|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 06.06.2012 № 6/15 "О внесении изменений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. № 15/137"< Главная страница Стр. 4Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы; б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ). 7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением. Некоторые пояснения к таблице. Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости: 1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне: 1.1.1. Состав раствора: 1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений; 1.1.1.2. Для приготовления новых подложек; 1.1.2. Время обработки; 1.1.3. Температура ванны; 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов; 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки; 1.3. Параметры цикла термообработки: 1.3.1. Атмосферные параметры: 1.3.1.1. Состав атмосферы; 1.3.1.2. Давление; 1.3.2. Температура термообработки; 1.3.3. Время термообработки; 1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки: 1.4.1. Параметры пескоструйной обработки: 1.4.1.1. Состав крошки, дроби; 1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби; 1.4.1.3. Скорость крошки; 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки; 1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности; 1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии; 1.5. Параметры маски: 1.5.1. Материал маски; 1.5.2. Расположение маски. 2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице: 2.1. Параметры атмосферы: 2.1.1. Состав; 2.1.2. Давление; 2.2. Время; 2.3. Температура; 2.4. Толщина; 2.5. Коэффициент преломления; 2.6. Контроль состава покрытия. 3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость дроби; 3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки; 3.3. Параметры цикла термообработки: 3.3.1. Параметры атмосферы: 3.3.1.1. Состав; 3.3.1.2. Давление; 3.3.2. Температура и время цикла; 3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки. 4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице: 4.1. Критерии для статистической выборки; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Увеличения; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности; 4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны): 4.3.1. Коэффициент отражения; 4.3.2. Коэффициент пропускания; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние. 5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице: 5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD): 5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия; 5.1.2. Состав газа-носителя; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температура - время - давление циклов; 5.1.5. Управление потоком газа и подложкой; 5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом: 5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав газа-реагента; 5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала; 5.2.5. Температура - время - давление циклов; 5.2.6. Управление пучком и подложкой; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения: 5.3.1. Состав засыпки и химическая формула; 5.3.2. Состав газа-носителя; 5.3.3. Температура - время - давление циклов; 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав); 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.4.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой; 5.5. Для осаждения распылением: 5.5.1. Состав мишени и ее изготовление; 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени; 5.5.3. Состав газа-реагента; 5.5.4. Напряжение смещения; 5.5.5. Температура - время - давление циклов; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Управление деталью (подложкой); 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Управление пучком и подложкой; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температура - время - давление циклов; 5.7. Для ионного осаждения: 5.7.1. Управление пучком и подложкой; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температура - время - давление циклов; 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения. -------------+---------------------------------------------+---------- ¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦ Код ТН ВЭД ¦ ¦ ¦ ¦ <**> ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, описанных в пункте 3.1, других, ¦ ¦ ¦ ¦нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.10, и которые ¦ ¦ ¦ ¦специально разработаны для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или имеют те же самые ¦ ¦ ¦ ¦функциональные характеристики, как и другое ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, определяется по контрольному ¦ ¦ ¦ ¦статусу такого оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 ¦ ¦ ¦ ¦или пункте 3.1.1.1.10, которые являются ¦ ¦ ¦ ¦неизменно запрограммированными или ¦ ¦ ¦ ¦разработанными для выполнения определенных ¦ ¦ ¦ ¦функций другого оборудования, определяется ¦ ¦ ¦ ¦по контрольному статусу такого оборудования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или ¦ ¦ ¦ ¦заявитель не может определить контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус другого оборудования, этот статус для ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем определяется в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии с отдельными пунктами ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пунктом 3.1.1.1.10 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1. ¦Электронные компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.1. ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.1. ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦8542 ¦ ¦ ¦относящиеся к классу радиационно стойких, ¦ ¦ ¦ ¦выдерживающие любое из следующих ¦ ¦ ¦ ¦воздействий: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (по кремнию) ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад] или выше; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (по кремнию)/с ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад/с] или выше; или ¦ ¦ ¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов ¦ ¦ ¦ ¦(соответствующий ¦ ¦ ¦ ¦ 13 ¦ ¦ ¦ ¦энергии в 1 МэВ) 5 x 10 н/кв.см или более ¦ ¦ ¦ ¦по кремнию или его эквивалент для других ¦ ¦ ¦ ¦материалов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦ ¦ ¦ ¦к структуре металл - диэлектрик - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник (МДП-структуре) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.2. ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные из полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦соединений интегральные схемы памяти, ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦цифроаналоговые преобразователи, электронно- ¦ ¦ ¦ ¦оптические или оптические интегральные схемы ¦ ¦ ¦ ¦для обработки сигналов, программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические устройства, ¦ ¦ ¦ ¦заказные интегральные схемы, функции которых ¦ ¦ ¦ ¦неизвестны, или неизвестно, распространяется ¦ ¦ ¦ ¦ли статус контроля на аппаратуру, в которой ¦ ¦ ¦ ¦будут использоваться эти интегральные схемы, ¦ ¦ ¦ ¦процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦ ¦ ¦ ¦электрически перепрограммируемые постоянные ¦ ¦ ¦ ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с ¦ ¦ ¦ ¦групповой перезаписью или статические ¦ ¦ ¦ ¦запоминающие устройства с произвольной ¦ ¦ ¦ ¦выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при температуре ¦ ¦ ¦ ¦окружающей среды выше 398 К (125 °C); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при температуре ¦ ¦ ¦ ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур окружающей среды от 218 К (-55 °C)¦ ¦ ¦ ¦до 398 К (125 °C) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦интегральным схемам, используемым для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей и железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.3. ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 31 901 1;¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦соединениях и работающие на тактовой ¦ ¦ ¦ ¦частоте, превышающей 40 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦ ¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.4. ¦Следующие интегральные схемы ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦цифроаналоговых преобразователей (ЦАП): ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 8 бит или более, но ¦ ¦ ¦ ¦менее 10 бит, со скоростью на выходе более ¦ ¦ ¦ ¦500 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 10 бит или более, но ¦ ¦ ¦ ¦менее 12 бит, со скоростью на выходе более ¦ ¦ ¦ ¦300 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью ¦ ¦ ¦ ¦на выходе более 200 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, но ¦ ¦ ¦ ¦равную 14 бит или меньше, со скоростью на ¦ ¦ ¦ ¦выходе более 125 млн. слов в секунду; или ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 14 бит со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью на выходе более 20 млн. слов в ¦ ¦ ¦ ¦секунду ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Разрешающая способность n битов ¦ ¦ ¦ ¦соответствует 2n уровням квантования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Количество бит в выходном слове ¦ ¦ ¦ ¦соответствует разрешающей способности АЦП. ¦ ¦ ¦ ¦3. Скоростью на выходе является максимальная ¦ ¦ ¦ ¦скорость на выходе преобразователя ¦ ¦ ¦ ¦независимо от структуры или выборки с ¦ ¦ ¦ ¦запасом по частоте дискретизации. ¦ ¦ ¦ ¦4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы ¦ ¦ ¦ ¦не объединяются и скоростью на выходе ¦ ¦ ¦ ¦является максимальная скорость на выходе ¦ ¦ ¦ ¦любого канала. ¦ ¦ ¦ ¦5. Для АЦП с временным разделением каналов ¦ ¦ ¦ ¦или многоканальных АЦП, которые в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии со спецификацией имеют режим с ¦ ¦ ¦ ¦временным разделением каналов, выходные ¦ ¦ ¦ ¦сигналы объединяются и скоростью на выходе ¦ ¦ ¦ ¦является максимальная объединенная общая ¦ ¦ ¦ ¦скорость на выходе всех выходных сигналов. ¦ ¦ ¦ ¦6. Поставщики могут также ссылаться на ¦ ¦ ¦ ¦скорость на выходе как на частоту выборки, ¦ ¦ ¦ ¦скорость преобразования или пропускную ¦ ¦ ¦ ¦способность. Ее часто определяют в ¦ ¦ ¦ ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в ¦ ¦ ¦ ¦секунду (Мвыб./с). ¦ ¦ ¦ ¦7. Для целей измерения скорости на выходе ¦ ¦ ¦ ¦одно выходное слово в секунду равнозначно ¦ ¦ ¦ ¦одному герцу или одной выборке в секунду. ¦ ¦ ¦ ¦8. Многоканальные АЦП определяются как ¦ ¦ ¦ ¦устройства, которые объединяют более одного ¦ ¦ ¦ ¦АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП ¦ ¦ ¦ ¦имел отдельный аналоговый вход. ¦ ¦ ¦ ¦9. АЦП с временным разделением каналов ¦ ¦ ¦ ¦определяются как устройства, имеющие блоки с ¦ ¦ ¦ ¦многоканальными АЦП, которые производят ¦ ¦ ¦ ¦выборку одного и того же аналогового ¦ ¦ ¦ ¦входного сигнала в различное время таким ¦ ¦ ¦ ¦образом, чтобы при объединении выходных ¦ ¦ ¦ ¦сигналов осуществлялись эффективный выбор ¦ ¦ ¦ ¦аналогового входного сигнала и его ¦ ¦ ¦ ¦преобразование на более высокую скорость ¦ ¦ ¦ ¦выборки; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разрешающую способность 10 бит или более ¦ ¦ ¦ ¦с приведенной скоростью обновления 3,5 ¦ ¦ ¦ ¦миллиарда выборок в секунду или более; или ¦ ¦ ¦ ¦2) разрешающую способность 12 бит или более ¦ ¦ ¦ ¦с приведенной скоростью обновления, равной ¦ ¦ ¦ ¦1,25 миллиарда выборок в секунду или более, ¦ ¦ ¦ ¦и имеющие любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦время установления сигнала менее 9 нс с ¦ ¦ ¦ ¦точностью 0,024% полной шкалы от шага полной ¦ ¦ ¦ ¦шкалы; или ¦ ¦ ¦ ¦динамический диапазон без паразитных ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая ¦ ¦ ¦ ¦частота) при синтезировании аналогового ¦ ¦ ¦ ¦сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей ¦ ¦ ¦ ¦частоты аналогового сигнала полной шкалы, ¦ ¦ ¦ ¦определенной ниже 100 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Динамический диапазон без паразитных ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (SFDR) определяется как отношение ¦ ¦ ¦ ¦среднеквадратичного значения несущей частоты ¦ ¦ ¦ ¦(максимального компонента сигнала) на входе ¦ ¦ ¦ ¦ЦАП к среднеквадратичному значению ¦ ¦ ¦ ¦следующего наибольшего компонента шума или ¦ ¦ ¦ ¦гармонического искажения сигнала на его ¦ ¦ ¦ ¦выходе. ¦ ¦ ¦ ¦2. SFDR определяется непосредственно из ¦ ¦ ¦ ¦справочных таблиц или графиков зависимости ¦ ¦ ¦ ¦характеристик SFDR от частоты. ¦ ¦ ¦ ¦3. Сигнал определяется как сигнал полной ¦ ¦ ¦ ¦шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш ¦ ¦ ¦ ¦(полная шкала). ¦ ¦ ¦ ¦4. Приведенная скорость обновления для ЦАП: ¦ ¦ ¦ ¦а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП ¦ ¦ ¦ ¦приведенная скорость обновления - скорость, ¦ ¦ ¦ ¦на которой цифровой сигнал преобразуется в ¦ ¦ ¦ ¦аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в ¦ ¦ ¦ ¦которых интерполяционный режим может быть ¦ ¦ ¦ ¦обойден (коэффициент интерполяции 1), ¦ ¦ ¦ ¦следует рассматривать как обычные ¦ ¦ ¦ ¦(неинтерполирующие) ЦАП; ¦ ¦ ¦ ¦б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной ¦ ¦ ¦ ¦дискретизацией) приведенная скорость ¦ ¦ ¦ ¦обновления определяется как скорость ¦ ¦ ¦ ¦обновления ЦАП, деленная на наименьший ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент интерполяции. Для ¦ ¦ ¦ ¦интерполирующих ЦАП приведенная скорость ¦ ¦ ¦ ¦обновления может выражаться по-разному, в ¦ ¦ ¦ ¦том числе как: ¦ ¦ ¦ ¦скорость ввода данных; ¦ ¦ ¦ ¦скорость ввода слов; ¦ ¦ ¦ ¦скорость ввода выборок; ¦ ¦ ¦ ¦максимальная общая скорость пропускания ¦ ¦ ¦ ¦шины; ¦ ¦ ¦ ¦максимальная тактовая частота ЦАП для ¦ ¦ ¦ ¦входного тактового сигнала ЦАП ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.5. ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦интегральные схемы для обработки сигналов, ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦имеющие одновременно все перечисленные ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦составляющие: ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) один внутренний светочувствительный ¦ ¦ ¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) световоды ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.6. ¦Программируемые пользователем логические ¦8542 39 901 9 ¦ ¦ ¦устройства, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальное количество цифровых ¦ ¦ ¦ ¦входов/выходов более 200; или ¦ ¦ ¦ ¦б) количество логических элементов ¦ ¦ ¦ ¦(вентилей) в системе более 230000 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.6 включает: ¦ ¦ ¦ ¦простые программируемые логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства (ППЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦сложные программируемые логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства (СПЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем вентильные ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППВМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППЛМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем межсоединения ¦ ¦ ¦ ¦(ППМС) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства известны также как ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦элементы (вентили) или программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические матрицы. ¦ ¦ ¦ ¦2. Максимальное количество цифровых ¦ ¦ ¦ ¦входов/выходов, определенное в подпункте "а" ¦ ¦ ¦ ¦пункта 3.1.1.1.6, называется также ¦ ¦ ¦ ¦максимальным количеством пользовательских ¦ ¦ ¦ ¦входов/выходов или максимальным количеством ¦ ¦ ¦ ¦доступных входов/выходов, независимо от ¦ ¦ ¦ ¦того, является ли интегральная схема ¦ ¦ ¦ ¦заключенной в корпус или бескорпусным ¦ ¦ ¦ ¦кристаллом ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.7. ¦Интегральные схемы для нейронных сетей ¦8542 39 901 9 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.8. ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦неизвестны или изготовителю неизвестен ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦статус контроля аппаратуры, в которой будут ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦использоваться эти интегральные схемы, с ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1500 выводов; ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,02 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) рабочая частота, превышающая 3 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.9. ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦любого полупроводникового соединения и ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦характеризующиеся любым из нижеследующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентным количеством логических ¦ ¦ ¦ ¦элементов более 3000 (в пересчете на ¦ ¦ ¦ ¦элементы с двумя входами); или ¦ ¦ ¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.10. ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦8542 31 901 1;¦ ¦ ¦имеющие расчетное время выполнения ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦комплексного N-точечного сложного быстрого ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦преобразования Фурье менее ¦ ¦ ¦ ¦(N log N)/20480 мс, ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦где N - количество точек ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула ¦ ¦ ¦ ¦в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени ¦ ¦ ¦ ¦выполнения 500 мкс ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или ¦ ¦ ¦ ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена ¦ ¦ ¦ ¦конкретная функция, оценивается по ¦ ¦ ¦ ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1. ¦ ¦ ¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает ¦ ¦ ¦ ¦следующие типы: ¦ ¦ ¦ ¦монолитные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦гибридные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на ¦ ¦ ¦ ¦сапфире"; ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.2. ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦ ¦ ¦ ¦диапазона: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1. ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные ¦ ¦ ¦ ¦лампы и катоды: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1.1.¦Лампы бегущей волны импульсного или ¦8540 79 000 9 ¦ ¦ ¦непрерывного действия: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со ¦ ¦ ¦ ¦временем выхода лампы на предельную ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с; ¦ ¦ ¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их ¦ ¦ ¦ ¦модификации с относительной шириной полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот более 7% или пиком мощности, ¦ ¦ ¦ ¦превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) спиральные лампы или их модификации, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот более одной ¦ ¦ ¦ ¦октавы и произведение средней мощности ¦ ¦ ¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту ¦ ¦ ¦ ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот в одну ¦ ¦ ¦ ¦октаву или менее и произведение средней ¦ ¦ ¦ ¦мощности (выраженной в кВт) на рабочую ¦ ¦ ¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более 1; или ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1.2.¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦8540 71 000 0 ¦ ¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1.3.¦Импрегнированные катоды, разработанные для ¦8540 99 000 0 ¦ ¦ ¦электронных ламп, эмитирующие в непрерывном ¦ ¦ ¦ ¦режиме и штатных условиях работы ток ¦ ¦ ¦ ¦плотностью, превышающей 5 А/кв.см ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, ¦ ¦ ¦ ¦разработанным или определенным изготовителем ¦ ¦ ¦ ¦для работы в любом диапазоне частот, который ¦ ¦ ¦ ¦удовлетворяет всем следующим ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦ ¦ ¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) диапазон распределен Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, ¦ ¦ ¦ ¦непригодным для применения в космосе и ¦ ¦ ¦ ¦имеющим все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) среднюю выходную мощность, равную или ¦ ¦ ¦ ¦меньше 50 Вт; и ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанным или определенным ¦ ¦ ¦ ¦изготовителем для работы в любом диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦частот, который удовлетворяет всем следующим ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦ ¦ ¦частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦диапазон распределен Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.2. ¦Монолитные микроволновые интегральные схемы ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую ¦8542 33 000; ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦а) определенные изготовителем для работы на ¦8543 90 000 1 ¦ ¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 15%; ¦ ¦ ¦ ¦б) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦в) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦г) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 нВт; ¦ ¦ ¦ ¦д) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; или ¦ ¦ ¦ ¦е) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощностью более 0,1 нВт ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус ММИС, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более ¦ ¦ ¦ ¦чем одной полосе частот, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, ¦ ¦ ¦ ¦определяется наименьшим контрольным порогом ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощности. ¦ ¦ ¦ ¦2. Примечания 1 и 2 к пункту 3.1 ¦ ¦ ¦ ¦подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не ¦ ¦ ¦ ¦применяется к ММИС, если они специально ¦ ¦ ¦ ¦разработаны для иных целей, например для ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникаций, радиолокационных станций, ¦ ¦ ¦ ¦автомобилей ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.3. ¦Дискретные микроволновые транзисторы, ¦8541 21 000 0;¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦8541 29 000 0 ¦ ¦ ¦а) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦б) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦в) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦г) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); или ¦ ¦ ¦ ¦д) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц и имеющие среднюю ¦ ¦ ¦ ¦выходную мощность более 0,1 нВт ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус транзисторов, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более ¦ ¦ ¦ ¦чем одной полосе частот, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦подпунктах ¦ ¦ ¦ ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется ¦ ¦ ¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦ ¦ ¦выходной мощности ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.4. ¦Микроволновые твердотельные усилители и ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦микроволновые сборки/модули, содержащие ¦ ¦ ¦ ¦такие усилители, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 15%; ¦ ¦ ¦ ¦б) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦в) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 нВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦д) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощностью более 0,1 нВт; или ¦ ¦ ¦ ¦е) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующее: ¦ ¦ ¦ ¦среднюю выходную мощность P (Вт), большую, ¦ ¦ ¦ ¦чем результат ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦ от деления величины 150 (Вт·ГГц ) на ¦ ¦ ¦ ¦максимальную рабочую частоту f (ГГц) в ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦квадрате, то есть: P > 150/f или в ¦ ¦ ¦ ¦единицах размерности ¦ ¦ ¦ ¦ 2 2 ¦ ¦ ¦ ¦[(Вт) > (Вт·ГГц ) / (ГГц) ]; ¦ ¦ ¦ ¦относительную ширину полосы частот 5% или ¦ ¦ ¦ ¦более; и ¦ ¦ ¦ ¦любые две взаимно перпендикулярные стороны с ¦ ¦ ¦ ¦длиной d (см), равной или меньше, чем ¦ ¦ ¦ ¦результат от деления величины 15 (см·ГГц) на ¦ ¦ ¦ ¦наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: ¦ ¦ ¦ ¦d < 15 / f или в единицах размерности ¦ ¦ ¦ ¦[(см) < (см·ГГц)/(ГГц)] ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для усилителей, имеющих номинальный рабочий ¦ ¦ ¦ ¦диапазон частот, простирающийся в сторону ¦ ¦ ¦ ¦уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле ¦ ¦ ¦ ¦последнего абзаца подпункта "е" пункта ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей ¦ ¦ ¦ ¦частоты f (ГГц) следует применять равным 3,2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, то есть: d <= 15/3,2 или в единицах ¦ ¦ ¦ ¦размерности [(см) <= (см·ГГц) / ГГц] ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны ¦ ¦ ¦ ¦применяться критерии, определенные в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус изделий, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более ¦ ¦ ¦ ¦чем одной полосе частот, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, ¦ ¦ ¦ ¦определяется наименьшим контрольным порогом ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощности ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.5. ¦Полосовые или заградительные фильтры с ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦электронной или магнитной перестройкой, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие более пяти настраиваемых ¦ ¦ ¦ ¦резонаторов, обеспечивающих настройку в ¦ ¦ ¦ ¦полосе частот с соотношением максимальной и ¦ ¦ ¦ ¦минимальной частот 1,5 : 1 (f / f ) ¦ ¦ ¦ ¦ max min ¦ ¦ ¦ ¦менее чем за 10 мкс, и имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу пропускания частоты более 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты; или ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу подавления частоты менее 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.6. ¦Преобразователи и смесители на гармониках, ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦разработанные для расширения частотного ¦ ¦ ¦ ¦диапазона аппаратуры, описанной в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 или пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.5, сверх пороговых значений, ¦ ¦ ¦ ¦установленных в этих пунктах ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.7. ¦Микроволновые усилители мощности ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные¦ ¦ ¦ ¦в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) среднюю выходную мощность по отношению к ¦ ¦ ¦ ¦массе, превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦ ¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной или определенной изготовителем ¦ ¦ ¦ ¦для работы в любом диапазоне частот, ¦ ¦ ¦ ¦распределенном Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.8. ¦Микроволновые модули питания (ММП), ¦8540 79 000 9;¦ ¦ ¦содержащие, по крайней мере, лампу бегущей ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦волны, монолитную микроволновую интегральную ¦8543 70 900 0;¦ ¦ ¦схему и встроенный электронный стабилизатор ¦8543 90 000 1 ¦ ¦ ¦напряжения, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) время включения от выключенного состояния ¦ ¦ ¦ ¦до полностью эксплуатационного состояния ¦ ¦ ¦ ¦менее 10 с; ¦ ¦ ¦ ¦б) физический объем ниже произведения ¦ ¦ ¦ ¦максимальной номинальной мощности в ваттах ¦ ¦ ¦ ¦на 10 куб.см/Вт; и ¦ ¦ ¦ ¦в) мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦ ¦ ¦одной октавы ¦ ¦ ¦ ¦(f > 2f ) и любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦ max min ¦ ¦ ¦ ¦для частот, равных или ниже 18 ГГц, ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную выходную мощность более 100 ¦ ¦ ¦ ¦Вт; или ¦ ¦ ¦ ¦частоту выше 18 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время ¦ ¦ ¦ ¦включения относится к периоду времени от ¦ ¦ ¦ ¦полностью выключенного состояния до ¦ ¦ ¦ ¦полностью эксплуатационного состояния, то ¦ ¦ ¦ ¦есть оно включает время готовности ММП. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 ¦ ¦ ¦ ¦приводится следующий пример расчета ¦ ¦ ¦ ¦физического объема ММП. ¦ ¦ ¦ ¦Для максимальной номинальной мощности 20 Вт ¦ ¦ ¦ ¦физический объем определяется как ¦ ¦ ¦ ¦20 [Вт] x 10 [куб.см/Вт] = 200 [куб.см]. Это ¦ ¦ ¦ ¦значение физического объема является ¦ ¦ ¦ ¦контрольным показателем и сравнивается с ¦ ¦ ¦ ¦фактическим физическим объемом ММП ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.9. ¦Гетеродины или сборки гетеродинов, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦разработанные для работы со всем ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующим: ¦ ¦ ¦ ¦а) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) ¦ ¦ ¦ ¦в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше ¦ ¦ ¦ ¦-(126 + 20 log F - 20 log f) для 10 Гц < ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦F < 10 кГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) ¦ ¦ ¦ ¦в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше ¦ ¦ ¦ ¦-(114 + 20 log F - 20 log f) для 10 кГц <= ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦F < 500 кГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В пункте 3.1.1.2.9 F - смещение от рабочей ¦ ¦ ¦ ¦частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.10. ¦Электронные сборки синтезаторов частот, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦имеющие время переключения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦определенное любым из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) менее 312 пс; ¦ ¦ ¦ ¦б) менее 100 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 3,2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) менее 250 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 550 МГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 10,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦г) менее 500 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 550 МГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦д) менее 1 мс в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для анализаторов сигналов, генераторов ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, схемных анализаторов и ¦ ¦ ¦ ¦микроволновых приемников-тестеров общего ¦ ¦ ¦ ¦назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.3. ¦Приборы на акустических волнах и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.3.1. ¦Приборы на поверхностных акустических волнах ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦и на акустических волнах в тонком ¦ ¦ ¦ ¦поверхностном слое, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) несущую частоту выше 6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности более 65 дБ; ¦ ¦ ¦ ¦произведение максимального времени задержки ¦ ¦ ¦ ¦(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 100; ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦произведение максимального времени задержки ¦ ¦ ¦ ¦(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 100; ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности более 65 дБ и ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот, превышающую 100 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности - максимальная ¦ ¦ ¦ ¦величина подавления, определенная в перечне ¦ ¦ ¦ ¦технических характеристик (проспекте ¦ ¦ ¦ ¦изделия) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.3.2. ¦Приборы на объемных акустических волнах, ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦обеспечивающие непосредственную обработку ¦ ¦ ¦ ¦сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.3.3. ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦использующие взаимодействие между ¦ ¦ ¦ ¦акустическими волнами (объемными или ¦ ¦ ¦ ¦поверхностными) и световыми волнами, что ¦ ¦ ¦ ¦позволяет непосредственно обрабатывать ¦ ¦ ¦ ¦сигналы или изображения, включая анализ ¦ ¦ ¦ ¦спектра, корреляцию или свертку ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на ¦ ¦ ¦ ¦акустических волнах, ограниченным ¦ ¦ ¦ ¦пропусканием сигнала через однополосный ¦ ¦ ¦ ¦фильтр, фильтр низких или верхних частот или ¦ ¦ ¦ ¦узкополосный режекторный фильтр или функцией ¦ ¦ ¦ ¦резонирования ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.4. ¦Электронные приборы и схемы, содержащие ¦8540; ¦ ¦ ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦8541; ¦ ¦ ¦материалов, специально разработанные для ¦8542; ¦ ¦ ¦работы при температурах ниже критической ¦8543 ¦ ¦ ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих, и имеющие любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) переключение тока для цифровых схем, ¦ ¦ ¦ ¦использующих сверхпроводящие вентили, у ¦ ¦ ¦ ¦которых произведение времени задержки на ¦ ¦ ¦ ¦вентиль (в секундах) на рассеиваемую ¦ ¦ ¦ ¦мощность на вентиль (в ваттах) менее ¦ ¦ ¦ ¦ -14 ¦ ¦ ¦ ¦10 Дж; или ¦ ¦ ¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦ ¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦ ¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.5. ¦Нижеперечисленные мощные энергетические ¦ ¦ ¦ ¦устройства: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.1. ¦Элементы: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.1.1.¦Первичные элементы с плотностью энергии, ¦8506 ¦ ¦ ¦превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.1.2.¦Вторичные элементы с плотностью энергии, ¦8507 ¦ ¦ ¦превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность ¦ ¦ ¦ ¦энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением ¦ ¦ ¦ ¦номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦ ¦ ¦номинальную емкость в ампер-часах, ¦ ¦ ¦ ¦поделенным на массу в килограммах. Если ¦ ¦ ¦ ¦номинальная емкость не установлена, ¦ ¦ ¦ ¦плотность энергии определяется произведением ¦ ¦ ¦ ¦возведенного в квадрат номинального ¦ ¦ ¦ ¦напряжения в вольтах на длительность разряда ¦ ¦ ¦ ¦в часах, поделенным на произведение ¦ ¦ ¦ ¦сопротивления нагрузки разряда в омах на ¦ ¦ ¦ ¦массу в килограммах. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" ¦ ¦ ¦ ¦определяется как электрохимическое ¦ ¦ ¦ ¦устройство, имеющее положительные и ¦ ¦ ¦ ¦отрицательные электроды и электролит и ¦ ¦ ¦ ¦являющееся источником электроэнергии. Он ¦ ¦ ¦ ¦является основным компоновочным блоком ¦ ¦ ¦ ¦батареи. ¦ ¦ ¦ ¦3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как "элемент", который ¦ ¦ ¦ ¦не предназначен для заряда каким-либо другим ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии. ¦ ¦ ¦ ¦4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как "элемент", который ¦ ¦ ¦ ¦предназначен для заряда каким-либо внешним ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к батареям, ¦ ¦ ¦ ¦включая батареи, содержащие один элемент ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.2. ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦ ¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.2.1.¦Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц¦8506; ¦ ¦ ¦(одноразрядные конденсаторы), имеющие все ¦8507; ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.2.2.¦Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и ¦8506; ¦ ¦ ¦выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие ¦8507; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦ ¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда 10000 ¦ ¦ ¦ ¦или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, ¦8504 50; ¦ ¦ ¦специально разработанные на полный заряд или ¦8505 90 200 0 ¦ ¦ ¦разряд менее чем за 1 с, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих обмоток ¦ ¦ ¦ ¦более 250 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т ¦ ¦ ¦ ¦или суммарную плотность тока в обмотке более ¦ ¦ ¦ ¦300 А/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящим электромагнитам или ¦ ¦ ¦ ¦соленоидам, специально разработанным для ¦ ¦ ¦ ¦медицинской аппаратуры отображения ¦ ¦ ¦ ¦магнитного резонанса (аппаратуры ¦ ¦ ¦ ¦магниторезонансной томографии) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.4. ¦Солнечные элементы, сборки электрически ¦8541 40 900 ¦ ¦ ¦соединенных элементов под защитным стеклом, ¦ ¦ ¦ ¦солнечные панели и солнечные батареи, ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦минимальное значение среднего КПД элементов ¦ ¦ ¦ ¦более 20% при рабочей температуре 301 К (28 ¦ ¦ ¦ ¦°C) под освещением с поверхностной ¦ ¦ ¦ ¦плотностью потока излучения 1367 Вт/кв.м при ¦ ¦ ¦ ¦имитации условий нулевой воздушной массы ¦ ¦ ¦ ¦(АМО) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦АМО (нулевая воздушная масса) определяется ¦ ¦ ¦ ¦спектральной плотностью потока солнечного ¦ ¦ ¦ ¦света за пределами атмосферы при расстоянии ¦ ¦ ¦ ¦между Землей и Солнцем, равном одной ¦ ¦ ¦ ¦астрономической единице (АЕ) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.6. ¦Преобразователи абсолютного углового ¦9031 80 320 0;¦ ¦ ¦положения вала, имеющие точность на входе в ¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦код, равную +/-1,0 угловая секунда или ¦ ¦ ¦ ¦меньше (лучше) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.7. ¦Твердотельные импульсные силовые ¦8536 50 030 0;¦ ¦ ¦коммутационные тиристорные устройства и ¦8536 50 800 0;¦ ¦ ¦тиристорные модули, использующие методы ¦8541 30 000 9 ¦ ¦ ¦электрического, оптического или электронно- ¦ ¦ ¦ ¦эмиссионного управления переключением, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс ¦ ¦ ¦ ¦и напряжение в закрытом состоянии более 1100 ¦ ¦ ¦ ¦В; или ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и ¦ ¦ ¦ ¦все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦импульсное напряжение в закрытом состоянии, ¦ ¦ ¦ ¦равное 3000 В или более; и ¦ ¦ ¦ ¦максимальный ток в импульсе (ударный ток) ¦ ¦ ¦ ¦более 3000 А ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.7 включает: ¦ ¦ ¦ ¦кремниевые триодные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦электрические триггерные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦световые триггерные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦коммутационные тиристоры с интегральными ¦ ¦ ¦ ¦вентилями; ¦ ¦ ¦ ¦вентильные запираемые тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦управляемые тиристоры на МОП-структуре ¦ ¦ ¦ ¦(структуре металл - оксид - полупроводник); ¦ ¦ ¦ ¦солидтроны. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦тиристорным устройствам и тиристорным ¦ ¦ ¦ ¦модулям, включенным в состав аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной для применения на ¦ ¦ ¦ ¦железнодорожном транспорте или в гражданских ¦ ¦ ¦ ¦летательных аппаратах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль ¦ ¦ ¦ ¦содержит одно или несколько тиристорных ¦ ¦ ¦ ¦устройств ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.8. ¦Твердотельные силовые полупроводниковые ¦8504 40 820 8;¦ ¦ ¦переключатели, диоды или модули, имеющие все ¦8536 50 030 0;¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦8536 50 050 0;¦ ¦ ¦а) рассчитанные для максимальной рабочей ¦8536 50 800 0;¦ ¦ ¦температуры ¦8541 10 000 9;¦ ¦ ¦p-n-перехода выше 488 К (215 °C); ¦8541 21 000 0;¦ ¦ ¦б) повторяющееся импульсное напряжение в ¦8541 29 000 0;¦ ¦ ¦закрытом состоянии (блокирующее напряжение), ¦8541 30 000 9;¦ ¦ ¦превышающее 300 В; и ¦8541 50 000 0 ¦ ¦ ¦в) постоянный ток более 1 А ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Повторяющееся импульсное напряжение в ¦ ¦ ¦ ¦закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает ¦ ¦ ¦ ¦напряжение сток - исток, выходное остаточное ¦ ¦ ¦ ¦напряжение, повторяющееся импульсное ¦ ¦ ¦ ¦обратное напряжение и блокирующее импульсное ¦ ¦ ¦ ¦напряжение в закрытом состоянии. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.1.8 включает: ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦p-n-переходом (JFET); ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые транзисторы с вертикальным ¦ ¦ ¦ ¦p-n-переходом (VJFET); ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые униполярные транзисторы на ¦ ¦ ¦ ¦МОП-структуре (структуре металл - оксид - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник) (MOSFET); ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые двойные диффузные металл- ¦ ¦ ¦ ¦оксид полупроводниковые транзисторы ¦ ¦ ¦ ¦(DMOSFET); ¦ ¦ ¦ ¦трехфазные тяговые преобразователи на ¦ ¦ ¦ ¦транзисторных ключах (IGBN); ¦ ¦ ¦ ¦транзисторы с высокой подвижностью ¦ ¦ ¦ ¦электронов (ВПЭ-транзисторы) (НМЕТ); ¦ ¦ ¦ ¦биполярные плоскостные транзисторы (BJT); ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры и управляемые кремниевые ¦ ¦ ¦ ¦выпрямители (диоды) (SCR); ¦ ¦ ¦ ¦высоковольтные полупроводниковые запираемые ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры (GTO); ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры с эмиттерами включения (ETO); ¦ ¦ ¦ ¦регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды); ¦ ¦ ¦ ¦диоды Шоттки. ¦ ¦ ¦ ¦3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦переключателям, диодам или модулям, ¦ ¦ ¦ ¦включенным в состав аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной для применения на ¦ ¦ ¦ ¦железнодорожном транспорте, в гражданских ¦ ¦ ¦ ¦автомобилях или в гражданских летательных ¦ ¦ ¦ ¦аппаратах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит ¦ ¦ ¦ ¦один или несколько твердотельных силовых ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых переключателей или диодов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения и принадлежности для нее: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанная измерительная магнитная лента ¦ ¦ ¦ ¦для нее: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.1. ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8519 81 750 1;¦ ¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, включая ¦8519 81 850; ¦ ¦ ¦аппаратуру с возможностью записи цифровых ¦8519 81 950 0;¦ ¦ ¦сигналов (например, использующие модуль ¦8519 89 900 0;¦ ¦ ¦цифровой записи высокой плотности), имеющие ¦8521 10 200 0;¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8521 10 950 0 ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку, при ¦ ¦ ¦ ¦количестве дорожек более 42; или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦ ¦ ¦временной шкалы, измеренную по методикам ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих руководящих материалов ¦ ¦ ¦ ¦Межведомственного совета по ¦ ¦ ¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации ¦ ¦ ¦ ¦электронной промышленности (EIA), менее ¦ ¦ ¦ ¦+/-0,1 мкс ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ¦ ¦ ¦ ¦ленте, специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданского применения, не рассматриваются ¦ ¦ ¦ ¦как записывающие устройства, использующие ¦ ¦ ¦ ¦ленту ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ¦8521 10; ¦ ¦ ¦ленте, имеющие максимальную пропускную ¦8521 90 000 9 ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса более 360 ¦ ¦ ¦ ¦Мбит/с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
