ПОИСК ДОКУМЕНТОВ

Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.12.2006 № 14/129 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"

< Главная страница

Стр. 11

Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 |

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые;

при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, x - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C)

7. Термин "коррозионностойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C)

    14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения  включают
стекла,  имеющие   измеренный  при  температуре  293 К (20 град. C)
                                   -7  -1
коэффициент линейного расширения 10  K    или менее

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома-никель

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град. C) до 1375 К (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ)

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением

Некоторые пояснения к таблице

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения

-------------+--------------------------------------+----------
¦   N п/п    ¦             Наименование             ¦  Код ТН ВЭД  ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦                     Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА                     ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1         ¦Системы, оборудование и компоненты    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания:                                                       ¦
¦1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в     ¦
¦пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 -        ¦
¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны ¦
¦или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое ¦
¦оборудование, определяется по контрольному статусу такого         ¦
¦оборудования                                                      ¦
¦2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах      ¦
¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются     ¦
¦неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения  ¦
¦функций другого оборудования, определяется по контрольному        ¦
¦статусу такого оборудования                                       ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может          ¦
¦определить контрольный статус другого оборудования, этот статус   ¦
¦определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в  ¦
¦пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если         ¦
¦интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или   ¦
¦микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и     ¦
¦имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее     ¦
¦статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом      ¦
¦3.1.1.1.3                                                         ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1       ¦Электронные компоненты:               ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1     ¦Нижеперечисленные интегральные        ¦              ¦
¦            ¦микросхемы общего назначения:         ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.1   ¦Интегральные схемы, спроектированные  ¦8542          ¦
¦            ¦или относящиеся к классу радиационно  ¦              ¦
¦            ¦стойких, выдерживающие любое из       ¦              ¦
¦            ¦следующих воздействий:                ¦              ¦
¦            ¦                     3                ¦              ¦
¦            ¦а) суммарную дозу 5 x  10  Гр (Si)    ¦              ¦
¦            ¦       5                              ¦              ¦
¦            ¦[5 x 10  рад] или выше                ¦              ¦
¦            ¦                       6              ¦              ¦
¦            ¦б) мощность дозы 5 x 10  Гр (Si)/с    ¦              ¦
¦            ¦       8                              ¦              ¦
¦            ¦[5 x 10  рад/с] или выше; или         ¦              ¦
¦            ¦в) флюенс (интегральный поток)        ¦              ¦
¦            ¦нейтронов (соответствующий            ¦              ¦
¦            ¦                       13             ¦              ¦
¦            ¦энергии в 1 МэВ) 5 x 10   н/кв.см или ¦              ¦
¦            ¦более по кремнию или его эквивалент   ¦              ¦
¦            ¦для других материалов                 ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл   ¦
¦- диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре)                      ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.2   ¦Микросхемы микропроцессоров,          ¦8542          ¦
¦            ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы       ¦              ¦
¦            ¦микроконтроллеров, изготовленные из   ¦              ¦
¦            ¦полупроводниковых соединений          ¦              ¦
¦            ¦интегральные схемы памяти, аналого-   ¦              ¦
¦            ¦цифровые преобразователи,             ¦              ¦
¦            ¦цифроаналоговые преобразователи,      ¦              ¦
¦            ¦электронно-оптические или оптические  ¦              ¦
¦            ¦интегральные схемы для обработки      ¦              ¦
¦            ¦сигналов, программируемые             ¦              ¦
¦            ¦пользователем логические устройства,  ¦              ¦
¦            ¦интегральные схемы для нейронных      ¦              ¦
¦            ¦сетей, заказные интегральные схемы,   ¦              ¦
¦            ¦функции которых неизвестны или не     ¦              ¦
¦            ¦известно, распространяется ли статус  ¦              ¦
¦            ¦контроля на аппаратуру, в которой     ¦              ¦
¦            ¦будут использоваться эти интегральные ¦              ¦
¦            ¦схемы, процессоры быстрого            ¦              ¦
¦            ¦преобразования Фурье, электрически    ¦              ¦
¦            ¦перепрограммируемые постоянные        ¦              ¦
¦            ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ),      ¦              ¦
¦            ¦память с групповой перезаписью или    ¦              ¦
¦            ¦статические запоминающие устройства с ¦              ¦
¦            ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие¦              ¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:     ¦              ¦
¦            ¦а) работоспособные при температуре    ¦              ¦
¦            ¦окружающей среды выше 398 К (+125     ¦              ¦
¦            ¦град. C)                              ¦              ¦
¦            ¦б) работоспособные при температуре    ¦              ¦
¦            ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 град.¦              ¦
¦            ¦C); или                               ¦              ¦
¦            ¦в) работоспособные во всем диапазоне  ¦              ¦
¦            ¦температур окружающей среды от 218 К  ¦              ¦
¦            ¦(-55 град. C) до 398 К (+125 град. C) ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы,        ¦
¦применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных         ¦
¦поездов                                                           ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3   ¦Микросхемы микропроцессоров,          ¦              ¦
¦            ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы       ¦              ¦
¦            ¦микроконтроллеров, имеющие любую из   ¦              ¦
¦            ¦следующих характеристик:              ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3.1 ¦Изготовлены на полупроводниковых      ¦8542 21 45;   ¦
¦            ¦соединениях и работающие на тактовой  ¦8542 21 500 0;¦
¦            ¦частоте, превышающей 40 МГц; или      ¦8542 21 83;   ¦
¦            ¦                                      ¦8542 21 850 0;¦
¦            ¦                                      ¦8542 60 000   ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3.2 ¦Более трех шин данных или команд либо ¦8542 21 45;   ¦
¦            ¦последовательных портов связи,        ¦8542 21 500 0;¦
¦            ¦обеспечивающих в отдельности прямое   ¦8542 21 83;   ¦
¦            ¦внешнее соединение между параллельными¦8542 21 850 0;¦
¦            ¦микросхемами микропроцессоров со      ¦8542 60 000   ¦
¦            ¦скоростью передачи 1000 Мбайт/с или   ¦              ¦
¦            ¦более                                 ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые   ¦
¦матричные процессоры и цифровые сопроцессоры                      ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.4   ¦Интегральные схемы памяти,            ¦8542 21 45;   ¦
¦            ¦изготовленные на полупроводниковых    ¦8542 21 500 0;¦
¦            ¦соединениях                           ¦8542 21 83;   ¦
¦            ¦                                      ¦8542 21 850 0;¦
¦            ¦                                      ¦8542 60 000   ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.5   ¦Следующие интегральные схемы для      ¦8542 29 600 0;¦
¦            ¦аналого-цифровых и цифроаналоговых    ¦8542 29 900 9;¦
¦            ¦преобразователей:                     ¦8542 60 000 9 ¦
¦            ¦а) аналого-цифровые преобразователи,  ¦              ¦
¦            ¦имеющие любую из следующих            ¦              ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦разрешающую способность 8 бит или     ¦              ¦
¦            ¦более, но менее 10 бит, со скоростью  ¦              ¦
¦            ¦на выходе более 500 млн. слов в       ¦              ¦
¦            ¦секунду                               ¦              ¦
¦            ¦разрешающую способность 10 бит или    ¦              ¦
¦            ¦более, но менее 12 бит, со скоростью  ¦              ¦
¦            ¦на выходе более 200 млн. слов в       ¦              ¦
¦            ¦секунду                               ¦              ¦
¦            ¦разрешающую способность 12 бит со     ¦              ¦
¦            ¦скоростью на выходе более 50 млн. слов¦              ¦
¦            ¦в секунду                             ¦              ¦
¦            ¦разрешающую способность более 12 бит, ¦              ¦
¦            ¦но равную или меньше 14 бит, со       ¦              ¦
¦            ¦скоростью на выходе более 5 млн. слов ¦              ¦
¦            ¦в секунду                             ¦              ¦
¦            ¦или разрешающую способность более 14  ¦              ¦
¦            ¦бит со скоростью на выходе более 1    ¦              ¦
¦            ¦млн. слов в секунду                   ¦              ¦
¦            ¦б) цифроаналоговые преобразователи с  ¦              ¦
¦            ¦разрешающей способностью 12 бит или   ¦              ¦
¦            ¦более и временем установления сигнала ¦              ¦
¦            ¦менее 10 нс                           ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Технические примечания:                                           ¦
¦                                                  n               ¦
¦1. Разрешающая способность n битов соответствует 2  уровням       ¦
¦квантования                                                       ¦
¦2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей      ¦
¦способности аналого-цифрового преобразователя                     ¦
¦3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе   ¦
¦преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом     ¦
¦по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на     ¦
¦скорость на выходе как на частоту выборки, скорость               ¦
¦преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют    ¦
¦в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)      ¦
¦4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в   ¦
¦секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду      ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.6   ¦Электронно-оптические и оптические    ¦8542          ¦
¦            ¦интегральные схемы для обработки      ¦              ¦
¦            ¦сигналов, имеющие одновременно все    ¦              ¦
¦            ¦перечисленные составляющие:           ¦              ¦
¦            ¦а) один внутренний лазерный диод или  ¦              ¦
¦            ¦более                                 ¦              ¦
¦            ¦б) один внутренний светочувствительный¦              ¦
¦            ¦элемент или более; и                  ¦              ¦
¦            ¦в) световоды                          ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.7   ¦Программируемые пользователем         ¦8542 21 690 0;¦
¦            ¦логические устройства, имеющие любую  ¦8542 21 990 0 ¦
¦            ¦из следующих характеристик:           ¦              ¦
¦            ¦а) эквивалентное количество           ¦              ¦
¦            ¦задействованных логических элементов  ¦              ¦
¦            ¦более 30000 (в пересчете на элементы с¦              ¦
¦            ¦двумя входами)                        ¦              ¦
¦            ¦б) типовое время задержки основного   ¦              ¦
¦            ¦логического элемента менее 0,1 нс; или¦              ¦
¦            ¦в) частоту переключения выше 133 МГц  ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические      ¦
¦устройства (ППЛУ) сложные программируемые логические устройства   ¦
¦(СПЛУ) программируемые пользователем вентильные матрицы           ¦
¦(ППВМ) программируемые пользователем логические матрицы           ¦
¦(ППЛМ) программируемые пользователем межсоединения (ППМС)         ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦Программируемые пользователем логические устройства также         ¦
¦известны как программируемые пользователем вентильные или         ¦
¦программируемые пользователем логические матрицы                  ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.8   ¦Интегральные схемы для нейронных сетей¦8542          ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.9   ¦Заказные интегральные схемы, функции  ¦8542 21 690 0;¦
¦            ¦которых неизвестны или изготовителю не¦8542 21 990 0;¦
¦            ¦известно, распространяется ли статус  ¦8542 29;      ¦
¦            ¦контроля на аппаратуру, в которой     ¦8542 60 000   ¦
¦            ¦будут использоваться эти интегральные ¦              ¦
¦            ¦схемы, с любой из следующих           ¦              ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦а) более 1000 выводов                 ¦              ¦
¦            ¦б) типовое время задержки основного   ¦              ¦
¦            ¦логического элемента менее 0,1 нс; или¦              ¦
¦            ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.10  ¦Цифровые интегральные схемы, иные,    ¦8542          ¦
¦            ¦нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 -¦              ¦
¦            ¦3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11,        ¦              ¦
¦            ¦созданные на основе любого            ¦              ¦
¦            ¦полупроводникового соединения и       ¦              ¦
¦            ¦характеризующиеся любым из            ¦              ¦
¦            ¦нижеследующего:                       ¦              ¦
¦            ¦а) эквивалентным количеством          ¦              ¦
¦            ¦логических элементов более 3000 (в    ¦              ¦
¦            ¦пересчете на элементы с двумя         ¦              ¦
¦            ¦входами); или                         ¦              ¦
¦            ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.11  ¦Процессоры быстрого преобразования    ¦8542 21 45;   ¦
¦            ¦Фурье, имеющие расчетное время        ¦8542 21 500 0;¦
¦            ¦выполнения комплексного N-точечного   ¦8542 21 83;   ¦
¦            ¦сложного быстрого преобразования Фурье¦8542 21 850 0;¦
¦            ¦менее (N log  N) / 20480 мс,          ¦8542 60 000   ¦
¦            ¦                  2                   ¦              ¦
¦            ¦где N - количество точек              ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11   ¦
¦дает результат времени выполнения 500 мкс                         ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Примечания:                                                       ¦
¦1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на   ¦
¦которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по         ¦
¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1                            ¦
¦2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:          ¦
¦монолитные интегральные схемы                                     ¦
¦гибридные интегральные схемы                                      ¦
¦многокристальные интегральные схемы                               ¦
¦пленочные интегральные схемы,                                     ¦
¦включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"              ¦
¦оптические интегральные схемы                                     ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2     ¦Компоненты микроволнового или         ¦              ¦
¦            ¦миллиметрового диапазона:             ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1   ¦Нижеперечисленные электронные         ¦              ¦
¦            ¦вакуумные лампы и катоды:             ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1.1 ¦Лампы бегущей волны импульсного или   ¦8540 79 000 0 ¦
¦            ¦непрерывного действия:                ¦              ¦
¦            ¦а) работающие на частотах, превышающих¦              ¦
¦            ¦31,8 ГГц                              ¦              ¦
¦            ¦б) имеющие элемент подогрева катода со¦              ¦
¦            ¦временем выхода лампы на предельную   ¦              ¦
¦            ¦радиочастотную мощность менее 3 с     ¦              ¦
¦            ¦в) лампы с сопряженными резонаторами  ¦              ¦
¦            ¦или их модификации с относительной    ¦              ¦
¦            ¦шириной полосы частот более 7% или    ¦              ¦
¦            ¦пиком мощности, превышающим 2,5 кВт   ¦              ¦
¦            ¦г) спиральные лампы или их            ¦              ¦
¦            ¦модификации, имеющие любую из         ¦              ¦
¦            ¦следующих характеристик:              ¦              ¦
¦            ¦мгновенную ширину полосы частот более ¦              ¦
¦            ¦одной октавы и произведение средней   ¦              ¦
¦            ¦мощности (выраженной в кВт) на рабочую¦              ¦
¦            ¦частоту (выраженную в ГГц) более 0,5  ¦              ¦
¦            ¦мгновенную ширину полосы частот в одну¦              ¦
¦            ¦октаву или менее и произведение       ¦              ¦
¦            ¦средней мощности (выраженной в кВт) на¦              ¦
¦            ¦рабочую частоту (выраженную в ГГц)    ¦              ¦
¦            ¦более 1; или                          ¦              ¦
¦            ¦пригодные для применения в космосе    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1.2 ¦Лампы-усилители магнетронного типа с  ¦8540 71 000 0 ¦
¦            ¦коэффициентом усиления более 17 дБ    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1.3 ¦Импрегнированные катоды, разработанные¦8540 99 000 0 ¦
¦            ¦для электронных ламп, эмитирующие в   ¦              ¦
¦            ¦непрерывном режиме и штатных условиях ¦              ¦
¦            ¦работы ток плотностью, превышающей 5  ¦              ¦
¦            ¦А/кв.см                               ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания.                                                       ¦
¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы,                   ¦
¦спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который     ¦
¦удовлетворяет всем следующим характеристикам:                     ¦
¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и                               ¦
¦б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для     ¦
¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения               ¦
¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые           ¦
¦непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем          ¦
¦следующим характеристикам:                                        ¦
¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и                    ¦
¦б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот,          ¦
¦который удовлетворяет всем следующим характеристикам:             ¦
¦частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и                ¦
¦диапазон распределен Международным союзом электросвязи для        ¦
¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения               ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.2   ¦Монолитные микроволновые интегральные ¦8542 29;      ¦
¦            ¦схемы (ММИС) - усилители мощности,    ¦8542 60 000;  ¦
¦            ¦имеющие любую из следующих            ¦8542 70 000 0 ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦а) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц    ¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ,   ¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня     ¦              ¦
¦            ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦              ¦
¦            ¦частот более 15%                      ¦              ¦
¦            ¦б) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц     ¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ,   ¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня     ¦              ¦
¦            ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦              ¦
¦            ¦частот более 10%                      ¦              ¦
¦            ¦в) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц  ¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, ¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня     ¦              ¦
¦            ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦              ¦
¦            ¦частот более 10%                      ¦              ¦
¦            ¦г) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц¦              ¦
¦            ¦включительно                          ¦              ¦
¦            ¦д) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ,¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня     ¦              ¦
¦            ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦              ¦
¦            ¦частот более 10%; или                 ¦              ¦
¦            ¦е) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах выше 43,5 ГГц                ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания:                                                       ¦
¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее          ¦
¦спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для   ¦
¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц                    ¦
¦2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает    ¦
¦более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2,          ¦
¦определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной      ¦
¦мощности                                                          ¦
¦3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3,          ¦
¦подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС,    ¦
¦если они специально разработаны для иных целей, например для      ¦
¦телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей           ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.3   ¦Микроволновые транзисторы, имеющие    ¦8541 21 000 0;¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:     ¦8541 29 000 0 ¦
¦            ¦а) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц    ¦              ¦
¦            ¦включительно и имеющие среднюю        ¦              ¦
¦            ¦выходную мощность, превышающую 60 Вт  ¦              ¦
¦            ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно  ¦              ¦
¦            ¦уровня 1 мВт)                         ¦              ¦
¦            ¦б) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц   ¦              ¦
¦            ¦включительно и имеющие среднюю        ¦              ¦
¦            ¦выходную мощность, превышающую 20 Вт  ¦              ¦
¦            ¦(43 дБ, отсчитываемых относительно    ¦              ¦
¦            ¦уровня 1 мВт)                         ¦              ¦
¦            ¦в) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц¦              ¦
¦            ¦включительно и имеющие среднюю        ¦              ¦
¦            ¦выходную мощность, превышающую 0,5 Вт ¦              ¦
¦            ¦(27 дБ, отсчитываемых относительно    ¦              ¦
¦            ¦уровня 1 мВт)                         ¦              ¦
¦            ¦г) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц¦              ¦
¦            ¦включительно и имеющие среднюю        ¦              ¦
¦            ¦выходную мощность, превышающую 1 Вт   ¦              ¦
¦            ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно    ¦              ¦
¦            ¦уровня 1 мВт); или                    ¦              ¦
¦            ¦д) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах выше 43,5 ГГц                ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает   ¦
¦более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3,          ¦
¦определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной      ¦
¦мощности                                                          ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.4   ¦Микроволновые твердотельные усилители ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦и микроволновые сборки / модули,      ¦              ¦
¦            ¦содержащие микроволновые усилители,   ¦              ¦
¦            ¦имеющие любую из следующих            ¦              ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦а) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц    ¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ,¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня 1   ¦              ¦
¦            ¦мВт), с относительной шириной полосы  ¦              ¦
¦            ¦частот более 15%                      ¦              ¦
¦            ¦б) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц   ¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ,  ¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня     ¦              ¦
¦            ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦              ¦
¦            ¦частот более 10%                      ¦              ¦
¦            ¦в) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц¦              ¦
¦            ¦включительно                          ¦              ¦
¦            ¦г) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц¦              ¦
¦            ¦включительно и со средней выходной    ¦              ¦
¦            ¦мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ,   ¦              ¦
¦            ¦отсчитываемых относительно уровня     ¦              ¦
¦            ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦              ¦
¦            ¦частот более 10%                      ¦              ¦
¦            ¦д) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах выше 43,5 ГГц; или           ¦              ¦
¦            ¦е) предназначенные для работы на      ¦              ¦
¦            ¦частотах выше 3 ГГц и имеющие все     ¦              ¦
¦            ¦следующее: среднюю выходную мощность Р¦              ¦
¦            ¦(Вт), большую, чем результат от       ¦              ¦
¦            ¦деления величины 150 (Вт x ГГц2) на   ¦              ¦
¦            ¦максимальную рабочую частоту f (ГГц) в¦              ¦
¦            ¦квадрате, то есть: Р > 150 / f2 или в ¦              ¦
¦            ¦единицах размерности [(Вт) > (Вт x    ¦              ¦
¦            ¦ГГц2)/(ГГц)2];относительную ширину    ¦              ¦
¦            ¦полосы частот 5% или более;           ¦              ¦
¦            ¦любые две взаимно перпендикулярные    ¦              ¦
¦            ¦стороны с длиной d (см), равной или   ¦              ¦
¦            ¦меньше, чем результат от деления      ¦              ¦
¦            ¦величины 15 (см x ГГц) на наименьшую  ¦              ¦
¦            ¦рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <=¦              ¦
¦            ¦15 / f или в единицах размерности     ¦              ¦
¦            ¦[(см) <= (см x ГГц)/(ГГц)]            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться            ¦
¦критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2                            ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Примечания:                                                       ¦
¦1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее          ¦
¦спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для   ¦
¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц                    ¦
¦2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого           ¦
¦охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте          ¦
¦3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней    ¦
¦выходной мощности                                                 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.5   ¦Полосовые или заградительные фильтры с¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦электронной или магнитной             ¦              ¦
¦            ¦перестройкой, содержащие более пяти   ¦              ¦
¦            ¦настраиваемых резонаторов,            ¦              ¦
¦            ¦обеспечивающих настройку в полосе     ¦              ¦
¦            ¦частот с соотношением максимальной и  ¦              ¦
¦            ¦минимальной частот 1,5:1 (f max / f   ¦              ¦
¦            ¦min) менее чем за 10 мкс, и имеющие   ¦              ¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:     ¦              ¦
¦            ¦а) полосу пропускания частоты более   ¦              ¦
¦            ¦0,5% от резонансной частоты; или      ¦              ¦
¦            ¦б) полосу подавления частоты менее    ¦              ¦
¦            ¦0,5% от резонансной частоты           ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.6   ¦Смесители и преобразователи,          ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦разработанные для расширения          ¦              ¦
¦            ¦частотного диапазона аппаратуры,      ¦              ¦
¦            ¦указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5   ¦              ¦
¦            ¦или 3.1.2.6                           ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.7   ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ- ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦диапазона, содержащие лампы,          ¦              ¦
¦            ¦контролируемые по пункту 3.1.1.2, и   ¦              ¦
¦            ¦имеющие все следующие характеристики: ¦              ¦
¦            ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц         ¦              ¦
¦            ¦б) плотность средней выходной         ¦              ¦
¦            ¦мощности, превышающую 80 Вт/кг; и     ¦              ¦
¦            ¦в) объем менее 400 куб.см             ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 3.1.1.2.7 не контролируется аппаратура,                 ¦
¦спроектированная для работы в любом диапазоне частот,             ¦
¦распределенном Международным союзом электросвязи для              ¦
¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения               ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3     ¦Приборы на акустических волнах и      ¦              ¦
¦            ¦специально разработанные для них      ¦              ¦
¦            ¦компоненты:                           ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3.1   ¦Приборы на поверхностных акустических ¦8541 60 000 0 ¦
¦            ¦волнах и на акустических волнах в     ¦              ¦
¦            ¦тонком поверхностном слое (то есть    ¦              ¦
¦            ¦приборы для обработки сигналов,       ¦              ¦
¦            ¦использующие упругие волны в          ¦              ¦
¦            ¦материале), имеющие любую из следующих¦              ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦а) несущую частоту выше 2,5 ГГц       ¦              ¦
¦            ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не  ¦              ¦
¦            ¦превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно  ¦              ¦
¦            ¦имеющие любую из следующих            ¦              ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦частотное подавление боковых лепестков¦              ¦
¦            ¦диаграммы направленности более 55 дБ  ¦              ¦
¦            ¦произведение максимального времени    ¦              ¦
¦            ¦задержки (в мкс) на ширину полосы     ¦              ¦
¦            ¦частот (в МГц) более 100              ¦              ¦
¦            ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или¦              ¦
¦            ¦дисперсионную задержку более 10 мкс;  ¦              ¦
¦            ¦или                                   ¦              ¦
¦            ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и     ¦              ¦
¦            ¦дополнительно имеющие любую из        ¦              ¦
¦            ¦следующих характеристик:              ¦              ¦
¦            ¦произведение максимального времени    ¦              ¦
¦            ¦задержки (в мкс) на ширину полосы     ¦              ¦
¦            ¦частот (в МГц) более 100              ¦              ¦
¦            ¦дисперсионную задержку более 10 мкс;  ¦              ¦
¦            ¦или                                   ¦              ¦
¦            ¦частотное подавление боковых лепестков¦              ¦
¦            ¦диаграммы направленности более 55 дБ и¦              ¦
¦            ¦ширину полосы частот, превышающую 50  ¦              ¦
¦            ¦МГц                                   ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3.2   ¦Приборы на объемных акустических      ¦8541 60 000 0 ¦
¦            ¦волнах (то есть приборы для обработки ¦              ¦
¦            ¦сигналов, использующие упругие волны в¦              ¦
¦            ¦материале), обеспечивающие            ¦              ¦
¦            ¦непосредственную обработку сигналов на¦              ¦
¦            ¦частотах, превышающих 1 ГГц           ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3.3   ¦Акустооптические приборы обработки    ¦8541 60 000 0 ¦
¦            ¦сигналов, использующие взаимодействие ¦              ¦
¦            ¦между акустическими волнами (объемными¦              ¦
¦            ¦или поверхностными) и световыми       ¦              ¦
¦            ¦волнами, что позволяет непосредственно¦              ¦
¦            ¦обрабатывать сигналы или изображения, ¦              ¦
¦            ¦включая анализ спектра, корреляцию или¦              ¦
¦            ¦свертку                               ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.4     ¦Электронные приборы и схемы,          ¦8540;         ¦
¦            ¦содержащие компоненты, изготовленные  ¦8541;         ¦
¦            ¦из сверхпроводящих материалов,        ¦8542;         ¦
¦            ¦специально спроектированные для работы¦8543          ¦
¦            ¦при температурах ниже критической     ¦              ¦
¦            ¦температуры хотя бы одной из          ¦              ¦
¦            ¦сверхпроводящих составляющих, имеющие ¦              ¦
¦            ¦хотя бы один из следующих признаков:  ¦              ¦
¦            ¦а) токовые переключатели для цифровых ¦              ¦
¦            ¦схем, использующие сверхпроводящие    ¦              ¦
¦            ¦вентили, у которых произведение       ¦              ¦
¦            ¦времени задержки на вентиль (в        ¦              ¦
¦            ¦секундах) на рассеиваемую мощность на ¦              ¦
¦            ¦                           -14        ¦              ¦
¦            ¦вентиль (в ваттах) менее 10    Дж; или¦              ¦
¦            ¦б) селекцию частоты на всех частотах с¦              ¦
¦            ¦использованием резонансных контуров с ¦              ¦
¦            ¦добротностью, превышающей 10000       ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5     ¦Нижеперечисленные мощные              ¦              ¦
¦            ¦энергетические устройства:            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1   ¦Батареи и сборки фотоэлектрических    ¦              ¦
¦            ¦элементов:                            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1.1 ¦Первичные элементы и батареи с        ¦8506;         ¦
¦            ¦плотностью энергии, превышающей 480   ¦8507;         ¦
¦            ¦Вт·ч/кг, и пригодные для работы в     ¦8541 40 900 0 ¦
¦            ¦диапазоне температур от ниже 243 К (- ¦              ¦
¦            ¦30 град. C) до выше 343 К (70 град. C)¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1.2 ¦Подзаряжаемые элементы и батареи с    ¦8506;         ¦
¦            ¦плотностью энергии более 150 Вт ч/кг  ¦8507;         ¦
¦            ¦после 75 циклов заряд-разряда при токе¦8541 40 900 0 ¦
¦            ¦разряда, равном С/5 (С - номинальная  ¦              ¦
¦            ¦емкость в ампер-часах, 5 - время      ¦              ¦
¦            ¦разряда в часах), при работе в        ¦              ¦
¦            ¦диапазоне температур                  ¦              ¦
¦            ¦от ниже 253 К (-20 град. C)           ¦              ¦
¦            ¦до выше 333 К (60 град. C)            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности   ¦
¦в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний   ¦
¦ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при         ¦
¦котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от        ¦
¦номинала, и деления полученного произведения на общую массу       ¦
¦элемента (или батареи) в килограммах                              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1.3 ¦Батареи, пригодные для применения в   ¦8506;         ¦
¦            ¦космосе, и радиационно-стойкие сборки ¦8507;         ¦
¦            ¦фотоэлектрических элементов с удельной¦8541 40 900 0 ¦
¦            ¦мощностью более 160 Вт/кв.м при       ¦              ¦
¦            ¦рабочей температуре 301 К (28 град. C)¦              ¦
¦            ¦и облучении от вольфрамового          ¦              ¦
¦            ¦источника, нагретого до температуры   ¦              ¦
¦            ¦2800 К (2527 град. C) с плотностью    ¦              ¦
¦            ¦мощности излучения 1 кВт/кв.м         ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи    ¦
¦объемом 27 куб.см или менее (например, стандартные элементы с     ¦
¦угольными стержнями или батареи типа R14)                         ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.2   ¦Высокоэнергетические накопительные    ¦              ¦
¦            ¦конденсаторы:                         ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.2.1 ¦Конденсаторы с частотой повторения    ¦8506;         ¦
¦            ¦ниже 10 Гц (одноразрядные             ¦8507;         ¦
¦            ¦конденсаторы), имеющие все следующие  ¦8532          ¦
¦            ¦характеристики:                       ¦              ¦
¦            ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или    ¦              ¦
¦            ¦более                                 ¦              ¦
¦            ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или    ¦              ¦
¦            ¦более; и                              ¦              ¦
¦            ¦в) полную энергию 25 кДж или более    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.2.2 ¦Конденсаторы с частотой повторения 10 ¦8506;         ¦
¦            ¦Гц и выше (многоразрядные             ¦8507;         ¦
¦            ¦конденсаторы), имеющие все следующие  ¦8532          ¦
¦            ¦характеристики:                       ¦              ¦
¦            ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или    ¦              ¦
¦            ¦более;                                ¦              ¦
¦            ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или     ¦              ¦
¦            ¦более                                 ¦              ¦
¦            ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦              ¦
¦            ¦г) количество циклов заряд-разряда    ¦              ¦
¦            ¦10000 или более                       ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.3   ¦Сверхпроводящие электромагниты и      ¦8504 50;      ¦
¦            ¦соленоиды, специально разработанные на¦8505 90 100 0 ¦
¦            ¦полный заряд или разряд менее чем за  ¦              ¦
¦            ¦1 с, имеющие все нижеперечисленные    ¦              ¦
¦            ¦характеристики:                       ¦              ¦
¦            ¦а) энергию, выделяемую при разряде,   ¦              ¦
¦            ¦превышающую 10 кДж за первую секунду  ¦              ¦
¦            ¦б) внутренний диаметр токонесущих     ¦              ¦
¦            ¦обмоток более 250 мм; и               ¦              ¦
¦            ¦в) номинальную магнитную индукцию     ¦              ¦
¦            ¦больше 8 Т или суммарную плотность    ¦              ¦
¦            ¦тока в обмотке более 300 А/кв.мм      ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие             ¦
¦электромагниты или соленоиды, специально разработанные для        ¦
¦медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.6     ¦Цифровые преобразователи абсолютного  ¦9031 80 320 0;¦
¦            ¦углового положения вращающегося вала, ¦9031 80 340 0 ¦
¦            ¦имеющие любую из следующих            ¦              ¦
¦            ¦характеристик:                        ¦              ¦
¦            ¦а) разрешение лучше 1/265000 от       ¦              ¦
¦            ¦полного диапазона (18 бит); или       ¦              ¦
¦            ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл. с      ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2       ¦Нижеперечисленная электронная         ¦              ¦
¦            ¦аппаратура общего назначения:         ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1     ¦Записывающая аппаратура и специально  ¦              ¦
¦            ¦разработанная измерительная магнитная ¦              ¦
¦            ¦лента для нее:                        ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.1   ¦Устройства записи на магнитной ленте  ¦8520 32 500 0;¦
¦            ¦показаний аналоговой аппаратуры,      ¦8520 32 990 0;¦
¦            ¦включая аппаратуру с возможностью     ¦8520 39 900 0;¦
¦            ¦записи цифровых сигналов (например,   ¦8520 90 900 0;¦
¦            ¦использующие модуль цифровой записи   ¦8521 10 300 0;¦
¦            ¦высокой плотности), имеющие любую из  ¦8521 10 800 0 ¦
¦            ¦следующих характеристик:              ¦              ¦
¦            ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на¦              ¦
¦            ¦электронный канал или дорожку         ¦              ¦
¦            ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на¦              ¦
¦            ¦электронный канал или дорожку, при    ¦              ¦
¦            ¦количестве дорожек более 42; или      ¦              ¦
¦            ¦в) ошибку рассогласования (основную)  ¦              ¦
¦            ¦временной шкалы, измеренную по        ¦              ¦
¦            ¦методикам соответствующих руководящих ¦              ¦
¦            ¦материалов Межведомственного совета по¦              ¦
¦            ¦радиопромышленности (IRIG) или        ¦              ¦
¦            ¦Ассоциации электронной промышленности ¦              ¦
¦            ¦(EIA), менее +/- 0,1 мкс              ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально        ¦
¦разработанные для гражданского применения, не рассматриваются     ¦
¦как записывающие устройства, использующие ленту                   ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.2   ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной¦8521 10;      ¦
¦            ¦ленте, имеющие максимальную пропускную¦8521 90 000 0 ¦
¦            ¦способность цифрового интерфейса более¦              ¦
¦            ¦360 Мбит/с                            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны   ¦
¦на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной    ¦
¦записи, использующие формат сигнала, который может включать       ¦
¦сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый     ¦
¦для применения в гражданском телевидении Международным союзом     ¦
¦электросвязи, Международной электротехнической комиссией,         ¦
¦Организацией инженеров по развитию кино и телевидения,            ¦
¦Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом           ¦
¦стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по       ¦
¦электротехнике и радиоэлектронике                                 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.3   ¦Устройства записи на магнитной ленте  ¦8471 70 600 0;¦
¦            ¦показаний цифровой аппаратуры,        ¦8521 10       ¦
¦            ¦использующие принципы спирального     ¦              ¦
¦            ¦сканирования или принципы             ¦              ¦
¦            ¦фиксированной головки и имеющие любую ¦              ¦
¦            ¦из следующих характеристик:           ¦              ¦
¦            ¦а) максимальную пропускную способность¦              ¦
¦            ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;¦              ¦
¦            ¦или                                   ¦              ¦
¦            ¦б) пригодные для применения в космосе ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных    ¦
¦на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для           ¦
¦преобразования в цифровую запись высокой плотности и              ¦
¦предназначенные для записи только цифровых данных                 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.4   ¦Аппаратура с максимальной пропускной  ¦8521 90 000 0 ¦
¦            ¦способностью цифрового интерфейса,    ¦              ¦
¦            ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная ¦              ¦
¦            ¦в целях переделки цифровых            ¦              ¦
¦            ¦видеомагнитофонов на магнитной ленте  ¦              ¦
¦            ¦для использования их как устройств    ¦              ¦
¦            ¦записи данных цифровой аппаратуры     ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.5   ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0;¦
¦            ¦цифровую форму и записи переходных    ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦процессов, имеющие все следующие      ¦              ¦
¦            ¦характеристики:                       ¦              ¦
¦            ¦а) скорость преобразования в цифровую ¦              ¦
¦            ¦форму 200 млн. проб в секунду или     ¦              ¦
¦            ¦более и разрешение 10 бит или более; и¦              ¦
¦            ¦б) непрерывную пропускную способность ¦              ¦
¦            ¦2 Гбит/с или более                    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине            ¦
¦непрерывная пропускная способность есть произведение              ¦
¦наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная    ¦
¦пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных   ¦
¦аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее         ¦
¦устройство без потерь при сохранении скорости выборки и           ¦
¦аналого-цифрового преобразования                                  ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.6   ¦Устройства записи данных цифровой     ¦8471 50;      ¦
¦            ¦аппаратуры, использующие способ       ¦8471 60 100 0;¦
¦            ¦хранения на магнитном диске, имеющие  ¦8471 60 900 0;¦
¦            ¦все следующие характеристики:         ¦8471 70 100 0;¦
¦            ¦а) скорость преобразования в цифровую ¦8471 70 510 0;¦
¦            ¦форму 100 млн. проб в секунду и       ¦8471 70 530 0;¦
¦            ¦разрешение 8 бит или более; и         ¦8520 90 100 0;¦
¦            ¦б) непрерывную пропускную способность ¦8520 90 900 0;¦
¦            ¦не менее 1 Гбит/с или более           ¦8521 90 000 0 ¦
¦            ¦                                      ¦8522 90 590 0;¦
¦            ¦                                      ¦8522 90 930 0;¦
¦            ¦                                      ¦8522 90 980 0 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.2     ¦Электронные сборки синтезаторов       ¦8543 20 000 0 ¦
¦            ¦частот, имеющие время переключения    ¦              ¦
¦            ¦частоты менее 1 мс                    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3     ¦Анализаторы сигналов радиочастот:     ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3.1   ¦Анализаторы сигналов, способные       ¦9030 83 900 0;¦
¦            ¦анализировать любые сигналы с частотой¦9030 89 920 0 ¦
¦            ¦выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ¦              ¦
¦            ¦ГГц, и имеющие разрешающую способность¦              ¦
¦            ¦3 дБ для ширины полосы пропускания    ¦              ¦
¦            ¦более 10 МГц                          ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3.2   ¦Анализаторы сигналов, способные       ¦9030 83 900 0;¦
¦            ¦анализировать сигналы с частотой выше ¦9030 89 920 0 ¦
¦            ¦43,5 ГГц                              ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3.3   ¦Динамические анализаторы сигналов с   ¦9030 83 900 0;¦
¦            ¦полосой частот в реальном масштабе    ¦9030 89 920 0 ¦
¦            ¦времени, превышающей 500 кГц          ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы    ¦
¦сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания       ¦
¦фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-      ¦
¦октавные фильтры)                                                 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.4     ¦Генераторы сигналов синтезированных   ¦8543 20 000 0 ¦
¦            ¦частот, формирующие выходные частоты с¦              ¦
¦            ¦управлением по параметрам точности,   ¦              ¦
¦            ¦кратковременной и долговременной      ¦              ¦
¦            ¦стабильности на основе или с помощью  ¦              ¦
¦            ¦внутренней эталонной частоты и имеющие¦              ¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:     ¦              ¦
¦            ¦а) максимальную синтезируемую частоту,¦              ¦
¦            ¦выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ¦              ¦
¦            ¦ГГц, и предназначенные для создания   ¦              ¦
¦            ¦длительности импульса менее 100 нс    ¦              ¦
¦            ¦б) максимальную синтезируемую частоту ¦              ¦
¦            ¦выше 43,5 ГГц                         ¦              ¦
¦            ¦в) время переключения с одной         ¦              ¦
¦            ¦выбранной частоты на другую менее     ¦              ¦
¦            ¦1 мс; или                             ¦              ¦
¦            ¦г) фазовый шум одной боковой полосы   ¦              ¦
¦            ¦лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в     ¦              ¦
¦            ¦единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц  ¦              ¦
¦            ¦где F - смещение от рабочей частоты в ¦              ¦
¦            ¦Гц, а f - рабочая частота в МГц       ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой         ¦
¦выходная частота создается либо путем сложения или вычитания      ¦
¦частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем         ¦
¦сложения или вычитания с последующим умножением результирующей    ¦
¦частоты                                                           ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса      ¦
¦определяется как временной интервал между передним фронтом        ¦
¦импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом          ¦
¦импульса, достигающим 10% от максимума                            ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.5     ¦Схемные анализаторы (панорамные       ¦9030 40 900 0 ¦
¦            ¦измерители полных сопротивлений;      ¦              ¦
¦            ¦измерители амплитуды, фазы и групповой¦              ¦
¦            ¦задержки двух сигналов относительно   ¦              ¦
¦            ¦опорного сигнала) с максимальной      ¦              ¦
¦            ¦рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.6     ¦Микроволновые приемники-тестеры,      ¦8527 90 980 0 ¦
¦            ¦имеющие все следующие характеристики: ¦              ¦
¦            ¦а) максимальную рабочую частоту,      ¦              ¦
¦            ¦превышающую 43,5 ГГц; и               ¦              ¦
¦            ¦б) способные одновременно измерять    ¦              ¦
¦            ¦амплитуду и фазу                      ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.7     ¦Атомные эталоны частоты, имеющие любую¦8543 20 000 0 ¦
¦            ¦из следующих характеристик:           ¦              ¦
¦            ¦а) долговременную стабильность        ¦              ¦
¦            ¦                                -11   ¦              ¦
¦            ¦(старение) меньше (лучше) 1 x 10      ¦              ¦
¦            ¦в месяц; или                          ¦              ¦
¦            ¦б) пригодные для применения в космосе ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые      ¦
¦эталоны, непригодные для применения в космосе                     ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б"   ¦
¦пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2                   ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.3       ¦Терморегулирующие системы охлаждения  ¦8419 89 989 0;¦
¦            ¦диспергированной жидкостью,           ¦8424 89 950 9;¦
¦            ¦использующие оборудование с замкнутым ¦8479 89 980 0 ¦
¦            ¦контуром для перемещения и регенерации¦              ¦
¦            ¦жидкости в герметичной камере, в      ¦              ¦
¦            ¦которой жидкий диэлектрик распыляется ¦              ¦
¦            ¦на электронные компоненты при помощи  ¦              ¦
¦            ¦специально разработанных распыляющих  ¦              ¦
¦            ¦сопел, применяемых для поддержания    ¦              ¦
¦            ¦температуры электронных компонентов в ¦              ¦
¦            ¦пределах их рабочего диапазона, а     ¦              ¦
¦            ¦также специально разработанные для них¦              ¦
¦            ¦компоненты                            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2         ¦Испытательное, контрольное и          ¦              ¦
¦            ¦производственное оборудование         ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1       ¦Нижеперечисленное оборудование для    ¦              ¦
¦            ¦производства полупроводниковых        ¦              ¦
¦            ¦приборов или материалов и специально  ¦              ¦
¦            ¦разработанные компоненты и оснастка   ¦              ¦
¦            ¦для них:                              ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1     ¦Оборудование для эпитаксиального      ¦              ¦
¦            ¦выращивания:                          ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1.1   ¦Оборудование, обеспечивающее          ¦8479 89 650 0 ¦
¦            ¦производство любого из следующего:    ¦              ¦
¦            ¦а) силиконового слоя с отклонением    ¦              ¦
¦            ¦равномерности его толщины менее       ¦              ¦
¦            ¦+/-2,5% на расстоянии 200 мм или      ¦              ¦
¦            ¦более; или                            ¦              ¦
¦            ¦б) слоя из любого материала, отличного¦              ¦
¦            ¦от силикона, с отклонением            ¦              ¦
¦            ¦равномерности толщины менее +/-2,5% на¦              ¦
¦            ¦расстоянии 75 мм или более            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1.2   ¦Установки (реакторы) для химического  ¦8419 89 200 0 ¦
¦            ¦осаждения из паровой фазы             ¦              ¦
¦            ¦металлоорганических соединений,       ¦              ¦
¦            ¦специально разработанные для          ¦              ¦
¦            ¦выращивания кристаллов                ¦              ¦
¦            ¦полупроводниковых соединений с        ¦              ¦
¦            ¦использованием материалов,            ¦              ¦
¦            ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или    ¦              ¦
¦            ¦3.3.4, в качестве исходных            ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+

Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 |

Архів документів Папярэдні | Наступны