|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.12.2006 № 14/129 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"Документ утратил силу
< Главная страницаСтр. 12Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | ¦Особое Примечание. ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, ¦ ¦см. также пункт 3.2.1 раздела 2 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.3 ¦Оборудование для молекулярно- ¦8479 89 700 0;¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания с ¦8543 89 650 0 ¦ ¦ ¦использованием газообразных или ¦ ¦ ¦ ¦твердых источников ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.2 ¦Оборудование, предназначенное для ¦8543 11 000 0 ¦ ¦ ¦ионной имплантации, имеющее любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее ¦ ¦ ¦ ¦напряжение) более 1 МэВ ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией¦ ¦ ¦ ¦пучка (ускоряющим напряжением) менее ¦ ¦ ¦ ¦2 кэВ ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и ¦ ¦ ¦ ¦силу тока пучка 45 мА или более для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации ¦ ¦ ¦ ¦кислорода в нагретую подложку ¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового материала ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.3 ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦ ¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.3.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из ¦8456 91 000 0;¦ ¦ ¦кассеты в кассету и шлюзовой ¦8456 99 800 0 ¦ ¦ ¦загрузкой, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критическим размером 180 нм или менее ¦ ¦ ¦ ¦и погрешностью (3 s), равной +/- 5%; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦ ¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.3.2 ¦Оборудование, специально ¦8456 91 000 0;¦ ¦ ¦спроектированное для систем, ¦8456 99 800 0 ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критическим размером 180 нм или менее ¦ ¦ ¦ ¦и погрешностью (3 s), равной +/-5%; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦ ¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4 ¦Оборудование химического осаждения из ¦8419 89 200 0;¦ ¦ ¦паровой фазы с применением плазменного¦8419 89 300 0 ¦ ¦ ¦разряда, ускоряющего процесс: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из ¦ ¦ ¦ ¦кассеты в кассету и шлюзовой ¦ ¦ ¦ ¦загрузкой, разработанное в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦ ¦ ¦производителя или оптимизированное для¦ ¦ ¦ ¦использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с ¦ ¦ ¦ ¦критическим размером 180 нм или менее ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4.2 ¦Оборудование, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное для систем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями производителя ¦ ¦ ¦ ¦или оптимизированное для использования¦ ¦ ¦ ¦в производстве полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦устройств с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.5 ¦Автоматически загружаемые ¦8456 10; ¦ ¦ ¦многокамерные системы с центральной ¦8456 91 000 0;¦ ¦ ¦загрузкой полупроводниковых пластин ¦8456 99 800 0;¦ ¦ ¦(подложек), имеющие все следующие ¦8456 99 300 0;¦ ¦ ¦характеристики: ¦8479 50 000 0 ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки ¦ ¦ ¦ ¦пластин (подложек), к которым ¦ ¦ ¦ ¦присоединяется более двух единиц ¦ ¦ ¦ ¦оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для интегрированной¦ ¦ ¦ ¦системы последовательной ¦ ¦ ¦ ¦многопозиционной обработки пластин ¦ ¦ ¦ ¦(подложек) в вакууме ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические ¦ ¦робототехнические системы управления загрузкой пластин ¦ ¦(подложек), не предназначенные для работы в вакууме ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6 ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.1 ¦Оборудование для обработки пластин с ¦9009 22 000 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией ¦ ¦ ¦ ¦(непосредственно на пластине) или ¦ ¦ ¦ ¦сканированием (сканер), имеющее любое ¦ ¦ ¦ ¦из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны ¦ ¦ ¦ ¦короче 245 нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером ¦ ¦ ¦ ¦элемента 180 нм и менее ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по ¦ ¦следующей формуле: ¦ ¦МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / ¦ ¦(числовая апертура), где К фактор = 0,45 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.2 ¦Оборудование, специально разработанное¦8456 10; ¦ ¦ ¦для изготовления шаблонов или ¦8456 99 ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов с использованием отклоняемого¦ ¦ ¦ ¦сфокусированного электронного, ионного¦ ¦ ¦ ¦или лазерного пучка, имеющее любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦размером элементов менее 1 мкм; или ¦ ¦ ¦ ¦в) точность совмещения слоев лучше ¦ ¦ ¦ ¦0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.7 ¦Маски и промежуточные шаблоны, ¦9010 90 ¦ ¦ ¦разработанные для производства ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 3.1.1 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.8 ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим ¦9010 90 ¦ ¦ ¦слоем ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с ¦ ¦фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления ¦ ¦запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.2 ¦Оборудование, специально разработанное¦ ¦ ¦ ¦для испытания готовых или находящихся ¦ ¦ ¦ ¦в разной степени изготовления ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов, и ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для этого ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и приспособления: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.2.1 ¦Для измерения S-параметров ¦9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦транзисторных приборов на частотах ¦ ¦ ¦ ¦выше 31,8 ГГц ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.2.2.2 ¦Для испытания микроволновых ¦9030; ¦ ¦ ¦интегральных схем, контролируемых по ¦9031 20 000 0;¦ ¦ ¦пункту 3.1.1.2.2 ¦9031 80 390 0 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3 ¦Материалы ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.1 ¦Гетероэпитаксиальные структуры ¦ ¦ ¦ ¦(материалы), состоящие из подложки с ¦ ¦ ¦ ¦несколькими последовательно ¦ ¦ ¦ ¦наращенными эпитаксиальными слоями ¦ ¦ ¦ ¦любого из следующих материалов: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.1.1 ¦Кремний ¦3818 00 100 0;¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.1.2 ¦Германий ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.1.3 ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.1.4 ¦Соединения III / V на основе галлия ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦или индия ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Соединения III / V - это либо поликристаллические, либо ¦ ¦бинарные или многокомпонентные монокристаллические продукты, ¦ ¦состоящие из элементов групп IIIA и VA (по отечественной ¦ ¦классификации это группы А3 и В5) периодической системы ¦ ¦Менделеева (например, арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, ¦ ¦фосфид индия и тому подобное) ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.2 ¦Материалы резистов, а также подложки, ¦ ¦ ¦ ¦покрытые контролируемыми резистами: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.2.1 ¦Позитивные резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦для полупроводниковой литографии, ¦ ¦ ¦ ¦специально приспособленные ¦ ¦ ¦ ¦(оптимизированные) для использования ¦ ¦ ¦ ¦на длине волны менее 350 нм ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.2.2 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦электронными или ионными пучками, с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или ¦ ¦ ¦ ¦лучше ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.2.3 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или ¦ ¦ ¦ ¦лучше ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.2.4 ¦Все резисты, оптимизированные под ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦технологии формирования рисунка, ¦ ¦ ¦ ¦включая силилированные резисты ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Технология силилирования - это процесс, включающий окисление ¦ ¦поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦проявления ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.3 ¦Следующие органо-неорганические ¦ ¦ ¦ ¦соединения: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.3.1 ¦Металлоорганические соединения ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦алюминия, галлия или индия с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦металлической основы более 99,999% ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.3.2 ¦Органические соединения мышьяка, ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦сурьмы и фосфорорганические соединения¦ ¦ ¦ ¦с чистотой основы неорганического ¦ ¦ ¦ ¦элемента более 99,999% ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, ¦ ¦металлический, частично металлический или неметаллический ¦ ¦элемент в которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦органической части молекулы ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.3.4 ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, ¦2848 00 000 0;¦ ¦ ¦имеющие чистоту более 99,999%, даже ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦будучи растворенными в инертных газах ¦ ¦ ¦ ¦или водороде ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и ¦ ¦более молей инертных газов или водорода ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.4.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для применения в любом ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующем оборудовании: ¦ ¦ ¦ ¦а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 -¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.6; или ¦ ¦ ¦ ¦б) контролируемом по пункту 3.2.2 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.4.3 ¦Физически обоснованное программное ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение моделирования, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки процессов¦ ¦ ¦ ¦литографии, травления или осаждения с ¦ ¦ ¦ ¦целью воплощения маскирующих шаблонов ¦ ¦ ¦ ¦в конкретные топографические рисунки ¦ ¦ ¦ ¦на проводниках, диэлектриках или ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниках ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается ¦ ¦использование вычислений для определения последовательности ¦ ¦физических факторов и результатов воздействия, основанных на ¦ ¦физических свойствах (например, температура, давление, ¦ ¦коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов) ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Примечание. ¦ ¦Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для ¦ ¦проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем ¦ ¦рассматриваются как технология ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.4.4 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 3.1.3 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.5 ¦Технология ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к ¦ ¦ ¦ ¦настоящему Перечню для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦материалов, контролируемых по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства ¦ ¦оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.5.2 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к ¦ ¦ ¦ ¦настоящему Перечню другие, чем те, ¦ ¦ ¦ ¦которые контролируются по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.5.1, для разработки или производства¦ ¦ ¦ ¦микросхем микропроцессоров, микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микрокомпьютеров и микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллеров, имеющих совокупную ¦ ¦ ¦ ¦теоретическую производительность (СТП)¦ ¦ ¦ ¦530 Мтопс (миллионов теоретических ¦ ¦ ¦ ¦операций в секунду) или более и ¦ ¦ ¦ ¦арифметико-логическое устройство с ¦ ¦ ¦ ¦длиной выборки 32 бит или более ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для ¦ ¦разработки или производства интегральных схем, контролируемых ¦ ¦по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба ¦ ¦нижеперечисленных признака: ¦ ¦а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и ¦ ¦б) не содержащие многослойных структур ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Термин "многослойные структуры", приведенный в пункте "б" ¦ ¦примечания, не включает приборы, содержащие максимум три ¦ ¦металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦3.5.3 ¦Прочие технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких, как ¦ ¦ ¦ ¦транзисторы с высокой подвижностью ¦ ¦ ¦ ¦электронов, биполярных транзисторов на¦ ¦ ¦ ¦гетероструктуре, приборов с квантовыми¦ ¦ ¦ ¦ямами или приборов на ¦ ¦ ¦ ¦сверхрешетках ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для ¦ ¦транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих ¦ ¦на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на ¦ ¦гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных ¦ ¦ ¦ ¦приборов ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек из алмазных пленок для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния на ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрике (КНД-структур) для ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, в которых ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриком является диоксид кремния ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов ¦ ¦ ¦ ¦ж) электронных вакуумных ламп, ¦ ¦ ¦ ¦работающих на частотах 31,8 ГГц или ¦ ¦ ¦ ¦выше ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦ Категория 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, ¦ ¦задействованные в телекоммуникациях или локальных ¦ ¦вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на ¦ ¦соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 ¦ ¦(Телекоммуникации) ¦ ¦2. Устройства управления, которые непосредственно связывают ¦ ¦шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной ¦ ¦памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как ¦ ¦телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 ¦ ¦категории 5 (Телекоммуникации) ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Особое Примечание. ¦ ¦Для определения контрольного статуса программного обеспечения, ¦ ¦специально разработанного для коммутации пакетов, следует ¦ ¦применять пункт 5.4.1 ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, ¦ ¦выполняющие функции криптографии, криптоанализа, ¦ ¦сертифицируемой многоуровневой защиты информации или ¦ ¦сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ¦ ¦ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны ¦ ¦быть также проанализированы на соответствие характеристикам, ¦ ¦указанным в части 2 категории 5 (Защита информации) ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.1 ¦ЭВМ и сопутствующее оборудование, а ¦ ¦ ¦ ¦также электронные сборки и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.1.1 ¦Специально разработанные для ¦8471 ¦ ¦ ¦достижения любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) по техническим условиям пригодные ¦ ¦ ¦ ¦для работы при температуре внешней ¦ ¦ ¦ ¦среды ниже 228 К (-450 град. C) или ¦ ¦ ¦ ¦выше 358 К (85 град. C) ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, ¦ ¦специально созданные для гражданских автомобилей или ¦ ¦железнодорожных поездов ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦ ¦б) радиационно-стойкие при превышении ¦ ¦ ¦ ¦любого из следующих требований: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 5 ¦ ¦ ¦ ¦общая доза 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦рад] мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/с ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад/с] сбой от однократного ¦ ¦ ¦ ¦ -7 ¦ ¦ ¦ ¦события 10 ошибок/бит/день ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Особое Примечание. ¦ ¦В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих ¦ ¦требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 ¦ ¦раздела 2 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.1.2 ¦Имеющие характеристики или функции ¦8471 ¦ ¦ ¦производительности, превосходящие ¦ ¦ ¦ ¦пределы, указанные в части 2 категории¦ ¦ ¦ ¦5 (Защита информации) ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 4.1.1.2 не контролируются ЭВМ и относящееся к ним ¦ ¦оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего ¦ ¦индивидуального использования ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.2 ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.2.1 ¦Спроектированные или модифицированные ¦8471 (кроме ¦ ¦ ¦для обеспечения отказоустойчивости ¦8471 10) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее ¦ ¦оборудование не считаются спроектированными или ¦ ¦модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в ¦ ¦них используется любое из следующего: ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в ¦ ¦оперативной памяти ¦ ¦б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что ¦ ¦если происходит отказ активного центрального процессора, то ¦ ¦холостой зеркальный центральный процессор может продолжить ¦ ¦функционирование системы ¦ ¦в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов ¦ ¦передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того ¦ ¦чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность ¦ ¦выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный ¦ ¦процессор; ¦ ¦тогда первый центральный процессор принимает его работу на ¦ ¦себя, чтобы продолжить функционирование системы; или ¦ ¦г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных ¦ ¦посредством программного обеспечения так, что один центральный ¦ ¦процессор распознает, когда отказывает другой центральный ¦ ¦процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим ¦ ¦процессором ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.2.2 ¦Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную ¦8471 (кроме ¦ ¦ ¦теоретическую производительность ¦8471 10) ¦ ¦ ¦(СТП), превышающую 190000 Мтопс; ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.2.3 ¦Электронные сборки, специально ¦8471 (кроме ¦ ¦ ¦разработанные или модифицированные для¦8471 10) ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения вычислительных элементов ¦ ¦ ¦ ¦таким образом, чтобы совокупная ¦ ¦ ¦ ¦теоретическая производительность ¦ ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала пределы,¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 4.1.2.2 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. Пункт 4.1.2.3 распространяется только на электронные сборки ¦ ¦и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, ¦ ¦указанные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных ¦ ¦электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, ¦ ¦конструкция которых пригодна только для использования в ¦ ¦качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пункту ¦ ¦4.1.2.4 ¦ ¦2. По пункту 4.1.2.3 не контролируются электронные сборки, ¦ ¦специально разработанные для продукции или целого семейства ¦ ¦продукции, максимальная конфигурация которых не превышает ¦ ¦пределы, указанные в пункте 4.1.2.2 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.2.4 ¦Оборудование, выполняющее аналого- ¦8471 90 000 0;¦ ¦ ¦цифровые преобразования, превосходящее¦8543 90 200 0 ¦ ¦ ¦пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.2.5 ¦Аппаратура, специально разработанная ¦8471 90 000 0;¦ ¦ ¦для обеспечения внешних соединений ¦8517 50 ¦ ¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, которые в коммуникациях ¦ ¦ ¦ ¦имеют скорость передачи данных, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 1,25 Гбайт/с ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 4.1.2.5 не контролируется оборудование внутренней ¦ ¦взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), ¦ ¦оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети ¦ ¦или контроллеры каналов связи ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. Пункт 4.1.2 включает: ¦ ¦а) векторные процессоры ¦ ¦б) матричные процессоры ¦ ¦в) процессоры цифровой обработки сигналов ¦ ¦г) логические процессоры ¦ ¦д) оборудование для улучшения качества изображения ¦ ¦е) оборудование для обработки сигналов ¦ ¦2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего ¦ ¦оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется ¦ ¦контрольным статусом другого оборудования или других систем в ¦ ¦том случае, если: ¦ ¦а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для ¦ ¦работы другого оборудования или других систем ¦ ¦б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются ¦ ¦основным элементом другого оборудования или других систем; и ¦ ¦в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования ¦ ¦подпадает под действие пункта 4.5 ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Особые примечания: ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или ¦ ¦улучшения качества изображения, специально разработанного для ¦ ¦другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным ¦ ¦назначением другого оборудования, определяется контрольным ¦ ¦статусом такого оборудования, даже если первое превосходит ¦ ¦критерий основного элемента ¦ ¦2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или ¦ ¦сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры ¦ ¦см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.3 ¦ЭВМ, указанные ниже, и специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦компоненты для них: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.3.1 ¦ЭВМ с систолической матрицей ¦8471 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.3.2 ¦Нейронные ЭВМ ¦8471 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.1.3.3 ¦Оптические ЭВМ ¦8471 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.2 ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование - нет ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.3 ¦Материалы - нет ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦Контрольный статус программного обеспечения для разработки, ¦ ¦производства или использования оборудования, указанного в ¦ ¦других категориях, определяется по описанию соответствующей ¦ ¦категории. В данной категории дается контрольный статус ¦ ¦программного обеспечения для оборудования этой категории ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.1 ¦Программное обеспечение следующих ¦ ¦ ¦ ¦видов: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.1.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для¦ ¦ ¦ ¦разработки, производства или ¦ ¦ ¦ ¦использования оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 ¦ ¦ ¦ ¦соответственно ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.1.2 ¦Программное обеспечение иное, чем ¦ ¦ ¦ ¦контролируемое по пункту 4.4.1.1, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанное или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированное для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную ¦ ¦ ¦ ¦теоретическую производительность ¦ ¦ ¦ ¦(СТП), превышающую 75000 Мтопс; или ¦ ¦ ¦ ¦б) электронных сборок, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных или модифицированных для¦ ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения вычислительных элементов ¦ ¦ ¦ ¦(ВЭ) таким образом, чтобы СТП ¦ ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала пределы,¦ ¦ ¦ ¦указанные в подпункте "а" пункта ¦ ¦ ¦ ¦4.4.1.2 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Особое Примечание. ¦ ¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте ¦ ¦4.4.1, см. также пункт 4.4.1 разделов 2 и 3 ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для¦ ¦ ¦ ¦поддержки технологии, контролируемой ¦ ¦ ¦ ¦по пункту 4.5 ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.3 ¦Специальное программное обеспечение ¦ ¦ ¦ ¦следующих видов: ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.3.1 ¦Программное обеспечение операционных ¦ ¦ ¦ ¦систем, инструментарий разработки ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения и ¦ ¦ ¦ ¦компиляторы, специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для оборудования многопоточной ¦ ¦ ¦ ¦обработки данных в исходных кодах ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.4.3.2 ¦Программное обеспечение, имеющее ¦ ¦ ¦ ¦характеристики или выполняющее ¦ ¦ ¦ ¦функции, которые превышают пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в части 2 категории 5 ¦ ¦ ¦ ¦(Защита информации) ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 4.4.3.2 не контролируется программное обеспечение, ¦ ¦когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального ¦ ¦использования ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.5 ¦Технология ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦ ¦ ¦разработки, производства или ¦ ¦ ¦ ¦использования оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 ¦ ¦ ¦ ¦соответственно ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦4.5.2 ¦Иные технологии, кроме контролируемых ¦ ¦ ¦ ¦по пункту 4.5.1, специально ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные или модифицированные ¦ ¦ ¦ ¦для разработки или производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную ¦ ¦ ¦ ¦теоретическую производительность ¦ ¦ ¦ ¦(СТП), превышающую 75000 Мтопс; или ¦ ¦ ¦ ¦б) электронных сборок, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных или модифицированных для¦ ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения вычислительных элементов ¦ ¦ ¦ ¦(ВЭ) таким образом, чтобы СТП ¦ ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала пределы,¦ ¦ ¦ ¦указанные в подпункте "а" ¦ ¦ +------------+--------------------------------------+--------------+ ¦Особое Примечание. ¦ ¦В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. ¦ ¦также пункт 4.5.1 разделов 2 и 3 ¦ ¦------------------------------------------------------------------- Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности). Используемые сокращения: ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство); ПЗ - плавающая запятая; ФЗ - фиксированная запятая; t - время решения; XOR - исключающее ИЛИ; ЦП - центральный процессор; TП - теоретическая производительность (единичного вычислительного элемента); CTП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов); R - эффективная скорость вычислений; ДС - длина слова (число битов); L - корректировка длины слова (бита); АЛУ - арифметическое и логическое устройство; x - знак умножения. Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), ДС выражается в битах. Основной метод вычисления СТП: СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении СТП конфигурации ВЭ необходимо выполнить три следующих этапа: 1. Определить R для каждого ВЭ; 2. Произвести L для этой R, что даст в результате ТП для каждого ВЭ; 3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного ВЭ. Подробное описание этих этапов приведено ниже. Примечания: 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти 2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента: Этап I: Эффективная скорость вычислений (R)-----------------------------+---------------------------------
¦ Для вычислительных ¦ Эффективная скорость вычислений ¦
¦ элементов, реализующих: ¦ ¦
+----------------------------+-------------------------------------+
¦только ФЗ ¦1 / [3 x (время сложения ФЗ)], если ¦
¦ ¦операции сложения нет, то через ¦
¦ ¦умножение: ¦
+----------------------------+-------------------------------------+
¦(RФЗ) ¦1 / (время умножения ФЗ), ¦
¦ ¦если нет ни операции сложения, ни ¦
¦ ¦операции умножения, то RФЗ ¦
¦ ¦рассчитывается через самую быструю из¦
¦ ¦имеющихся арифметических операций: ¦
¦ ¦1 / [3 x (время операции ФЗ)] ¦
¦ ¦см. примечания X и Z ¦
+----------------------------+-------------------------------------+
¦только ПЗ (RПЗ) ¦МАХ {1/(время сложения ПЗ), 1/(время ¦
¦ ¦умножения ПЗ)} ¦
¦ ¦см. примечания X и Y ¦
+----------------------------+-------------------------------------+
¦и ФЗ, и ПЗ (R) ¦вычисляется как RФЗ, так и RПЗ ¦
+----------------------------+-------------------------------------+
¦Для простых логических ¦1 / [3 x (время логической операции)]¦
¦процессоров, не выполняющих ¦здесь время логической операции - это¦
¦указанные арифметические ¦время выполнения операции XOR, а если¦
¦операции ¦ее нет, то берется самая быстрая ¦
¦ ¦простая логическая операция, см. ¦
¦ ¦примечания X и Z ¦
+----------------------------+-------------------------------------+
¦Для специализированных ¦R = R' x ДС / 64, где R' - число ¦
¦логических процессоров, не ¦результатов в секунду ДС - число ¦
¦выполняющих указанные ¦битов, над которым выполняется ¦
¦арифметические и логические ¦логическая операция ¦
¦операции ¦64 - коэффициент, нормализующий под ¦
¦ ¦64-разрядную операцию ¦
¦----------------------------+--------------------------------------
Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо. Примечание W. Для конвейерного ВЭ, способного выполнять до одной арифметической или логической операции на каждом такте при полном заполнении конвейера, можно определить конвейерную производительность. R для таких ВЭ равна наибольшей из конвейерной или неконвейерной скоростей вычислений. Примечание X. Для ВЭ, которые выполняют многократные операции определенного типа за один такт (например, два сложения за такт или две идентичные логические операции за такт), t вычисляется как: время цикла
t = ---------------------------------------
число арифметических операций в цикле
ВЭ, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение более короткого времени исполнения. Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется сложение ПЗ или умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то RПЗ = 1 / (время деления ПЗ)Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда RПЗ = 1 / (время обратной величины ПЗ)Если ни одна из указанных команд не используется, то эффективная ПЗ производительность равна 0 Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами, и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе конвейерные операции (если поддерживаются) и неконвейерные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего: 1. Конвейерные операции или операции регистр-регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр-регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2; 2. Самая быстрая операция регистр-память или память-регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3; 3. Память-память. В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем. Этап II: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДСПересчитайте R (или R') с учетом L: TП = R x L,где L = (1/3 + ДС/96) Примечание. ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС). Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с ПЗ или функциональном устройстве считается одним ВЭ с ДС, эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП. Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция XOR не используется. В этом случае TП = R. Выбор максимального результирующего значения ТП для: каждого ВЭ, использующего только ФЗ (RФЗ); каждого ВЭ, использующего только ПЗ (RПЗ); каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R); каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций Этап III: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦПДля ЦП с одним ВЭ СТП = ТП(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ, ТП = max (ТПФЗ, ТППЗ)Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом: Примечания: 1. Для конфигураций, которые не допускают одновременно работу всех ВЭ, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей CТП. Значение ТП для каждого ВЭ, дающего вклад, вычисляется как его максимально возможное теоретическое значение до вычисления CТП всей конфигурации Особое примечание. Для определения возможной комбинации одновременно работающих ВЭ надо сгенерировать такую последовательность команд, которая производит операции над многими ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (такого, который требует наибольшего числа тактов для выполнения операции) и заканчивая самым быстрым ВЭ. На каждом такте последовательности комбинация ВЭ, которая находится в работе в этом такте, и есть возможная комбинация из вычислительных элементов ВЭ. Последовательность команд должна учитывать все оборудование и (или) архитектурные условия на перекрывающиеся в течение такта операции 2. Отдельная интегральная микросхема или отдельная плата могут содержать множество ВЭ 3. Предполагается, что одновременные операции имеют место, если производитель вычислительной машины утверждает о наличии конкурентных, параллельных или одновременных операциях или вычислениях в руководстве по использованию компьютера или в брошюре о нем 4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, распределенные вычислительные сети, объединенные устройствами разделенного ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами 5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, работающих одновременно и использующих совместно память, или в случае память-ВЭ комбинаций, работающих одновременно под управлением специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.2.3 СТП = ТП1 + С2 x ТП2 +... + Сn x ТПn,где ТП упорядочены по их значению, начиная с наибольшего значения - ТП1, затем ТП2 - второй по величине и, наконец, наименьший по значению ТПn; Сi - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом: Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и разделяющих память: С2 = С3 = С4 =... = Сn = 0,75Примечания: 1. Когда СТП, вычисленная вышеуказанным методом, не превышает 194 Мтопс, Сi может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ, разделяющих доступ, при условии: а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс; б) ВЭ или группа ВЭ разделяют доступ к оперативной памяти (исключая кэш-память) по общему каналу; и в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время Особое Примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по категории 3 2. Считается, что ВЭ разделяют доступ к памяти, если они обращаются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш-память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, ленточных накопителей или дисков с произвольным доступом сюда не входит. Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не разделяющих общую память, но взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных: Сi = 0,75 x ki (i = 2,...,32) (см. примечание ниже) = 0,60 x ki (i = 33,...,64) = 0,45 x ki (i = 65,...,256) = 0,30 x ki (i > 256) Величина Сi основывается на номере ВЭ, но не на номере узла, где ki = min (Si/Kr, 1); и Кr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с; Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/с) для всех информационных каналов, связывающих i-тый ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память. Когда вычисляется Сi для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Сi. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Сi для этих групп составляет 0,60. Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть: ТП1 >= ТП2 >=........ >= ТПn, ив случае, когда ТПi=ТПi+1, от самого большого к самому маленькому, то есть: Сi >= Сi+1Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, то есть Сi для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75 ---------------+-----------------------------------+----------- ¦ N п/п ¦ Наименование ¦ Код ТН ВЭД ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦ Категория 5 ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦ Часть 1. Телекоммуникации ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус ¦ ¦компонентов, лазерного, испытательного и производственного ¦ ¦оборудования, материалов и программного обеспечения, специально ¦ ¦разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем ¦ ¦2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки ¦ ¦телекоммуникационного оборудования, указанного в этой категории, и¦ ¦его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, связанное с ¦ ¦ними оборудование или программное обеспечение, последние ¦ ¦рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов ¦ ¦при условии, что они являются стандартными моделями, обычно ¦ ¦поставляемыми производителем. Это включает компьютерные системы, ¦ ¦реализующие функции управления, технического обслуживания ¦ ¦оборудования, проектирования, выписывания счетов ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.1 ¦Телекоммуникационное оборудование ¦ ¦ ¦ ¦любого типа, имеющее любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик, функций ¦ ¦ ¦ ¦или свойств: ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.1.1 ¦Специально разработанное для ¦8517; ¦ ¦ ¦сохранения работоспособности при ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦воздействии кратковременных ¦8525 20 990; ¦ ¦ ¦электронных эффектов или ¦8527 90 980 0; ¦ ¦ ¦электромагнитных импульсных ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦эффектов, возникающих при ядерном ¦ ¦ ¦ ¦взрыве ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.1.2 ¦Специально повышенную стойкость к ¦8517; ¦ ¦ ¦гамма-, нейтронному или ионному ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦излучению; или ¦8525 20 990; ¦ ¦ ¦ ¦8527 90 980 0; ¦ ¦ ¦ ¦8543 89 950 0 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.1.3 ¦Специально разработанное для ¦8517; ¦ ¦ ¦функционирования за пределами ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦диапазона температур от 218 К (-55 ¦8525 20 990; ¦ ¦ ¦град. C) до 397 К (124 град. C) ¦8527 90 980 0; ¦ ¦ ¦ ¦8543 89 950 0 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронной аппаратуре ¦ ¦2. По пунктам 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не контролируется ¦ ¦оборудование, разработанное или модифицированное для использования¦ ¦на борту спутников ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2 ¦Телекоммуникационные передающие ¦ ¦ ¦ ¦системы и аппаратура, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и принадлежности, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любые из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик, свойств или качеств:¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2.1 ¦Являются системами подводной связи,¦9014 80 000 0; ¦ ¦ ¦имеющими любую из следующих ¦9015 80 910 0 ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) акустическую несущую частоту за ¦ ¦ ¦ ¦пределами интервала от 20 кГц до ¦ ¦ ¦ ¦60 кГц ¦ ¦ ¦ ¦б) использующие электромагнитную ¦ ¦ ¦ ¦несущую частоту ниже 30 кГц; или ¦ ¦ ¦ ¦в) использующие электронное ¦ ¦ ¦ ¦управление положением главного ¦ ¦ ¦ ¦лепестка (диаграммы направленности ¦ ¦ ¦ ¦антенны) ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2.2 ¦Являются радиоаппаратурой, ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦работающей в диапазоне частот ¦8525 20 990 ¦ ¦ ¦1,5 - 87,5 МГц и обладающей любой ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) включает адаптивные системы, ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивающие более 15 дБ ¦ ¦ ¦ ¦подавления помехи сигнала; или ¦ ¦ ¦ ¦б) имеет все следующие ¦ ¦ ¦ ¦составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦возможность автоматически ¦ ¦ ¦ ¦прогнозировать и выбирать частоты и¦ ¦ ¦ ¦общие скорости цифровой передачи в ¦ ¦ ¦ ¦канале для оптимизации передачи ¦ ¦ ¦ ¦полезного сигнала; и ¦ ¦ ¦ ¦встроенный линейный усилитель ¦ ¦ ¦ ¦мощности, способный одновременно ¦ ¦ ¦ ¦пропускать множество сигналов с ¦ ¦ ¦ ¦выходной мощностью 1 кВт или более ¦ ¦ ¦ ¦в диапазоне частот от 1,5 МГц до ¦ ¦ ¦ ¦30 МГц или 250 Вт или более в ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 ¦ ¦ ¦ ¦МГц на мгновенной ширине полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот в одну октаву или более и с ¦ ¦ ¦ ¦гармониками и искажениями на выходе¦ ¦ ¦ ¦лучше-80 дБ ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2.3 ¦Являются радиоаппаратурой, ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦использующей методы расширения ¦8525 20 990 ¦ ¦ ¦спектра, включая метод ¦ ¦ ¦ ¦скачкообразной перестройки частоты,¦ ¦ ¦ ¦имеющей любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) коды расширения, программируемые¦ ¦ ¦ ¦пользователем; или ¦ ¦ ¦ ¦б) общую ширину полосы частот выше ¦ ¦ ¦ ¦50 кГц, при этом она в 100 или ¦ ¦ ¦ ¦более раз превышает ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот любого единичного ¦ ¦ ¦ ¦информационного канала ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не контролируется ¦ ¦радиооборудование, специально разработанное для использования с ¦ ¦гражданскими системами сотовой радиосвязи ¦ ¦2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, ¦ ¦спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. ¦ ¦также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2.4 ¦Являются радиоаппаратурой, ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦использующей технологию ¦8525 20 990 ¦ ¦ ¦сверхширокополосного модулирования ¦ ¦ ¦ ¦по времени и имеющей ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем коды ¦ ¦ ¦ ¦формирования каналов или шифрования¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2.5 ¦Являются радиоприемными ¦8527 ¦ ¦ ¦устройствами с цифровым ¦ ¦ ¦ ¦управлением, имеющими все следующие¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1000 каналов ¦ ¦ ¦ ¦б) время переключения частоты менее¦ ¦ ¦ ¦1 мс ¦ ¦ ¦ ¦в) автоматический поиск или ¦ ¦ ¦ ¦сканирование в части спектра ¦ ¦ ¦ ¦электромагнитных волн; и ¦ ¦ ¦ ¦г) возможность идентификации ¦ ¦ ¦ ¦принятого сигнала или типа ¦ ¦ ¦ ¦передатчика ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 5.1.1.2.5 не контролируется оборудование, специально ¦ ¦разработанное для использования с гражданскими системами сотовой ¦ ¦радиосвязи ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении радиоприемников, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. ¦ ¦также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.2.6 ¦Используют функции цифровой ¦8525 20 910 0; ¦ ¦ ¦обработки сигнала на выходном ¦8525 20 990 ¦ ¦ ¦устройстве для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦кодирования речи со скоростью менее¦ ¦ ¦ ¦2400 бит/с ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для ¦ ¦кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.3 ¦Волоконно-оптические кабели связи, ¦ ¦ ¦ ¦оптические волокна и ¦ ¦ ¦ ¦принадлежности: ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.3.1 ¦Оптические волокна длиной более 500¦8544 70 000 0; ¦ ¦ ¦м, охарактеризованные ¦9001 10 900 ¦ ¦ ¦производителем как способные ¦ ¦ ¦ ¦выдерживать при контрольном ¦ ¦ ¦ ¦испытании растягивающее напряжение ¦ ¦ ¦ ¦ 9 ¦ ¦ ¦ ¦2 x 10 Н/кв.м или более ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн ¦ ¦(встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или ¦ ¦проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного ¦ ¦растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5¦ ¦м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными ¦ ¦барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по ¦ ¦соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей¦ ¦среды 293 К, относительной влажности 40% ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.3.2 ¦Волоконно-оптические кабели и ¦8544 70 000 0; ¦ ¦ ¦принадлежности, разработанные для ¦9001 10 900 ¦ ¦ ¦использования под водой ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 5.1.1.3.2 не контролируются стандартные ¦ ¦телекоммуникационные кабели и принадлежности для гражданского ¦ ¦использования ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Особые примечания: ¦ ¦1. Для подводных кабельных разъемов и соединителей для них см. ¦ ¦пункт 8.1.2.1.3 ¦ ¦2. Для волоконно-оптических корпусных разъемов и соединителей см. ¦ ¦пункт 8.1.2.3 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.4 ¦Фазированные антенные решетки с ¦8529 10 900 0 ¦ ¦ ¦электронным управлением диаграммой ¦ ¦ ¦ ¦направленности, функционирующие на ¦ ¦ ¦ ¦частотах, превышающих 31,8 ГГц ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 5.1.1.4 не контролируются антенные фазированные решетки ¦ ¦с электронным управлением диаграммой направленности для систем ¦ ¦посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной ¦ ¦организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы ¦ ¦посадки СВЧ-диапазона (MLS) ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.1.1.5 ¦Оборудование радиопеленгации, ¦8525 20 990 9; ¦ ¦ ¦работающее на частотах выше 30 МГц ¦8526 91 900 0 ¦ ¦ ¦и имеющее все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики, и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для него компоненты: ¦ ¦ ¦ ¦а) мгновенную ширину полосы частот,¦ ¦ ¦ ¦равную 1 МГц или выше ¦ ¦ ¦ ¦б) параллельную обработку данных по¦ ¦ ¦ ¦более чем 100 частотным каналам; и ¦ ¦ ¦ ¦в) производительность более 1000 ¦ ¦ ¦ ¦пеленгований в секунду на частотный¦ ¦ ¦ ¦канал ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1 ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.1 ¦Оборудование и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные компоненты или ¦ ¦ ¦ ¦принадлежности для него, специально¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или использования ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, функций или свойств, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по части 1 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По пункту 5.2.1.1 не контролируется оборудование определения ¦ ¦параметров оптического волокна ¦ +------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для ¦ ¦них, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.2 ¦Оборудование и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные компоненты или ¦ ¦ ¦ ¦принадлежности для него, специально¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для разработки ¦ ¦ ¦ ¦любого из следующего ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационного передающего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или коммутационного ¦ ¦ ¦ ¦оборудования: ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.2.1 ¦Оборудования, использующего ¦ ¦ ¦ ¦цифровые технологии, и ¦ ¦ ¦ ¦предназначенного для выполнения ¦ ¦ ¦ ¦операций с общей скоростью цифровой¦ ¦ ¦ ¦передачи, превышающей 15 Гбит/с ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи ¦ ¦измеряется по самой высокой скорости порта или линии ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.2.2 ¦Оборудования, использующего лазер и¦ ¦ ¦ ¦имеющего любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) длину волны передачи данных, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 1750 нм ¦ ¦ ¦ ¦б) производящего оптическое ¦ ¦ ¦ ¦усиление ¦ ¦ ¦ ¦в) использующего технологии ¦ ¦ ¦ ¦когерентной оптической передачи или¦ ¦ ¦ ¦когерентного оптического ¦ ¦ ¦ ¦детектирования (известных также как¦ ¦ ¦ ¦оптический гетеродин или оптический¦ ¦ ¦ ¦гомодин); или ¦ ¦ ¦ ¦г) использующего аналоговую ¦ ¦ ¦ ¦технологию при ширине полосы ¦ ¦ ¦ ¦пропускания, превышающей 2,5 ГГц ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Примечание. ¦ ¦По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не контролируется оборудование, ¦ ¦специально предназначенное для разработки систем коммерческого ¦ ¦телевидения ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.2.3 ¦Оборудования, использующего ¦ ¦ ¦ ¦оптическую коммутацию; ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.2.4 ¦Радиоаппаратуры, использующей ¦ ¦ ¦ ¦методы квадратурной амплитудной ¦ ¦ ¦ ¦модуляции с уровнем выше 256; или ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.2.1.2.5 ¦Оборудования, использующего ¦ ¦ ¦ ¦передачу сигнала по общему каналу, ¦ ¦ ¦ ¦осуществляемую в несвязанном режиме¦ ¦ ¦ ¦работы ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.3.1 ¦Материалы - нет ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.4.1 ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.4.1.1 ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное ¦ ¦ ¦ ¦для разработки, производства или ¦ ¦ ¦ ¦использования оборудования, функций¦ ¦ ¦ ¦или свойств, контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦части 1 категории 5 ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1,¦ ¦см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.4.1.2 ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное ¦ ¦ ¦ ¦для обслуживания технологий, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 5.5.1 ¦ ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.2,¦ ¦см. также пункт 5.4.1.2 раздела 2 ¦ +--------------+-----------------------------------+---------------+ ¦5.4.1.3 ¦Специальное программное ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
