|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 № 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. № 15/137"< Главная страница Стр. 6Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия. 6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 K (20 град. C). 7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта. 8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал. 9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний. 10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2. 11 Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны. 12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются. 13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 K (20 град. C). 14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла,
имеющие измеренный при температуре 293 K (20 град. C) коэффициент линейного
-7 -1
расширения 10 K или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл. 16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель. 17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы. 18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением. 19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами. Технические примечания к таблице: Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом: 1 Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждаются на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера. Особые примечания: а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс; б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь; в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении. 2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку. Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии. Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем: а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие; б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия; в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч; г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку. Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку; д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса. 3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из: а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия. Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия. 4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости. Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного; б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 K (20 град. C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с. 5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия. 6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку. Особые примечания: а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы; б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ). 7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением. Некоторые пояснения к таблице. Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости: 1 Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1 Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне: 1.1.1 Состав раствора: 1.1.1.1 Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений; 1.1.1.2. Для приготовления новых подложек; 1.1.2. Время обработки; 1.1.3. Температура ванны; 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов; 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки; 1.3. Параметры цикла термообработки: 1.3.1 Атмосферные параметры: 1.3.1.1 Состав атмосферы; 1.3.1.2. Давление; 1.3.2. Температура термообработки; 1.3.3. Время термообработки; 1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки: 1.4.1 Параметры пескоструйной обработки: 1.4.1.1 Состав крошки, дроби; 1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби; 1.4.1.3. Скорость крошки; 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки; 1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности; 1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии; 1.5. Параметры маски: 1.5.1 Материал маски; 1.5.2. Расположение маски. 2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице: 2.1 Параметры атмосферы: 2.1.1 Состав; 2.1.2. Давление; 2.2. Время; 2.3. Температура; 2.4. Толщина; 2.5. Коэффициент преломления; 2.6. Контроль состава покрытия. 3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями: 3.1 Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1 Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость дроби; 3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки; 3.3. Параметры цикла термообработки: 3.3.1 Параметры атмосферы: 3.3.1.1 Состав; 3.3.1.2. Давление; 3.3.2. Температура и время цикла; 3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки. 4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице: 4.1 Критерии для статистической выборки; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1 Увеличения; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности; 4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны): 4.3.1 Коэффициент отражения; 4.3.2. Коэффициент пропускания; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние. 5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице: 5.1 Для химического осаждения из паровой фазы (CVD): 5.1.1 Состав и химическая формула источника покрытия; 5.1.2. Состав газа-носителя; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температура - время - давление циклов; 5.1.5. Управление потоком газа и подложкой; 5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом: 5.2.1 Состав заготовки или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав газа-реагента; 5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала; 5.2.5. Температура - время - давление циклов; 5.2.6. Управление пучком и подложкой; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1 Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения: 5.3.1 Состав засыпки и химическая формула; 5.3.2. Состав газа-носителя; 5.3.3. Температура - время - давление циклов; 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1 Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав); 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.4.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой; 5.5. Для осаждения распылением: 5.5.1 Состав мишени и ее изготовление; 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени; 5.5.3. Состав газа-реагента; 5.5.4. Напряжение смещения; 5.5.5. Температура - время - давление циклов; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Управление деталью (подложкой); 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1 Управление пучком и подложкой; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температура - время - давление циклов; 5.7. Для ионного осаждения: 5.7.1 Управление пучком и подложкой; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температура - время - давление циклов; 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения. ------------+---------------------------------------------+----------- ¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦Код ТН ВЭД <**>¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦ Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1 ¦Системы, оборудование и компоненты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, указанных в пункте 3.1, других, ¦ ¦ ¦ ¦нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11 и которые ¦ ¦ ¦ ¦специально разработаны или имеют те же самые ¦ ¦ ¦ ¦функциональные характеристики, как и другое ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, определяется по контрольному ¦ ¦ ¦ ¦статусу такого оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно¦ ¦ ¦ ¦запрограммированными или разработанными для ¦ ¦ ¦ ¦выполнения функций другого оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦определяется по контрольному статусу такого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или ¦ ¦ ¦ ¦заявитель не может определить контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус другого оборудования, этот статус ¦ ¦ ¦ ¦определяется контрольным статусом ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11 ¦ ¦ ¦ ¦Если интегральная схема является кремниевой ¦ ¦ ¦ ¦микросхемой микроЭВМ или микросхемой ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, указанными в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда ¦ ¦ ¦ ¦(данных) 8 бит или менее, то ее статус ¦ ¦ ¦ ¦контроля должен определяться в соответствии с¦ ¦ ¦ ¦пунктом 3.1.1.1.3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1 ¦Электронные компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1 ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦8542 ¦ ¦ ¦относящиеся к классу радиационно стойких, ¦ ¦ ¦ ¦выдерживающие любое из следующих воздействий:¦ ¦ ¦ ¦ 3 5 ¦ ¦ ¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦рад] или выше; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 8 ¦ ¦ ¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/c [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦рад/с] или выше; или ¦ ¦ ¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов ¦ ¦ ¦ ¦ 13 ¦ ¦ ¦ ¦(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦н/кв.см или более по кремнию или его ¦ ¦ ¦ ¦эквивалент для других материалов. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦ ¦ ¦ ¦к структуре металл - диэлектрик - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник (МДП-структуре) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные из полупроводниковых соединений¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы памяти, аналого-цифровые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, электронно-оптические или ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, программируемые пользователем ¦ ¦ ¦ ¦логические устройства, заказные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, функции которых неизвестны или не ¦ ¦ ¦ ¦известно, распространяется ли статус контроля¦ ¦ ¦ ¦на аппаратуру, в которой будут использоваться¦ ¦ ¦ ¦эти интегральные схемы, процессоры быстрого ¦ ¦ ¦ ¦преобразования Фурье, электрически ¦ ¦ ¦ ¦перепрограммируемые постоянные запоминающие ¦ ¦ ¦ ¦устройства (ЭППЗУ), память с групповой ¦ ¦ ¦ ¦перезаписью или статические запоминающие ¦ ¦ ¦ ¦устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦ ¦ ¦среды выше 398 K (+125 град. C); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦ ¦ ¦среды ниже 218 K (-55 град. C); или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур окружающей среды от 218 K (-55 ¦ ¦ ¦ ¦град. C) до 398 K (+125 град. C). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным¦ ¦ ¦ ¦схемам, используемым для гражданских ¦ ¦ ¦ ¦автомобилей и железнодорожных поездов ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦соединениях и работающие на тактовой частоте,¦ ¦ ¦ ¦превышающей 40 МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦ ¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединениях ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦ ¦8542 39 900 9 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.5 ¦Следующие интегральные схемы для аналого- ¦8542 31 900 3; ¦ ¦ ¦цифровых и цифроаналоговых преобразователей: ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 900 5; ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: разрешающую¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦способность 8 бит или более, но менее 10 бит,¦ ¦ ¦ ¦со скоростью на выходе более 500 млн. слов в ¦ ¦ ¦ ¦секунду; разрешающую способность 10 бит или ¦ ¦ ¦ ¦более, но менее 12 бит, со скоростью на ¦ ¦ ¦ ¦выходе более 200 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью ¦ ¦ ¦ ¦на выходе более 105 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, но ¦ ¦ ¦ ¦равную или меньше 14 бит, со скоростью на ¦ ¦ ¦ ¦выходе более 10 млн. слов в секунду; или ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 14 бит со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в ¦ ¦ ¦ ¦секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи с ¦ ¦ ¦ ¦разрешающей способностью 12 бит или более и ¦ ¦ ¦ ¦временем установления сигнала менее 10 нс. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Разрешающая способность n битов ¦ ¦ ¦ ¦ n ¦ ¦ ¦ ¦соответствует 2 уровням квантования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Количество бит в выходном слове ¦ ¦ ¦ ¦соответствует разрешающей способности ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифрового преобразователя. ¦ ¦ ¦ ¦3. Скорость на выходе является максимальной ¦ ¦ ¦ ¦скоростью на выходе преобразователя ¦ ¦ ¦ ¦независимо от структуры или выборки с запасом¦ ¦ ¦ ¦по частоте дискретизации. Поставщики могут ¦ ¦ ¦ ¦также ссылаться на скорость на выходе как на ¦ ¦ ¦ ¦частоту выборки, скорость преобразования или ¦ ¦ ¦ ¦пропускную способность. Ее часто определяют в¦ ¦ ¦ ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в ¦ ¦ ¦ ¦секунду (Мвыб./с). ¦ ¦ ¦ ¦4. Для целей измерения скорости на выходе ¦ ¦ ¦ ¦одно выходное слово в секунду равнозначно ¦ ¦ ¦ ¦одному герцу или одной выборке в секунду ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.6 ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 ¦ ¦ ¦интегральные схемы для обработки сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие одновременно все перечисленные ¦ ¦ ¦ ¦составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) один внутренний светочувствительный ¦ ¦ ¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) световоды ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.7 ¦Программируемые пользователем логические ¦8542 39 900 5 ¦ ¦ ¦устройства, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентное количество задействованных ¦ ¦ ¦ ¦логических элементов более 30000 (в пересчете¦ ¦ ¦ ¦на элементы с двумя входами); ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) частоту переключения выше 133 МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.7 включает: ¦ ¦ ¦ ¦простые программируемые логические устройства¦ ¦ ¦ ¦(ППЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦сложные программируемые логические устройства¦ ¦ ¦ ¦(СПЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем вентильные ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППВМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППЛМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем межсоединения ¦ ¦ ¦ ¦(ППМС). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства также известны как программируемые¦ ¦ ¦ ¦пользователем вентильные или программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические матрицы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.8 ¦Интегральные схемы для нейронных сетей ¦8542 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.9 ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 900 3; ¦ ¦ ¦неизвестны или изготовителю не известно, ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦распространяется ли статус контроля на ¦8542 39 900 5; ¦ ¦ ¦аппаратуру, в которой будут использоваться ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦эти интегральные схемы, с любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1000 выводов; ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.10 ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели ¦8542 ¦ ¦ ¦указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового соединения и ¦ ¦ ¦ ¦характеризующиеся любым из нижеследующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентным количеством логических ¦ ¦ ¦ ¦элементов более 3000 (в пересчете на элементы¦ ¦ ¦ ¦с двумя входами); или ¦ ¦ ¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.11 ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦имеющие расчетное время выполнения ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦комплексного N-точечного сложного быстрого ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦преобразования Фурье менее (N log2 N) / 20 ¦ ¦ ¦ ¦480 мс, где N - количество точек. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени ¦ ¦ ¦ ¦выполнения 500 мкс. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или ¦ ¦ ¦ ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена ¦ ¦ ¦ ¦конкретная функция, оценивается по ¦ ¦ ¦ ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 ¦ ¦ ¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает ¦ ¦ ¦ ¦следующие типы: монолитные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы; гибридные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на сапфире";¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2 ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦ ¦ ¦ ¦диапазона: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.1 ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы¦ ¦ ¦ ¦и катоды: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1.1¦Лампы бегущей волны импульсного или ¦8540 79 000 0 ¦ ¦ ¦непрерывного действия: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со ¦ ¦ ¦ ¦временем выхода лампы на предельную ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с; ¦ ¦ ¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их ¦ ¦ ¦ ¦модификации с относительной шириной полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот более 7% или пиком мощности, ¦ ¦ ¦ ¦превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) спиральные лампы или их модификации, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот более одной ¦ ¦ ¦ ¦октавы и произведение средней мощности ¦ ¦ ¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту ¦ ¦ ¦ ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот в одну октаву или менее ¦ ¦ ¦ ¦и произведение средней мощности (выраженной в¦ ¦ ¦ ¦кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 1; или ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1.2¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦8540 71 000 0 ¦ ¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1.3¦Импрегнированные катоды, разработанные для ¦8540 99 000 0 ¦ ¦ ¦электронных ламп, эмитирующие в непрерывном ¦ ¦ ¦ ¦режиме и штатных условиях работы ток ¦ ¦ ¦ ¦плотностью, превышающей 5 А/кв.см. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦лампы, спроектированные для работы в любом ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦ ¦ ¦ ¦следующим характеристикам: ¦ ¦ ¦ ¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) диапазон распределен Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦лампы, которые непригодны для применения в ¦ ¦ ¦ ¦космосе и удовлетворяют всем следующим ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦ ¦ ¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; ¦ ¦ ¦ ¦и ¦ ¦ ¦ ¦б) спроектированные для работы в любом ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦ ¦ ¦ ¦следующим характеристикам: частота выше 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон ¦ ¦ ¦ ¦распределен Международным союзом электросвязи¦ ¦ ¦ ¦для обслуживания радиосвязи, но не для ¦ ¦ ¦ ¦радиоопределения ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.2 ¦Монолитные микроволновые интегральные схемы ¦8542 31 900 3; ¦ ¦ ¦(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из¦8542 33 000; ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦8542 39 900 5; ¦ ¦ ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦8543 90 000 1 ¦ ¦ ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт ¦ ¦ ¦ ¦(36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦ ¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦ ¦ ¦более 15%; ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦ ¦ ¦ ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦ ¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦ ¦ ¦более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,8 ¦ ¦ ¦ ¦Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦ ¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦ ¦ ¦ ¦более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; ¦ ¦ ¦ ¦д) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,25 ¦ ¦ ¦ ¦Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦ ¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦ ¦ ¦ ¦более 10%; или ¦ ¦ ¦ ¦е) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦ ¦ ¦выше 43,5 ГГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦радиопередающее спутниковое оборудование, ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или предназначенное для работы ¦ ¦ ¦ ¦в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус ММИС, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦ ¦ ¦ ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах ¦ ¦ ¦ ¦"а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется ¦ ¦ ¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦ ¦ ¦выходной мощности. ¦ ¦ ¦ ¦3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 ¦ ¦ ¦ ¦категории 3, подразумевают, что по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они ¦ ¦ ¦ ¦специально разработаны для иных целей, ¦ ¦ ¦ ¦например для телекоммуникаций, ¦ ¦ ¦ ¦радиолокационных станций, автомобилей ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.3 ¦Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие¦8541 21 000 0; ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8541 29 000 0 ¦ ¦ ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие¦ ¦ ¦ ¦среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт ¦ ¦ ¦ ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦ ¦ ¦ ¦мВт); ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие среднюю выходную мощность, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие среднюю выходную мощность, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие среднюю выходную мощность, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); или ¦ ¦ ¦ ¦д) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦ ¦ ¦выше 43,5 ГГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус транзисторов, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦ ¦ ¦ ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах ¦ ¦ ¦ ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется ¦ ¦ ¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦ ¦ ¦выходной мощности ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.4 ¦Микроволновые твердотельные усилители и ¦8543 70 900 9 ¦ ¦ ¦микроволновые сборки/модули, содержащие такие¦ ¦ ¦ ¦усилители, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт¦ ¦ ¦ ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦ ¦ ¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦ ¦ ¦более 15%; ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт¦ ¦ ¦ ¦(42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦ ¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦ ¦ ¦более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; ¦ ¦ ¦ ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦ ¦ ¦ ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦ ¦ ¦ ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦ ¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы частот ¦ ¦ ¦ ¦более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦д) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦ ¦ ¦выше 43,5 ГГц; или ¦ ¦ ¦ ¦е) предназначенные для работы на частотах ¦ ¦ ¦ ¦выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: ¦ ¦ ¦ ¦среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, ¦ ¦ ¦ ¦чем результат от деления величины 150 (Вт x ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц ) на максимальную рабочую частоту f ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦(ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f или в ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц ) / ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦(ГГц) ]; ¦ ¦ ¦ ¦относительную ширину полосы частот 5% или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ ¦ ¦любые две взаимно перпендикулярные стороны с ¦ ¦ ¦ ¦длиной d (см), равной или меньше, чем ¦ ¦ ¦ ¦результат от деления величины 15 (см x ГГц) ¦ ¦ ¦ ¦на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то ¦ ¦ ¦ ¦есть: d <= 15/f или в единицах размерности ¦ ¦ ¦ ¦[(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)]. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для усилителей, имеющих номинальный рабочий ¦ ¦ ¦ ¦диапазон частот, простирающийся в сторону ¦ ¦ ¦ ¦уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле ¦ ¦ ¦ ¦последнего абзаца подпункта "е" пункта ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты¦ ¦ ¦ ¦f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то ¦ ¦ ¦ ¦есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности ¦ ¦ ¦ ¦[(см) <= (см · ГГц) / ГГц]. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны ¦ ¦ ¦ ¦применяться критерии, описанные в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦радиопередающему спутниковому оборудованию, ¦ ¦ ¦ ¦разработанному или предназначенному для ¦ ¦ ¦ ¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус изделий, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦ ¦ ¦ ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах ¦ ¦ ¦ ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется ¦ ¦ ¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦ ¦ ¦выходной мощности ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.5 ¦Полосовые или заградительные фильтры с ¦8543 70 900 9 ¦ ¦ ¦электронной или магнитной перестройкой, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие более пяти настраиваемых ¦ ¦ ¦ ¦резонаторов, обеспечивающих настройку в ¦ ¦ ¦ ¦полосе частот с соотношением максимальной и ¦ ¦ ¦ ¦минимальной частот 1,5:1 (f / f ) менее ¦ ¦ ¦ ¦ max min ¦ ¦ ¦ ¦чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу пропускания частоты более 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты; или ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу подавления частоты менее 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.6 ¦Преобразователи и смесители на гармониках, ¦8543 70 900 9 ¦ ¦ ¦разработанные для расширения частотного ¦ ¦ ¦ ¦диапазона аппаратуры, описанной в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх ¦ ¦ ¦ ¦пороговых значений, установленных в этих ¦ ¦ ¦ ¦пунктах ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.7 ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ- ¦8543 70 900 9 ¦ ¦ ¦диапазона, содержащие лампы, определенные в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность средней выходной мощности, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦ ¦ ¦в) объем менее 400 куб.см. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной или установленной изготовителем¦ ¦ ¦ ¦для работы в любом диапазоне частот, ¦ ¦ ¦ ¦распределенном Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.2.8 ¦Микроволновые модули питания (ММП), ¦8540 79 000 0; ¦ ¦ ¦содержащие, по крайней мере, лампу бегущей ¦8542 31 900 3; ¦ ¦ ¦волны, монолитную микроволновую интегральную ¦8543 70 900 9; ¦ ¦ ¦схему и встроенный электронный стабилизатор ¦8543 90 000 1 ¦ ¦ ¦напряжения, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) время включения от выключенного состояния ¦ ¦ ¦ ¦до полностью эксплуатационного состояния ¦ ¦ ¦ ¦менее 10 с; ¦ ¦ ¦ ¦б) физический объем ниже произведения ¦ ¦ ¦ ¦максимальной номинальной мощности в ваттах на¦ ¦ ¦ ¦10 куб.см/Вт; и ¦ ¦ ¦ ¦в) мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦ ¦ ¦одной октавы (f > 2f ) и любое из ¦ ¦ ¦ ¦ max min ¦ ¦ ¦ ¦следующего: ¦ ¦ ¦ ¦для частот, равных или ниже 18 ГГц, ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную выходную мощность более 100 ¦ ¦ ¦ ¦Вт; или ¦ ¦ ¦ ¦частоту выше 18 ГГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время ¦ ¦ ¦ ¦включения относится к периоду времени от ¦ ¦ ¦ ¦полностью выключенного состояния до полностью¦ ¦ ¦ ¦эксплуатационного состояния, то есть оно ¦ ¦ ¦ ¦включает время готовности ММП. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 ¦ ¦ ¦ ¦приводится следующий пример расчета ¦ ¦ ¦ ¦физического объема ММП. Для максимальной ¦ ¦ ¦ ¦номинальной мощности 20 Вт физический объем ¦ ¦ ¦ ¦определяется как 20 [Вт] x 10 [куб.см/Вт] = ¦ ¦ ¦ ¦200 [куб.см]. Это значение физического объема¦ ¦ ¦ ¦является контрольным показателем и ¦ ¦ ¦ ¦сравнивается с фактическим физическим объемом¦ ¦ ¦ ¦ММП ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.3 ¦Приборы на акустических волнах и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.3.1 ¦Приборы на поверхностных акустических волнах ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦и на акустических волнах в тонком ¦ ¦ ¦ ¦поверхностном слое (то есть приборы для ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов, использующие упругие ¦ ¦ ¦ ¦волны в материале), имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) несущую частоту выше 6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: частотное ¦ ¦ ¦ ¦подавление боковых лепестков диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности более 55 дБ; произведение ¦ ¦ ¦ ¦максимального времени задержки (в мкс) на ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот (в МГц) более 100; ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и ¦ ¦ ¦ ¦дополнительно имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: произведение максимального ¦ ¦ ¦ ¦времени задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот (в МГц) более 100; дисперсионную ¦ ¦ ¦ ¦задержку более 10 мкс; или частотное ¦ ¦ ¦ ¦подавление боковых лепестков диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности более 55 дБ и ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот, превышающую 100 МГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.3.2 ¦Приборы на объемных акустических волнах (то ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦есть приборы для обработки сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦использующие упругие волны в материале), ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивающие непосредственную обработку ¦ ¦ ¦ ¦сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.3.3 ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦использующие взаимодействие между ¦ ¦ ¦ ¦акустическими волнами (объемными или ¦ ¦ ¦ ¦поверхностными) и световыми волнами, что ¦ ¦ ¦ ¦позволяет непосредственно обрабатывать ¦ ¦ ¦ ¦сигналы или изображения, включая анализ ¦ ¦ ¦ ¦спектра, корреляцию или свертку ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.4 ¦Электронные приборы и схемы, содержащие ¦8540; ¦ ¦ ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦8541; ¦ ¦ ¦материалов, специально спроектированные для ¦8542; ¦ ¦ ¦работы при температурах ниже критической ¦8543 ¦ ¦ ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих, имеющие хотя бы один из ¦ ¦ ¦ ¦следующих признаков: ¦ ¦ ¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых схем, ¦ ¦ ¦ ¦использующие сверхпроводящие вентили, у ¦ ¦ ¦ ¦которых произведение времени задержки на ¦ ¦ ¦ ¦вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность¦ ¦ ¦ ¦ -14 ¦ ¦ ¦ ¦на вентиль (в ваттах) менее 10 Дж; или ¦ ¦ ¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦ ¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦ ¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5 ¦Нижеперечисленные мощные энергетические ¦ ¦ ¦ ¦устройства: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.1 ¦Элементы, такие как: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.1¦Первичные элементы с плотностью энергии, ¦8506 ¦ ¦ ¦превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.2¦Вторичные элементы с плотностью энергии, ¦8507 ¦ ¦ ¦превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 ¦ ¦ ¦ ¦°C. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность ¦ ¦ ¦ ¦энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением ¦ ¦ ¦ ¦номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦ ¦ ¦номинальную емкость в ампер-часах, поделенным¦ ¦ ¦ ¦на массу в килограммах. Если номинальная ¦ ¦ ¦ ¦емкость не установлена, плотность энергии ¦ ¦ ¦ ¦определяется произведением возведенного в ¦ ¦ ¦ ¦квадрат номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦ ¦ ¦длительность разряда в часах, поделенным на ¦ ¦ ¦ ¦произведение сопротивления нагрузки разряда в¦ ¦ ¦ ¦омах на массу в килограммах. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" ¦ ¦ ¦ ¦определяется как электрохимическое ¦ ¦ ¦ ¦устройство, имеющее положительные и ¦ ¦ ¦ ¦отрицательные электроды и электролит и ¦ ¦ ¦ ¦являющееся источником электроэнергии. Он ¦ ¦ ¦ ¦является основным компоновочным блоком ¦ ¦ ¦ ¦батареи. ¦ ¦ ¦ ¦3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как элемент, который не¦ ¦ ¦ ¦предназначен для заряда каким-либо другим ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии. ¦ ¦ ¦ ¦4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как элемент, который ¦ ¦ ¦ ¦предназначен для заряда каким-либо внешним ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦батареи, включая батареи, содержащие один ¦ ¦ ¦ ¦элемент ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.2 ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦ ¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2.1¦Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц¦8506; ¦ ¦ ¦(одноразрядные конденсаторы), имеющие все ¦8507; ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2.2¦Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и ¦8506; ¦ ¦ ¦выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие ¦8507; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦ ¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда 10000 или ¦ ¦ ¦ ¦более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.3 ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, ¦8504 50; ¦ ¦ ¦специально разработанные на полный заряд или ¦8505 90 100 0 ¦ ¦ ¦разряд менее чем за 1 с, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленные характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих обмоток ¦ ¦ ¦ ¦более 250 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т ¦ ¦ ¦ ¦или суммарную плотность тока в обмотке более ¦ ¦ ¦ ¦300 А/кв.мм. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящие электромагниты или соленоиды,¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для медицинской ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры магниторезонансной томографии ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.4 ¦Солнечные элементы, сборки электрически ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦соединенных элементов под защитным стеклом, ¦ ¦ ¦ ¦солнечные панели и солнечные батареи, ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦минимальное значение среднего КПД элементов ¦ ¦ ¦ ¦более 20% при рабочей температуре 301 K (28 ¦ ¦ ¦ ¦°C) под освещением с поверхностной плотностью¦ ¦ ¦ ¦потока излучения 1367 Вт/кв.м при имитации ¦ ¦ ¦ ¦условий нулевой воздушной массы (АМО). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦АМО (нулевая воздушная масса) определяется ¦ ¦ ¦ ¦спектральной плотностью потока солнечного ¦ ¦ ¦ ¦света за пределами атмосферы при расстоянии ¦ ¦ ¦ ¦между Землей и Солнцем, равным одной ¦ ¦ ¦ ¦астрономической единице (АЕ) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.6 ¦Цифровые преобразователи абсолютного углового¦9031 80 320 0; ¦ ¦ ¦положения вращающегося вала, имеющие любую из¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от полного ¦ ¦ ¦ ¦диапазона (18 бит); или ¦ ¦ ¦ ¦б) точность лучше +/-2,5 угл. С ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.7 ¦Твердотельные импульсные силовые ¦8536 50 030 0; ¦ ¦ ¦коммутационные тиристорные устройства и ¦8536 50 800 0; ¦ ¦ ¦тиристорные модули, использующие методы ¦8541 30 000 9 ¦ ¦ ¦электрического, оптического или электронно- ¦ ¦ ¦ ¦эмиссионного управления переключением, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и ¦ ¦ ¦ ¦напряжение в закрытом состоянии более 1100 В;¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и ¦ ¦ ¦ ¦все нижеследующее: импульсное напряжение в ¦ ¦ ¦ ¦закрытом состоянии, равное 3000 В или более; ¦ ¦ ¦ ¦и максимальный ток в импульсе (ударный ток) ¦ ¦ ¦ ¦более 3000 А. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль ¦ ¦ ¦ ¦содержит одно или несколько тиристорных ¦ ¦ ¦ ¦устройств. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые ¦ ¦ ¦ ¦триодные тиристоры; электрические триггерные ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры; световые триггерные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦коммутационные тиристоры с интегральными ¦ ¦ ¦ ¦вентилями; вентильные запираемые тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦управляемые тиристоры на МОП-структуре ¦ ¦ ¦ ¦(структуре металл-оксид-полупроводник); ¦ ¦ ¦ ¦солидтроны. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦тиристорные устройства и тиристорные модули, ¦ ¦ ¦ ¦интегрированные в оборудование, разработанное¦ ¦ ¦ ¦для применения на железнодорожном транспорте ¦ ¦ ¦ ¦или в гражданских летательных аппаратах ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2 ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1 ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанная измерительная магнитная лента ¦ ¦ ¦ ¦для нее: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.1 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8519 81 540 1; ¦ ¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, включая ¦8519 81 580; ¦ ¦ ¦аппаратуру с возможностью записи цифровых ¦8519 81 900 0; ¦ ¦ ¦сигналов (например, использующие модуль ¦8519 89 900 0; ¦ ¦ ¦цифровой записи высокой плотности), имеющие ¦8521 10 200 0; ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8521 10 950 0 ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку, при количестве¦ ¦ ¦ ¦дорожек более 42; или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦ ¦ ¦временной шкалы, измеренную по методикам ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих руководящих материалов ¦ ¦ ¦ ¦Межведомственного совета по ¦ ¦ ¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации ¦ ¦ ¦ ¦электронной промышленности (EIA), менее ¦ ¦ ¦ ¦+/-0,1 мкс. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ¦ ¦ ¦ ¦ленте, специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданского применения, не рассматриваются ¦ ¦ ¦ ¦как записывающие устройства, использующие ¦ ¦ ¦ ¦ленту ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.2 ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте,¦8521 10; ¦ ¦ ¦имеющие максимальную пропускную способность ¦8521 90 000 9 ¦ ¦ ¦цифрового интерфейса более 360 Мбит/с. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте,¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для телевизионной ¦ ¦ ¦ ¦записи, использующие формат сигнала, который ¦ ¦ ¦ ¦может включать сжатие формата сигнала, ¦ ¦ ¦ ¦стандартизированный или рекомендуемый для ¦ ¦ ¦ ¦применения в гражданском телевидении ¦ ¦ ¦ ¦Международным союзом электросвязи, ¦ ¦ ¦ ¦Международной электротехнической комиссией, ¦ ¦ ¦ ¦Организацией инженеров по развитию кино и ¦ ¦ ¦ ¦телевидения, Европейским союзом радиовещания,¦ ¦ ¦ ¦Европейским институтом стандартов по ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникациям или Институтом инженеров по¦ ¦ ¦ ¦электротехнике и радиоэлектронике ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.3 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8471 70 800 0; ¦ ¦ ¦показаний цифровой аппаратуры, использующие ¦8521 10 ¦ ¦ ¦принципы спирального сканирования или ¦ ¦ ¦ ¦принципы фиксированной головки и имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную пропускную способность ¦ ¦ ¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или ¦ ¦ ¦ ¦б) пригодные для применения в космосе. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦устройства записи данных на магнитной ленте, ¦ ¦ ¦ ¦оснащенные электронными блоками для ¦ ¦ ¦ ¦преобразования в цифровую запись высокой ¦ ¦ ¦ ¦плотности и предназначенные для записи только¦ ¦ ¦ ¦цифровых данных ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.4 ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦8521 90 000 9 ¦ ¦ ¦способностью цифрового интерфейса, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях¦ ¦ ¦ ¦переделки цифровых видеомагнитофонов на ¦ ¦ ¦ ¦магнитной ленте для использования их как ¦ ¦ ¦ ¦устройств записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.5 ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0; ¦ ¦ ¦цифровую форму и записи переходных процессов,¦8543 70 900 9 ¦ ¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦ ¦ ¦ ¦200 млн. проб в секунду или более и ¦ ¦ ¦ ¦разрешение 10 бит или более; и ¦ ¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность 2 ¦ ¦ ¦ ¦Гбит/с или более. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦ ¦ ¦параллельной шине непрерывная пропускная ¦ ¦ ¦ ¦способность есть произведение наибольшего ¦ ¦ ¦ ¦объема слов на количество бит в слове. ¦ ¦ ¦ ¦Непрерывная пропускная способность - это ¦ ¦ ¦ ¦наивысшая скорость передачи данных ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры, с которой информация поступает в ¦ ¦ ¦ ¦запоминающее устройство без потерь при ¦ ¦ ¦ ¦сохранении скорости выборки и аналого- ¦ ¦ ¦ ¦цифрового преобразования ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.6 ¦Устройства записи данных цифровой аппаратуры,¦8471 50 000 0; ¦ ¦ ¦использующие способ хранения на магнитном ¦8471 60; ¦ ¦ ¦диске, имеющие все следующие характеристики: ¦8471 70 200 0; ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦8471 70 300 0; ¦ ¦ ¦100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит ¦8471 70 500 0; ¦ ¦ ¦или более; и ¦8519 81 900 0; ¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность не ¦8519 89 900 0; ¦ ¦ ¦менее 1 Гбит/с или более ¦8521 90 000 9; ¦ ¦ ¦ ¦8522 90 400 0; ¦ ¦ ¦ ¦8522 90 800 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.2 ¦Электронные сборки синтезаторов частот, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦имеющие время переключения частоты менее ¦ ¦ ¦ ¦1 мс. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
