастотную мощность менее 3 с;           ¦               ¦
¦           ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их  ¦               ¦
¦           ¦модификации с относительной шириной полосы   ¦               ¦
¦           ¦частот более 7% или пиком мощности,          ¦               ¦
¦           ¦превышающим 2,5 кВт;                         ¦               ¦
¦           ¦г) спиральные лампы или их модификации,      ¦               ¦
¦           ¦имеющие любую из следующих характеристик:    ¦               ¦
¦           ¦мгновенную ширину полосы частот более одной  ¦               ¦
¦           ¦октавы и произведение средней мощности       ¦               ¦
¦           ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту        ¦               ¦
¦           ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную     ¦               ¦
¦           ¦ширину полосы частот в одну октаву или менее ¦               ¦
¦           ¦и произведение средней мощности (выраженной в¦               ¦
¦           ¦кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц)   ¦               ¦
¦           ¦более 1; или                                 ¦               ¦
¦           ¦пригодные для применения в космосе           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.2¦Лампы-усилители магнетронного типа с         ¦8540 71 000 0  ¦
¦           ¦коэффициентом усиления более 17 дБ           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.3¦Импрегнированные катоды, разработанные для   ¦8540 99 000 0  ¦
¦           ¦электронных ламп, эмитирующие в непрерывном  ¦               ¦
¦           ¦режиме и штатных условиях работы ток         ¦               ¦
¦           ¦плотностью, превышающей 5 А/кв.см.           ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются     ¦               ¦
¦           ¦лампы, спроектированные для работы в любом   ¦               ¦
¦           ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦               ¦
¦           ¦следующим характеристикам:                   ¦               ¦
¦           ¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и          ¦               ¦
¦           ¦б) диапазон распределен Международным союзом ¦               ¦
¦           ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦               ¦
¦           ¦не для радиоопределения.                     ¦               ¦
¦           ¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются     ¦               ¦
¦           ¦лампы, которые непригодны для применения в   ¦               ¦
¦           ¦космосе и удовлетворяют всем следующим       ¦               ¦
¦           ¦характеристикам:                             ¦               ¦
¦           ¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; ¦               ¦
¦           ¦и                                            ¦               ¦
¦           ¦б) спроектированные для работы в любом       ¦               ¦
¦           ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦               ¦
¦           ¦следующим характеристикам: частота выше 31,8 ¦               ¦
¦           ¦ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон    ¦               ¦
¦           ¦распределен Международным союзом электросвязи¦               ¦
¦           ¦для обслуживания радиосвязи, но не для       ¦               ¦
¦           ¦радиоопределения                             ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.2 ¦Монолитные микроволновые интегральные схемы  ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из¦8542 33 000;   ¦
¦           ¦следующих характеристик:                     ¦8542 39 900 5; ¦
¦           ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦8543 90 000 1  ¦
¦           ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со     ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт ¦               ¦
¦           ¦(36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 15%;                                   ¦               ¦
¦           ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со      ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦               ¦
¦           ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со   ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,8  ¦               ¦
¦           ¦Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦               ¦
¦           ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;     ¦               ¦
¦           ¦д) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,25 ¦               ¦
¦           ¦Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦               ¦
¦           ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦               ¦
¦           ¦более 10%; или                               ¦               ¦
¦           ¦е) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 43,5 ГГц.                               ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется     ¦               ¦
¦           ¦радиопередающее спутниковое оборудование,    ¦               ¦
¦           ¦разработанное или предназначенное для работы ¦               ¦
¦           ¦в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц.     ¦               ¦
¦           ¦2. Контрольный статус ММИС, номинальные      ¦               ¦
¦           ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦               ¦
¦           ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах  ¦               ¦
¦           ¦"а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется     ¦               ¦
¦           ¦наименьшим контрольным порогом средней       ¦               ¦
¦           ¦выходной мощности.                           ¦               ¦
¦           ¦3. Примечания, приведенные после пункта 3.1  ¦               ¦
¦           ¦категории 3, подразумевают, что по пункту    ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они   ¦               ¦
¦           ¦специально разработаны для иных целей,       ¦               ¦
¦           ¦например для телекоммуникаций,               ¦               ¦
¦           ¦радиолокационных станций, автомобилей        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.3 ¦Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие¦8541 21 000 0; ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик:            ¦8541 29 000 0  ¦
¦           ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие¦               ¦
¦           ¦среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт ¦               ¦
¦           ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦               ¦
¦           ¦мВт);                                        ¦               ¦
¦           ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и       ¦               ¦
¦           ¦имеющие среднюю выходную мощность,           ¦               ¦
¦           ¦превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых      ¦               ¦
¦           ¦относительно уровня 1 мВт);                  ¦               ¦
¦           ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и    ¦               ¦
¦           ¦имеющие среднюю выходную мощность,           ¦               ¦
¦           ¦превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых     ¦               ¦
¦           ¦относительно уровня 1 мВт);                  ¦               ¦
¦           ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и    ¦               ¦
¦           ¦имеющие среднюю выходную мощность,           ¦               ¦
¦           ¦превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых       ¦               ¦
¦           ¦относительно уровня 1 мВт); или              ¦               ¦
¦           ¦д) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 43,5 ГГц.                               ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Контрольный статус транзисторов, номинальные ¦               ¦
¦           ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦               ¦
¦           ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах  ¦               ¦
¦           ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется     ¦               ¦
¦           ¦наименьшим контрольным порогом средней       ¦               ¦
¦           ¦выходной мощности                            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.4 ¦Микроволновые твердотельные усилители и      ¦8543 70 900 9  ¦
¦           ¦микроволновые сборки/модули, содержащие такие¦               ¦
¦           ¦усилители, имеющие любую из следующих        ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со     ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт¦               ¦
¦           ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 15%;                                   ¦               ¦
¦           ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со    ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт¦               ¦
¦           ¦(42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;     ¦               ¦
¦           ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦               ¦
¦           ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦д) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 43,5 ГГц; или                           ¦               ¦
¦           ¦е) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее:        ¦               ¦
¦           ¦среднюю выходную мощность Р (Вт), большую,   ¦               ¦
¦           ¦чем результат от деления величины 150 (Вт x  ¦               ¦
¦           ¦   2                                         ¦               ¦
¦           ¦ГГц ) на максимальную рабочую частоту f      ¦               ¦
¦           ¦                                     2       ¦               ¦
¦           ¦(ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f   или в ¦               ¦
¦           ¦                                      2      ¦               ¦
¦           ¦единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц ) /   ¦               ¦
¦           ¦     2                                       ¦               ¦
¦           ¦(ГГц) ];                                     ¦               ¦


Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |




< Главная страница

Новости законодательства

Новости Спецпроекта "Тюрьма"

Новости сайта
Новости Беларуси

Полезные ресурсы

Счетчики
Rambler's Top100
TopList