|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Министерства иностранных дел Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 04.04.2003 № 4/27 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"Документ утратил силу
< Главная страницаСтр. 12Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | ¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для ¦ ¦ ¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ ¦ ¦--------------------------------- ¦ ¦ ¦ ¦s - греческая буква сигма. ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.4. ¦Установки химического парофазового осаждения ¦ 8419 89 200 0; ¦ ¦ ¦и плазменной стимуляции, управляемые ¦ 8419 89 300 0 ¦ ¦ ¦встроенной программой: ¦ ¦ ¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин и ¦ ¦ ¦ ¦загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями производителя или ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированные для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критической величиной отклонения размера 0,3 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или менее при среднеквадратичной ¦ ¦ ¦ ¦погрешности 3s = +/- 5%; или ¦ ¦ ¦ ¦2) разработанные для обеспечения дефектности ¦ ¦ ¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для ¦ ¦ ¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированные для ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.5, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями производителя или ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированные для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критической величиной отклонения размера 0.3 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или менее при среднеквадратичной ¦ ¦ ¦ ¦погрешности 3s = +/- 5%; или ¦ ¦ ¦ ¦2) разработанные для обеспечения дефектности ¦ ¦ ¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв.см для ¦ ¦ ¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ ¦ ¦--------------------------------- ¦ ¦ ¦ ¦s - греческая буква сигма. ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.5. ¦Управляемые встроенной программой ¦ 8456 10; ¦ ¦ ¦автоматически загружаемые многокамерные ¦ 8456 91 000 0; ¦ ¦ ¦системы с центральной загрузкой пластин, ¦ 8456 99 800 0; ¦ ¦ ¦имеющие все следующие составляющие: ¦ 8456 99 300 0; ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки ¦ 8479 50 000 0 ¦ ¦ ¦пластин, к которым присоединяется более двух ¦ ¦ ¦ ¦единиц оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦ ¦ ¦системы последовательной многопозиционной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин в вакуумной среде ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦автоматические робототехнические системы ¦ ¦ ¦ ¦загрузки пластин, не предназначенные для ¦ ¦ ¦ ¦работы в вакууме ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.6. ¦Установки литографии, управляемые встроенной ¦ ¦ ¦ ¦программой, такие, как: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.6.1. ¦Установки многократного совмещения и ¦ 9009 22 000 0 ¦ ¦ ¦экспонирования (прямого последовательного ¦ ¦ ¦ ¦шагового экспонирования) или шагового ¦ ¦ ¦ ¦сканирования (сканеры) для обработки пластин ¦ ¦ ¦ ¦методом фотооптической или рентгеновской ¦ ¦ ¦ ¦литографии, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны короче ¦ ¦ ¦ ¦350 нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) способность воспроизводить рисунок с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным размером разрешения от 0,5 мкм и ¦ ¦ ¦ ¦менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания. ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный размер разрешения (МРР) ¦ ¦ ¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ (экспозиция источника освещения ¦ ¦ ¦ ¦ с длиной волны в мкм) х (К фактор) ¦ ¦ ¦ ¦МРР = ------------------------------------ ¦ ¦ ¦ ¦ цифровая апертура ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦где К фактор = 0,7; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.6.2. ¦Установки, специально спроектированные для ¦ 8456 10; ¦ ¦ ¦производства шаблонов или обработки ¦ 8456 99 ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦ ¦ ¦ ¦отклоняемого фокусируемого электронного луча, ¦ ¦ ¦ ¦пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦ ¦ ¦б) способность производить рисунок с ¦ ¦ ¦ ¦минимальными разрешенными проектными нормами ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мкм; или ¦ ¦ ¦ ¦в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 ¦ ¦ ¦ ¦сигма) ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.7. ¦Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем ¦ 9010 90 ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.2. ¦Аппаратура испытаний, управляемая встроенной ¦ ¦ ¦ ¦программой, специально спроектированная для ¦ ¦ ¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов, и специально спроектированные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и приспособления для нее: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦ 9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦приборов на частотах свыше 31 ГГц; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.2.2. ¦Для испытаний интегральных схем, способная ¦ 9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦выполнять функциональное тестирование (по ¦ ¦ ¦ ¦таблицам истинности) с частотой тестирования ¦ ¦ ¦ ¦строк более 333 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.2.2 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура испытаний, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированная для испытаний: ¦ ¦ ¦ ¦а) электронных сборок или класса электронных ¦ ¦ ¦ ¦сборок для бытовой или игровой электронной ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры; ¦ ¦ ¦ ¦б) неконтролируемых электронных компонентов, ¦ ¦ ¦ ¦электронных сборок или интегральных схем; ¦ ¦ ¦ ¦в) запоминающих устройств; ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей этого пункта, оценочной ¦ ¦ ¦ ¦характеристикой является максимальная частота ¦ ¦ ¦ ¦цифрового режима работы тестера. Поэтому она ¦ ¦ ¦ ¦является эквивалентом наивысшему значению ¦ ¦ ¦ ¦оценки, которое может обеспечить тестер во ¦ ¦ ¦ ¦внемультиплексном режиме. Она также ¦ ¦ ¦ ¦относится к скорости испытания, максимальной ¦ ¦ ¦ ¦цифровой частоте или к максимальной цифровой ¦ ¦ ¦ ¦скорости ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.2.3. ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦ 9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2; ¦ 9031 80 390 0 ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.2.2.4. ¦Исключен ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3. ¦Материалы ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из ¦ ¦ ¦ ¦подложки с несколькими последовательно ¦ ¦ ¦ ¦наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих составляющих: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.1.1. ¦Кремний; ¦ 3818 00 100 0; ¦ ¦ ¦ ¦ 3818 00 900 0 ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.1.2. ¦Германий; ¦ 3818 00 900 0 ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.1.3. ¦Карбид кремния; или ¦ 3818 00 900 0 ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.1.4. ¦Соединения III/V на основе галлия или индия ¦ 3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Соединения III/V - это поликристаллические ¦ ¦ ¦ ¦или двухэлементные или сложные ¦ ¦ ¦ ¦монокристаллические продукты, состоящие из ¦ ¦ ¦ ¦элементов групп IIIA и VA периодической ¦ ¦ ¦ ¦системы Менделеева (по отечественной ¦ ¦ ¦ ¦классификации это группы А3 и B5) (арсенид ¦ ¦ ¦ ¦галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и ¦ ¦ ¦ ¦т.п.) ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.2. ¦Материалы резистов и подложки, покрытые ¦ ¦ ¦ ¦контролируемыми резистами, такие, как: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, предназначенные для ¦ 3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦ ¦ ¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦ ¦ ¦использования на спектральную ¦ ¦ ¦ ¦чувствительность менее 350 нм; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.2.2. ¦Все резисты, предназначенные для ¦ 3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании электронными ¦ ¦ ¦ ¦или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 ¦ ¦ ¦ ¦мкКл/кв.мм или лучше; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.2.3. ¦Все резисты, предназначенные для ¦ 3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с чувствительностью ¦ ¦ ¦ ¦2,5 мДж/кв.мм или лучше; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦ 3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦формирования рисунка, включая силицированные ¦ ¦ ¦ ¦резисты ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Методы силицирования - это процессы, ¦ ¦ ¦ ¦включающие оксидирование поверхности резиста, ¦ ¦ ¦ ¦для повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦ ¦ ¦проявления ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.3. ¦Органо-неорганические компаунды, такие, как: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.3.1. ¦Органо-металлические соединения на основе ¦ 2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦алюминия, галлия или индия с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦металлической основы свыше 99,999%; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.3.2. ¦Органо-мышьяковистые, органо-сурьмянистые и ¦ 2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦органо-фосфорные соединения с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦органической элементной основы свыше 99,999% ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются только ¦ ¦ ¦ ¦соединения, чей металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический элемент ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно связан с углеродом в ¦ ¦ ¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦ 2848 00 000 0; ¦ ¦ ¦чистоту свыше 99,999% даже после растворения ¦ из ¦ ¦ ¦в инертных газах или водороде ¦ 2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие 20% и более молей инертных газов ¦ ¦ ¦ ¦или водорода ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально созданное ¦ ¦ ¦ ¦для разработки или производства оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 ¦ ¦ ¦ ¦или по пункту 3.2 ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.4.2. ¦Программное обеспечение, специально созданное ¦ ¦ ¦ ¦для применения в оборудовании, управляемом ¦ ¦ ¦ ¦встроенной программой и контролируемом по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 3.2 ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.4.3. ¦Программное обеспечение систем ¦ ¦ ¦ ¦автоматизированного проектирования (САПР), ¦ ¦ ¦ ¦имеющее все следующие составляющие: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.4.3.1. ¦Спроектировано для разработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем; и; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.4.3.2. ¦Спроектировано для выполнения или ¦ ¦ ¦ ¦использования любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих: ¦ ¦ ¦ ¦а) правил проектирования или правил проверки ¦ ¦ ¦ ¦схем; ¦ ¦ ¦ ¦б) моделирования схем по их физической ¦ ¦ ¦ ¦топологии; или ¦ ¦ ¦ ¦в) имитаторов литографических процессов для ¦ ¦ ¦ ¦проектирования ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Имитатор литографических процессов - это ¦ ¦ ¦ ¦пакет программного обеспечения, используемый ¦ ¦ ¦ ¦на этапе проектирования для определения ¦ ¦ ¦ ¦последовательности операций литографии, ¦ ¦ ¦ ¦травления и осаждения в целях воплощения ¦ ¦ ¦ ¦маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦ ¦ ¦топологические рисунки проводников, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриков или полупроводникового материала ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.4.3 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, специально созданное ¦ ¦ ¦ ¦для описания принципиальных схем, логического ¦ ¦ ¦ ¦моделирования, раскладки и маршрутизации ¦ ¦ ¦ ¦(трассировки), проверки топологии или ¦ ¦ ¦ ¦размножения шаблонов; ¦ ¦ ¦ ¦2. Библиотеки, проектные атрибуты или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующие данные для проектирования ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем рассматриваются как технология ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.5. ¦Технология ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием предназначенные ¦ ¦ ¦ ¦для разработки или производства оборудования ¦ ¦ ¦ ¦или материалов, контролируемых по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.5.1 и пункту 3.5.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются технологии разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) микроволновых транзисторов, работающих на ¦ ¦ ¦ ¦частотах ниже 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) интегральных схем, контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленных признака: ¦ ¦ ¦ ¦1) использующие проектные нормы 0,7 мкм или ¦ ¦ ¦ ¦выше; и ¦ ¦ ¦ ¦2) не содержащие многослойных структур ¦ ¦ ¦ ¦Техническое Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 ¦ ¦ ¦ ¦пункта "б" примечания не включает приборы, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие максимум два металлических слоя и ¦ ¦ ¦ ¦два слоя поликремния ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.5.2. ¦Технологии, соответствующие общему ¦ ¦ ¦ ¦технологическому примечанию, другие, чем те, ¦ ¦ ¦ ¦которые контролируются по пункту 3.5.1, для ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства микропроцессорных ¦ ¦ ¦ ¦микросхем, микрокомпьютерных микросхем и ¦ ¦ ¦ ¦микросхем микроконтроллеров, имеющих ¦ ¦ ¦ ¦совокупную теоретическую производительность ¦ ¦ ¦ ¦(СТП) 530 Мтопс или более и арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство с длиной выборки 32 ¦ ¦ ¦ ¦бита или более ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦3.5.3. ¦Прочие технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких, как транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью электронов, биполярных ¦ ¦ ¦ ¦транзисторов на гетероструктуре, приборов с ¦ ¦ ¦ ¦квантовыми ямами или приборов на ¦ ¦ ¦ ¦сверхрешетках; ¦ ¦ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек пленок алмаза для электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния на ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрике (КНД - структур) для интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем с диэлектриком из двуокиси кремния; ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦ Категория 4. Вычислительная техника ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование или ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, задействованные в ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникациях или локальных ¦ ¦ ¦ ¦вычислительных сетях, должны быть также ¦ ¦ ¦ ¦проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 1 ¦ ¦ ¦ ¦Категории 5 (Телекоммуникации) ¦ ¦ ¦ ¦2. устройства управления, которые ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно связывают шины или каналы ¦ ¦ ¦ ¦центральных процессоров, оперативную память ¦ ¦ ¦ ¦или контроллеры накопителей на магнитных ¦ ¦ ¦ ¦дисках, не входят в понятие ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационной аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦рассматриваемой в части 1 Категории 5 ¦ ¦ ¦ ¦(Телекоммуникации); ¦ ¦ ¦ ¦Особое Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, которое специально ¦ ¦ ¦ ¦создано для коммутации пакетов, следует ¦ ¦ ¦ ¦использовать пункт 5.4.1 ¦ ¦ ¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование или ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, выполняющие функции ¦ ¦ ¦ ¦криптографии, криптоанализа, сертифицируемой ¦ ¦ ¦ ¦многоуровневой защиты информации или ¦ ¦ ¦ ¦сертифицируемые функции изоляции ¦ ¦ ¦ ¦пользователей либо ограничивающие ¦ ¦ ¦ ¦электромагнитную совместимость (ЭМС), должны ¦ ¦ ¦ ¦быть также проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 2 ¦ ¦ ¦ ¦Категории 5 (Защита информации) ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.1. ¦Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, а также электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.1.1. ¦Специально созданные для достижения любой из ¦ 8471 ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) по техническим условиям пригодные для ¦ ¦ ¦ ¦работы при температуре внешней среды ниже 228 ¦ ¦ ¦ ¦К (-45 град. C) или выше 358 К (85 град. C) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются ЭВМ, специально созданные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей или железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов; ¦ ¦ ¦ ¦б) радиационно стойкие, превышающие любое из ¦ ¦ ¦ ¦следующих требований: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦1) поглощенная доза 5 х 10 Гр (кремний) ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад (кремний)]; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦2) мощность дозы на сбой 5 х 10 Гр/с (кремний) ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦[5 х 10 рад (кремний) ]/c; или ¦ ¦ ¦ ¦ -7 ¦ ¦ ¦ ¦3) сбой от высокоэнергетической частицы 10 ¦ ¦ ¦ ¦ошибок/бит/день; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.1.2. ¦Имеющие характеристики или функциональные ¦ 8471 ¦ ¦ ¦особенности, превосходящие пределы, указанные ¦ ¦ ¦ ¦в части 2 Категории 5 (Защита информации) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.1.1.2 не контролируются цифровые ¦ ¦ ¦ ¦персональные ЭВМ и относящееся к ним ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, когда они вывозятся ¦ ¦ ¦ ¦пользователями для своего индивидуального ¦ ¦ ¦ ¦использования ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.2. ¦Гибридные ЭВМ, электронные сборки и ¦ 8471 10 ¦ ¦ ¦специально разработанные для них компоненты: ¦ ¦ ¦ ¦а) имеющие в своем составе цифровые ЭВМ, ¦ ¦ ¦ ¦которые контролируются по пункту 4.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие в своем составе аналого-цифровые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, обладающие всеми следующими ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками: ¦ ¦ ¦ ¦1) 32 каналами или более; и ¦ ¦ ¦ ¦2) разрешающей способностью 14 бит (плюс ¦ ¦ ¦ ¦знаковый разряд) или выше со скоростью 200000 ¦ ¦ ¦ ¦преобразований/с или выше ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3. ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них компоненты, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.3 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) векторные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦б) матричные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦в) цифровые центральные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦г) логические процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦д) оборудование для улучшения качества ¦ ¦ ¦ ¦изображения; ¦ ¦ ¦ ¦е) оборудование для обработки сигналов ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования, описанных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 4.1.3, определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом другого оборудования или других ¦ ¦ ¦ ¦систем в том случае, если: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование необходимы для работы другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или других систем; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование не являются основным элементом ¦ ¦ ¦ ¦другого оборудования или других систем; и ¦ ¦ ¦ ¦в) технология для цифровых ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования подпадает под ¦ ¦ ¦ ¦действие пункта 4.5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов или улучшения качества изображения, ¦ ¦ ¦ ¦специально спроектированного для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования с функциями, ограниченными ¦ ¦ ¦ ¦функциональным назначением другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом другого оборудования, даже если ¦ ¦ ¦ ¦первое соответствует критерию основного элемента¦ ¦ ¦ ¦2. Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования ¦ ¦ ¦ ¦для телекоммуникационной аппаратуры см. часть ¦ ¦ ¦ ¦1 Категории 5 (Телекоммуникации) ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.1. ¦Спроектированные или модифицированные для ¦ 8471 ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости ¦ (кроме ¦ ¦ ¦ ¦ 8471 10 ) ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Применительно к пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование не считаются ¦ ¦ ¦ ¦спроектированными или модифицированными для ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости, если в них ¦ ¦ ¦ ¦используется любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или исправления ¦ ¦ ¦ ¦ошибок, хранимые в оперативной памяти; ¦ ¦ ¦ ¦б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая, что ¦ ¦ ¦ ¦если активный центральный процессор ¦ ¦ ¦ ¦отказывает, ждущий, но отслеживающий ¦ ¦ ¦ ¦центральный процессор может продолжить ¦ ¦ ¦ ¦функционирование системы; ¦ ¦ ¦ ¦в) взаимосвязь двух центральных процессоров ¦ ¦ ¦ ¦посредством каналов передачи данных или с ¦ ¦ ¦ ¦применением общей памяти, чтобы обеспечить ¦ ¦ ¦ ¦одному центральному процессору возможность ¦ ¦ ¦ ¦выполнять другую работу, пока не откажет ¦ ¦ ¦ ¦второй центральный процессор, тогда первый ¦ ¦ ¦ ¦центральный процессор принимает его работу на ¦ ¦ ¦ ¦себя, чтобы продолжить функционирование ¦ ¦ ¦ ¦системы; или ¦ ¦ ¦ ¦г) синхронизация двух центральных ¦ ¦ ¦ ¦процессоров, объединенных посредством ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения так, что один ¦ ¦ ¦ ¦центральный процессор распознает, когда ¦ ¦ ¦ ¦отказывает другой центральный процессор, и ¦ ¦ ¦ ¦восстанавливает задачи отказавшего устройства; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.2. ¦Цифровые ЭВМ, имеющие совокупною ¦ 8471 ¦ ¦ ¦теоретическую производительность (СТП) свыше ¦ (кроме ¦ ¦ ¦28000 Мтопс; ¦ 8471 10) ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.3. ¦Электронные сборки, специально ¦ 8471 ¦ ¦ ¦спроектированные или модифицированные для ¦ (кроме ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ 8471 10) ¦ ¦ ¦объединения вычислительных элементов таким ¦ ¦ ¦ ¦образом, чтобы совокупная теоретическая ¦ ¦ ¦ ¦производительность объединенных сборок ¦ ¦ ¦ ¦превышала пределы, указанные в пункте 4.1.3.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.3.3 распространяется только на ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и программируемые ¦ ¦ ¦ ¦взаимосвязи, не превышающие пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 4.1.3.2, при поставке в ¦ ¦ ¦ ¦виде необъединенных электронных сборок. Он не ¦ ¦ ¦ ¦применим к электронным сборкам, конструкция ¦ ¦ ¦ ¦которых пригодна только для использования в ¦ ¦ ¦ ¦качестве сопутствующего оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пунктам 4.1.3.4 или ¦ ¦ ¦ ¦4.1.3.5. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные для продукции или целого ¦ ¦ ¦ ¦семейства продукции, максимальная ¦ ¦ ¦ ¦конфигурация которых не превышает пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 4.1.3.2; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.4. ¦Графические акселераторы или графические ¦ 8473 30 100 ¦ ¦ ¦сопроцессоры, превышающие скорость исчисления ¦ ¦ ¦ ¦трехмерных векторов, равную 200000000; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.5. ¦Оборудование, выполняющее аналого-цифровые ¦ 8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦преобразования, превосходящее пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 3.1.1.1.5; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.6. ¦Исключен ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.3.7. ¦Аппаратура, специально разработанная для ¦ 8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦обеспечения внешней взаимосвязи цифровых ЭВМ ¦ ¦ ¦ ¦или сопутствующего оборудования, которые в ¦ ¦ ¦ ¦коммуникациях имеют скорость передачи данных ¦ ¦ ¦ ¦свыше 1,25 Гбайт/с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.1.3.7 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦оборудование внутренней взаимосвязи ¦ ¦ ¦ ¦(например, объединительные платы, шины), ¦ ¦ ¦ ¦оборудование пассивной взаимосвязи, ¦ ¦ ¦ ¦контроллеры доступа к сети или контроллеры ¦ ¦ ¦ ¦каналов связи ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.4. ¦Нижеперечисленные ЭВМ, специально ¦ 8471 ¦ ¦ ¦спроектированное сопутствующее оборудование, ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и компоненты для них: ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.4.1. ¦ЭВМ с систолической матрицей; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.4.2. ¦Нейронные ЭВМ; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.1.4.3. ¦Оптические ЭВМ ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.2. ¦Испытательное, контрольное и производственное ¦ ¦ ¦ ¦оборудование - нет ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус программного обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦для разработки, производства или ¦ ¦ ¦ ¦использования оборудования, указанного в ¦ ¦ ¦ ¦других категориях, определяется по описанию ¦ ¦ ¦ ¦соответствующей категории. В данной категории ¦ ¦ ¦ ¦дается контрольный статус программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения для оборудования этой категории ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦разработки, производства или использования ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦поддержки технологии, контролируемой по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 4.5 ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.3. ¦Специальное программное обеспечение, такое, как:¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.3.1. ¦Программное обеспечение операционных систем, ¦ ¦ ¦ ¦инструментарий разработки программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения и компиляторы, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для оборудования многопоточной ¦ ¦ ¦ ¦обработки данных в исходных кодах; ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.3.2. ¦Исключен ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.3.3. ¦Программное обеспечение, имеющее ¦ ¦ ¦ ¦характеристики или выполняющее функции, ¦ ¦ ¦ ¦которые превосходят пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦части 2 Категории 5 (Защита информации); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.4.3.3 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, когда оно вывозится ¦ ¦ ¦ ¦пользователями для своего индивидуального ¦ ¦ ¦ ¦использования ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.4.3.4. ¦Операционные системы, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для оборудования обработки в ¦ ¦ ¦ ¦реальном масштабе времени, гарантирующие ¦ ¦ ¦ ¦время обработки полного прерывания менее 20 мкс ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.5. ¦Технология ¦ ¦ +---------------+------------------------------------------------+----------------+ ¦4.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием предназначенные ¦ ¦ ¦ ¦для разработки, производства или ¦ ¦ ¦ ¦использования оборудования или программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 ¦ ¦ ¦ ¦или 4.4 ¦ ¦ ¦---------------+------------------------------------------------+----------------- ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРИМЕЧАНИЕ (ПО ВЫЧИСЛЕНИЮ СОВОКУПНОЙ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ)Используемые сокращения: ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство); ПЗ - плавающая запятая; ФЗ - фиксированная запятая; t - время решения; XOR - исключающее ИЛИ; ЦП - центральный процессор; TП - теоретическая производительность (одного вычислительного элемента); CTП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов); R - эффективная скорость вычислений; ДС - длина слова (число битов); L -корректировка длины слова (бита); АЛУ - арифметическое и логическое устройство; х - знак умножения. Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается в битах Основной метод вычисления СТПСТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа: 1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого вычислительного элемента (ВЭ); 2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ); 3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента. Подробное описание этих процедур приведено ниже Примечания: 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти 2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента: Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R) ----------------------------+-------------------------------------
¦ Для вычислительных ¦ Эффективная скорость вычислений ¦
¦ элементов, реализующих: ¦ ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦только ФЗ ¦1 / [3х (время сложения ФЗ) ¦
¦ ¦ ¦
¦ ¦если операции сложения нет, то через ¦
¦ ¦умножение: ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦(RФЗ) ¦1 / (время умножения ФЗ) ¦
¦ ¦если нет ни операции сложения, ни ¦
¦ ¦операции умножения, то RФЗ рассчитывается¦
¦ ¦через самую быструю из имеющихся ¦
¦ ¦арифметических операций: ¦
¦ ¦1/3х (время операции ФЗ) ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦ ¦см. примечания Х и Z ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦только ПЗ ¦МАХ {1 / (время сложения ПЗ), ¦
¦(RПЗ) ¦ 1 / (время умножения ПЗ)} ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦ ¦см. Примечания X и Y ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦и ФЗ, и ПЗ (R) ¦вычисляется как RФЗ, так и RПЗ ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦Для простых логических ¦1/[3х (время логической операции) ¦
¦процессоров, не ¦ ¦
¦выполняющих указанные ¦здесь время логической операции - это ¦
¦арифметические операции ¦время выполнения операции "исключающее ¦
¦ ¦ИЛИ", а если ее нет, то берется самая ¦
¦ ¦быстрая простая логическая операция ¦
¦ ¦см. Примечания Х и Z ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦Для специализированных ¦R = R' х ДС/64, ¦
¦логических процессоров, не ¦где R' - число результатов в секунду ¦
¦выполняющих указанные ¦ДС - число битов, над которым ¦
¦арифметические и ¦ выполняется логическая операция ¦
¦логические операции ¦64 - коэффициент, нормализующий ¦
¦ ¦ под 64-разрядную операцию ¦
+---------------------------+-----------------------------------------+
¦Примечание. ¦
¦Каждый ВЭ должен оцениваться независимо ¦
¦----------------------------------------------------------------------
Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования. Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл), время решения t вычисляется как: время цикла
t = -------------------------------------
число арифметических операций в цикле
Вычислительный элемент, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение самого короткого времени исполнения. Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то RПЗ = 1 / (время деления ПЗ) Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда RПЗ = 1 / (время обратной величины ПЗ) Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если ни одна из указанных команд не используется, то RПЗ = 0 Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего: 1. Последовательные, или операции регистр-регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр-регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2; 2. Самая быстрая операция регистр-память или память-регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3; 3. Память-память. В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с учетом корректировки длины слова L: ТП = R х L,
где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС). Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В этом случае ТП = R. Выбор максимального результирующего значения ТП для: Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (RФЗ); Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (RПЗ); Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R); Каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и Каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
ТП = max (ТПФЗ, ТППЗ)
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом: Примечания: 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое значение Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией. При определении результата должны приниматься в расчет все технические средства и(или) схема ограничения целостности перекрывающихся операций 2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может содержать множество ВЭ. 3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных или одновременных операций или действий. 4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети, объединенные устройствами ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами. 5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем использования специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.3. СТП = ТП1 + С2 х ТП2 + ... + Cn х ТПn, где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1, имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом: Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих общую память: С2 = С3 = С4 = ...= Cn = 0,75 Примечания: 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m -количество ВЭ или групп ВЭ общего доступа при условии: а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс; б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая кэш-память) осуществляется по общему каналу; и в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время. Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по Категории 3. 2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш-память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с произвольным доступом сюда не входит. Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти, взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных: Ci = 0,75 х ki (i = 2,...,32) (см. примечание ниже)
= 0,60 х ki (i = 33,...,64)
= 0,45 х ki (i = 65,...,256)
= 0,30 х ki (i > 256)
Величина Ci основывается на номере ВЭ, но не на номере узла, где ki = min (Si/Kr , 1); и Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с; Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек) для всех информационных каналов, связывающих i-ый ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп - 0,60. Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть: ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому маленькому, т.е. Ci >= Ci + 1 Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75. ------------------+---------------------------------------------------+------------ ¦ N позиции ¦ Наименование ¦Код товарной ¦ ¦ ¦ ¦номенклатуры ¦ ¦ ¦ ¦внешне- ¦ ¦ ¦ ¦экономической ¦ ¦ ¦ ¦деятельности ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦ Категория 5 ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦ ¦ Часть 1. Телекоммуникации ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. В части 1 Категории 5 определяется ¦ ¦ ¦ ¦контрольный статус компонентов, лазерного, ¦ ¦ ¦ ¦испытательного и производственного ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, материалов и программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения, специально разработанных для ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационного оборудования или систем ¦ ¦ ¦ ¦2. В тех случаях, когда для функционирования ¦ ¦ ¦ ¦или поддержки телекоммуникационного ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, указанного в этой категории, и ¦ ¦ ¦ ¦его обеспечения важное значение имеют ¦ ¦ ¦ ¦цифровые ЭВМ, связанное с ними оборудование ¦ ¦ ¦ ¦или программное обеспечение, которые ¦ ¦ ¦ ¦рассматриваются в качестве специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированных компонентов при условии, что ¦ ¦ ¦ ¦они являются стандартными моделями, обычно ¦ ¦ ¦ ¦поставляемыми производителем. Имеются в виду ¦ ¦ ¦ ¦функционирование, администрирование, ¦ ¦ ¦ ¦эксплуатация, проектирование или правовые ¦ ¦ ¦ ¦вопросы компьютерных систем ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.1. ¦Телекоммуникационное оборудование, имеющее ¦ ¦ ¦ ¦любые из следующих характеристик, свойств или ¦ ¦ ¦ ¦качеств: ¦ ¦ ¦ ¦а) специально разработанное для защиты от ¦ 8517; ¦ ¦ ¦транзисторных электронных эффектов или ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦электромагнитных импульсных эффектов, ¦ 8525 20 990; ¦ ¦ ¦возникающих при ядерном взрыве; ¦ 8527 90 980 0; ¦ ¦ ¦ ¦ 8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦б) специально повышенной стойкости к гамма-, ¦ 8517; ¦ ¦ ¦нейтронному или ионному излучению; или ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦ ¦ 8525 20 990; ¦ ¦ ¦ ¦ 8527 90 980 0; ¦ ¦ ¦ ¦ 8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦в) специально разработанное для ¦ 8517; ¦ ¦ ¦функционирования за пределами интервала ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦температур от 218 К (-55 град. C) до 397 К ¦ 8525 20 990; ¦ ¦ ¦(124 град. C) ¦ 8527 90 980 0; ¦ ¦ ¦ ¦ 8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. В пункте 5.1.1.1 подпункт "в" ¦ ¦ ¦ ¦применяется только к электронной аппаратуре ¦ ¦ ¦ ¦2. По подпунктам "б" и "в" пункта 5.1.1.1 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется оборудование, предназначенное ¦ ¦ ¦ ¦или модифицированное для использования на ¦ ¦ ¦ ¦борту спутников; ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.2. ¦Телекоммуникационные передающие системы и ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и принадлежности, имеющие любые из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик, свойств или качеств: ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.2.1. ¦Наличие систем подводной связи, имеющих любую ¦ 9015 80 910 0 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) акустическую несущую частоту за пределами ¦ ¦ ¦ ¦интервала от 20 до 60 кГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) использующие электромагнитную несущую ¦ ¦ ¦ ¦частоту менее 30 кГц; или ¦ ¦ ¦ ¦в) использующие методы электронного ¦ ¦ ¦ ¦сканирования луча ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.2.2. ¦Наличие радиоаппаратуры, функционирующей в ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и имеющей любую ¦ 8525 20 990 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) включающая адаптивные методы, ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивающие более 15 дБ подавления ¦ ¦ ¦ ¦помехового сигнала; или ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющая все следующие составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦1) автоматически прогнозируемые и выбираемые ¦ ¦ ¦ ¦значения частоты и общей скорости цифровой ¦ ¦ ¦ ¦передачи для ее оптимизации; и ¦ ¦ ¦ ¦2) встроенный линейный усилитель мощности, ¦ ¦ ¦ ¦способный одновременно поддерживать ¦ ¦ ¦ ¦множественные сигналы с выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦1 кВт или более в диапазоне частот 1,5 - 30 МГц ¦ ¦ ¦ ¦или 250 Вт или более в диапазоне частот 30 - ¦ ¦ ¦ ¦87,5 МГц, свыше предельной полосы пропускания ¦ ¦ ¦ ¦в одну октаву или более и с соотношением ¦ ¦ ¦ ¦гармоник и искажений на выходе лучше - 80 дБ; ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.2.3. ¦Наличие радиоаппаратуры, использующей методы ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦расширения спектра, включая методы ¦ 8525 20 990 ¦ ¦ ¦скачкообразной перестройки частоты, имеющей ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) коды расширения, программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем; или ¦ ¦ ¦ ¦б) общую ширину полосы передачи частот, в 100 ¦ ¦ ¦ ¦или более раз превышающую полосу частот ¦ ¦ ¦ ¦любого одного информационного канала и ¦ ¦ ¦ ¦составляющую более 50 кГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется оборудование, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для использования в ¦ ¦ ¦ ¦коммерческих гражданских сотовых ¦ ¦ ¦ ¦радиокоммуникационных системах ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, спроектированные для работы с ¦ ¦ ¦ ¦выходной мощностью 1,0 Вт или менее; ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.2.4. ¦Наличие радиоприемников с цифровым ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦управлением, имеющих все следующие характеристики: ¦ 8525 20 990 ¦ ¦ ¦а) более 1000 каналов; ¦ ¦ ¦ ¦б) время переключения частоты менее 1 мс; ¦ ¦ ¦ ¦в) автоматический поиск или сканирование в ¦ ¦ ¦ ¦части электромагнитного спектра; и ¦ ¦ ¦ ¦г) возможность идентификации принятого ¦ ¦ ¦ ¦сигнала или типа передатчика ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 5.1.1.2.4 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦использования в коммерческих гражданских ¦ ¦ ¦ ¦сотовых радиокоммуникационных системах; ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.2.5. ¦Использующие функции цифровой обработки ¦ 8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦сигнала для обеспечения кодирования речи со ¦ 8525 20 990 ¦ ¦ ¦скоростью менее 2400 бит/с ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.3. ¦Волоконно-оптические кабели связи, оптические ¦ 8544 70 000 0; ¦ ¦ ¦волокна и принадлежности, такие, как: ¦ 9001 10 900; ¦ ¦ ¦а) оптические волокна и кабели длиной более ¦ 9001 10 900 1 ¦ ¦ ¦500 м, способные выдерживать напряжение на ¦ ¦ ¦ ¦ 9 ¦ ¦ ¦ ¦растяжение 2 х 10 Н/кв.м или более в ¦ ¦ ¦ ¦контрольном тесте ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный тест - проверка на стадиях ¦ ¦ ¦ ¦изготовления или после изготовления, которая ¦ ¦ ¦ ¦заключается в приложении заданного напряжения ¦ ¦ ¦ ¦к волокну длиной от более 0,5 до 3 м на ¦ ¦ ¦ ¦скорости хода от 2 до 5 м/с при прохождении ¦ ¦ ¦ ¦между ведущими валами приблизительно 150 мм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре. Окружающая среда имеет номинальные ¦ ¦ ¦ ¦значения температуры 293 К и относительной ¦ ¦ ¦ ¦влажности 40%. Для выполнения проверочного ¦ ¦ ¦ ¦теста могут использоваться соответствующие ¦ ¦ ¦ ¦национальные стандарты; ¦ ¦ ¦ ¦б) волоконно-оптические кабели и ¦ ¦ ¦ ¦принадлежности, разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦использования под водой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "б" пункта 5.1.1.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются стандартные ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационные кабели и принадлежности ¦ ¦ ¦ ¦для гражданского использования ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для подводных кабельных разъемов и ¦ ¦ ¦ ¦соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦2. Для волоконно-оптических корпусных ¦ ¦ ¦ ¦разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3 ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.1.1.4. ¦Антенные фазированные решетки с ¦ 8529 10 900 0 ¦ ¦ ¦электронным сканированием луча, ¦ ¦ ¦ ¦функционирующие на частотах свыше ¦ ¦ ¦ ¦31 ГГц ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.2.1. ¦Испытательное, контрольное и производственное ¦ ¦ ¦ ¦оборудование ¦ ¦ +-----------------+---------------------------------------------------+----------------+ ¦5.2.1.1. ¦Оборудование и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты или принадлежности для него, ¦ ¦ ¦ ¦специально предназначенные для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или использования оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦функций или свойств, контролируемых по части ¦ ¦ ¦ ¦1 Категории 5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 5.2.1.1 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦оптические волокна и волоконно-оптические ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
