|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 06.06.2012 № 6/15 "О внесении изменений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. № 15/137"< Главная страница Стр. 12Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | ¦ ¦позиционирования со всеми доступными ¦ ¦
¦ ¦компенсациями, равную 3,6 мкм или ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ISO 230/2 ¦ ¦
¦ ¦(1997) или его национальным ¦ ¦
¦ ¦эквивалентом; или ¦ ¦
¦ ¦3) для координатно-расточных станков ¦ ¦
¦ ¦точность позиционирования вдоль любой ¦ ¦
¦ ¦линейной оси со всеми доступными ¦ ¦
¦ ¦компенсациями, равную 3 мкм или менее ¦ ¦
¦ ¦(лучше) в соответствии с международным ¦ ¦
¦ ¦стандартом ISO 230/2 (1997) или его ¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Станок, имеющий возможности токарной ¦ ¦
¦ ¦обработки или фрезерования (например, ¦ ¦
¦ ¦токарный станок с возможностью ¦ ¦
¦ ¦фрезерования), должен быть оценен по ¦ ¦
¦ ¦каждому соответствующему подпункту "а" ¦ ¦
¦ ¦или "б" пункта 2.4.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в) станков для электроискровой ¦ ¦
¦ ¦обработки (СЭО) беспроволочного типа, ¦ ¦
¦ ¦имеющих две или более оси вращения, ¦ ¦
¦ ¦которые могут быть совместно ¦ ¦
¦ ¦скоординированы для контурного ¦ ¦
¦ ¦управления; ¦ ¦
¦ ¦г) сверлильных станков для сверления ¦ ¦
¦ ¦глубоких отверстий или токарных ¦ ¦
¦ ¦станков, модифицированных для ¦ ¦
¦ ¦сверления глубоких отверстий, ¦ ¦
¦ ¦обеспечивающих максимальную глубину ¦ ¦
¦ ¦сверления отверстий 5000 мм или более, ¦ ¦
¦ ¦и специально разработанных для них ¦ ¦
¦ ¦компонентов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Подпункты "а" - "г" пункта 2.4.1 ¦ ¦
¦ ¦применяются к определенным в них ¦ ¦
¦ ¦станкам и любым их сочетаниям для ¦ ¦
¦ ¦обработки или резки металлов, керамики ¦ ¦
¦ ¦и композиционных материалов, которые в ¦ ¦
¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦
¦ ¦изготовителя могут быть оснащены ¦ ¦
¦ ¦электронными устройствами для ¦ ¦
¦ ¦числового программного управления, а ¦ ¦
¦ ¦также к специально разработанным для ¦ ¦
¦ ¦них компонентам. ¦ ¦
¦ ¦2. Подпункты "а" - "г" пункта 2.4.1 не ¦ ¦
¦ ¦применяются к станкам, ограниченным ¦ ¦
¦ ¦изготовлением любых из следующих ¦ ¦
¦ ¦деталей: ¦ ¦
¦ ¦а) коленчатых или распределительных ¦ ¦
¦ ¦валов; ¦ ¦
¦ ¦б) режущих инструментов; ¦ ¦
¦ ¦в) червяков экструдеров; ¦ ¦
¦ ¦г) гравированных или ограненных частей ¦ ¦
¦ ¦ювелирных изделий; ¦ ¦
¦ ¦д) зубчатых колес (для таких станков ¦ ¦
¦ ¦см. подпункт "д" пункта 2.4.1). ¦ ¦
¦ ¦3. Подпункты "а" - "г" пункта 2.4.1 не ¦ ¦
¦ ¦применяются к станкам чистовой ¦ ¦
¦ ¦обработки (финишным станкам) оптики, ¦ ¦
¦ ¦определенным в пункте 2.2.2 раздела 1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦д) станков с числовым программным ¦ ¦
¦ ¦управлением или станков с ручным ¦ ¦
¦ ¦управлением и специально ¦ ¦
¦ ¦предназначенных для них компонентов, ¦ ¦
¦ ¦оборудования для контроля и ¦ ¦
¦ ¦приспособлений, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанных для шевингования, ¦ ¦
¦ ¦финишной обработки, шлифования или ¦ ¦
¦ ¦хонингования закаленных (R = 40 или ¦ ¦
¦ ¦ c ¦ ¦
¦ ¦более) прямозубых цилиндрических, ¦ ¦
¦ ¦косозубых и шевронных шестерен ¦ ¦
¦ ¦диаметром делительной окружности более ¦ ¦
¦ ¦1250 мм и шириной зубчатого венца, ¦ ¦
¦ ¦равной 15% от диаметра делительной ¦ ¦
¦ ¦окружности или более, с качеством ¦ ¦
¦ ¦после финишной обработки по классу 3 в ¦ ¦
¦ ¦соответствии с международным ¦ ¦
¦ ¦стандартом ISO 1328 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 2.4.1 описание, ¦ ¦
¦ ¦определение и применение осей станков, ¦ ¦
¦ ¦а также определение показателя ¦ ¦
¦ ¦точности станков см. в технических ¦ ¦
¦ ¦примечаниях к пункту 2.2 раздела 1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 2.5. ¦Технология ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 2.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦
¦ ¦разработки программного обеспечения, ¦ ¦
¦ ¦определенного в пункте 2.4, или ¦ ¦
¦ ¦разработки либо производства ¦ ¦
¦ ¦следующего оборудования: ¦ ¦
¦ ¦а) токарных станков, имеющих все ¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦точность позиционирования вдоль любой ¦ ¦
¦ ¦линейной оси со всеми доступными ¦ ¦
¦ ¦компенсациями, равную 3,6 мкм или ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ISO 230/2 ¦ ¦
¦ ¦(1997) или его национальным ¦ ¦
¦ ¦эквивалентом; и ¦ ¦
¦ ¦две или более оси, которые могут быть ¦ ¦
¦ ¦совместно скоординированы для ¦ ¦
¦ ¦контурного управления ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Подпункт "а" пункта 2.5.1 не ¦ ¦
¦ ¦применяется к токарным станкам, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанным для ¦ ¦
¦ ¦производства контактных линз, имеющим ¦ ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) контроллер станка, ограниченный для ¦ ¦
¦ ¦применения в офтальмологических целях ¦ ¦
¦ ¦и основанный на программном ¦ ¦
¦ ¦обеспечении для частичного ¦ ¦
¦ ¦программируемого ввода данных; и ¦ ¦
¦ ¦б) отсутствие вакуумного патрона; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦б) фрезерных станков, имеющих любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) имеющих все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦точность позиционирования вдоль любой ¦ ¦
¦ ¦линейной оси со всеми доступными ¦ ¦
¦ ¦компенсациями, равную 3,6 мкм или ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ISO 230/2 ¦ ¦
¦ ¦(1997) или его национальным ¦ ¦
¦ ¦эквивалентом; и ¦ ¦
¦ ¦три линейные оси плюс одну ось ¦ ¦
¦ ¦вращения, которые могут быть совместно ¦ ¦
¦ ¦скоординированы для контурного ¦ ¦
¦ ¦управления; ¦ ¦
¦ ¦2) пять или более осей, которые могут ¦ ¦
¦ ¦быть совместно скоординированы вдоль ¦ ¦
¦ ¦любой линейной оси для контурного ¦ ¦
¦ ¦управления и имеющие точность ¦ ¦
¦ ¦позиционирования со всеми доступными ¦ ¦
¦ ¦компенсациями, равную 3,6 мкм или ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ISO 230/2 ¦ ¦
¦ ¦(1997) или его национальным ¦ ¦
¦ ¦эквивалентом; или ¦ ¦
¦ ¦3) для координатно-расточных станков ¦ ¦
¦ ¦точность позиционирования вдоль любой ¦ ¦
¦ ¦линейной оси со всеми доступными ¦ ¦
¦ ¦компенсациями, равную 3 мкм или менее ¦ ¦
¦ ¦(лучше) в соответствии с международным ¦ ¦
¦ ¦стандартом ISO 230/2 (1997) или его ¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Станок, имеющий возможности токарной ¦ ¦
¦ ¦обработки или фрезерования (например, ¦ ¦
¦ ¦токарный станок с возможностью ¦ ¦
¦ ¦фрезерования), должен быть оценен по ¦ ¦
¦ ¦каждому соответствующему подпункту "а" ¦ ¦
¦ ¦или "б" пункта 2.5.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в) станков для электроискровой ¦ ¦
¦ ¦обработки (СЭО) беспроволочного типа, ¦ ¦
¦ ¦имеющих две или более оси вращения, ¦ ¦
¦ ¦которые могут быть совместно ¦ ¦
¦ ¦скоординированы для контурного ¦ ¦
¦ ¦управления; ¦ ¦
¦ ¦г) сверлильных станков для сверления ¦ ¦
¦ ¦глубоких отверстий или токарных ¦ ¦
¦ ¦станков, модифицированных для ¦ ¦
¦ ¦сверления глубоких отверстий, ¦ ¦
¦ ¦обеспечивающих максимальную глубину ¦ ¦
¦ ¦сверления отверстий 5000 мм или более, ¦ ¦
¦ ¦и специально разработанных для них ¦ ¦
¦ ¦компонентов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Подпункты "а" - "г" пункта 2.5.1 ¦ ¦
¦ ¦применяются к определенным в них ¦ ¦
¦ ¦станкам и любым их сочетаниям для ¦ ¦
¦ ¦обработки или резки металлов, керамики ¦ ¦
¦ ¦и композиционных материалов, которые в ¦ ¦
¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦
¦ ¦изготовителя могут быть оснащены ¦ ¦
¦ ¦электронными устройствами для ¦ ¦
¦ ¦числового программного управления, а ¦ ¦
¦ ¦также к специально разработанным для ¦ ¦
¦ ¦них компонентам. ¦ ¦
¦ ¦2. Подпункты "а" - "г" пункта 2.5.1 не ¦ ¦
¦ ¦применяются к станкам специального ¦ ¦
¦ ¦назначения, ограниченным изготовлением ¦ ¦
¦ ¦любых из следующих деталей: ¦ ¦
¦ ¦а) коленчатых или распределительных ¦ ¦
¦ ¦валов; ¦ ¦
¦ ¦б) режущих инструментов; ¦ ¦
¦ ¦в) червяков экструдеров; ¦ ¦
¦ ¦г) гравированных или ограненных частей ¦ ¦
¦ ¦ювелирных изделий; ¦ ¦
¦ ¦д) зубчатых колес (для таких станков ¦ ¦
¦ ¦см. подпункт "д" пункта 2.5.1). ¦ ¦
¦ ¦3. Подпункты "а" - "г" пункта 2.5.1 не ¦ ¦
¦ ¦применяются к станкам чистовой ¦ ¦
¦ ¦обработки (финишным станкам) оптики, ¦ ¦
¦ ¦определенным в пункте 2.2.2 раздела 1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦д) станков с числовым программным ¦ ¦
¦ ¦управлением или станков с ручным ¦ ¦
¦ ¦управлением и специально ¦ ¦
¦ ¦предназначенных для них компонентов, ¦ ¦
¦ ¦оборудования для контроля и ¦ ¦
¦ ¦приспособлений, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанных для шевингования, ¦ ¦
¦ ¦финишной обработки, шлифования или ¦ ¦
¦ ¦хонингования закаленных (R = 40 или ¦ ¦
¦ ¦ c ¦ ¦
¦ ¦более) прямозубых цилиндрических, ¦ ¦
¦ ¦косозубых и шевронных шестерен ¦ ¦
¦ ¦диаметром делительной окружности более ¦ ¦
¦ ¦1250 мм и шириной зубчатого венца, ¦ ¦
¦ ¦равной 15% от диаметра делительной ¦ ¦
¦ ¦окружности или более, с качеством ¦ ¦
¦ ¦после финишной обработки по классу 3 в ¦ ¦
¦ ¦соответствии с международным ¦ ¦
¦ ¦стандартом ISO 1328 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 2.5.1 описание, ¦ ¦
¦ ¦определение и применение осей станков, ¦ ¦
¦ ¦а также определение показателя ¦ ¦
¦ ¦точности станков см. в технических ¦ ¦
¦ ¦примечаниях к пункту 2.2 раздела 1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.1.1. ¦Атомные эталоны частоты, пригодные для ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦применения в космосе ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.2.1. ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦
¦ ¦осаждения из паровой фазы ¦ ¦
¦ ¦металлоорганических соединений, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦выращивания кристаллов ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых соединений с ¦ ¦
¦ ¦использованием материалов, ¦ ¦
¦ ¦определенных в пункте 3.3.3 или 3.3.4 ¦ ¦
¦ ¦раздела 1, в качестве исходных ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦
¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦
¦ ¦определенного в пункте 3.1 или 3.2 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.5. ¦Технология ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 3.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦
¦ ¦разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦оборудования, определенного ¦ ¦
¦ ¦в пункте 3.1 или 3.2 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.1.1. ¦ЭВМ и сопутствующее оборудование, ¦8471 ¦
¦ ¦специально разработанные как ¦ ¦
¦ ¦радиационно стойкие при превышении ¦ ¦
¦ ¦любого из определенных ниже ¦ ¦
¦ ¦требований, а также электронные сборки ¦ ¦
¦ ¦и специально разработанные компоненты ¦ ¦
¦ ¦для них: ¦ ¦
¦ ¦ 3 ¦ ¦
¦ ¦а) общей дозы 5 x 10 Гр (по ¦ ¦
¦ ¦ 5 ¦ ¦
¦ ¦кремнию) [5 x 10 рад]; ¦ ¦
¦ ¦ 6 ¦ ¦
¦ ¦б) мощности дозы 5 x 10 Гр (по ¦ ¦
¦ ¦ 8 ¦ ¦
¦ ¦кремнию)/с [5 x 10 рад/с]; или ¦ ¦
¦ ¦ -8 ¦ ¦
¦ ¦в) сбоя от однократного события 10 ¦ ¦
¦ ¦ошибок/бит/день ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 4.1.1 не применяется к ЭВМ, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанным для ¦ ¦
¦ ¦гражданских летательных аппаратов ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование - нет ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦
¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦
¦ ¦определенного в пункте 4.1, или для ¦ ¦
¦ ¦разработки или производства цифровых ¦ ¦
¦ ¦ЭВМ, имеющих приведенную пиковую ¦ ¦
¦ ¦производительность (ППП), превышающую ¦ ¦
¦ ¦0,5 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.5. ¦Технология ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 4.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦
¦ ¦разработки или производства следующего ¦ ¦
¦ ¦оборудования или программного ¦ ¦
¦ ¦обеспечения: ¦ ¦
¦ ¦а) оборудования, определенного в ¦ ¦
¦ ¦пункте 4.1; ¦ ¦
¦ ¦б) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную ¦ ¦
¦ ¦пиковую производительность (ППП), ¦ ¦
¦ ¦превышающую 0,5 взвешенных ТераФЛОПС ¦ ¦
¦ ¦(ВТ); или ¦ ¦
¦ ¦в) программного обеспечения, ¦ ¦
¦ ¦определенного в пункте 4.4 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В отношении определения ППП для ¦ ¦
¦ ¦цифровых ЭВМ, указанных в пунктах ¦ ¦
¦ ¦4.4.1 и 4.5.1, пользоваться ¦ ¦
¦ ¦техническим примечанием к категории 4 ¦ ¦
¦ ¦раздела 1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ КАТЕГОРИЯ 5. ¦
¦ Часть 1. Телекоммуникации ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.1.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦(телекоммуникационные системы, ¦ ¦
¦ ¦оборудование (аппаратура), компоненты ¦ ¦
¦ ¦и принадлежности, определенные ниже) ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.1.1.1. ¦Телекоммуникационные системы и ¦ ¦
¦ ¦оборудование, а также специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для них компоненты и ¦ ¦
¦ ¦принадлежности, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик, функций или ¦ ¦
¦ ¦возможностей: ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.1.1.1.1. ¦Являющиеся радиоаппаратурой, ¦8517 12 000 0; ¦
¦ ¦использующей методы расширения ¦8517 61 000 2; ¦
¦ ¦спектра, включая метод скачкообразной ¦8517 61 000 8; ¦
¦ ¦перестройки частоты, не определенной в ¦8525 60 000 0 ¦
¦ ¦пункте 5.1.1.2.4 раздела 1, имеющей ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) коды расширения, программируемые ¦ ¦
¦ ¦пользователем; или ¦ ¦
¦ ¦б) общую ширину передаваемой полосы ¦ ¦
¦ ¦частот выше 50 кГц, при этом она в 100 ¦ ¦
¦ ¦или более раз превышает ширину полосы ¦ ¦
¦ ¦частот любого единичного ¦ ¦
¦ ¦информационного канала; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Подпункт "б" пункта 5.1.1.1.1 не ¦ ¦
¦ ¦применяется к радиоаппаратуре, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанной для ¦ ¦
¦ ¦использования с гражданскими системами ¦ ¦
¦ ¦сотовой радиосвязи. ¦ ¦
¦ ¦2. Пункт 5.1.1.1.1 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦аппаратуре, разработанной для ¦ ¦
¦ ¦эксплуатации с выходной мощностью 1,0 ¦ ¦
¦ ¦Вт или менее ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.1.1.1.2. ¦Являющиеся радиоприемными устройствами ¦8527 ¦
¦ ¦с цифровым управлением, имеющими все ¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) более 1000 каналов; ¦ ¦
¦ ¦б) время переключения частоты менее 1 ¦ ¦
¦ ¦мс; ¦ ¦
¦ ¦в) автоматический поиск или ¦ ¦
¦ ¦сканирование в части спектра ¦ ¦
¦ ¦электромагнитных волн; и ¦ ¦
¦ ¦г) возможность идентификации принятого ¦ ¦
¦ ¦сигнала или типа передатчика ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 5.1.1.1.2 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦устройствам, специально разработанным ¦ ¦
¦ ¦для использования с гражданскими ¦ ¦
¦ ¦системами сотовой радиосвязи ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.1.1.2. ¦Радиочастотное (RF) передающее ¦8517 62 000 9; ¦
¦ ¦оборудование, разработанное или ¦8517 69 900 0; ¦
¦ ¦модифицированное для преждевременного ¦8526 10 000 9 ¦
¦ ¦приведения в действие самодельных ¦ ¦
¦ ¦взрывных устройств или предотвращения ¦ ¦
¦ ¦их инициирования ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.2.1. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
¦ ¦(телекоммуникационное испытательное, ¦ ¦
¦ ¦контрольное и производственное ¦ ¦
¦ ¦оборудование (аппаратура), компоненты ¦ ¦
¦ ¦и принадлежности, определенные ниже) ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.2.1.1. ¦Оборудование и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные компоненты или ¦ ¦
¦ ¦принадлежности для него, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для разработки, ¦ ¦
¦ ¦производства или применения ¦ ¦
¦ ¦оборудования, функций или ¦ ¦
¦ ¦возможностей, определенных в пункте ¦ ¦
¦ ¦5.1.1 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 5.2.1.1 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦оборудованию определения параметров ¦ ¦
¦ ¦оптического волокна ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.3.1. ¦Материалы - нет ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.4.1. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.4.1.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦
¦ ¦производства оборудования, функций или ¦ ¦
¦ ¦возможностей, определенных в пункте ¦ ¦
¦ ¦5.1.1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.4.1.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦
¦ ¦обслуживания технологий, определенных ¦ ¦
¦ ¦в пункте 5.5.1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.5.1. ¦Технология ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 5.5.1.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦
¦ ¦разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦оборудования, функций или ¦ ¦
¦ ¦возможностей, определенных в пункте ¦ ¦
¦ ¦5.1.1, или программного обеспечения, ¦ ¦
¦ ¦определенного в пункте 5.4.1.1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ Часть 2. Защита информации - нет ¦
+-------------------------------------------------------------------------+
¦ КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1. ¦Акустика (акустические системы, ¦ ¦
¦ ¦оборудование (аппаратура) и ¦ ¦
¦ ¦компоненты, определенные ниже) ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1. ¦Морские акустические системы, ¦ ¦
¦ ¦оборудование и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.1. ¦Активные (передающие или приемо- ¦ ¦
¦ ¦передающие) системы, оборудование и ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные компоненты ¦ ¦
¦ ¦для них: ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.1.1. ¦Системы обнаружения или определения ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦местоположения, имеющие любую из ¦9015 80 910 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) частоту передачи ниже 5 кГц или ¦ ¦
¦ ¦уровень звукового давления выше 224 дБ ¦ ¦
¦ ¦(опорного давления 1 мкПа на 1 м) для ¦ ¦
¦ ¦оборудования с рабочей частотой в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне от 5 кГц до 10 кГц; ¦ ¦
¦ ¦б) уровень звукового давления выше 224 ¦ ¦
¦ ¦дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) ¦ ¦
¦ ¦для оборудования с рабочей частотой в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне от 10 кГц до 24 кГц ¦ ¦
¦ ¦включительно; ¦ ¦
¦ ¦в) уровень звукового давления выше 235 ¦ ¦
¦ ¦дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) ¦ ¦
¦ ¦для оборудования с рабочей частотой в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне между 24 кГц и 30 кГц; ¦ ¦
¦ ¦г) формирование лучей уже 1 градуса по ¦ ¦
¦ ¦любой оси и рабочую частоту ниже 100 ¦ ¦
¦ ¦кГц; ¦ ¦
¦ ¦д) разработанные для эксплуатации с ¦ ¦
¦ ¦дальностью абсолютно надежного ¦ ¦
¦ ¦обнаружения целей на дисплее более ¦ ¦
¦ ¦5120 м; или ¦ ¦
¦ ¦е) разработанные для выдерживания ¦ ¦
¦ ¦давления при нормальной эксплуатации ¦ ¦
¦ ¦на глубинах, превышающих 1000 м, и ¦ ¦
¦ ¦имеющие преобразователи с любым из ¦ ¦
¦ ¦следующего: ¦ ¦
¦ ¦динамической компенсацией давления; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦содержащие преобразующие элементы, ¦ ¦
¦ ¦изготовленные не из титаната-цирконата ¦ ¦
¦ ¦свинца ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.1.2. ¦Активные индивидуальные ¦8907 90 000 0; ¦
¦ ¦гидролокационные системы, специально ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦разработанные или модифицированные для ¦9015 80 110 0; ¦
¦ ¦невоенного применения в целях ¦9015 80 910 0; ¦
¦ ¦обнаружения, определения ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦местоположения и автоматической ¦ ¦
¦ ¦классификации пловцов или водолазов ¦ ¦
¦ ¦(аквалангистов) и имеющие все ¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) дальность обнаружения более 530 м; ¦ ¦
¦ ¦б) среднеквадратичное значение ¦ ¦
¦ ¦точности определения положения меньше ¦ ¦
¦ ¦(лучше) 15 м, измеренной на расстоянии ¦ ¦
¦ ¦530 м; и ¦ ¦
¦ ¦в) полосу пропускания передаваемого ¦ ¦
¦ ¦импульсного сигнала более 3 кГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 6.1.1.1.1.2 при ¦ ¦
¦ ¦разнообразных дальностях обнаружений, ¦ ¦
¦ ¦определенных для различных внешних ¦ ¦
¦ ¦условий, используется наибольшая ¦ ¦
¦ ¦дальность обнаружения ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.1.1.1 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующему оборудованию: ¦ ¦
¦ ¦а) эхолотам, работающим вертикально, ¦ ¦
¦ ¦не включающим функцию сканирования в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне более +/-20 градусов и ¦ ¦
¦ ¦ограниченным измерением глубины воды, ¦ ¦
¦ ¦расстояния до погруженных в нее или ¦ ¦
¦ ¦затопленных объектов или промысловой ¦ ¦
¦ ¦разведкой; ¦ ¦
¦ ¦б) следующим акустическим буям: ¦ ¦
¦ ¦аварийным акустическим маякам; ¦ ¦
¦ ¦акустическим буям с дистанционным ¦ ¦
¦ ¦управлением, специально разработанным ¦ ¦
¦ ¦для перемещения или возвращения в ¦ ¦
¦ ¦подводное положение ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2. ¦Пассивные системы, оборудование и ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦
¦ ¦компоненты: ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2.1. ¦Гидрофоны с любой из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) включающие непрерывные гибкие ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦чувствительные элементы; ¦9015 80 110 0; ¦
¦ ¦ ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦б) включающие гибкие сборки дискретных ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦чувствительных элементов с диаметром ¦9015 80 110 0; ¦
¦ ¦или длиной менее 20 мм и с расстоянием ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦между элементами менее 20 мм; ¦ ¦
¦ ¦в) имеющие любые из следующих ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦чувствительных элементов: ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦волоконно-оптические; ¦ ¦
¦ ¦пьезоэлектрические из полимерных ¦ ¦
¦ ¦пленок, отличные от ¦ ¦
¦ ¦поливинилиденфторида (PVDF) и его ¦ ¦
¦ ¦сополимеров {P(VDF-TrFE) и ¦ ¦
¦ ¦P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид- ¦ ¦
¦ ¦трифторэтилен) и поли(винилиденфторид- ¦ ¦
¦ ¦тетрафторэтилен)}); или ¦ ¦
¦ ¦гибкие пьезоэлектрические из ¦ ¦
¦ ¦композиционных материалов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Пьезоэлектрические чувствительные ¦ ¦
¦ ¦элементы из полимерной пленки состоят ¦ ¦
¦ ¦из поляризованной полимерной пленки, ¦ ¦
¦ ¦которая натянута на несущую ¦ ¦
¦ ¦конструкцию или катушку и прикреплена ¦ ¦
¦ ¦к ним. ¦ ¦
¦ ¦2. Гибкие пьезоэлектрические ¦ ¦
¦ ¦чувствительные элементы из ¦ ¦
¦ ¦композиционных материалов содержат ¦ ¦
¦ ¦пьезоэлектрические керамические ¦ ¦
¦ ¦частицы или волокна, объединенные ¦ ¦
¦ ¦между собой электроизоляционной ¦ ¦
¦ ¦акустически прозрачной резиной, ¦ ¦
¦ ¦полимерным или эпоксидным связующим, ¦ ¦
¦ ¦которые являются неотъемлемой частью ¦ ¦
¦ ¦чувствительных элементов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦г) разработанные для эксплуатации на ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м, с ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦компенсацией ускорения; или ¦ ¦
¦ ¦д) разработанные для эксплуатации на ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 1000 м ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Контрольный статус гидрофонов, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанных для другого ¦ ¦
¦ ¦оборудования, определяется контрольным ¦ ¦
¦ ¦статусом этого оборудования ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2.2. ¦Буксируемые акустические гидрофонные ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦решетки, имеющие любое из следующего: ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦ ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦а) гидрофонные группы, расположенные с ¦ ¦
¦ ¦шагом менее 12,5 м или имеющие ¦ ¦
¦ ¦возможность модификации для ¦ ¦
¦ ¦расположения гидрофонных групп с шагом ¦ ¦
¦ ¦менее 12,5 м; ¦ ¦
¦ ¦б) разработанные или имеющие ¦ ¦
¦ ¦возможность модификации для работы на ¦ ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Возможность модификации, указанная в ¦ ¦
¦ ¦подпунктах "а" и "б" пункта ¦ ¦
¦ ¦6.1.1.1.2.2, означает наличие резерва, ¦ ¦
¦ ¦позволяющего изменять схему соединений ¦ ¦
¦ ¦или внутренних связей для ¦ ¦
¦ ¦усовершенствования гидрофонной группы ¦ ¦
¦ ¦по ее размещению или изменению ¦ ¦
¦ ¦пределов рабочей глубины. ¦ ¦
¦ ¦Таким резервом является возможность ¦ ¦
¦ ¦монтажа: запасных проводников в ¦ ¦
¦ ¦количестве, превышающем 10% от числа ¦ ¦
¦ ¦рабочих проводников связи; блоков ¦ ¦
¦ ¦настройки конфигурации гидрофонной ¦ ¦
¦ ¦группы или внутренних устройств, ¦ ¦
¦ ¦ограничивающих глубину погружения, что ¦ ¦
¦ ¦обеспечивает регулировку или контроль ¦ ¦
¦ ¦более чем одной гидрофонной группы; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в) датчики направленного действия, ¦ ¦
¦ ¦определенные в пункте 6.1.1.1.2.4; ¦ ¦
¦ ¦г) продольно армированные рукава ¦ ¦
¦ ¦решетки; ¦ ¦
¦ ¦д) собранные решетки диаметром менее ¦ ¦
¦ ¦40 мм; или ¦ ¦
¦ ¦е) гидрофоны с характеристиками, ¦ ¦
¦ ¦определенными в пункте 6.1.1.1.2.1 ¦ ¦
¦ ¦раздела 1 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2.3. ¦Аппаратура обработки данных в реальном ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦масштабе времени, специально ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦разработанная для применения в ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦буксируемых акустических гидрофонных ¦ ¦
¦ ¦решетках, обладающая ¦ ¦
¦ ¦программируемостью пользователем, ¦ ¦
¦ ¦обработкой во временной или частотной ¦ ¦
¦ ¦области и корреляцией, включая ¦ ¦
¦ ¦спектральный анализ, цифровую ¦ ¦
¦ ¦фильтрацию и формирование луча, с ¦ ¦
¦ ¦использованием быстрого преобразования ¦ ¦
¦ ¦Фурье или других преобразований или ¦ ¦
¦ ¦процессов ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2.4. ¦Датчики направленного действия, ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦9014 90 000 0; ¦
¦ ¦а) точность лучше +/-0,5 градуса; и ¦9015 80 110 0; ¦
¦ ¦б) разработанные для работы на ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м, либо ¦ ¦
¦ ¦имеющие регулируемое или сменное ¦ ¦
¦ ¦чувствительное устройство измерения ¦ ¦
¦ ¦глубины, разработанное для работы на ¦ ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2.5. ¦Донные или погруженные кабельные ¦8907 90 000 0; ¦
¦ ¦системы, имеющие любую из следующих ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦составляющих: ¦9014 90 000 0; ¦
¦ ¦а) объединяющие гидрофоны, ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦определенные в пункте 6.1.1.1.2.1 ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦раздела 1; или ¦ ¦
¦ ¦б) объединяющие сигнальные модули ¦ ¦
¦ ¦многоэлементной гидрофонной группы, ¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦разработанные для работы на глубинах, ¦ ¦
¦ ¦превышающих 35 м, либо обладающие ¦ ¦
¦ ¦регулируемым или сменным ¦ ¦
¦ ¦чувствительным устройством измерения ¦ ¦
¦ ¦глубины для работы на глубинах, ¦ ¦
¦ ¦превышающих 35 м; и ¦ ¦
¦ ¦обладающие возможностью оперативного ¦ ¦
¦ ¦взаимодействия с модулями буксируемых ¦ ¦
¦ ¦акустических гидрофонных решеток ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.1.1.2.6. ¦Аппаратура обработки данных в реальном ¦8907 90 000 0; ¦
¦ ¦масштабе времени, специально ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦разработанная для донных или ¦9014 90 000 0; ¦
¦ ¦погруженных кабельных систем, ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦обладающая программируемостью ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦пользователем, обработкой во временной ¦ ¦
¦ ¦или частотной области и корреляцией, ¦ ¦
¦ ¦включая спектральный анализ, цифровую ¦ ¦
¦ ¦фильтрацию и формирование луча, с ¦ ¦
¦ ¦использованием быстрого преобразования ¦ ¦
¦ ¦Фурье или других преобразований либо ¦ ¦
¦ ¦процессов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.1.1.2 также применяется к ¦ ¦
¦ ¦приемному оборудованию и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанным для него компонентам, ¦ ¦
¦ ¦независимо от того, относится ли оно ¦ ¦
¦ ¦при штатном применении к ¦ ¦
¦ ¦самостоятельному активному ¦ ¦
¦ ¦оборудованию или нет ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2. ¦Оптические датчики или приборы ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1. ¦Приемники оптического излучения: ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.1. ¦Следующие твердотельные приемники ¦ ¦
¦ ¦оптического излучения, пригодные для ¦ ¦
¦ ¦применения в космосе: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 6.1.2.1.1 ¦ ¦
¦ ¦твердотельные приемники оптического ¦ ¦
¦ ¦излучения включают фокальные матричные ¦ ¦
¦ ¦приемники ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.1.1. ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦излучения, имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 10 нм до 300 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) чувствительность менее 0,1% ¦ ¦
¦ ¦относительно максимального значения ¦ ¦
¦ ¦для длин волн, превышающих 400 нм ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.1.2. ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦излучения, имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 900 нм до 1200 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) постоянную времени отклика ¦ ¦
¦ ¦приемника 95 нс или менее ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.1.3. ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦излучения, имеющие максимум ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1200 нм до ¦ ¦
¦ ¦30000 нм ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.1.4. ¦Фокальные матричные приемники, ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦пригодные для применения в космосе, ¦ ¦
¦ ¦имеющие в матрице более 2048 элементов ¦ ¦
¦ ¦и максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 300 нм до 900 нм ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.2. ¦Следующие электронно-оптические ¦ ¦
¦ ¦преобразователи (ЭОП): ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без ¦ ¦
¦ ¦формирования изображений, имеющим ¦ ¦
¦ ¦электронно-чувствительное устройство в ¦ ¦
¦ ¦вакууме, ограниченным исключительно ¦ ¦
¦ ¦любым из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) единственным металлическим анодом; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) металлическими анодами с ¦ ¦
¦ ¦межцентровым расстоянием более 500 мкм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦"Зарядовое умножение" является формой ¦ ¦
¦ ¦электронного усиления изображения и ¦ ¦
¦ ¦характеризуется созданием носителей ¦ ¦
¦ ¦зарядов в результате процесса ударной ¦ ¦
¦ ¦ионизации. Приемниками оптического ¦ ¦
¦ ¦излучения с зарядовым умножением могут ¦ ¦
¦ ¦быть электронно-оптические ¦ ¦
¦ ¦преобразователи, твердотельные ¦ ¦
¦ ¦приемники оптического излучения или ¦ ¦
¦ ¦фокальные матричные приемники ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.2.1. ¦Электронно-оптические преобразователи, ¦8540 20 800 0 ¦
¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 400 нм до 1050 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) электронное усиление изображения, ¦ ¦
¦ ¦использующее любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦микроканальную пластину с расстоянием ¦ ¦
¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦
¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее; или ¦ ¦
¦ ¦электронный чувствительный элемент с ¦ ¦
¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦
¦ ¦или менее, специально разработанный ¦ ¦
¦ ¦или модифицированный для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦
¦ ¦микроканальной пластине; и ¦ ¦
¦ ¦в) любые из следующих фотокатодов: ¦ ¦
¦ ¦многощелочные фотокатоды (например, ¦ ¦
¦ ¦S-20, S-25) с интегральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью более 350 мкА/лм; ¦ ¦
¦ ¦GaAs или GaInAs фотокатоды; или ¦ ¦
¦ ¦другие полупроводниковые фотокатоды на ¦ ¦
¦ ¦основе соединений III - V с ¦ ¦
¦ ¦максимальной спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью более 10 мА/Вт ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.2.2. ¦Электронно-оптические преобразователи, ¦8540 20 800 0 ¦
¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 1050 нм до 1800 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) электронное усиление изображения, ¦ ¦
¦ ¦использующее любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦микроканальную пластину с расстоянием ¦ ¦
¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦
¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее; или ¦ ¦
¦ ¦электронный чувствительный элемент с ¦ ¦
¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦
¦ ¦или менее, специально разработанный ¦ ¦
¦ ¦или модифицированный для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦
¦ ¦микроканальной пластине; и ¦ ¦
¦ ¦в) полупроводниковые фотокатоды на ¦ ¦
¦ ¦основе соединений III - V (например, ¦ ¦
¦ ¦GaAs или GaInAs) и фотокатоды на ¦ ¦
¦ ¦эффекте переноса электронов с ¦ ¦
¦ ¦максимальной спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью более 15 мА/Вт ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3. ¦Следующие фокальные матричные ¦ ¦
¦ ¦приемники, непригодные для применения ¦ ¦
¦ ¦в космосе: ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Линейные или двухмерные ¦ ¦
¦ ¦многоэлементные матричные приемники ¦ ¦
¦ ¦оптического излучения называются ¦ ¦
¦ ¦фокальными матричными приемниками ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.1. ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 ¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦постоянную времени отклика приемника ¦ ¦
¦ ¦менее 0,5 нс; или ¦ ¦
¦ ¦являющиеся специально разработанными ¦ ¦
¦ ¦или модифицированными для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения и имеющие ¦ ¦
¦ ¦максимальную спектральную ¦ ¦
¦ ¦чувствительность, превышающую 10 мА/Вт ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.2. ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 ¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦постоянную времени отклика приемника ¦ ¦
¦ ¦95 нс или менее; или ¦ ¦
¦ ¦являющиеся специально разработанными ¦ ¦
¦ ¦или модифицированными для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения и имеющие ¦ ¦
¦ ¦максимальную спектральную ¦ ¦
¦ ¦чувствительность, превышающую 10 мА/Вт ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.3. ¦Нелинейные (двухмерные) фокальные ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦матричные приемники, имеющие отдельные ¦ ¦
¦ ¦элементы с максимумом спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 1200 нм до 30000 нм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Микроболометрические фокальные ¦ ¦
¦ ¦матричные приемники, непригодные для ¦ ¦
¦ ¦применения в космосе, на основе ¦ ¦
¦ ¦кремния и другого материала ¦ ¦
¦ ¦определяются только по пункту ¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.3.6 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.4. ¦Линейные (одномерные) фокальные ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦матричные приемники, имеющие все ¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000 ¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦отношение размера элемента приемника в ¦ ¦
¦ ¦направлении сканирования к размеру ¦ ¦
¦ ¦элемента приемника в направлении ¦ ¦
¦ ¦поперек сканирования менее 3,8; или ¦ ¦
¦ ¦обработку сигналов в элементе ¦ ¦
¦ ¦(SPRITE-структура) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей подпункта "б" пункта ¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.3.4 "направление поперек ¦ ¦
¦ ¦сканирования" определяется как ¦ ¦
¦ ¦направление вдоль оси, параллельной ¦ ¦
¦ ¦линейке элементов приемника, а ¦ ¦
¦ ¦"направление сканирования" ¦ ¦
¦ ¦определяется как направление вдоль ¦ ¦
¦ ¦оси, перпендикулярной линейке ¦ ¦
¦ ¦элементов приемника ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе германия, содержащим не более ¦ ¦
¦ ¦32 детекторных элементов ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.5. ¦Линейные (одномерные) фокальные ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦матричные приемники, имеющие отдельные ¦ ¦
¦ ¦элементы с максимумом спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 3000 нм до 30000 нм ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.6. ¦Нелинейные (двухмерные) инфракрасные ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦фокальные матричные приемники на ¦ ¦
¦ ¦основе микроболометрического ¦ ¦
¦ ¦материала, для отдельных элементов ¦ ¦
¦ ¦которых не применяется спектральная ¦ ¦
¦ ¦фильтрация чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 8000 нм до ¦ ¦
¦ ¦14000 нм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 6.1.2.1.3.6 ¦ ¦
¦ ¦микроболометр определяется как ¦ ¦
¦ ¦тепловой приемник инфракрасного ¦ ¦
¦ ¦излучения, у которого формирование ¦ ¦
¦ ¦соответствующего выходного сигнала ¦ ¦
¦ ¦происходит за счет изменения ¦ ¦
¦ ¦температуры приемника при поглощении ¦ ¦
¦ ¦инфракрасного излучения ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.1.3.7. ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы приемника с ¦ ¦
¦ ¦максимумом спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 400 нм до 900 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) являющиеся специально ¦ ¦
¦ ¦разработанными или модифицированными ¦ ¦
¦ ¦для достижения зарядового умножения и ¦ ¦
¦ ¦имеющие в спектральном диапазоне, ¦ ¦
¦ ¦превышающем 760 нм, максимальную ¦ ¦
¦ ¦спектральную чувствительность выше 10 ¦ ¦
¦ ¦мА/Вт; и ¦ ¦
¦ ¦в) более 32 элементов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.2.1.3.7 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующим фокальным матричным ¦ ¦
¦ ¦приемникам, специально разработанным ¦ ¦
¦ ¦или модифицированным для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения: ¦ ¦
¦ ¦а) линейным (одномерным), имеющим 4096 ¦ ¦
¦ ¦элементов или менее; ¦ ¦
¦ ¦б) нелинейным (двухмерным), имеющим в ¦ ¦
¦ ¦одном направлении максимум 4096 ¦ ¦
¦ ¦элементов при общем количестве ¦ ¦
¦ ¦элементов 250000 или менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Пункт 6.1.2.1.3 включает ¦ ¦
¦ ¦фоторезистивные и фотовольтаические ¦ ¦
¦ ¦матрицы. ¦ ¦
¦ ¦2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется: ¦ ¦
¦ ¦а) к многоэлементным приемникам (с ¦ ¦
¦ ¦числом элементов не более 16) с ¦ ¦
¦ ¦фоточувствительными элементами из ¦ ¦
¦ ¦сульфида или селенида свинца (PbS или ¦ ¦
¦ ¦PbSe соответственно); ¦ ¦
¦ ¦б) к пироэлектрическим приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе любого из следующих материалов: ¦ ¦
¦ ¦триглицинсульфата и его производных; ¦ ¦
¦ ¦титаната свинца-лантана-циркония (PLZT ¦ ¦
¦ ¦керамики) и его производных; ¦ ¦
¦ ¦танталата лития (LiTaO ); ¦ ¦
¦ ¦ 3 ¦ ¦
¦ ¦поливинилиденфторида и его ¦ ¦
¦ ¦производных; или ¦ ¦
¦ ¦ниобата бария-стронция (BaStNbO ) и ¦ ¦
¦ ¦ 3 ¦ ¦
¦ ¦его производных; ¦ ¦
¦ ¦в) к фокальным матричным приемникам, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанным или ¦ ¦
¦ ¦модифицированным для реализации ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения, имеющим ¦ ¦
¦ ¦ограниченное конструкцией значение ¦ ¦
¦ ¦максимальной спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности 10 мА/Вт или менее ¦ ¦
¦ ¦для длин волн, превышающих 760 нм, и ¦ ¦
¦ ¦имеющим все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦1) включенный в их конструкцию ¦ ¦
¦ ¦механизм ограничения чувствительности ¦ ¦
¦ ¦без возможности его удаления или ¦ ¦
¦ ¦модификации; и ¦ ¦
¦ ¦2) любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦механизм ограничения чувствительности, ¦ ¦
¦ ¦являющийся неотъемлемой частью ¦ ¦
¦ ¦конструкции приемника; или ¦ ¦
¦ ¦фокальный матричный приемник, ¦ ¦
¦ ¦действующий только вместе с ¦ ¦
¦ ¦установленным механизмом ограничения ¦ ¦
¦ ¦чувствительности ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Механизм ограничения чувствительности ¦ ¦
¦ ¦приемника является неотъемлемой частью ¦ ¦
¦ ¦конструкции приемника и разработан с ¦ ¦
¦ ¦отсутствием возможности его удаления ¦ ¦
¦ ¦или модификации без приведения ¦ ¦
¦ ¦приемника в нерабочее состояние. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦3. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующим фокальным матричным ¦ ¦
¦ ¦приемникам: ¦ ¦
¦ ¦а) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе силицида платины (PtSi), ¦ ¦
¦ ¦имеющим менее 10000 элементов; ¦ ¦
¦ ¦б) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе силицида иридия (IrSi); ¦ ¦
¦ ¦в) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе антимонида индия (InSb) или ¦ ¦
¦ ¦селенида свинца (PbSe), имеющим менее ¦ ¦
¦ ¦256 элементов; ¦ ¦
¦ ¦г) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе арсенида индия (InAs); ¦ ¦
¦ ¦д) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе сульфида свинца (PbS); ¦ ¦
¦ ¦е) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе арсенида индия-галлия (InGaAs); ¦ ¦
¦ ¦ж) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦квантовых ямах на основе арсенида ¦ ¦
¦ ¦галлия (GaAs) или галлий-алюминий- ¦ ¦
¦ ¦мышьяка (GaAlAs), имеющим менее 256 ¦ ¦
¦ ¦элементов; или ¦ ¦
¦ ¦з) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе микроболометров, имеющим менее ¦ ¦
¦ ¦8000 элементов. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦4. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующим фокальным матричным ¦ ¦
¦ ¦приемникам на основе ртуть-кадмий- ¦ ¦
¦ ¦теллура (HgCdTe): ¦ ¦
¦ ¦а) сканирующим матрицам, имеющим любое ¦ ¦
¦ ¦из следующего: ¦ ¦
¦ ¦30 элементов или менее; или ¦ ¦
¦ ¦менее трех элементов и включающим ¦ ¦
¦ ¦временную задержку и накопление ¦ ¦
¦ ¦сигнала в элементе; или ¦ ¦
¦ ¦б) смотрящим матрицам, имеющим менее ¦ ¦
¦ ¦256 элементов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. "Сканирующие матрицы" определяются ¦ ¦
¦ ¦как фокальные матричные приемники, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для использования со ¦ ¦
¦ ¦сканирующими оптическими системами, ¦ ¦
¦ ¦которые формируют изображение за счет ¦ ¦
¦ ¦последовательного просмотра предметов ¦ ¦
¦ ¦в пространстве. ¦ ¦
¦ ¦2. "Смотрящие матрицы" определяются ¦ ¦
¦ ¦как фокальные матричные приемники, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для использования с ¦ ¦
¦ ¦несканирующей оптической системой, ¦ ¦
¦ ¦которая формирует изображение ¦ ¦
¦ ¦предметов в пространстве ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Микроболометрические фокальные ¦ ¦
¦ ¦матричные приемники, непригодные для ¦ ¦
¦ ¦применения в космосе, определяются ¦ ¦
¦ ¦только по пункту 6.1.2.1.3.6 ¦ ¦
+----------------+---------------------------------------+----------------+
¦ 6.1.2.2. ¦Моноспектральные датчики изображения и ¦8540 89 000 0 ¦
¦ ¦многоспектральные датчики изображения, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для применения при ¦ ¦
¦ ¦дистанционном зондировании и имеющие ¦ ¦
¦ ¦любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) мгновенное угловое поле (МУП) менее ¦ ¦
¦ ¦200 мкрад; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
