Право
Загрузить Adobe Flash Player
Навигация
Новые документы

Реклама

Законодательство России

Долой пост президента Беларуси

Ресурсы в тему
ПОИСК ДОКУМЕНТОВ

Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.02.2005 № 4/11 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"

Документ утратил силу
< Главная страница

Стр. 10

Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 |

¦            ¦разработанные для шевингования,        ¦              ¦
¦            ¦финишной обработки, шлифования или     ¦              ¦
¦            ¦хонингования закаленных (Rc = 40 или   ¦              ¦
¦            ¦более) прямозубых цилиндрических,      ¦              ¦
¦            ¦косозубых и шевронных шестерен         ¦              ¦
¦            ¦диаметром делительной окружности более ¦              ¦
¦            ¦1250 мм и шириной зубчатого венца,     ¦              ¦
¦            ¦равной 15% от диаметра делительной     ¦              ¦
¦            ¦окружности или более, с качеством      ¦              ¦
¦            ¦после финишной обработки по классу 3 в ¦              ¦
¦            ¦соответствии с международным           ¦              ¦
¦            ¦стандартом ISO 1328                    ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.3.      ¦Горячие изостатические прессы, имеющие ¦8462 99       ¦
¦            ¦все нижеперечисленное, и специально    ¦              ¦
¦            ¦разработанные для них компоненты и     ¦              ¦
¦            ¦приспособления:                        ¦              ¦
¦            ¦а) камеры с регулируемыми              ¦              ¦
¦            ¦температурами внутри рабочей полости и ¦              ¦
¦            ¦внутренним диаметром полости камеры    ¦              ¦
¦            ¦406 мм и более; и                      ¦              ¦
¦            ¦б) любую из следующих характеристик:   ¦              ¦
¦            ¦максимальное рабочее давление выше     ¦              ¦
¦            ¦207 МПа;                               ¦              ¦
¦            ¦регулируемые температуры выше 1773 К   ¦              ¦
¦            ¦(1500 град. С); или                    ¦              ¦
¦            ¦оборудование для насыщения             ¦              ¦
¦            ¦углеводородом и удаления газообразных  ¦              ¦
¦            ¦продуктов разложения                   ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание.                                            ¦
¦Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются¦
¦рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные  ¦
¦приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух     ¦
¦размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или       ¦
¦внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры -    ¦
¦в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой      ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.      ¦Оборудование, специально разработанное ¦              ¦
¦            ¦для осаждения, обработки и активного   ¦              ¦
¦            ¦управления процессом нанесения         ¦              ¦
¦            ¦неорганических покрытий, слоев и       ¦              ¦
¦            ¦модификации поверхности (за            ¦              ¦
¦            ¦исключением формирования подложек для  ¦              ¦
¦            ¦электронных схем) с использованием     ¦              ¦
¦            ¦процессов, указанных в таблице к       ¦              ¦
¦            ¦пункту 2.5.3.6 и отмеченных в          ¦              ¦
¦            ¦примечаниях к ней, а также специально  ¦              ¦
¦            ¦разработанные для него                 ¦              ¦
¦            ¦автоматизированные компоненты          ¦              ¦
¦            ¦установки, позиционирования,           ¦              ¦
¦            ¦манипулирования и регулирования:       ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.1.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8419 89 989 0 ¦
¦            ¦производственное оборудование для      ¦              ¦
¦            ¦химического осаждения из паровой фазы  ¦              ¦
¦            ¦(CVD), имеющее все нижеследующее:      ¦              ¦
¦            ¦а) процесс, модифицированный для       ¦              ¦
¦            ¦реализации одного из следующих методов:¦              ¦
¦            ¦CVD с пульсирующим режимом;            ¦              ¦
¦            ¦термического осаждения с управляемым   ¦              ¦
¦            ¦образованием центров кристаллизации    ¦              ¦
¦            ¦(CNTD); или                            ¦              ¦
¦            ¦CVD с применением плазменного разряда, ¦              ¦
¦            ¦модифицирующего процесс; и             ¦              ¦
¦            ¦б) включающее любое из следующего:     ¦              ¦
¦            ¦высоковакуумные (вакуум, равный        ¦              ¦
¦            ¦0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся   ¦              ¦
¦            ¦уплотнения; или                        ¦              ¦
¦            ¦средства регулирования толщины         ¦              ¦
¦            ¦покрытия в процессе осаждения          ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.2.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8543 19 000 0 ¦
¦            ¦производственное оборудование ионной   ¦              ¦
¦            ¦имплантации с током пучка 5 мА или     ¦              ¦
¦            ¦более                                  ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.3.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦технологическое оборудование для       ¦              ¦
¦            ¦физического осаждения из паровой фазы, ¦              ¦
¦            ¦получаемой нагревом электронным пучком ¦              ¦
¦            ¦(EB-PVD), включающее силовые системы с ¦              ¦
¦            ¦расчетной мощностью более 80 кВт и     ¦              ¦
¦            ¦имеющее любую из следующих             ¦              ¦
¦            ¦составляющих:                          ¦              ¦
¦            ¦а) лазерную систему управления уровнем ¦              ¦
¦            ¦жидкой ванны, которая точно регулирует ¦              ¦
¦            ¦скорость подачи заготовок; или         ¦              ¦
¦            ¦б) управляемое компьютером             ¦              ¦
¦            ¦контрольно-измерительное устройство,   ¦              ¦
¦            ¦работающее на принципе                 ¦              ¦
¦            ¦фотолюминесценции ионизированных       ¦              ¦
¦            ¦атомов в потоке пара, необходимое для  ¦              ¦
¦            ¦управления скоростью осаждения         ¦              ¦
¦            ¦покрытия, содержащего два или более    ¦              ¦
¦            ¦элемента                               ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.4.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8419 89 300 0;¦
¦            ¦производственное оборудование          ¦8419 89 98    ¦
¦            ¦плазменного напыления, обладающее      ¦              ¦
¦            ¦любой из следующих характеристик:      ¦              ¦
¦            ¦а) работающее при пониженном давлении  ¦              ¦
¦            ¦контролируемой атмосферы (равном или   ¦              ¦
¦            ¦ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии  ¦              ¦
¦            ¦до 300 мм над выходным сечением сопла  ¦              ¦
¦            ¦плазменной горелки) в вакуумной        ¦              ¦
¦            ¦камере, которая перед началом процесса ¦              ¦
¦            ¦напыления может быть откачана до       ¦              ¦
¦            ¦0,01 Па; или                           ¦              ¦
¦            ¦б) включающее средства регулирования   ¦              ¦
¦            ¦толщины покрытия в процессе напыления  ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.5.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8419 89 300 0;¦
¦            ¦производственное оборудование          ¦8419 89 98    ¦
¦            ¦осаждения распылением, обеспечивающее  ¦              ¦
¦            ¦плотность тока 0,1 мА/кв.мм или более, ¦              ¦
¦            ¦со скоростью осаждения 15 мкм/ч или    ¦              ¦
¦            ¦более                                  ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.6.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦производственное оборудование          ¦              ¦
¦            ¦катодно-дугового напыления, включающее ¦              ¦
¦            ¦систему электромагнитов для управления ¦              ¦
¦            ¦положением активного пятна дуги на     ¦              ¦
¦            ¦катоде                                 ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.4.7.    ¦Управляемое встроенной программой      ¦8543 89 950 0 ¦
¦            ¦производственное оборудование ионного  ¦              ¦
¦            ¦осаждения, позволяющее осуществлять в  ¦              ¦
¦            ¦процессе:                              ¦              ¦
¦            ¦а) измерение толщины покрытия на       ¦              ¦
¦            ¦подложке и управление скоростью        ¦              ¦
¦            ¦осаждения; или                         ¦              ¦
¦            ¦б) измерение оптических характеристик  ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Примечание. По пунктам 2.2.4.1, 2.2.4.2, 2.2.4.5 - 2.2.4.7 не      ¦
¦контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы  ¦
¦(CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного  ¦
¦осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для     ¦
¦покрытия режущего или обрабатывающего инструмента                  ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.5.      ¦Системы и оборудование для измерения   ¦              ¦
¦            ¦или контроля размеров:                 ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.5.1.    ¦Координатно-измерительные машины (КИМ) ¦9031 80 320 0;¦
¦            ¦с компьютерным управлением, числовым   ¦9031 80 340 0 ¦
¦            ¦программным управлением или            ¦              ¦
¦            ¦управляемые встроенной программой,     ¦              ¦
¦            ¦имеющие максимально допустимую         ¦              ¦
¦            ¦погрешность показания (МДПП) по любому ¦              ¦
¦            ¦направлению в трехмерном пространстве  ¦              ¦
¦            ¦в любой точке в пределах рабочего      ¦              ¦
¦            ¦диапазона машины (то есть в пределах   ¦              ¦
¦            ¦длины осей), равную или меньше (лучше) ¦              ¦
¦            ¦(1,7 + L / 1000) мкм (L - измеряемая   ¦              ¦
¦            ¦длина в миллиметрах), определенную в   ¦              ¦
¦            ¦соответствии с международным           ¦              ¦
¦            ¦стандартом ISO 10360-2 (2001)          ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.5.2.    ¦Приборы для измерения линейных или     ¦              ¦
¦            ¦угловых перемещений:                   ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.5.2.1.  ¦Приборы для измерения линейных         ¦9031 49 000 0;¦
¦            ¦перемещений, имеющие любую из          ¦9031 80 320 0;¦
¦            ¦следующих составляющих:                ¦9031 80 340 0;¦
¦            ¦а) измерительные системы               ¦9031 80 910 0 ¦
¦            ¦бесконтактного типа с разрешением,     ¦              ¦
¦            ¦равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при ¦              ¦
¦            ¦диапазоне измерений до 0,2 мм;         ¦              ¦
¦            ¦б) системы с индуктивными              ¦              ¦
¦            ¦дифференциальными датчиками, имеющие   ¦              ¦
¦            ¦все следующие характеристики:          ¦              ¦
¦            ¦линейность, равную или меньше (лучше)  ¦              ¦
¦            ¦0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и ¦              ¦
¦            ¦дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1%  ¦              ¦
¦            ¦в день, при стандартной комнатной      ¦              ¦
¦            ¦температуре +/- 1 К; или               ¦              ¦
¦            ¦в) измерительные системы, имеющие все  ¦              ¦
¦            ¦следующие составляющие:                ¦              ¦
¦            ¦содержащие лазер; и                    ¦              ¦
¦            ¦сохраняющие в течение по крайней мере  ¦              ¦
¦            ¦12 часов при колебаниях окружающей     ¦              ¦
¦            ¦температуры +/- 1 К относительно       ¦              ¦
¦            ¦стандартной температуры и нормальном   ¦              ¦
¦            ¦атмосферном давлении все следующие     ¦              ¦
¦            ¦характеристики:                        ¦              ¦
¦            ¦разрешение на полной шкале 0,1 мкм или ¦              ¦
¦            ¦меньше (лучше); и                      ¦              ¦
¦            ¦погрешность измерения, равную или      ¦              ¦
¦            ¦меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - ¦              ¦
¦            ¦измеряемая длина в миллиметрах)        ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Примечание. По пункту 2.2.5.2.1 не контролируются измерительные    ¦
¦интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или    ¦
¦открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей     ¦
¦перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения       ¦
¦размеров или другого подобного оборудования                        ¦
+-------------------------------------------------------------------+
¦Техническое примечание.                                            ¦
¦Для целей пункта 2.2.5.2.1 линейное перемещение означает изменение ¦
¦расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом    ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.5.2.2.  ¦Приборы для измерения угловых          ¦9031 49 000 0;¦
¦            ¦перемещений с погрешностью измерения   ¦9031 80 320 0;¦
¦            ¦по угловой координате, равной или      ¦9031 80 340 0;¦
¦            ¦меньше (лучше) 0,00025 град.           ¦9031 80 910 0 ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Примечание. По пункту 2.2.5.2.2 не контролируются оптические       ¦
¦приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный  ¦
¦свет для фиксации углового смещения зеркала                        ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.5.3.    ¦Оборудование для измерения чистоты     ¦9031 49 000 0 ¦
¦            ¦поверхности с применением оптического  ¦              ¦
¦            ¦рассеяния как функции угла с           ¦              ¦
¦            ¦чувствительностью 0,5 нм или менее     ¦              ¦
¦            ¦(лучше)                                ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Примечание. Станки, которые могут быть использованы в качестве     ¦
¦средств измерения, подлежат контролю, если их параметры            ¦
¦соответствуют или превосходят критерии, установленные для          ¦
¦параметров станков или измерительных приборов                      ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.6.      ¦Роботы, имеющие любую из               ¦8479 50 000 0;¦
¦            ¦нижеперечисленных характеристик, и     ¦8537 10 100 0;¦
¦            ¦специально разработанные для них       ¦8537 10 910 0;¦
¦            ¦устройства управления и рабочие        ¦8537 10 990 0 ¦
¦            ¦органы:                                ¦              ¦
¦            ¦а) способность в реальном масштабе     ¦              ¦
¦            ¦времени осуществлять полную трехмерную ¦              ¦
¦            ¦обработку изображений или полный       ¦              ¦
¦            ¦трехмерный анализ сцены                ¦              ¦
¦            ¦с генерированием или модификацией      ¦              ¦
¦            ¦программ либо с генерированием или     ¦              ¦
¦            ¦модификацией данных для числового      ¦              ¦
¦            ¦программного управления;               ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание.                                            ¦
¦Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего    ¦
¦измерения по результатам наблюдения под заданным углом или         ¦
¦ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или      ¦
¦текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D)                        ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦            ¦б) специально разработанные в          ¦              ¦
¦            ¦соответствии с национальными           ¦              ¦
¦            ¦стандартами безопасности применительно ¦              ¦
¦            ¦к условиям работы со взрывчатыми       ¦              ¦
¦            ¦веществами военного назначения;        ¦              ¦
¦            ¦в) специально разработанные или        ¦              ¦
¦            ¦оцениваемые как радиационностойкие,    ¦              ¦
¦            ¦                          3            ¦              ¦
¦            ¦выдерживающие более 5 x 10   Гр (Si)   ¦              ¦
¦            ¦       5                               ¦              ¦
¦            ¦[5 x 10  рад] без ухудшения            ¦              ¦
¦            ¦эксплуатационных характеристик; или    ¦              ¦
¦            ¦г) специально разработанные для работы ¦              ¦
¦            ¦на высотах, превышающих 30000 м        ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.7.      ¦Узлы или блоки, специально             ¦              ¦
¦            ¦разработанные для станков, или системы ¦              ¦
¦            ¦для контроля или измерения размеров:   ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.7.1.    ¦Линейные измерительные элементы        ¦9031          ¦
¦            ¦обратной связи (например, устройства   ¦              ¦
¦            ¦индуктивного типа, калиброванные       ¦              ¦
¦            ¦шкалы, инфракрасные системы или        ¦              ¦
¦            ¦лазерные системы), имеющие полную      ¦              ¦
¦            ¦точность менее (лучше)                 ¦              ¦
¦            ¦                    3                  ¦              ¦
¦            ¦[800 + (600 x L x 10  ) нм (L -        ¦              ¦
¦            ¦эффективная длина в миллиметрах)       ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Особое примечание.                                                 ¦
¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.5.2.1¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.7.2.    ¦Угловые измерительные элементы         ¦9031          ¦
¦            ¦обратной связи (например, устройства   ¦              ¦
¦            ¦индуктивного типа, калиброванные       ¦              ¦
¦            ¦шкалы, инфракрасные системы или        ¦              ¦
¦            ¦лазерные системы), имеющие точность    ¦              ¦
¦            ¦менее (лучше) 0,00025 град.            ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Особое примечание.                                                 ¦
¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту          ¦
¦2.2.5.2.1.                                                         ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.7.3.    ¦Составные поворотные столы или         ¦8466          ¦
¦            ¦качающиеся шпиндели, применение        ¦              ¦
¦            ¦которых в соответствии с техническими  ¦              ¦
¦            ¦характеристиками изготовителя может    ¦              ¦
¦            ¦модифицировать станки до уровня,       ¦              ¦
¦            ¦указанного в пункте 2.2, или выше      ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.2.8.      ¦Обкатные вальцовочные и гибочные       ¦8462 21 100 0;¦
¦            ¦станки, которые в соответствии с       ¦8462 21 800 0;¦
¦            ¦технической документацией              ¦8463 90 000 0 ¦
¦            ¦производителя могут быть оборудованы   ¦              ¦
¦            ¦блоками числового программного         ¦              ¦
¦            ¦управления или компьютерным            ¦              ¦
¦            ¦управлением и которые имеют все        ¦              ¦
¦            ¦следующие характеристики:              ¦              ¦
¦            ¦а) две или более контролируемые оси,   ¦              ¦
¦            ¦по крайней мере две из которых могут   ¦              ¦
¦            ¦быть одновременно скоординированы для  ¦              ¦
¦            ¦контурного управления; и               ¦              ¦
¦            ¦б) усилие на ролике более 60 кН        ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание.                                            ¦
¦Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных      ¦
¦станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.8 как относящиеся к  ¦
¦гибочным станкам                                                   ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.3.        ¦Материалы - нет                        ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.4.        ¦Программное обеспечение                ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.4.1.      ¦Программное обеспечение иное, чем      ¦              ¦
¦            ¦контролируемое по пункту 2.4.2,        ¦              ¦
¦            ¦специально разработанное или           ¦              ¦
¦            ¦модифицированное для разработки,       ¦              ¦
¦            ¦производства или применения            ¦              ¦
¦            ¦оборудования, контролируемого по       ¦              ¦
¦            ¦пункту 2.1 или 2.2                     ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.4.2.      ¦Программное обеспечение для            ¦              ¦
¦            ¦электронных устройств, в том числе     ¦              ¦
¦            ¦встроенное в электронное устройство    ¦              ¦
¦            ¦или систему, дающее возможность таким  ¦              ¦
¦            ¦устройствам или системам               ¦              ¦
¦            ¦функционировать как блок ЧПУ,          ¦              ¦
¦            ¦способный координировать одновременно  ¦              ¦
¦            ¦более четырех осей для контурного      ¦              ¦
¦            ¦управления                             ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Примечание. По пункту 2.4.2 не контролируется программное          ¦
¦обеспечение, специально разработанное или модифицированное для     ¦
¦работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2           ¦
+-------------------------------------------------------------------+
¦Особое примечание.                                                 ¦
¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1,   ¦
¦см. также пункт 2.4.1 раздела 2                                    ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.        ¦Технология                             ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.1.      ¦Технологии в соответствии с общим      ¦              ¦
¦            ¦технологическим примечанием для        ¦              ¦
¦            ¦разработки оборудования или            ¦              ¦
¦            ¦программного обеспечения,              ¦              ¦
¦            ¦контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или  ¦              ¦
¦            ¦2.4                                    ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.2.      ¦Технологии в соответствии с общим      ¦              ¦
¦            ¦технологическим примечанием для        ¦              ¦
¦            ¦производства оборудования,             ¦              ¦
¦            ¦контролируемого по пункту 2.1 или 2.2  ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Особое примечание.                                                 ¦
¦В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см.     ¦
¦также пункт 2.5.1 раздела 2                                        ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.      ¦Иные нижеследующие технологии:         ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.1.    ¦Технологии для разработки              ¦              ¦
¦            ¦интерактивной графики как встроенной   ¦              ¦
¦            ¦части блока числового программного     ¦              ¦
¦            ¦управления для подготовки или          ¦              ¦
¦            ¦модификации программ обработки деталей ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.2.    ¦Технологии для производственных        ¦              ¦
¦            ¦процессов металлообработки:            ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.2.1.  ¦Технологии для проектирования          ¦              ¦
¦            ¦инструмента, пресс-форм или зажимных   ¦              ¦
¦            ¦приспособлений, специально             ¦              ¦
¦            ¦разработанные для любого из следующих  ¦              ¦
¦            ¦процессов:                             ¦              ¦
¦            ¦а) формообразования в условиях         ¦              ¦
¦            ¦сверхпластичности;                     ¦              ¦
¦            ¦б) диффузионной сварки; или            ¦              ¦
¦            ¦в) гидравлического прессования прямого ¦              ¦
¦            ¦действия                               ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.2.2.  ¦Технические данные, включающие         ¦              ¦
¦            ¦описание технологического процесса или ¦              ¦
¦            ¦его параметры:                         ¦              ¦
¦            ¦а) для формообразования в условиях     ¦              ¦
¦            ¦сверхпластичности изделий из           ¦              ¦
¦            ¦алюминиевых, титановых сплавов или     ¦              ¦
¦            ¦суперсплавов:                          ¦              ¦
¦            ¦подготовка поверхности;                ¦              ¦
¦            ¦скорость деформации;                   ¦              ¦
¦            ¦температура;                           ¦              ¦
¦            ¦давление;                              ¦              ¦
¦            ¦б) для диффузионной сварки титановых   ¦              ¦
¦            ¦сплавов или суперсплавов:              ¦              ¦
¦            ¦подготовка поверхности;                ¦              ¦
¦            ¦температура;                           ¦              ¦
¦            ¦давление;                              ¦              ¦
¦            ¦в) для гидравлического прессования     ¦              ¦
¦            ¦прямого действия алюминиевых или       ¦              ¦
¦            ¦титановых сплавов:                     ¦              ¦
¦            ¦давление;                              ¦              ¦
¦            ¦время цикла;                           ¦              ¦
¦            ¦г) для горячего изостатического        ¦              ¦
¦            ¦уплотнения титановых, алюминиевых      ¦              ¦
¦            ¦сплавов или суперсплавов:              ¦              ¦
¦            ¦температура;                           ¦              ¦
¦            ¦давление;                              ¦              ¦
¦            ¦время цикла                            ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.3.    ¦Технологии для разработки или          ¦              ¦
¦            ¦производства гидравлических прессов    ¦              ¦
¦            ¦для штамповки с вытяжкой и             ¦              ¦
¦            ¦соответствующих матриц для             ¦              ¦
¦            ¦изготовления конструкций корпусов      ¦              ¦
¦            ¦летательных аппаратов                  ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.4.    ¦Технологии для разработки генераторов  ¦              ¦
¦            ¦машинных команд для управления станком ¦              ¦
¦            ¦(например, программ обработки деталей) ¦              ¦
¦            ¦на основе проектных данных, хранимых в ¦              ¦
¦            ¦блоках числового программного          ¦              ¦
¦            ¦управления                             ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.5.    ¦Технологии для разработки комплексного ¦              ¦
¦            ¦программного обеспечения для включения ¦              ¦
¦            ¦экспертных систем, повышающих в        ¦              ¦
¦            ¦заводских условиях операционные        ¦              ¦
¦            ¦возможности блоков числового           ¦              ¦
¦            ¦программного управления                ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦2.5.3.6.    ¦Технологии для осаждения, обработки и  ¦              ¦
¦            ¦активного управления процессом         ¦              ¦
¦            ¦нанесения внешних слоев неорганических ¦              ¦
¦            ¦покрытий, иных покрытий и модификации  ¦              ¦
¦            ¦поверхности (за исключением            ¦              ¦
¦            ¦формирования подложек для электронных  ¦              ¦
¦            ¦схем) с использованием процессов,      ¦              ¦
¦            ¦указанных в таблице к настоящему       ¦              ¦
¦            ¦пункту и примечаниях к ней             ¦              ¦
+------------+---------------------------------------+--------------+
¦Особое примечание.                                                 ¦
¦Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного       ¦
¦процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только   ¦
¦при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое      ¦
¦покрытие" и "Подложки".                                            ¦
¦Например, подлежат контролю технические характеристики процесса    ¦
¦нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из    ¦
¦паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных¦
¦материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если ¦
¦подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16)  ¦
¦или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором ¦
¦случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для¦
¦этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид       ¦
¦кремния)                                                           ¦
¦--------------------------------------------------------------------


Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий

----------------+-----------------------------+------------------
¦    Процесс    ¦          Подложки           ¦ Получаемое покрытие  ¦
¦   нанесения   ¦                             ¦                      ¦
¦ покрытия (1)  ¦                             ¦                      ¦
¦      <*>      ¦                             ¦                      ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦     <*> См. пункт  примечаний к данной таблице, соответствующий    ¦
¦указанному в скобках                                                ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦1. Химическое  ¦суперсплавы                  ¦алюминиды             ¦
¦осаждение из   ¦                             ¦на поверхности        ¦
¦паровой фазы   ¦                             ¦внутренних каналов    ¦
¦(CVD)          +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦керамика (19) и стекла с     ¦силициды,             ¦
¦               ¦малым коэффициентом линейного¦карбиды,              ¦
¦               ¦расширения (14)              ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмаз,                ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦углерод-углерод,             ¦силициды,             ¦
¦               ¦композиционные материалы с   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦керамической или             ¦тугоплавкие металлы,  ¦
¦               ¦металлической матрицей       ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦                             ¦сплавы на основе      ¦
¦               ¦                             ¦алюминидов (2),       ¦
¦               ¦                             ¦нитрид бора           ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦металлокерамический карбид   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦вольфрама (16), карбид       ¦вольфрам,             ¦
¦               ¦кремния (18)                 ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦молибден и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦бериллий и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмаз,                ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦материалы окон датчиков (9)  ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмаз,                ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦2. Физическое  ¦                             ¦                      ¦
¦осаждение из   ¦                             ¦                      ¦
¦паровой фазы,  ¦                             ¦                      ¦
¦получаемой     ¦                             ¦                      ¦
¦нагревом       ¦                             ¦                      ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦2.1. Физическое¦суперсплавы                  ¦сплавы на основе      ¦
¦осаждение из   ¦                             ¦силицидов, сплавы     ¦
¦паровой фазы,  ¦                             ¦на основе             ¦
¦полученной     ¦                             ¦алюминидов (2),       ¦
¦нагревом       ¦                             ¦MCrAlX (5),           ¦
¦электронным    ¦                             ¦модифицированный      ¦
¦пучком         ¦                             ¦диоксид циркония (12),¦
¦               ¦                             ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦                             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4)   ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦керамика (19) и стекла с     ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦малым коэффициентом линейного¦слои (15)             ¦
¦               ¦расширения (14)              ¦                      ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦коррозионно-стойкие стали (7)¦MCrAlX (5),           ¦
¦               ¦                             ¦модифицированный      ¦
¦               ¦                             ¦диоксид циркония (12),¦
¦               ¦                             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4)   ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦углерод-углерод,             ¦силициды,             ¦
¦               ¦композиционные материалы с   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦керамической или             ¦тугоплавкие металлы,  ¦
¦               ¦металлической матрицей       ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦нитрид бора           ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦металлокерамический карбид   ¦карбиды, вольфрам,    ¦
¦               ¦вольфрама (16), карбид       ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦кремния (18)                 ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦молибден и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦бериллий и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦бориды,               ¦
¦               ¦                             ¦бериллий              ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦материалы окон датчиков (9)  ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦титановые сплавы (13)        ¦бориды,               ¦
¦               ¦                             ¦нитриды               ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦2.2. Ионно-    ¦керамика (19) и стекла с     ¦диэлектрические       ¦
¦ассистированное¦малым коэффициентом линейного¦слои (15),            ¦
¦физическое     ¦расширения (14)              ¦алмазоподобный углерод¦
¦осаждение из   +-----------------------------+----------------------+
¦паровой фазы,  ¦углерод-углерод,             ¦диэлектрические       ¦
¦полученной     ¦композиционные материалы     ¦слои (15)             ¦
¦резистивным    ¦с керамической или           ¦                      ¦
¦нагревом       ¦металлической матрицей       ¦                      ¦
¦(ионное        +-----------------------------+----------------------+
¦осаждение)     ¦металлокерамический карбид   ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦вольфрама (16), карбид       ¦слои (15)             ¦
¦               ¦кремния (18)                 ¦                      ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦молибден и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦бериллий и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦материалы окон датчиков (9)  ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦2.3. Физическое¦керамика (19) и стекла с     ¦силициды,             ¦
¦осаждение из   ¦малым коэффициентом линейного¦диэлектрические       ¦
¦паровой фазы,  ¦расширения (14)              ¦слои (15),            ¦
¦полученной     ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦лазерным       ¦                             ¦углерод (17)          ¦
¦нагревом       +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦углерод-углерод,             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦композиционные материалы     ¦слои (15)             ¦
¦               ¦с керамической или           ¦                      ¦
¦               ¦металлической матрицей       ¦                      ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦металлокерамический карбид   ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦вольфрама (16), карбид       ¦слои (15)             ¦
¦               ¦кремния (18)                 ¦                      ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦молибден и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦бериллий и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦материалы окон датчиков (9)  ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦2.4. Физическое¦суперсплавы                  ¦сплавы на основе      ¦
¦осаждение из   ¦                             ¦силицидов,            ¦
¦паровой фазы,  ¦                             ¦сплавы на основе      ¦
¦полученной     ¦                             ¦алюминидов (2),       ¦
¦катодно-дуговым¦                             ¦MCrAlX (5)            ¦
¦разрядом       +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦полимеры (11)                ¦бориды,               ¦
¦               ¦и композиционные материалы   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦с органической матрицей      ¦нитриды,              ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦3. Твердофазное¦углерод-углерод,             ¦силициды,             ¦
¦диффузионное   ¦композиционные материалы с   ¦карбиды,              ¦
¦насыщение (10) ¦керамической или             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦металлической матрицей       ¦выше материалов (4)   ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦титановые сплавы (13)        ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦                             ¦сплавы на основе      ¦
¦               ¦                             ¦алюминидов (2)        ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦тугоплавкие металлы и        ¦силициды,             ¦
¦               ¦сплавы (8)                   ¦оксиды                ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦4. Плазменное  ¦суперсплавы                  ¦MCrAlX (5),           ¦
¦напыление      ¦                             ¦модифицированный      ¦
¦               ¦                             ¦диоксид циркония (12),¦
¦               ¦                             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦истираемый            ¦
¦               ¦                             ¦никель-графитовый     ¦
¦               ¦                             ¦материал,             ¦
¦               ¦                             ¦истираемый никель-    ¦
¦               ¦                             ¦хром-алюминиевый      ¦
¦               ¦                             ¦сплав,                ¦
¦               ¦                             ¦истираемый            ¦
¦               ¦                             ¦алюминиево-кремниевый ¦
¦               ¦                             ¦сплав, содержащий     ¦
¦               ¦                             ¦полиэфир, сплавы на   ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦               ¦алюминиевые сплавы (6)       ¦MCrAlX (5),           ¦
¦               ¦                             ¦модифицированный      ¦
¦               ¦                             ¦диоксид циркония (12),¦
¦               ¦                             ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4)   ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦тугоплавкие металлы и        ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦сплавы (8)                   ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦карбиды               ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦коррозионно-стойкие стали (7)¦MCrAlX (5),           ¦
¦               ¦                             ¦модифицированный      ¦
¦               ¦                             ¦диоксид циркония (12) ¦
¦               ¦                             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4)   ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦титановые сплавы (13)        ¦карбиды,              ¦
¦               ¦                             ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦                             ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦сплавы на основе      ¦
¦               ¦                             ¦алюминидов (2),       ¦
¦               ¦                             ¦истираемый            ¦
¦               ¦                             ¦никель-графитовый     ¦
¦               ¦                             ¦материал,             ¦
¦               ¦                             ¦истираемый никель-    ¦
¦               ¦                             ¦хром-алюминиевый      ¦
¦               ¦                             ¦сплав,                ¦
¦               ¦                             ¦истираемый            ¦
¦               ¦                             ¦алюминиево-кремниевый ¦
¦               ¦                             ¦сплав, содержащий     ¦
¦               ¦                             ¦полиэфир              ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦5. Нанесение   ¦тугоплавкие металлы и        ¦оплавленные силициды, ¦
¦шликера        ¦сплавы (8)                   ¦оплавленные алюминиды ¦
¦               ¦                             ¦(кроме резистивных    ¦
¦               ¦                             ¦нагревательных        ¦
¦               ¦                             ¦элементов)            ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦углерод-углерод,             ¦силициды,             ¦
¦               ¦композиционные материалы с   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦керамической или             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦металлической матрицей       ¦выше материалов (4)   ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦6. Осаждение   ¦суперсплавы                  ¦сплавы на основе      ¦
¦распылением    ¦                             ¦силицидов,            ¦
¦               ¦                             ¦сплавы на основе      ¦
¦               ¦                             ¦алюминидов (2),       ¦
¦               ¦                             ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦                             ¦модифицированные      ¦
¦               ¦                             ¦благородным           ¦
¦               ¦                             ¦металлом (3),         ¦
¦               ¦                             ¦MCrAlX (5),           ¦
¦               ¦                             ¦модифицированный      ¦
¦               ¦                             ¦диоксид циркония (12) ¦
¦               ¦                             ¦платина,              ¦
¦               ¦                             ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4)   ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦керамика (19) и стекла с     ¦силициды,             ¦
¦               ¦малым коэффициентом линейного¦платина,              ¦
¦               ¦расширения (14)              ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦титановые сплавы (13)        ¦бориды,               ¦
¦               ¦                             ¦нитриды,              ¦
¦               ¦                             ¦оксиды,               ¦
¦               ¦                             ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦                             ¦сплавы на основе      ¦
¦               ¦                             ¦алюминидов (2),       ¦
¦               ¦                             ¦карбиды               ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦углерод-углерод,             ¦силициды,             ¦
¦               ¦композиционные материалы с   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦керамической или             ¦тугоплавкие металлы,  ¦
¦               ¦металлической матрицей       ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦нитрид бора           ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦металлокерамический карбид   ¦карбиды,              ¦
¦               ¦вольфрама (16), карбид       ¦вольфрам,             ¦
¦               ¦кремния (18)                 ¦смеси перечисленных   ¦
¦               ¦                             ¦выше материалов (4),  ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦нитрид бора           ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦молибден и его сплавы        ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15)             ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦бериллий и его сплавы        ¦бориды,               ¦
¦               ¦                             ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦бериллий              ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦материалы окон датчиков (9)  ¦диэлектрические       ¦
¦               ¦                             ¦слои (15),            ¦
¦               ¦                             ¦алмазоподобный        ¦
¦               ¦                             ¦углерод (17)          ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦тугоплавкие металлы и        ¦алюминиды,            ¦
¦               ¦сплавы (8)                   ¦силициды,             ¦
¦               ¦                             ¦оксиды,               ¦
¦               ¦                             ¦карбиды               ¦
+---------------+-----------------------------+----------------------+
¦7. Ионная      ¦высокотемпературные          ¦присадки хрома,       ¦
¦имплантация    ¦подшипниковые стали          ¦тантала или ниобия    ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦титановые сплавы (13)        ¦бориды, нитриды       ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦бериллий и его сплавы        ¦бориды                ¦
¦               +-----------------------------+----------------------+
¦               ¦металлокерамический карбид   ¦карбиды, нитриды      ¦
¦               ¦вольфрама (16)               ¦                      ¦
¦---------------+-----------------------------+-----------------------


Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, x - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град.С).

7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град.С).

     14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения  включают
стекла,  имеющие  измеренный  при  температуре  293  К  (20 град. С)
                                   -7  -1
коэффициент линейного расширения 10   K   или менее.

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любое из следующего: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны и медицинские приборы.

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку.


д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град.С) до 1375 К (1102 град.С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. С) и давлению 0,1 Мпа, превышает 750 м/с.


5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).


7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.



Некоторые пояснения к таблице

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения



-------------+---------------------------------------+-----------
¦  N пункта  ¦             Наименование              ¦  Код ТН ВЭД   ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦                        Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА                    ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.        ¦Системы, оборудование и компоненты     ¦               ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦Примечания:                                                         ¦
¦1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте¦
¦3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или   ¦
¦пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же ¦
¦самые функциональные характеристики, как и другое оборудование,     ¦
¦определяется по контрольному статусу такого оборудования.           ¦
¦2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах        ¦
¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются       ¦
¦неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения    ¦
¦функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу  ¦
¦такого оборудования                                                 ¦
+--------------------------------------------------------------------+
¦Особое примечание.                                                  ¦
¦В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить ¦
¦контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется   ¦
¦контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах         ¦
¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема¦
¦является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой            ¦
¦микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину    ¦
¦слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля      ¦
¦должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3              ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.      ¦Электронные компоненты:                ¦               ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.    ¦Нижеперечисленные интегральные         ¦               ¦
¦            ¦микросхемы общего назначения:          ¦               ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.1.  ¦Интегральные схемы, спроектированные   ¦8542           ¦
¦            ¦или относящиеся к классу радиационно   ¦               ¦
¦            ¦стойких, выдерживающие любое из        ¦               ¦
¦            ¦следующих воздействий:                 ¦               ¦
¦            ¦                        3              ¦               ¦
¦            ¦а) суммарную дозу 5 x 10  Гр (Si)      ¦               ¦
¦            ¦       5                               ¦               ¦
¦            ¦[5 x 10  рад] или выше;                ¦               ¦
¦            ¦                       6               ¦               ¦
¦            ¦б) мощность дозы 5 x 10   Гр (Si)/с    ¦               ¦
¦            ¦       8                               ¦               ¦
¦            ¦[5 x 10  рад/с] или выше; или          ¦               ¦
¦            ¦в) флюенс (интегральный поток)         ¦               ¦
¦            ¦нейтронов (соответствующий энергии в   ¦               ¦
¦            ¦             13                        ¦               ¦
¦            ¦1 МэВ) 5 x 10   н/кв.см или более по   ¦               ¦
¦            ¦кремнию или его эквивалент для других  ¦               ¦
¦            ¦материалов                             ¦               ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦Примечание. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре¦
¦металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуре)                     ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.2.  ¦Микросхемы микропроцессоров,           ¦8542           ¦
¦            ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы        ¦               ¦
¦            ¦микроконтроллеров, изготовленные из    ¦               ¦
¦            ¦полупроводниковых соединений           ¦               ¦
¦            ¦интегральные схемы памяти,             ¦               ¦
¦            ¦аналого-цифровые преобразователи,      ¦               ¦
¦            ¦цифроаналоговые преобразователи,       ¦               ¦
¦            ¦электронно-оптические или оптические   ¦               ¦
¦            ¦интегральные схемы для обработки       ¦               ¦
¦            ¦сигналов, программируемые              ¦               ¦
¦            ¦пользователем логические устройства,   ¦               ¦
¦            ¦интегральные схемы для нейронных       ¦               ¦
¦            ¦сетей, заказные интегральные схемы,    ¦               ¦
¦            ¦функции которых неизвестны или не      ¦               ¦
¦            ¦известно, распространяется ли статус   ¦               ¦
¦            ¦контроля на аппаратуру, в которой      ¦               ¦
¦            ¦будут использоваться эти интегральные  ¦               ¦
¦            ¦схемы, процессоры быстрого             ¦               ¦
¦            ¦преобразования Фурье, электрически     ¦               ¦
¦            ¦перепрограммируемые постоянные         ¦               ¦
¦            ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ),       ¦               ¦
¦            ¦память с групповой перезаписью или     ¦               ¦
¦            ¦статические запоминающие устройства с  ¦               ¦
¦            ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие ¦               ¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:      ¦               ¦
¦            ¦а) работоспособные при температуре     ¦               ¦
¦            ¦окружающей среды выше 398 К (+125      ¦               ¦
¦            ¦град. С);                              ¦               ¦
¦            ¦б) работоспособные при температуре     ¦               ¦
¦            ¦окружающей среды ниже 218 К (-55       ¦               ¦
¦            ¦град. С); или                          ¦               ¦
¦            ¦в) работоспособные во всем диапазоне   ¦               ¦
¦            ¦температур окружающей среды от 218 К   ¦               ¦
¦            ¦(-55 град. С) до 398 К (+125 град. С)  ¦               ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные     ¦
¦схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных    ¦
¦поездов                                                             ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.3.  ¦Микросхемы микропроцессоров,           ¦               ¦
¦            ¦микросхемы микроЭВМ,                   ¦               ¦
¦            ¦микросхемы микроконтроллеров, имеющие  ¦               ¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:      ¦               ¦
+------------+---------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.3.1.¦Изготовлены на полупроводниковых       ¦8542 21 45;    ¦
¦            ¦соединениях и работающие на тактовой   ¦8542 21 500 0; ¦
¦            ¦частоте, превышающей 40 МГц; или       ¦8542 21 83;    ¦
¦            ¦                                       ¦8542 21 850 0; ¦

Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 |



Archiv Dokumente
Папярэдні | Наступны
Новости законодательства

Новости Спецпроекта "Тюрьма"

Новости сайта
Новости Беларуси

Полезные ресурсы

Счетчики
Rambler's Top100
TopList