Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.02.2005 № 4/11 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"Документ утратил силу
< Главная страницаСтр. 10Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | ¦ ¦разработанные для шевингования, ¦ ¦ ¦ ¦финишной обработки, шлифования или ¦ ¦ ¦ ¦хонингования закаленных (Rc = 40 или ¦ ¦ ¦ ¦более) прямозубых цилиндрических, ¦ ¦ ¦ ¦косозубых и шевронных шестерен ¦ ¦ ¦ ¦диаметром делительной окружности более ¦ ¦ ¦ ¦1250 мм и шириной зубчатого венца, ¦ ¦ ¦ ¦равной 15% от диаметра делительной ¦ ¦ ¦ ¦окружности или более, с качеством ¦ ¦ ¦ ¦после финишной обработки по классу 3 в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии с международным ¦ ¦ ¦ ¦стандартом ISO 1328 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.3. ¦Горячие изостатические прессы, имеющие ¦8462 99 ¦ ¦ ¦все нижеперечисленное, и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты и ¦ ¦ ¦ ¦приспособления: ¦ ¦ ¦ ¦а) камеры с регулируемыми ¦ ¦ ¦ ¦температурами внутри рабочей полости и ¦ ¦ ¦ ¦внутренним диаметром полости камеры ¦ ¦ ¦ ¦406 мм и более; и ¦ ¦ ¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦максимальное рабочее давление выше ¦ ¦ ¦ ¦207 МПа; ¦ ¦ ¦ ¦регулируемые температуры выше 1773 К ¦ ¦ ¦ ¦(1500 град. С); или ¦ ¦ ¦ ¦оборудование для насыщения ¦ ¦ ¦ ¦углеводородом и удаления газообразных ¦ ¦ ¦ ¦продуктов разложения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются¦ ¦рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные ¦ ¦приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух ¦ ¦размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или ¦ ¦внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - ¦ ¦в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4. ¦Оборудование, специально разработанное ¦ ¦ ¦ ¦для осаждения, обработки и активного ¦ ¦ ¦ ¦управления процессом нанесения ¦ ¦ ¦ ¦неорганических покрытий, слоев и ¦ ¦ ¦ ¦модификации поверхности (за ¦ ¦ ¦ ¦исключением формирования подложек для ¦ ¦ ¦ ¦электронных схем) с использованием ¦ ¦ ¦ ¦процессов, указанных в таблице к ¦ ¦ ¦ ¦пункту 2.5.3.6 и отмеченных в ¦ ¦ ¦ ¦примечаниях к ней, а также специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для него ¦ ¦ ¦ ¦автоматизированные компоненты ¦ ¦ ¦ ¦установки, позиционирования, ¦ ¦ ¦ ¦манипулирования и регулирования: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.1. ¦Управляемое встроенной программой ¦8419 89 989 0 ¦ ¦ ¦производственное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦химического осаждения из паровой фазы ¦ ¦ ¦ ¦(CVD), имеющее все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) процесс, модифицированный для ¦ ¦ ¦ ¦реализации одного из следующих методов:¦ ¦ ¦ ¦CVD с пульсирующим режимом; ¦ ¦ ¦ ¦термического осаждения с управляемым ¦ ¦ ¦ ¦образованием центров кристаллизации ¦ ¦ ¦ ¦(CNTD); или ¦ ¦ ¦ ¦CVD с применением плазменного разряда, ¦ ¦ ¦ ¦модифицирующего процесс; и ¦ ¦ ¦ ¦б) включающее любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦высоковакуумные (вакуум, равный ¦ ¦ ¦ ¦0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся ¦ ¦ ¦ ¦уплотнения; или ¦ ¦ ¦ ¦средства регулирования толщины ¦ ¦ ¦ ¦покрытия в процессе осаждения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.2. ¦Управляемое встроенной программой ¦8543 19 000 0 ¦ ¦ ¦производственное оборудование ионной ¦ ¦ ¦ ¦имплантации с током пучка 5 мА или ¦ ¦ ¦ ¦более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.3. ¦Управляемое встроенной программой ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦технологическое оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦физического осаждения из паровой фазы, ¦ ¦ ¦ ¦получаемой нагревом электронным пучком ¦ ¦ ¦ ¦(EB-PVD), включающее силовые системы с ¦ ¦ ¦ ¦расчетной мощностью более 80 кВт и ¦ ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих: ¦ ¦ ¦ ¦а) лазерную систему управления уровнем ¦ ¦ ¦ ¦жидкой ванны, которая точно регулирует ¦ ¦ ¦ ¦скорость подачи заготовок; или ¦ ¦ ¦ ¦б) управляемое компьютером ¦ ¦ ¦ ¦контрольно-измерительное устройство, ¦ ¦ ¦ ¦работающее на принципе ¦ ¦ ¦ ¦фотолюминесценции ионизированных ¦ ¦ ¦ ¦атомов в потоке пара, необходимое для ¦ ¦ ¦ ¦управления скоростью осаждения ¦ ¦ ¦ ¦покрытия, содержащего два или более ¦ ¦ ¦ ¦элемента ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.4. ¦Управляемое встроенной программой ¦8419 89 300 0;¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦8419 89 98 ¦ ¦ ¦плазменного напыления, обладающее ¦ ¦ ¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающее при пониженном давлении ¦ ¦ ¦ ¦контролируемой атмосферы (равном или ¦ ¦ ¦ ¦ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии ¦ ¦ ¦ ¦до 300 мм над выходным сечением сопла ¦ ¦ ¦ ¦плазменной горелки) в вакуумной ¦ ¦ ¦ ¦камере, которая перед началом процесса ¦ ¦ ¦ ¦напыления может быть откачана до ¦ ¦ ¦ ¦0,01 Па; или ¦ ¦ ¦ ¦б) включающее средства регулирования ¦ ¦ ¦ ¦толщины покрытия в процессе напыления ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.5. ¦Управляемое встроенной программой ¦8419 89 300 0;¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦8419 89 98 ¦ ¦ ¦осаждения распылением, обеспечивающее ¦ ¦ ¦ ¦плотность тока 0,1 мА/кв.мм или более, ¦ ¦ ¦ ¦со скоростью осаждения 15 мкм/ч или ¦ ¦ ¦ ¦более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.6. ¦Управляемое встроенной программой ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ ¦ ¦катодно-дугового напыления, включающее ¦ ¦ ¦ ¦систему электромагнитов для управления ¦ ¦ ¦ ¦положением активного пятна дуги на ¦ ¦ ¦ ¦катоде ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.4.7. ¦Управляемое встроенной программой ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦производственное оборудование ионного ¦ ¦ ¦ ¦осаждения, позволяющее осуществлять в ¦ ¦ ¦ ¦процессе: ¦ ¦ ¦ ¦а) измерение толщины покрытия на ¦ ¦ ¦ ¦подложке и управление скоростью ¦ ¦ ¦ ¦осаждения; или ¦ ¦ ¦ ¦б) измерение оптических характеристик ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. По пунктам 2.2.4.1, 2.2.4.2, 2.2.4.5 - 2.2.4.7 не ¦ ¦контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы ¦ ¦(CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного ¦ ¦осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для ¦ ¦покрытия режущего или обрабатывающего инструмента ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.5. ¦Системы и оборудование для измерения ¦ ¦ ¦ ¦или контроля размеров: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.5.1. ¦Координатно-измерительные машины (КИМ) ¦9031 80 320 0;¦ ¦ ¦с компьютерным управлением, числовым ¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦программным управлением или ¦ ¦ ¦ ¦управляемые встроенной программой, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие максимально допустимую ¦ ¦ ¦ ¦погрешность показания (МДПП) по любому ¦ ¦ ¦ ¦направлению в трехмерном пространстве ¦ ¦ ¦ ¦в любой точке в пределах рабочего ¦ ¦ ¦ ¦диапазона машины (то есть в пределах ¦ ¦ ¦ ¦длины осей), равную или меньше (лучше) ¦ ¦ ¦ ¦(1,7 + L / 1000) мкм (L - измеряемая ¦ ¦ ¦ ¦длина в миллиметрах), определенную в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии с международным ¦ ¦ ¦ ¦стандартом ISO 10360-2 (2001) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.5.2. ¦Приборы для измерения линейных или ¦ ¦ ¦ ¦угловых перемещений: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.5.2.1. ¦Приборы для измерения линейных ¦9031 49 000 0;¦ ¦ ¦перемещений, имеющие любую из ¦9031 80 320 0;¦ ¦ ¦следующих составляющих: ¦9031 80 340 0;¦ ¦ ¦а) измерительные системы ¦9031 80 910 0 ¦ ¦ ¦бесконтактного типа с разрешением, ¦ ¦ ¦ ¦равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне измерений до 0,2 мм; ¦ ¦ ¦ ¦б) системы с индуктивными ¦ ¦ ¦ ¦дифференциальными датчиками, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦линейность, равную или меньше (лучше) ¦ ¦ ¦ ¦0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% ¦ ¦ ¦ ¦в день, при стандартной комнатной ¦ ¦ ¦ ¦температуре +/- 1 К; или ¦ ¦ ¦ ¦в) измерительные системы, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующие составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦содержащие лазер; и ¦ ¦ ¦ ¦сохраняющие в течение по крайней мере ¦ ¦ ¦ ¦12 часов при колебаниях окружающей ¦ ¦ ¦ ¦температуры +/- 1 К относительно ¦ ¦ ¦ ¦стандартной температуры и нормальном ¦ ¦ ¦ ¦атмосферном давлении все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦разрешение на полной шкале 0,1 мкм или ¦ ¦ ¦ ¦меньше (лучше); и ¦ ¦ ¦ ¦погрешность измерения, равную или ¦ ¦ ¦ ¦меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - ¦ ¦ ¦ ¦измеряемая длина в миллиметрах) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. По пункту 2.2.5.2.1 не контролируются измерительные ¦ ¦интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или ¦ ¦открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей ¦ ¦перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения ¦ ¦размеров или другого подобного оборудования ¦ +-------------------------------------------------------------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Для целей пункта 2.2.5.2.1 линейное перемещение означает изменение ¦ ¦расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.5.2.2. ¦Приборы для измерения угловых ¦9031 49 000 0;¦ ¦ ¦перемещений с погрешностью измерения ¦9031 80 320 0;¦ ¦ ¦по угловой координате, равной или ¦9031 80 340 0;¦ ¦ ¦меньше (лучше) 0,00025 град. ¦9031 80 910 0 ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. По пункту 2.2.5.2.2 не контролируются оптические ¦ ¦приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный ¦ ¦свет для фиксации углового смещения зеркала ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.5.3. ¦Оборудование для измерения чистоты ¦9031 49 000 0 ¦ ¦ ¦поверхности с применением оптического ¦ ¦ ¦ ¦рассеяния как функции угла с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 0,5 нм или менее ¦ ¦ ¦ ¦(лучше) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. Станки, которые могут быть использованы в качестве ¦ ¦средств измерения, подлежат контролю, если их параметры ¦ ¦соответствуют или превосходят критерии, установленные для ¦ ¦параметров станков или измерительных приборов ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.6. ¦Роботы, имеющие любую из ¦8479 50 000 0;¦ ¦ ¦нижеперечисленных характеристик, и ¦8537 10 100 0;¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦8537 10 910 0;¦ ¦ ¦устройства управления и рабочие ¦8537 10 990 0 ¦ ¦ ¦органы: ¦ ¦ ¦ ¦а) способность в реальном масштабе ¦ ¦ ¦ ¦времени осуществлять полную трехмерную ¦ ¦ ¦ ¦обработку изображений или полный ¦ ¦ ¦ ¦трехмерный анализ сцены ¦ ¦ ¦ ¦с генерированием или модификацией ¦ ¦ ¦ ¦программ либо с генерированием или ¦ ¦ ¦ ¦модификацией данных для числового ¦ ¦ ¦ ¦программного управления; ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего ¦ ¦измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ¦ ¦ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или ¦ ¦текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D) ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦ ¦б) специально разработанные в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии с национальными ¦ ¦ ¦ ¦стандартами безопасности применительно ¦ ¦ ¦ ¦к условиям работы со взрывчатыми ¦ ¦ ¦ ¦веществами военного назначения; ¦ ¦ ¦ ¦в) специально разработанные или ¦ ¦ ¦ ¦оцениваемые как радиационностойкие, ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦выдерживающие более 5 x 10 Гр (Si) ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад] без ухудшения ¦ ¦ ¦ ¦эксплуатационных характеристик; или ¦ ¦ ¦ ¦г) специально разработанные для работы ¦ ¦ ¦ ¦на высотах, превышающих 30000 м ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.7. ¦Узлы или блоки, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для станков, или системы ¦ ¦ ¦ ¦для контроля или измерения размеров: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.7.1. ¦Линейные измерительные элементы ¦9031 ¦ ¦ ¦обратной связи (например, устройства ¦ ¦ ¦ ¦индуктивного типа, калиброванные ¦ ¦ ¦ ¦шкалы, инфракрасные системы или ¦ ¦ ¦ ¦лазерные системы), имеющие полную ¦ ¦ ¦ ¦точность менее (лучше) ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦[800 + (600 x L x 10 ) нм (L - ¦ ¦ ¦ ¦эффективная длина в миллиметрах) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.5.2.1¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.7.2. ¦Угловые измерительные элементы ¦9031 ¦ ¦ ¦обратной связи (например, устройства ¦ ¦ ¦ ¦индуктивного типа, калиброванные ¦ ¦ ¦ ¦шкалы, инфракрасные системы или ¦ ¦ ¦ ¦лазерные системы), имеющие точность ¦ ¦ ¦ ¦менее (лучше) 0,00025 град. ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту ¦ ¦2.2.5.2.1. ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.7.3. ¦Составные поворотные столы или ¦8466 ¦ ¦ ¦качающиеся шпиндели, применение ¦ ¦ ¦ ¦которых в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками изготовителя может ¦ ¦ ¦ ¦модифицировать станки до уровня, ¦ ¦ ¦ ¦указанного в пункте 2.2, или выше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.2.8. ¦Обкатные вальцовочные и гибочные ¦8462 21 100 0;¦ ¦ ¦станки, которые в соответствии с ¦8462 21 800 0;¦ ¦ ¦технической документацией ¦8463 90 000 0 ¦ ¦ ¦производителя могут быть оборудованы ¦ ¦ ¦ ¦блоками числового программного ¦ ¦ ¦ ¦управления или компьютерным ¦ ¦ ¦ ¦управлением и которые имеют все ¦ ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) две или более контролируемые оси, ¦ ¦ ¦ ¦по крайней мере две из которых могут ¦ ¦ ¦ ¦быть одновременно скоординированы для ¦ ¦ ¦ ¦контурного управления; и ¦ ¦ ¦ ¦б) усилие на ролике более 60 кН ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных ¦ ¦станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.8 как относящиеся к ¦ ¦гибочным станкам ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.4.1. ¦Программное обеспечение иное, чем ¦ ¦ ¦ ¦контролируемое по пункту 2.4.2, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанное или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированное для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или применения ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 2.1 или 2.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.4.2. ¦Программное обеспечение для ¦ ¦ ¦ ¦электронных устройств, в том числе ¦ ¦ ¦ ¦встроенное в электронное устройство ¦ ¦ ¦ ¦или систему, дающее возможность таким ¦ ¦ ¦ ¦устройствам или системам ¦ ¦ ¦ ¦функционировать как блок ЧПУ, ¦ ¦ ¦ ¦способный координировать одновременно ¦ ¦ ¦ ¦более четырех осей для контурного ¦ ¦ ¦ ¦управления ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Примечание. По пункту 2.4.2 не контролируется программное ¦ ¦обеспечение, специально разработанное или модифицированное для ¦ ¦работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2 ¦ +-------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, ¦ ¦см. также пункт 2.4.1 раздела 2 ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5. ¦Технология ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦ ¦ ¦разработки оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или ¦ ¦ ¦ ¦2.4 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.2. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пункту 2.1 или 2.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. ¦ ¦также пункт 2.5.1 раздела 2 ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3. ¦Иные нижеследующие технологии: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.1. ¦Технологии для разработки ¦ ¦ ¦ ¦интерактивной графики как встроенной ¦ ¦ ¦ ¦части блока числового программного ¦ ¦ ¦ ¦управления для подготовки или ¦ ¦ ¦ ¦модификации программ обработки деталей ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.2. ¦Технологии для производственных ¦ ¦ ¦ ¦процессов металлообработки: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.2.1. ¦Технологии для проектирования ¦ ¦ ¦ ¦инструмента, пресс-форм или зажимных ¦ ¦ ¦ ¦приспособлений, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для любого из следующих ¦ ¦ ¦ ¦процессов: ¦ ¦ ¦ ¦а) формообразования в условиях ¦ ¦ ¦ ¦сверхпластичности; ¦ ¦ ¦ ¦б) диффузионной сварки; или ¦ ¦ ¦ ¦в) гидравлического прессования прямого ¦ ¦ ¦ ¦действия ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.2.2. ¦Технические данные, включающие ¦ ¦ ¦ ¦описание технологического процесса или ¦ ¦ ¦ ¦его параметры: ¦ ¦ ¦ ¦а) для формообразования в условиях ¦ ¦ ¦ ¦сверхпластичности изделий из ¦ ¦ ¦ ¦алюминиевых, титановых сплавов или ¦ ¦ ¦ ¦суперсплавов: ¦ ¦ ¦ ¦подготовка поверхности; ¦ ¦ ¦ ¦скорость деформации; ¦ ¦ ¦ ¦температура; ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦б) для диффузионной сварки титановых ¦ ¦ ¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦ ¦ ¦подготовка поверхности; ¦ ¦ ¦ ¦температура; ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦в) для гидравлического прессования ¦ ¦ ¦ ¦прямого действия алюминиевых или ¦ ¦ ¦ ¦титановых сплавов: ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦время цикла; ¦ ¦ ¦ ¦г) для горячего изостатического ¦ ¦ ¦ ¦уплотнения титановых, алюминиевых ¦ ¦ ¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦ ¦ ¦температура; ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦время цикла ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.3. ¦Технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства гидравлических прессов ¦ ¦ ¦ ¦для штамповки с вытяжкой и ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих матриц для ¦ ¦ ¦ ¦изготовления конструкций корпусов ¦ ¦ ¦ ¦летательных аппаратов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.4. ¦Технологии для разработки генераторов ¦ ¦ ¦ ¦машинных команд для управления станком ¦ ¦ ¦ ¦(например, программ обработки деталей) ¦ ¦ ¦ ¦на основе проектных данных, хранимых в ¦ ¦ ¦ ¦блоках числового программного ¦ ¦ ¦ ¦управления ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.5. ¦Технологии для разработки комплексного ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения для включения ¦ ¦ ¦ ¦экспертных систем, повышающих в ¦ ¦ ¦ ¦заводских условиях операционные ¦ ¦ ¦ ¦возможности блоков числового ¦ ¦ ¦ ¦программного управления ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦2.5.3.6. ¦Технологии для осаждения, обработки и ¦ ¦ ¦ ¦активного управления процессом ¦ ¦ ¦ ¦нанесения внешних слоев неорганических ¦ ¦ ¦ ¦покрытий, иных покрытий и модификации ¦ ¦ ¦ ¦поверхности (за исключением ¦ ¦ ¦ ¦формирования подложек для электронных ¦ ¦ ¦ ¦схем) с использованием процессов, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в таблице к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦пункту и примечаниях к ней ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+--------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного ¦ ¦процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только ¦ ¦при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое ¦ ¦покрытие" и "Подложки". ¦ ¦Например, подлежат контролю технические характеристики процесса ¦ ¦нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из ¦ ¦паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных¦ ¦материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если ¦ ¦подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) ¦ ¦или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором ¦ ¦случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для¦ ¦этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид ¦ ¦кремния) ¦ ¦-------------------------------------------------------------------- Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий----------------+-----------------------------+------------------ ¦ Процесс ¦ Подложки ¦ Получаемое покрытие ¦ ¦ нанесения ¦ ¦ ¦ ¦ покрытия (1) ¦ ¦ ¦ ¦ <*> ¦ ¦ ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦ <*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий ¦ ¦указанному в скобках ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦1. Химическое ¦суперсплавы ¦алюминиды ¦ ¦осаждение из ¦ ¦на поверхности ¦ ¦паровой фазы ¦ ¦внутренних каналов ¦ ¦(CVD) +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦керамика (19) и стекла с ¦силициды, ¦ ¦ ¦малым коэффициентом линейного¦карбиды, ¦ ¦ ¦расширения (14) ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмаз, ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, ¦ ¦ ¦композиционные материалы с ¦карбиды, ¦ ¦ ¦керамической или ¦тугоплавкие металлы, ¦ ¦ ¦металлической матрицей ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2), ¦ ¦ ¦ ¦нитрид бора ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦металлокерамический карбид ¦карбиды, ¦ ¦ ¦вольфрама (16), карбид ¦вольфрам, ¦ ¦ ¦кремния (18) ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмаз, ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦материалы окон датчиков (9) ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмаз, ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦2. Физическое ¦ ¦ ¦ ¦осаждение из ¦ ¦ ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦ ¦ ¦получаемой ¦ ¦ ¦ ¦нагревом ¦ ¦ ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦2.1. Физическое¦суперсплавы ¦сплавы на основе ¦ ¦осаждение из ¦ ¦силицидов, сплавы ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦на основе ¦ ¦полученной ¦ ¦алюминидов (2), ¦ ¦нагревом ¦ ¦MCrAlX (5), ¦ ¦электронным ¦ ¦модифицированный ¦ ¦пучком ¦ ¦диоксид циркония (12),¦ ¦ ¦ ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦керамика (19) и стекла с ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦малым коэффициентом линейного¦слои (15) ¦ ¦ ¦расширения (14) ¦ ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦коррозионно-стойкие стали (7)¦MCrAlX (5), ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный ¦ ¦ ¦ ¦диоксид циркония (12),¦ ¦ ¦ ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, ¦ ¦ ¦композиционные материалы с ¦карбиды, ¦ ¦ ¦керамической или ¦тугоплавкие металлы, ¦ ¦ ¦металлической матрицей ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦нитрид бора ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦металлокерамический карбид ¦карбиды, вольфрам, ¦ ¦ ¦вольфрама (16), карбид ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦кремния (18) ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦бориды, ¦ ¦ ¦ ¦бериллий ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦материалы окон датчиков (9) ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦бориды, ¦ ¦ ¦ ¦нитриды ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦2.2. Ионно- ¦керамика (19) и стекла с ¦диэлектрические ¦ ¦ассистированное¦малым коэффициентом линейного¦слои (15), ¦ ¦физическое ¦расширения (14) ¦алмазоподобный углерод¦ ¦осаждение из +-----------------------------+----------------------+ ¦паровой фазы, ¦углерод-углерод, ¦диэлектрические ¦ ¦полученной ¦композиционные материалы ¦слои (15) ¦ ¦резистивным ¦с керамической или ¦ ¦ ¦нагревом ¦металлической матрицей ¦ ¦ ¦(ионное +-----------------------------+----------------------+ ¦осаждение) ¦металлокерамический карбид ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦вольфрама (16), карбид ¦слои (15) ¦ ¦ ¦кремния (18) ¦ ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦материалы окон датчиков (9) ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦2.3. Физическое¦керамика (19) и стекла с ¦силициды, ¦ ¦осаждение из ¦малым коэффициентом линейного¦диэлектрические ¦ ¦паровой фазы, ¦расширения (14) ¦слои (15), ¦ ¦полученной ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦лазерным ¦ ¦углерод (17) ¦ ¦нагревом +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦композиционные материалы ¦слои (15) ¦ ¦ ¦с керамической или ¦ ¦ ¦ ¦металлической матрицей ¦ ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦металлокерамический карбид ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦вольфрама (16), карбид ¦слои (15) ¦ ¦ ¦кремния (18) ¦ ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦материалы окон датчиков (9) ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦2.4. Физическое¦суперсплавы ¦сплавы на основе ¦ ¦осаждение из ¦ ¦силицидов, ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦сплавы на основе ¦ ¦полученной ¦ ¦алюминидов (2), ¦ ¦катодно-дуговым¦ ¦MCrAlX (5) ¦ ¦разрядом +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦полимеры (11) ¦бориды, ¦ ¦ ¦и композиционные материалы ¦карбиды, ¦ ¦ ¦с органической матрицей ¦нитриды, ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦3. Твердофазное¦углерод-углерод, ¦силициды, ¦ ¦диффузионное ¦композиционные материалы с ¦карбиды, ¦ ¦насыщение (10) ¦керамической или ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦металлической матрицей ¦выше материалов (4) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦тугоплавкие металлы и ¦силициды, ¦ ¦ ¦сплавы (8) ¦оксиды ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦4. Плазменное ¦суперсплавы ¦MCrAlX (5), ¦ ¦напыление ¦ ¦модифицированный ¦ ¦ ¦ ¦диоксид циркония (12),¦ ¦ ¦ ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦истираемый ¦ ¦ ¦ ¦никель-графитовый ¦ ¦ ¦ ¦материал, ¦ ¦ ¦ ¦истираемый никель- ¦ ¦ ¦ ¦хром-алюминиевый ¦ ¦ ¦ ¦сплав, ¦ ¦ ¦ ¦истираемый ¦ ¦ ¦ ¦алюминиево-кремниевый ¦ ¦ ¦ ¦сплав, содержащий ¦ ¦ ¦ ¦полиэфир, сплавы на ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦алюминиевые сплавы (6) ¦MCrAlX (5), ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный ¦ ¦ ¦ ¦диоксид циркония (12),¦ ¦ ¦ ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦тугоплавкие металлы и ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦сплавы (8) ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦карбиды ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦коррозионно-стойкие стали (7)¦MCrAlX (5), ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный ¦ ¦ ¦ ¦диоксид циркония (12) ¦ ¦ ¦ ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦карбиды, ¦ ¦ ¦ ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2), ¦ ¦ ¦ ¦истираемый ¦ ¦ ¦ ¦никель-графитовый ¦ ¦ ¦ ¦материал, ¦ ¦ ¦ ¦истираемый никель- ¦ ¦ ¦ ¦хром-алюминиевый ¦ ¦ ¦ ¦сплав, ¦ ¦ ¦ ¦истираемый ¦ ¦ ¦ ¦алюминиево-кремниевый ¦ ¦ ¦ ¦сплав, содержащий ¦ ¦ ¦ ¦полиэфир ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦5. Нанесение ¦тугоплавкие металлы и ¦оплавленные силициды, ¦ ¦шликера ¦сплавы (8) ¦оплавленные алюминиды ¦ ¦ ¦ ¦(кроме резистивных ¦ ¦ ¦ ¦нагревательных ¦ ¦ ¦ ¦элементов) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, ¦ ¦ ¦композиционные материалы с ¦карбиды, ¦ ¦ ¦керамической или ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦металлической матрицей ¦выше материалов (4) ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦6. Осаждение ¦суперсплавы ¦сплавы на основе ¦ ¦распылением ¦ ¦силицидов, ¦ ¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2), ¦ ¦ ¦ ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦модифицированные ¦ ¦ ¦ ¦благородным ¦ ¦ ¦ ¦металлом (3), ¦ ¦ ¦ ¦MCrAlX (5), ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный ¦ ¦ ¦ ¦диоксид циркония (12) ¦ ¦ ¦ ¦платина, ¦ ¦ ¦ ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦керамика (19) и стекла с ¦силициды, ¦ ¦ ¦малым коэффициентом линейного¦платина, ¦ ¦ ¦расширения (14) ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦бориды, ¦ ¦ ¦ ¦нитриды, ¦ ¦ ¦ ¦оксиды, ¦ ¦ ¦ ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2), ¦ ¦ ¦ ¦карбиды ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, ¦ ¦ ¦композиционные материалы с ¦карбиды, ¦ ¦ ¦керамической или ¦тугоплавкие металлы, ¦ ¦ ¦металлической матрицей ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦нитрид бора ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦металлокерамический карбид ¦карбиды, ¦ ¦ ¦вольфрама (16), карбид ¦вольфрам, ¦ ¦ ¦кремния (18) ¦смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦нитрид бора ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦бориды, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦бериллий ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦материалы окон датчиков (9) ¦диэлектрические ¦ ¦ ¦ ¦слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмазоподобный ¦ ¦ ¦ ¦углерод (17) ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦тугоплавкие металлы и ¦алюминиды, ¦ ¦ ¦сплавы (8) ¦силициды, ¦ ¦ ¦ ¦оксиды, ¦ ¦ ¦ ¦карбиды ¦ +---------------+-----------------------------+----------------------+ ¦7. Ионная ¦высокотемпературные ¦присадки хрома, ¦ ¦имплантация ¦подшипниковые стали ¦тантала или ниобия ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦бориды, нитриды ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦бориды ¦ ¦ +-----------------------------+----------------------+ ¦ ¦металлокерамический карбид ¦карбиды, нитриды ¦ ¦ ¦вольфрама (16) ¦ ¦ ¦---------------+-----------------------------+----------------------- Примечания к таблице: 1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий. 2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов. 3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия. 4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице. 5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, x - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме: а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия. 6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град.С). 7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта. 8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал. 9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний. 10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2. 11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны. 12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются. 13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град.С). 14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 град. С) -7 -1 коэффициент линейного расширения 10 K или менее. 15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл. 16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель. 17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любое из следующего: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны и медицинские приборы. 18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением. 19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами. Технические примечания к таблице: Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом: 1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера. Особые примечания: а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс; б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь; в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении. 2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку. Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии. Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем: а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие; б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия; в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч; г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку. д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса. 3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из: а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия. Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град.С) до 1375 К (1102 град.С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия. 4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости. Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного; б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. С) и давлению 0,1 Мпа, превышает 750 м/с. 5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия. 6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку. Особые примечания: а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы; б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ). 7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением. Некоторые пояснения к таблицеСледует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости: 1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне: 1.1.1. Состав раствора: 1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений; 1.1.1.2. Для приготовления новых подложек; 1.1.2. Время обработки; 1.1.3. Температура ванны; 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов; 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки; 1.3. Параметры цикла термообработки: 1.3.1. Атмосферные параметры: 1.3.1.1. Состав атмосферы; 1.3.1.2. Давление; 1.3.2. Температура термообработки; 1.3.3. Время термообработки; 1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки: 1.4.1. Параметры пескоструйной обработки: 1.4.1.1. Состав крошки, дроби; 1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби; 1.4.1.3. Скорость крошки; 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки; 1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности; 1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии; 1.5. Параметры маски: 1.5.1. Материал маски; 1.5.2. Расположение маски 2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице: 2.1. Параметры атмосферы: 2.1.1. Состав; 2.1.2. Давление; 2.2. Время; 2.3. Температура; 2.4. Толщина; 2.5. Коэффициент преломления; 2.6. Контроль состава покрытия 3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость дроби; 3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки; 3.3. Параметры цикла термообработки: 3.3.1. Параметры атмосферы: 3.3.1.1. Состав; 3.3.1.2. Давление; 3.3.2. Температура и время цикла; 3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки 4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице: 4.1. Критерии для статистической выборки; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Увеличения; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности; 4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны): 4.3.1. Коэффициент отражения; 4.3.2. Коэффициент пропускания; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние 5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице: 5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD): 5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия; 5.1.2. Состав газа-носителя; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температура - время - давление циклов; 5.1.5. Управление потоком газа и подложкой; 5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом: 5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав газа-реагента; 5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала; 5.2.5. Температура - время - давление циклов; 5.2.6. Управление пучком и подложкой; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения: 5.3.1. Состав засыпки и химическая формула; 5.3.2. Состав газа-носителя; 5.3.3. Температура - время - давление циклов; 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав); 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.4.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой; 5.5. Для осаждения распылением: 5.5.1. Состав мишени и ее изготовление; 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени; 5.5.3. Состав газа-реагента; 5.5.4. Напряжение смещения; 5.5.5. Температура - время - давление циклов; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Управление деталью (подложкой); 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Управление пучком и подложкой; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температура - время - давление циклов; 5.7. Для ионного осаждения: 5.7.1. Управление пучком и подложкой; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температура - время - давление циклов; 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения -------------+---------------------------------------+----------- ¦ N пункта ¦ Наименование ¦ Код ТН ВЭД ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦ Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте¦ ¦3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же ¦ ¦самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, ¦ ¦определяется по контрольному статусу такого оборудования. ¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются ¦ ¦неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения ¦ ¦функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу ¦ ¦такого оборудования ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить ¦ ¦контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется ¦ ¦контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема¦ ¦является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой ¦ ¦микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину ¦ ¦слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля ¦ ¦должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1. ¦Электронные компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1. ¦Нижеперечисленные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы общего назначения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.1. ¦Интегральные схемы, спроектированные ¦8542 ¦ ¦ ¦или относящиеся к классу радиационно ¦ ¦ ¦ ¦стойких, выдерживающие любое из ¦ ¦ ¦ ¦следующих воздействий: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад] или выше; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/с ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад/с] или выше; или ¦ ¦ ¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) ¦ ¦ ¦ ¦нейтронов (соответствующий энергии в ¦ ¦ ¦ ¦ 13 ¦ ¦ ¦ ¦1 МэВ) 5 x 10 н/кв.см или более по ¦ ¦ ¦ ¦кремнию или его эквивалент для других ¦ ¦ ¦ ¦материалов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре¦ ¦металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуре) ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.2. ¦Микросхемы микропроцессоров, ¦8542 ¦ ¦ ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллеров, изготовленные из ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединений ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы памяти, ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦цифроаналоговые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦электронно-оптические или оптические ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические устройства, ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы для нейронных ¦ ¦ ¦ ¦сетей, заказные интегральные схемы, ¦ ¦ ¦ ¦функции которых неизвестны или не ¦ ¦ ¦ ¦известно, распространяется ли статус ¦ ¦ ¦ ¦контроля на аппаратуру, в которой ¦ ¦ ¦ ¦будут использоваться эти интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, процессоры быстрого ¦ ¦ ¦ ¦преобразования Фурье, электрически ¦ ¦ ¦ ¦перепрограммируемые постоянные ¦ ¦ ¦ ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ), ¦ ¦ ¦ ¦память с групповой перезаписью или ¦ ¦ ¦ ¦статические запоминающие устройства с ¦ ¦ ¦ ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при температуре ¦ ¦ ¦ ¦окружающей среды выше 398 К (+125 ¦ ¦ ¦ ¦град. С); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при температуре ¦ ¦ ¦ ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 ¦ ¦ ¦ ¦град. С); или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур окружающей среды от 218 К ¦ ¦ ¦ ¦(-55 град. С) до 398 К (+125 град. С) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные ¦ ¦схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных ¦ ¦поездов ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.3. ¦Микросхемы микропроцессоров, ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы микроЭВМ, ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы микроконтроллеров, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.3.1.¦Изготовлены на полупроводниковых ¦8542 21 45; ¦ ¦ ¦соединениях и работающие на тактовой ¦8542 21 500 0; ¦ ¦ ¦частоте, превышающей 40 МГц; или ¦8542 21 83; ¦ ¦ ¦ ¦8542 21 850 0; ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|