|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Совета Министров Союзного государства № 7 "О научно-технической программе Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"< Главная страница Вступило в силу 23 апреля 2010 года Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ: 1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа), представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Министерством промышленности Республики Беларусь (прилагается). 2. Осуществить финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 - 2013 годах из бюджета Союзного государства в объеме 1500000,0 тыс. рублей, в том числе за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975000,0 тыс. рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525000,0 тыс. рублей. 3. Финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 году в объеме 195000,0 тыс. рублей (доля Российской Федерации - 127000,0 тыс. рублей, доля Республики Беларусь - 68000,0 тыс. рублей) осуществить в соответствии со статьями 6 и 12 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства "О бюджете Союзного государства на 2010 год" от 10 декабря 2009 г. N 3 по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России. 4. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2010 год по расходам, предусмотренным в пункте 3 настоящего постановления, и направить необходимые документы о внесении изменений в установленном порядке в Министерство финансов Республики Беларусь и Министерство финансов Российской Федерации. 5. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания. Председатель Совета Министров Союзного государства В.Путин УТВЕРЖДЕНО
Постановление
Совета Министров
Союзного государства
23.04.2010 N 7
СОДЕРЖАНИЕ1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы 2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации программы 3. Система программных мероприятий 4. Ресурсное обеспечение программы 5. Механизмы реализации программы 6. Организация управления программой и контроля за ходом ее реализации 7. Оценка эффективности социально-экономических и экологических последствий от реализации программы Паспорт программы Приложение 1. Индикатор и показатели реализации мероприятий программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" Приложение 2. Технико-экономическое обоснование программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" 1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемыПрограмма Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) разработана в соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 19 августа 2008 года N 35. Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является обеспечение стратегически значимых радиоэлектронных систем государств - участников Союзного государства электронной компонентной базой (ЭКБ) специального назначения и двойного применения, разработанной на предприятиях электронной промышленности Беларуси и России. Основными причинами ее возникновения являются: постоянное повышение доли устаревшей специальной ЭКБ в системах вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ); рост применения зарубежных электронных компонентов при одновременном снижении уровня обеспеченности отечественными электронными компонентами ведущихся разработок и серийного производства систем ВВСТ (как отмечено в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г., во вновь разрабатываемых отечественных системах ВВСТ применяется до 70% иностранных электронных компонентов); действие за рубежом ограничений на поставку в Россию специальных электронных компонентов, в силу чего разработчикам радиоэлектронных систем приходится довольствоваться не соответствующей необходимым требованиям заказчиков номенклатурой импортной ЭКБ, что приводит к целому ряду негативных моментов и, в частности, к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении; утрата технологии производства ЭКБ разработки 70 - 80-х годов, хотя и устаревшей, но являющейся основой находящихся в настоящее время на вооружении образцов ВВСТ, причем наиболее существенные потери понесло производство радиационно-стойкой компонентной базы; значительное ослабление или полное отсутствие производственной кооперации и координации работ организаций электронной промышленности России со значительной частью крупных организаций отрасли, оставшихся за ее пределами. Таким образом, широкое применение в создаваемых системах ВВСТ зарубежной ЭКБ и ослабление государственного контроля в этой области в сочетании с утратой Россией и Беларусью передовых научно-технических позиций в сфере разработки и производства специальной ЭКБ создало реальную угрозу национальной безопасности государств - участников Союзного государства. Поэтому в Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу и в Государственной программе развития и повышения эффективности работы микроэлектронной отрасли Республики Беларусь на 2001 - 2010 годы ставится задача по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении ЭКБ, используемой в электронных системах, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности России и Беларуси. Основные принципы решения этой задачи определены в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, а базовым инструментом ее решения является федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы. Однако ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы не предусматривает разработку конкретных типономиналов ЭКБ. Ее основными задачами являются разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов, техническое перевооружение предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса на основе передовых технологий, опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем. Поэтому проблема разработки и освоения производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ, в частности интегральных микросхем (ИМС) и полупроводниковых приборов, является актуальной и стратегически важной для создания конкурентоспособных радиоэлектронных систем и систем ВВСТ государств - участников Союзного государства. Особенности специальной ЭКБ: широкая номенклатура ЭКБ; повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и так далее); относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции; требуемый длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10 - 15 лет. В силу этого российские производители ЭКБ, являющиеся, как правило, акционерными обществами, в которых значительно ослаблено государственное влияние и контроль за деятельностью, не проявляют заинтересованности в разработке специальной ЭКБ за счет собственных средств. Ведущее предприятие электронной промышленности Беларуси ОАО "ИНТЕГРАЛ" не может на равных условиях участвовать в реализации федеральных целевых программ по развитию ЭКБ. Поэтому непринятие межгосударственных мер по решению проблемы разработки специальной ЭКБ в Беларуси и России (инерционный сценарий) приведет к дальнейшему увеличению доли импортной ЭКБ в радиоэлектронных военных комплексах и в системах ВВСТ, что негативно отразится на состоянии обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства. Наиболее эффективным путем решения этой проблемы является активный сценарий, связанный с принятием комплексно-целевой программы Союзного государства по разработке и освоению производства серии конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения. Это позволит, во-первых, оптимизировать номенклатуру разрабатываемых микросхем и полупроводниковых приборов и исключить дублирование работ; во-вторых, будут выработаны и согласованы с разработчиками радиоэлектронных систем и средств ВВСТ общие технические требования к разрабатываемой ЭКБ, в том числе в части стойкости к внешним воздействующим специальным факторам; в-третьих, в полной мере будет задействован научно-технический и производственный потенциал белорусского ОАО "ИНТЕГРАЛ" для разработки и освоения широкой номенклатуры специальной ЭКБ в интересах российских потребителей; в-четвертых, будет предусмотрена возможность изготовления опытных образцов и освоения производства отдельных типов разрабатываемой ЭКБ на действующих и создаваемых в России производственных линиях высокого технологического уровня; наконец, будет оказана необходимая государственная финансовая поддержка предприятиям электронной промышленности Беларуси и России в разработке конкретных типов специальной ЭКБ. Ожидаемый результат - разработка и освоение производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ для вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных систем управления, связи, обработки и защиты информации, систем радиоэлектронной борьбы и электронного противодействия, систем ВВСТ, что полностью соответствует приоритетам государственной политики по укреплению обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства. Целесообразность программного решения проблемы на союзном уровне обусловлена следующими причинами: межотраслевым, межведомственным и межгосударственным характером проблемы, так как в разрабатываемой специальной ЭКБ заинтересован целый ряд министерств и ведомств России и Беларуси, в том числе силовых; необходимостью принятия решений на уровне Совета Министров Республики Беларусь, Правительства Российской Федерации и Совета Министров Союзного государства, поскольку номенклатура (типономиналы) разрабатываемой специальной ЭКБ и ее основные технические характеристики будут во многом определять тактико-технические характеристики вновь разрабатываемых систем ВВСТ государств - участников Союзного государства; комплексностью подхода, необходимостью увязки союзной программы по разработке интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения с другими национальными (включая ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы), межгосударственными и союзными программами. 2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации ПрограммыВ соответствии со статьей 17 Договора о создании Союзного государства объединенная система технического обеспечения Вооруженных сил государств-участников относится к исключительному ведению Союзного государства. В системах ВВСТ доля радиоэлектронной аппаратуры достигает 70%, так что без расширения номенклатуры электронной компонентной базы, повышения ее технического и технологического уровня невозможно осуществлять создание перспективных и модернизацию существующих образцов вооружений и военной техники России и Беларуси. Поэтому актуальность Программы обусловлена, во-первых, необходимостью расширения номенклатуры выпускаемых в России и Беларуси интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения; во-вторых, реализация Программы станет реальным шагом на пути снижения зависимости России и Беларуси от импорта зарубежной ЭКБ и повышения экспортного потенциала оборонно-промышленного комплекса государств-участников. Программа полностью отвечает Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, в которой указывается на необходимость расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик. Целью Программы является создание импортозамещающей ЭКБ специального и двойного применения для стратегически значимых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ. Задача Программы - создание типономиналов ЭКБ повышенной степени интеграции с высокими надежностными, функциональными и точностными характеристиками и соответствующей группой стойкости к специальным внешним воздействующим факторам и освоение производства разработанной ЭКБ на предприятиях России и Беларуси. Эта задача может быть решена только программными методами в масштабе Союзного государства в увязке с проблемами, стоящими как перед радиоэлектронной, так и перед другими отраслями промышленности России и Беларуси. Показателями эффективности выполнения программных мероприятий является количество освоенных в производстве конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения (к 2014 г. - не менее 90 типономиналов). Реализация Программы планируется в один этап с 2010 года по 2013 год. 3. Система программных мероприятийМероприятия, которые предлагается реализовать для достижения целей Программы, приведены в таблице 1 и структурированы по следующим направлениям: НИОКР по разработке интегральных микросхем, в том числе: микропроцессоров и микроконтроллеров, программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) и базовых матричных кристаллов (БМК), матричных кремниевых мультиплексоров, микросхем запоминающих устройств (ЗУ), схем интерфейса, схем для источников вторичного электропитания, операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем, микросхем для устройств отображения информации, "систем на кристалле"; ряда других микросхем для аппаратуры специального и двойного применения; НИОКР по разработке полупроводниковых приборов, в том числе: ДМОП-транзисторов и канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки; НИР по разработке нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому обеспечению разработок ЭКБ, в том числе: по разработке методов ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов, по исследованию надежности элементной базы КМОП ИМС с субмикронными проектными нормами. Таблица 1 Укрупненный перечень мероприятий Программы------------+--------------------+-----------------------------------------+------------------- ¦ ¦ ¦ Объемы финансирования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ (млн. росс. руб.) - всего, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ из бюджета Союзного государства ¦ ¦ ¦ Номер ¦ Наименование ¦ ------------------------------- ¦ ¦ ¦мероприятия¦ мероприятий ¦ из внебюджетных источников ¦ Ожидаемые результаты ¦ ¦ ¦ +---------+-------+-------+-------+-------+ ¦ ¦ ¦ ¦ 2010 - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 2013 гг.¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(в ценах ¦2010 г.¦2011 г.¦2012 г.¦2013 г.¦ ¦ ¦ ¦ ¦ соотв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ лет) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1. НИОКР по разработке интегральных микросхем ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.1 ¦Разработка ряда 8-, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦16-, 32-разрядных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессоров и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллеров, в¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦том числе устойчивых¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦к специальным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦внешним ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦воздействующим ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦факторам (СВВФ), а ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦также кристаллов для¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦контактных и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦бесконтактных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(радиочастотных) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦идентификации, в том¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.1.1 ¦Разработка ряда ¦ 192,4 ¦ 21,5 ¦ 38,9 ¦ 48,3 ¦ 83,7 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦микропроцессоров и ¦ 96,2 ¦ 11,5 ¦ 21,2 ¦ 25,0 ¦ 38,5 ¦RISC-микроконтроллера с¦ ¦ ¦микроконтроллеров, в¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦EEPROM-памятью, ¦ ¦ ¦том числе устойчивых¦ 96,2 ¦ 10,0 ¦ 17,7 ¦ 23,3 ¦ 45,2 ¦устойчивого к СВВФ ¦ ¦ ¦к СВВФ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(косвенный ¦ ¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦функциональный аналог ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦AT90S2333 ф. Atmel); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦многоканального ¦ ¦ ¦ ¦ 192,4 ¦ 21,5 ¦ 38,9 ¦ 48,3 ¦ 83,7 ¦формирователя временных¦ ¦ ¦ ¦ 96,2 ¦ 11,5 ¦ 21,2 ¦ 25,0 ¦ 38,5 ¦интервалов, устойчивой ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦к СВВФ (основные ¦ ¦ ¦ ¦ 96,2 ¦ 10,0 ¦ 17,7 ¦ 23,3 ¦ 45,2 ¦технические ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение питания: ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦5,0 В +/- 10%; частота ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦сигнала синхронизации: ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦100 МГц; точность ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦установки фронтов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦импульсов: 10 нс; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦разрядность кодов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фронтов импульсов: 8 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦бит; диапазон рабочих ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температур: от -60 до ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+125 °C; устойчивость к¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СВВФ: 2Ус); БИС для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦электронного паспорта ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изделий (частота ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционного поля ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦13,56 МГц, объем ЭСППЗУ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1024 байта); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦10-разрядным АЦП, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к СВВФ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(система команд ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦семейства MCS-51); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы автономного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦CAN-контроллера, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦воздействию СВВФ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МСР 2515 ф. Microchip) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.1.2 ¦Разработка ¦ 250,0 ¦ 30,5 ¦ 52,7 ¦ 76,0 ¦ 90,8 ¦Опытные образцы: ¦ ¦ ¦8-разрядного ¦ 125,0 ¦ 16,3 ¦ 26,4 ¦ 41,4 ¦ 40,9 ¦8-разрядного ¦ ¦ ¦микроконтроллера с ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦спецстойкого ¦ ¦ ¦загружаемой памятью ¦ 125,0 ¦ 14,2 ¦ 26,3 ¦ 34,6 ¦ 49,9 ¦микроконтроллера с ¦ ¦ ¦программ, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦загружаемой памятью ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программ (система ¦ ¦ ¦микроконтроллера с ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦команд - PIC17); ¦ ¦ ¦Ethernet ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦ ¦ ¦интерфейсом, ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера с ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦Ethernet интерфейсом, ¦ ¦ ¦микроконтроллера с ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦устойчивого к СВВФ ¦ ¦ ¦12-разрядными АЦП и ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦ЦАП, устойчивых к ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦по системе команд ¦ ¦ ¦СВВФ; радиационно- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ST32F103 ф. STM); ¦ ¦ ¦стойкого ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦ 250,0 ¦ 30,5 ¦ 52,7 ¦ 76,0 ¦ 90,8 ¦микроконтроллера с ¦ ¦ ¦процессора цифровой ¦ 125,0 ¦ 16,3 ¦ 26,4 ¦ 41,4 ¦ 40,9 ¦12-разрядными АЦП и ¦ ¦ ¦обработки сигналов с¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ЦАП, устойчивого к СВВФ¦ ¦ ¦плавающей запятой; ¦ 125,0 ¦ 14,2 ¦ 26,3 ¦ 34,6 ¦ 49,9 ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦микропроцессорной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦LPC 1111 ф. NXP); ¦ ¦ ¦СБИС типа "система ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радиационно-стойкого ¦ ¦ ¦на кристалле" с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦ ¦ ¦встроенной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессора цифровой ¦ ¦ ¦операционной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов с ¦ ¦ ¦системой для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой, ¦ ¦ ¦интеллектуальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦функционально ¦ ¦ ¦карт и электронных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦совместимого с серийно ¦ ¦ ¦документов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выпускаемыми ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессорами линейки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1867 (тактовая частота ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦50 МГц; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производительность 50 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MFLOPS; внутреннее ОЗУ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦данных 2Кx32, бит; Кэш ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ОЗУ 64x32, бит; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦внутреннее ПЗУ программ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦4Кx32, бит; два ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦последовательных порта ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с организацией ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦8/16/24/32 бит; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦мультипроцессорный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейс; блок прямого¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦доступа к памяти (DMA);¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦два 32-разрядных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦таймера); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессорной СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦типа "система на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалле" с встроенной¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционной системой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для интеллектуальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦карт и электронных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦документов (зарубежные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналоги SLE66LX640P ф. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Infineon; ST19WR66, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦STM; P5CD072 ф. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Philips) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.2 ¦Разработка микросхем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СОЗУ емкостью 64 К, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦256 К, 1 М, 4 М и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦8 М, ряда ЭСППЗУ, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦однократно и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦многократно ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программируемых ПЗУ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для изделий ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.2.1 ¦Разработка ¦ 312,0 ¦ 38,0 ¦ 65,9 ¦ 95,0 ¦ 113,1 ¦Опытные образцы: ¦ ¦ ¦однократно ¦ 156,0 ¦ 20,3 ¦ 33,1 ¦ 51,8 ¦ 50,8 ¦микросхемы однократно ¦ ¦ ¦электрически ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦электрически ¦ ¦ ¦программируемого ЗУ ¦ 156,0 ¦ 17,7 ¦ 32,8 ¦ 43,2 ¦ 62,3 ¦программируемого ЗУ ¦ ¦ ¦емкостью 1 М, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкостью 1 М, ¦ ¦ ¦стойкого к ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стойкого к спецфакторам¦ ¦ ¦спецфакторам, ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(разрядность слова - 8;¦ ¦ ¦микросхем ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкость - 1 Мбит; время¦ ¦ ¦статических ОЗУ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦доступа по чтению - 40 ¦ ¦ ¦емкостью 4 и 8 Мбит ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦нс; напряжение ¦ ¦ ¦и многократно ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦программирования - ¦ ¦ ¦программируемого ПЗУ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦напряжение питания 3,3 ¦ ¦ ¦для задания ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦В; тип ячейки - ¦ ¦ ¦конфигурации ПЛИС ¦ 312,0 ¦ 38,0 ¦ 65,9 ¦ 95,0 ¦ 113,1 ¦antifuse; диапазон ¦ ¦ ¦ ¦ 156,0 ¦ 20,3 ¦ 33,1 ¦ 51,8 ¦ 50,8 ¦напряжения питания - ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦3,0 - 5,5 В); ¦ ¦ ¦ ¦ 156,0 ¦ 17,7 ¦ 32,8 ¦ 43,2 ¦ 62,3 ¦микросхем статических ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ОЗУ емкостью 4 Мбит и 8¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Мбит (аналог CY7C1049 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Cypress) и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦многократно ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программируемого ПЗУ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкостью 1 Мбит для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания конфигурации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ПЛИС (функциональный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналог AT17LV010 ф. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Atmel) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.2.2 ¦Разработка ¦ 178,4 ¦ 20,4 ¦ 29,7 ¦ 40,3 ¦ 88,0 ¦Элементная база, ¦ ¦ ¦элементной базы, ¦ 89,2 ¦ 9,8 ¦ 15,9 ¦ 26,8 ¦ 36,7 ¦библиотеки ¦ ¦ ¦библиотек ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦проектирования и ¦ ¦ ¦проектирования и ¦ 89,2 ¦ 10,6 ¦ 13,8 ¦ 13,5 ¦ 51,3 ¦опытные образцы ¦ ¦ ¦микросхем ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхем: ¦ ¦ ¦двухпортового СОЗУ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двухпортового СОЗУ ¦ ¦ ¦емкостью 256 К; FRAM¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкостью 256 К ¦ ¦ ¦ЗУ емкостью 64 К; ¦ 178,4 ¦ 20,4 ¦ 29,7 ¦ 40,3 ¦ 88,0 ¦(прототип IDT7007 ф. ¦ ¦ ¦ОЗУ емкостью 256 К, ¦ 89,2 ¦ 9,8 ¦ 15,9 ¦ 26,8 ¦ 36,7 ¦IDT); FRAM ЗУ емкостью ¦ ¦ ¦устойчивого к СВВФ; ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦64 К (прототип ¦ ¦ ¦ЭСППЗУ емкостью ¦ 89,2 ¦ 10,6 ¦ 13,8 ¦ 13,5 ¦ 51,3 ¦FM24C256-SE ф. ¦ ¦ ¦256 К ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Ramtron); ОЗУ емкостью ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦256 К, устойчивого к ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦СВВФ; ЭСППЗУ емкостью ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦256 К (прототип ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦АТ24С256 ф. Atmel) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.3 ¦Разработка семейства¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ПЛИС и БМК, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦числе устойчивых к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СВВФ, для аппаратуры¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦а также разработка ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программных средств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для перевода ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектов, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованных на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦зарубежных ПЛИС, в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦полузаказные СБИС на¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отечественных БМК, в¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.3.1 ¦Разработка стойкой к¦ 272,0 ¦ 33,2 ¦ 57,5 ¦ 82,8 ¦ 98,5 ¦Опытные образцы: ¦ ¦ ¦СВВФ ПЛИС с системой¦ 136,0 ¦ 17,8 ¦ 28,8 ¦ 45,2 ¦ 44,2 ¦стойкой к СВВФ ПЛИС ¦ ¦ ¦устойчивости к ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦емкостью 30 тысяч ¦ ¦ ¦одиночным сбоям, ¦ 136,0 ¦ 15,4 ¦ 28,7 ¦ 37,6 ¦ 54,3 ¦вентилей с системой ¦ ¦ ¦ряда базовых ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивости к ¦ ¦ ¦матричных кристаллов¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦одиночным сбоям ¦ ¦ ¦(БМК), семейства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(напряжение питания, В:¦ ¦ ¦радиационно-стойких ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦2,5 - 3,3; типовая ¦ ¦ ¦КМОП БМК с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦логическая емкость: ¦ ¦ ¦компилированными ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦30 тыс. вентилей; ¦ ¦ ¦ОЗУ, семейства ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦количество логических ¦ ¦ ¦радиационно-стойких ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦элементов: 1728; объем ¦ ¦ ¦ПЛИС с ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦встроенной памяти, бит:¦ ¦ ¦энергонезависимой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦12288; разрабатываемая ¦ ¦ ¦сегнетоэлектрической¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ПЛИС функционально ¦ ¦ ¦(FRAM) памятью ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦совместима с ПЛИС FLEX ¦ ¦ ¦ ¦ 272,0 ¦ 33,2 ¦ 57,5 ¦ 82,8 ¦ 98,5 ¦10К30 ф. Altera); ¦ ¦ ¦ ¦ 136,0 ¦ 17,8 ¦ 28,8 ¦ 45,2 ¦ 44,2 ¦базовых матричных ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦кристаллов (БМК) с ¦ ¦ ¦ ¦ 136,0 ¦ 15,4 ¦ 28,7 ¦ 37,6 ¦ 54,3 ¦числом вентилей до ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1000000 и тактовой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦частотой 200 МГц; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радиационно-стойких ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КМОП БМК с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦компилированными ОЗУ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(эквивалентное число ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вентилей - до 200000; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналоги: семейство БМК ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серии 1537ХМ (Россия), ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦семейство БМК MG2RTP ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(ф. Atmel)); семейство ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радиационно-стойких ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ПЛИС с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦энергонезависимой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегнетоэлектрической ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(FRAM) памятью ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(эквивалентное число ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вентилей: 60000 - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦100000; емкость ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегнетоэлектрической ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(FRAM) памяти: 256 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Кбит; напряжение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦питания: 3,3 или 5,0 В)¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.3.2 ¦Разработка серии ¦ 89,8 ¦ 13,8 ¦ 17,5 ¦ 39,5 ¦ 19,0 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦однократно ¦ 44,9 ¦ 7,5 ¦ 9,0 ¦ 21,4 ¦ 7,0 ¦однократно ¦ ¦ ¦программируемых ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦программируемых ¦ ¦ ¦логических схем на ¦ 44,9 ¦ 6,3 ¦ 8,5 ¦ 18,1 ¦ 12,0 ¦логических схем на 2 К ¦ ¦ ¦2 К и 8 К вентилей, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и 8 К вентилей, ¦ ¦ ¦устойчивых к СВВФ; ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивых к СВВФ ¦ ¦ ¦аналогового базового¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональные аналоги¦ ¦ ¦матричного кристалла¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦RH1020, RH1280 ф. ¦ ¦ ¦для создания ¦ 89,8 ¦ 13,8 ¦ 17,5 ¦ 39,5 ¦ 19,0 ¦Actel); аналогового ¦ ¦ ¦полузаказных ¦ 44,9 ¦ 7,5 ¦ 9,0 ¦ 21,4 ¦ 7,0 ¦базового матричного ¦ ¦ ¦аналоговых СБИС, ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦кристалла для создания ¦ ¦ ¦устойчивых к СВВФ; ¦ 44,9 ¦ 6,3 ¦ 8,5 ¦ 18,1 ¦ 12,0 ¦полузаказных аналоговых¦ ¦ ¦программных средств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС, устойчивых к СВВФ¦ ¦ ¦для перевода ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(напряжение питания: ¦ ¦ ¦проектов, ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦3 - 15 В; 36 типовых ¦ ¦ ¦реализованных на ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦операционных ¦ ¦ ¦ПЛИС фирмы Xilinx, в¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦усилителей; 512 ¦ ¦ ¦заказные СБИС ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦двухвходовых вентилей; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦64 двухтактных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦триггера; масочное ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программирование). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Программные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для перевода проектов, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованных на ПЛИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Xilinx, в заказные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС (библиотеки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦функциональных и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структурных описаний ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов отечественных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС; программные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦перепроектирования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(синтеза) в базисах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦библиотек отечественных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС; программные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства преобразования¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и оптимизации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RTL-описаний логических¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦схем; программные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства синтеза ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦макроэлементов, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализующих ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦математические функции;¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦логической верификации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процесса повторного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦синтеза) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.4 ¦Разработка ¦ 89,4 ¦ 15,7 ¦ 19,8 ¦ 37,4 ¦ 16,5 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦библиотеки элементов¦ 44,7 ¦ 8,0 ¦ 10,2 ¦ 20,5 ¦ 6,0 ¦элементной базы ¦ ¦ ¦и СФ-блоков для ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦матричных кремниевых ¦ ¦ ¦создания ¦ 44,7 ¦ 7,7 ¦ 9,6 ¦ 16,9 ¦ 10,5 ¦мультиплексоров для ¦ ¦ ¦унифицированного ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фотоприемных устройств ¦ ¦ ¦типоразмерного ряда ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(накопитель для матрицы¦ ¦ ¦кремниевых ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦изображения 320 x 240 ¦ ¦ ¦мультиплексоров для ¦ 89,4 ¦ 15,7 ¦ 19,8 ¦ 37,4 ¦ 16,5 ¦пикселов); микросхемы ¦ ¦ ¦ИК ФПУ и разработка ¦ 44,7 ¦ 8,0 ¦ 10,2 ¦ 20,5 ¦ 6,0 ¦стабилизаторов ¦ ¦ ¦опытных образцов ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦напряжения ¦ ¦ ¦мультиплексора для ¦ 44,7 ¦ 7,7 ¦ 9,6 ¦ 16,9 ¦ 10,5 ¦отрицательной ¦ ¦ ¦фотоприемных матриц ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦полярности ¦ ¦ ¦третьего поколения ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦(функционально- ¦ ¦ ¦дальнего ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦электрический аналог МС¦ ¦ ¦ИК-диапазона и БИС ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦79ХХ) и микросхемы ¦ ¦ ¦управления и ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦широкополосного видео ¦ ¦ ¦обработки сигналов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦мультиплексора 4x1 ¦ ¦ ¦мультиплексора, в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(прототип AD9300 ф. ¦ ¦ ¦том числе разработка¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Analog Devices) ¦ ¦ ¦элементной базы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦матричных кремниевых¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦мультиплексоров для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фотоприемных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устройств, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стабилизаторов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отрицательной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦полярности и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦широкополосного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦видео мультиплексора¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦4x1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.5 ¦Разработка ряда схем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейса, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦числе устойчивых к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СВВФ, для аппаратуры¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.5.1 ¦Разработка комплекта¦ 57,2 ¦ 10,0 ¦ 15,1 ¦ 13,8 ¦ 18,3 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦интерфейсных ¦ 28,6 ¦ 6,3 ¦ 7,0 ¦ 7,9 ¦ 7,4 ¦микросхем ¦ ¦ ¦интегральных ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦приемопередатчиков ¦ ¦ ¦микросхем ¦ 28,6 ¦ 3,7 ¦ 8,1 ¦ 5,9 ¦ 10,9 ¦стандарта RS-485 с ¦ ¦ ¦приемопередатчиков ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦пониженным до 3 В ¦ ¦ ¦стандарта RS-485 и ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжением питания ¦ ¦ ¦комплекта микросхем ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналоги MAX 3485, MAX ¦ ¦ ¦интерфейсных ¦ 57,2 ¦ 10,0 ¦ 15,1 ¦ 13,8 ¦ 18,3 ¦3486 ф. Maxim) и ¦ ¦ ¦приемопередатчиков ¦ 28,6 ¦ 6,3 ¦ 7,0 ¦ 7,9 ¦ 7,4 ¦микросхем интерфейсных ¦ ¦ ¦манчестерского кода ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦приемопередатчиков ¦ ¦ ¦ ¦ 28,6 ¦ 3,7 ¦ 8,1 ¦ 5,9 ¦ 10,9 ¦манчестерского кода с ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦пониженным напряжением ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦питания 3,3 В (аналоги ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦HI-1573, HI-1574 ф. ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦Holt Integrated ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦Circuits), устойчивых к¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СВВФ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.5.2 ¦Разработка ¦ 42,0 ¦ 4,9 ¦ 9,0 ¦ 13,0 ¦ 15,1 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ 21,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 7,1 ¦ 6,8 ¦микросхемы ¦ ¦ ¦приемопередатчика ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦приемопередатчика ¦ ¦ ¦интерфейса LVDS ¦ 21,0 ¦ 2,4 ¦ 4,4 ¦ 5,9 ¦ 8,3 ¦интерфейса LVDS, ¦ ¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивой к СВВФ ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналог DS90LV049 ф. ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦NS) ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 42,0 ¦ 4,9 ¦ 9,0 ¦ 13,0 ¦ 15,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 21,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 7,1 ¦ 6,8 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 21,0 ¦ 2,4 ¦ 4,4 ¦ 5,9 ¦ 8,3 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.6 ¦Разработка ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхем для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦источников ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вторичного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦электропитания в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуре ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.6.1 ¦Разработка микросхем¦ 68,0 ¦ 5,1 ¦ 11,0 ¦ 14,9 ¦ 37,0 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦микромощного ¦ 34,0 ¦ 2,6 ¦ 5,0 ¦ 9,4 ¦ 17,0 ¦микросхем: ¦ ¦ ¦стабилизатора ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦микромощного ¦ ¦ ¦напряжения, ¦ 34,0 ¦ 2,5 ¦ 6,0 ¦ 5,5 ¦ 20,0 ¦стабилизатора ¦ ¦ ¦малошумящего ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения (входное ¦ ¦ ¦двухдиапазонного ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение: 6 - 16 В; ¦ ¦ ¦источника опорного ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦выходное напряжение: ¦ ¦ ¦напряжения, ¦ 68,0 ¦ 5,1 ¦ 11,0 ¦ 14,9 ¦ 37,0 ¦5 В +/- 2%; ток ¦ ¦ ¦регулятора ¦ 34,0 ¦ 2,6 ¦ 5,0 ¦ 9,4 ¦ 17,0 ¦потребления: не более ¦ ¦ ¦напряжения ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦6 мкА; температурный ¦ ¦ ¦положительной ¦ 34,0 ¦ 2,5 ¦ 6,0 ¦ 5,5 ¦ 20,0 ¦коэффициент выходного ¦ ¦ ¦полярности с низким ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения: не более ¦ ¦ ¦остаточным ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦+/-1 мВ/°C; ближайший ¦ ¦ ¦напряжением для ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦функциональный аналог ¦ ¦ ¦источников питания ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ADM663 ф. Analog ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦Devices); малошумящего ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двухдиапазонного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦источника опорного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения (аналог ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦AD780 ф. Analog ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Devices); регулятора ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦положительной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦полярности с низким ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦остаточным напряжением ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для источников питания ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналог AMS1117А ф. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Advanced Monolitic ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Systems) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.6.2 ¦Разработка СБИС ¦ 44,0 ¦ 5,4 ¦ 9,3 ¦ 13,4 ¦ 15,9 ¦Опытные образцы СБИС ¦ ¦ ¦повышающего ¦ 22,0 ¦ 2,9 ¦ 4,7 ¦ 7,3 ¦ 7,1 ¦повышающего ¦ ¦ ¦преобразователя ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦преобразователя ¦ ¦ ¦напряжения (DCDC) ¦ 22,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 6,1 ¦ 8,8 ¦напряжения DCDC (аналог¦ ¦ ¦для применения в ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RICOH RH5RIXX) ¦ ¦ ¦устройствах и ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦системах, ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦использующих ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦низковольтные ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦источники питания ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 44,0 ¦ 5,4 ¦ 9,3 ¦ 13,4 ¦ 15,9 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 22,0 ¦ 2,9 ¦ 4,7 ¦ 7,3 ¦ 7,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 22,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 6,1 ¦ 8,8 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.7 ¦Разработка ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦усилителей, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦компараторов, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦схем для аппаратуры ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.7.1 ¦Разработка ¦ 120,0 ¦ 14,7 ¦ 25,4 ¦ 36,5 ¦ 43,4 ¦Опытные образцы: ¦ ¦ ¦биполярных ¦ 60,0 ¦ 7,9 ¦ 12,7 ¦ 19,9 ¦ 19,5 ¦биполярных интегральных¦ ¦ ¦интегральных ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦функционально полных ¦ ¦ ¦функционально полных¦ 60,0 ¦ 6,8 ¦ 12,7 ¦ 16,6 ¦ 23,9 ¦ЦАП (время установления¦ ¦ ¦ЦАП и АЦП на 16 ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выходного сигнала ¦ ¦ ¦двоичных разрядов, ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+/-0,003% от Ufs = 10 ¦ ¦ ¦шестиканального ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦В - не более 5 мкс; ¦ ¦ ¦16-разрядного АЦП с ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦число разрядов 16) и ¦ ¦ ¦напряжением питания ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦АЦП (время ¦ ¦ ¦3 В и 5 В ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦преобразования ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦выходного сигнала Ufs =¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦10 В - не более 16 мкс;¦ ¦ ¦ ¦ 120,0 ¦ 14,7 ¦ 25,4 ¦ 36,5 ¦ 43,4 ¦число разрядов 16); ¦ ¦ ¦ ¦ 60,0 ¦ 7,9 ¦ 12,7 ¦ 19,9 ¦ 19,5 ¦шестиканального ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦16-разрядного АЦП с ¦ ¦ ¦ ¦ 60,0 ¦ 6,8 ¦ 12,7 ¦ 16,6 ¦ 23,9 ¦напряжением питания 3 В¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и 5 В (аналог AD73360 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Analog Devices) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.7.2 ¦Разработка ¦ 58,0 ¦ 0,0 ¦ 8,0 ¦ 11,5 ¦ 38,5 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 2,0 ¦ 8,5 ¦ 18,5 ¦микросхемы ¦ ¦ ¦регулируемого ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦регулируемого ¦ ¦ ¦стабилизатора ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 6,0 ¦ 3,0 ¦ 20,0 ¦стабилизатора ¦ ¦ ¦напряжения ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения ¦ ¦ ¦отрицательной ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отрицательной ¦ ¦ ¦полярности и ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦полярности (аналог LM ¦ ¦ ¦комплекта микросхем ¦ 58,0 ¦ 0,0 ¦ 8,0 ¦ 11,5 ¦ 38,5 ¦337 ф. National ¦ ¦ ¦для контроля ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 2,0 ¦ 8,5 ¦ 18,5 ¦Semiconductor); ¦ ¦ ¦питания, устойчивых ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦комплекта микросхем для¦ ¦ ¦к СВВФ ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 6,0 ¦ 3,0 ¦ 20,0 ¦контроля питания, ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивых к СВВФ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦(аналог MAX809/810 ф. ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦Maxim): контроль ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦питания +2,5 В; +3,0 В;¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦+3,3 В; +5,0 В низким и¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦высоким уровнями ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигнала сброса; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивость к СВВФ: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2Ус; диапазон рабочих ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температур: от -60 до ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+125 °C ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.8 ¦Разработка ¦ 75,0 ¦ 4,0 ¦ 20,5 ¦ 34,5 ¦ 16,0 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦интегральных схем ¦ 37,5 ¦ 3,0 ¦ 10,5 ¦ 20,0 ¦ 4,0 ¦микросхемы драйвера с ¦ ¦ ¦для управления ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦программируемым ¦ ¦ ¦устройствами ¦ 37,5 ¦ 1,0 ¦ 10,0 ¦ 14,5 ¦ 12,0 ¦мультиплексом для ¦ ¦ ¦отображения ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегментных ЖКИ (аналог ¦ ¦ ¦информации, в том ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦HT1621 ф. Holtek) и ¦ ¦ ¦числе микросхемы ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦комплекта микросхем ¦ ¦ ¦драйвера с ¦ 75,0 ¦ 4,0 ¦ 20,5 ¦ 34,5 ¦ 16,0 ¦высоковольтных ¦ ¦ ¦программируемым ¦ 37,5 ¦ 3,0 ¦ 10,5 ¦ 20,0 ¦ 4,0 ¦драйверов ¦ ¦ ¦мультиплексом для ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦строк/столбцов для ¦ ¦ ¦сегментных ЖКИ и ¦ 37,5 ¦ 1,0 ¦ 10,0 ¦ 14,5 ¦ 12,0 ¦устройств управления ¦ ¦ ¦комплекта микросхем ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦информационными ¦ ¦ ¦высоковольтных ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦экранами на ¦ ¦ ¦драйверов ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦газоплазменных панелях ¦ ¦ ¦строк/столбцов для ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦(аналоги миPD16306, ¦ ¦ ¦устройств управления¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦миPD16337 ф. NEC) ¦ ¦ ¦информационными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экранами на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦газоплазменных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦панелях ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.9 ¦Разработка СБИС типа¦ 520,0 ¦ 63,2 ¦ 109,8 ¦ 158,3 ¦ 188,7 ¦Опытные образцы: ¦ ¦ ¦"система на ¦ 260,0 ¦ 33,9 ¦ 55,1 ¦ 86,3 ¦ 84,7 ¦СБИС цифровой системы ¦ ¦ ¦кристалле" для ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ----- ¦приема и обработки ¦ ¦ ¦построения новейших ¦ 260,0 ¦ 29,3 ¦ 54,7 ¦ 72,0 ¦ 104,0 ¦высокочастотных ¦ ¦ ¦систем радиосвязи, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (состав: ¦ ¦ ¦радиолокации, ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые ¦ ¦ ¦цифрового ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи ¦ ¦ ¦телевидения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦широкополосных ¦ ¦ ¦обработки ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, блок ¦ ¦ ¦видеосигналов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аппаратной поддержки ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦предварительной ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦обработки ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦(гетеродинирования и ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦фильтрации), ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессорные ядра для ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифровой обработки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, ядро ¦ ¦ ¦ ¦ 520,0 ¦ 63,2 ¦ 109,8 ¦ 158,3 ¦ 188,7 ¦высокопроизводительного¦ ¦ ¦ ¦ 260,0 ¦ 33,9 ¦ 55,1 ¦ 86,3 ¦ 84,7 ¦RISC процессора, ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ----- ¦внутренняя статическая ¦ ¦ ¦ ¦ 260,0 ¦ 29,3 ¦ 54,7 ¦ 72,0 ¦ 104,0 ¦память, двухбитовые ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦порты ввода данных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦SIGN/MAGN, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующие ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦последовательные порты,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦последовательные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейсы UART и GPIO,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦JTAG-порт, цифро- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналоговые ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи (только¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в микросхеме управления¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и синтеза сигнала); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦основные технические ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тактовая частота работы¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессорных ядер ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифровой обработки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов - не менее 320¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МГц, производительность¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессоров цифровой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов - до¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦80000 миллионов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операций умножения с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦накоплением в секунду ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(ММАС) или до 30 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦GFLOPS, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производительность RISC¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессора - не менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦320 MIPS, объем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦оперативной памяти - не¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦менее 8 Мбит, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦разрядность - не менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32 бит); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦комплекта СБИС для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦спутниковой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦мультимедийной системы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по стандарту DVB-RCS в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦составе: СБИС типа ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"система на кристалле" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦декодера - демодулятора¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦приемника спутникового ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦канала; БИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦демодулятора и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦усилителя промежуточной¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦частоты; СБИС ATM ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦коммутатора; СБИС типа ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"система на кристалле" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ATM процессора; СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кодеров - декодеров; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦чипсета на СБИС типа ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"система на кристалле" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для радиоприемника ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифрового радиовещания ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в формате DRM (диапазон¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦принимаемых частот - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦150 кГц - 30 МГц; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦динамический ток ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦потребления, мА - 150; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочее напряжение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦питания, В - 1,8; 2,7; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦3,6; температурный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦диапазон: -45 °C - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+85 °C) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 1.10 ¦Разработка ¦ 112,0 ¦ 9,5 ¦ 26,2 ¦ 34,7 ¦ 41,6 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦логических ИС, ¦ 56,0 ¦ 5,0 ¦ 13,7 ¦ 19,3 ¦ 18,0 ¦комплекта микросхем для¦ ¦ ¦устойчивых к СВВФ, и¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦малогабаритных ¦ ¦ ¦ряда других ИС для ¦ 56,0 ¦ 4,5 ¦ 12,5 ¦ 15,4 ¦ 23,6 ¦кварцевых генераторов в¦ ¦ ¦аппаратуры ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦составе: 1) логический ¦ ¦ ¦специального и ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элемент "НЕ" ¦ ¦ ¦двойного применения,¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦в том числе ¦ 112,0 ¦ 9,5 ¦ 26,2 ¦ 34,7 ¦ 41,6 ¦TC7S04 ф. Toshiba, ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ 56,0 ¦ 5,0 ¦ 13,7 ¦ 19,3 ¦ 18,0 ¦Япония; параметрический¦ ¦ ¦программируемого ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦аналог 1554 ЛН1ТБН ОАО ¦ ¦ ¦цифрового термометра¦ 56,0 ¦ 4,5 ¦ 12,5 ¦ 15,4 ¦ 23,6 ¦"ИНТЕГРАЛ"); ¦ ¦ ¦с EEPROM и ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2) стабилизаторы ¦ ¦ ¦последовательным ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦напряжения ¦ ¦ ¦интерфейсом, ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦(функциональные ¦ ¦ ¦микросхемы часов ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦аналоги: TK71728S, ¦ ¦ ¦реального времени с ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦TK71730S, TK71740S, ¦ ¦ ¦двухпроводным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦TK71750S ф. ТОКО, ¦ ¦ ¦последовательным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Япония); 3) датчик ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦контроля температуры ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналог LM135Z ф. SGS- ¦ ¦ ¦I C интерфейсом и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Thomson, Франция); 4) ¦ ¦ ¦батарейным питанием,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦маломощный операционный¦ ¦ ¦комплекта микросхем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦усилитель ¦ ¦ ¦для малогабаритных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦кварцевых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦LMC7101 ф. National ¦ ¦ ¦генераторов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Semiconductor); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программируемого ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифрового термометра с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦EEPROM и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦последовательным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейсом (аналог ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦DS1620 ф. MAXIM-Dallas ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Semiconductor), ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы часов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реального времени с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двухпроводным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦последовательным I C ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейсом и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦батарейным питанием ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналог DS1307 ф. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MAXIM-Dallas ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Semiconductor) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ ¦Всего по разделу 1: ¦ 2480,2 ¦ 289,9 ¦ 516,3 ¦ 749,9 ¦ 924,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1240,1 ¦ 155,3 ¦ 259,9 ¦ 417,8 ¦ 407,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ------ ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1240,1 ¦ 134,6 ¦ 256,4 ¦ 332,1 ¦ 517,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 920,2 ¦ 100,0 ¦ 186,7 ¦ 274,9 ¦ 358,6 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 460,1 ¦ 53,7 ¦ 94,5 ¦ 158,8 ¦ 153,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 460,1 ¦ 46,3 ¦ 92,2 ¦ 116,1 ¦ 205,5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1560,0 ¦ 189,9 ¦ 329,6 ¦ 475,0 ¦ 565,5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 780,0 ¦ 101,6 ¦ 165,4 ¦ 259,0 ¦ 254,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 780,0 ¦ 88,3 ¦ 164,2 ¦ 216,0 ¦ 311,5 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2. НИОКР по разработке полупроводниковых приборов ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.1 ¦Разработка ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ДМОП-транзисторов и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦канальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МОП-транзисторов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.1.1 ¦Разработка ряда ¦ 67,6 ¦ 17,7 ¦ 18,5 ¦ 15,7 ¦ 15,7 ¦Опытные образцы ряда ¦ ¦ ¦силовых n- и ¦ 33,8 ¦ 9,4 ¦ 11,5 ¦ 7,7 ¦ 5,2 ¦стойких n-канальных ¦ ¦ ¦p-канальных полевых ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦транзисторов, ряда ¦ 33,8 ¦ 8,3 ¦ 7,0 ¦ 8,0 ¦ 10,5 ¦IRLZ44 ф. IR) и ¦ ¦ ¦ДМОП-транзисторов и ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦р-канальных ¦ ¦ ¦составного ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦биполярного n-p-n ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦IRF9540 ф. IR) полевых ¦ ¦ ¦транзистора в ¦ 67,6 ¦ 17,7 ¦ 18,5 ¦ 15,7 ¦ 15,7 ¦транзисторов (стойкость¦ ¦ ¦малогабаритном ¦ 33,8 ¦ 9,4 ¦ 11,5 ¦ 7,7 ¦ 5,2 ¦к СВВФ - ЗУ); ряда ¦ ¦ ¦металлокерамическом ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ДМОП-транзисторов с ¦ ¦ ¦корпусе ¦ 33,8 ¦ 8,3 ¦ 7,0 ¦ 8,0 ¦ 10,5 ¦рабочими напряжениями ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦до 800 В и токами до ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦80 А (функциональные ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦аналоги IRF540N, ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦STP5NA80 ф. SGS- ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦Thomson, IRF830 ф. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦International, RFP50N06¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Fairchild ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Semiconductor); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦составного биполярного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦n-p-n транзистора в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦малогабаритном ¦ Страницы документа: |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
