|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Совета Министров Союзного государства № 7 "О научно-технической программе Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"< Главная страница Стр. 2Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦металлокерамическом ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦корпусе: статический ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент передачи ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тока (I = 150 мА, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ К ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦U = 10 В) - 1000; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ КЭ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение насыщения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦коллектор-эмиттер (I =¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ К ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦500 мА, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦I = 0,5 мА) - 1,3 В; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Б ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение насыщения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦база-эмиттер (I = ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ К ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦500 мА, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦I = 0,5 мА) - 1,9 В ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Б ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦BSP52 ф. Philips) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.1.2 ¦Разработка полного ¦ 54,0 ¦ 6,6 ¦ 11,4 ¦ 16,5 ¦ 19,5 ¦Опытные образцы ряда ¦ ¦ ¦параметрического ¦ 27,0 ¦ 3,5 ¦ 5,7 ¦ 9,0 ¦ 8,8 ¦мощных СВЧ LDMOS ¦ ¦ ¦ряда мощных ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦транзисторов (диапазон ¦ ¦ ¦СВЧ-линейных LDMOS ¦ 27,0 ¦ 3,1 ¦ 5,7 ¦ 7,5 ¦ 10,7 ¦частот 470 - 860 МГц; ¦ ¦ ¦транзисторов для ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выходная мощность 10, ¦ ¦ ¦передающих станций ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦45, 75, 150, 300 Вт; ¦ ¦ ¦цифрового эфирного ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент усиления по¦ ¦ ¦телевещания и ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦мощности не менее 13 - ¦ ¦ ¦передатчиков ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦16 дБ; коэффициент ¦ ¦ ¦специального ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦интермодуляционных ¦ ¦ ¦назначения ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦искажений не более - 28¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦дБ; КПД не менее 40%; ¦ ¦ ¦ ¦ 54,0 ¦ 6,6 ¦ 11,4 ¦ 16,5 ¦ 19,5 ¦напряжение питания 32 ¦ ¦ ¦ ¦ 27,0 ¦ 3,5 ¦ 5,7 ¦ 9,0 ¦ 8,8 ¦В; диапазон рабочих ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦температур -60 - +125 ¦ ¦ ¦ ¦ 27,0 ¦ 3,1 ¦ 5,7 ¦ 7,5 ¦ 10,7 ¦°C; зарубежные аналоги:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦BLF1043, BLF2045, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦BLF861, BLF872, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MRF9045, MRF373, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MRF374, MRF6P3300) ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.2 ¦Разработка ряда ¦ 154,0 ¦ 18,7 ¦ 32,5 ¦ 46,8 ¦ 56,0 ¦Опытные образцы: ¦ ¦ ¦биполярных ¦ 77,0 ¦ 10,0 ¦ 16,3 ¦ 25,5 ¦ 25,2 ¦ряда (3 типа) ¦ ¦ ¦транзисторов с ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦биполярных транзисторов¦ ¦ ¦изолированным ¦ 77,0 ¦ 8,7 ¦ 16,2 ¦ 21,3 ¦ 30,8 ¦с изолированным ¦ ¦ ¦затвором для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦затвором (IGBT) на ¦ ¦ ¦радиоэлектронных ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦безэпитаксиальном ¦ ¦ ¦средств вооружения ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кремнии и с ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦антипараллельным ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ультрабыстрым диодом на¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦одном кристалле ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦(U = 1200 - ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ КЭпроб ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2500 В, ¦ ¦ ¦ ¦ 154,0 ¦ 18,7 ¦ 32,5 ¦ 46,8 ¦ 56,0 ¦I = 15 - 100 А, fраб =¦ ¦ ¦ ¦ 77,0 ¦ 10,0 ¦ 16,3 ¦ 25,5 ¦ 25,2 ¦ К ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 77,0 ¦ 8,7 ¦ 16,2 ¦ 21,3 ¦ 30,8 ¦50 - 100 кГц, Т = -60 -¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+125 °C); ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦n-канальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и р-канальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МОП-транзисторов и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦биполярных транзисторов¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с изолированным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦затвором, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготавливаемых по ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологии с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦углубленным затвором, с¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦повышенной стойкостью к¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СВВФ (основные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технические ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦n-канальные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МОП-транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжением 30 - 100 В ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и током до 100 А; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦p-канальные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МОП-транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжением -30 - -100 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦В и током до 100 А; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦БТИЗ с напряжением ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦600 В током до 100 А, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦конструкция РТ; БТИЗ с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжением 1200 В, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦током до 100 А, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦конструкция NPT; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая температура: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦-60 °C - +125 °C; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стойкость к СВВФ - 5Ус)¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.3 ¦Разработка ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦диодов и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стабилитронов для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устройств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стабилизации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуре ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.3.1 ¦Разработка ¦ 30,4 ¦ 4,0 ¦ 5,1 ¦ 8,8 ¦ 12,5 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦импульсного диода и ¦ 15,2 ¦ 2,0 ¦ 2,7 ¦ 5,0 ¦ 5,5 ¦импульсного диода в ¦ ¦ ¦серии стабилитронов ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦металлостеклянном ¦ ¦ ¦в металлостеклянных ¦ 15,2 ¦ 2,0 ¦ 2,4 ¦ 3,8 ¦ 7,0 ¦корпусе (аналог BAV 103¦ ¦ ¦корпусах ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. VISHAY). ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Опытные образцы серии ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦стабилитронов мощностью¦ ¦ ¦ ¦ 30,4 ¦ 4,0 ¦ 5,1 ¦ 8,8 ¦ 12,5 ¦0,5 Вт в ¦ ¦ ¦ ¦ 15,2 ¦ 2,0 ¦ 2,7 ¦ 5,0 ¦ 5,5 ¦металлостеклянных ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦корпусах (аналоги серии¦ ¦ ¦ ¦ 15,2 ¦ 2,0 ¦ 2,4 ¦ 3,8 ¦ 7,0 ¦BZV55C ф. PHILIPS/NXP):¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦стабилизации: ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦U = (3,0 - 12,0) В; ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ СТ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦макс. ток стабилизации:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦I = (32 - 125) мА; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ZM ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обратный ток: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦I = (0,1 - 50) мкА; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ R ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температурный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент напряжения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стабилизации: (+0,08 -¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦-0,11) %/°C; диапазон ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочих температур: от ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦-60 до +125 °C; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стойкость к СВВФ: ЗУс ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 2.3.2 ¦Разработка серии ¦ 122,0 ¦ 14,6 ¦ 25,7 ¦ 37,3 ¦ 44,4 ¦Опытные образцы ¦ ¦ ¦ультрастабильных ¦ 61,0 ¦ 7,9 ¦ 13,1 ¦ 20,5 ¦ 19,5 ¦спецстойких по группе ¦ ¦ ¦прецизионных ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦5Ус ультрастабильных ¦ ¦ ¦стабилитронов с ¦ 61,0 ¦ 6,7 ¦ 12,6 ¦ 16,8 ¦ 24,9 ¦аттестуемых ¦ ¦ ¦малым током ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прецизионных ¦ ¦ ¦стабилизации и с ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стабилитронов: ¦ ¦ ¦повышенной ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение стабилизации¦ ¦ ¦стойкостью к СВВФ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦при номинальном токе ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦0,5 мА U : 6,4 В +/- ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ СТ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦2%; ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температурный ¦ ¦ ¦ ¦ 122,0 ¦ 14,6 ¦ 25,7 ¦ 37,3 ¦ 44,4 ¦коэффициент напряжения ¦ ¦ ¦ ¦ 61,0 ¦ 7,9 ¦ 13,1 ¦ 20,5 ¦ 19,5 ¦стабилизации альфаU , ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ СТ ¦ ¦ ¦ ¦ 61,0 ¦ 6,7 ¦ 12,6 ¦ 16,8 ¦ 24,9 ¦%/°C : 0,0005%/°C; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦временная ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦нестабильность ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения стабилизации¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦за 1000 часов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦дельтаU , % : 0,002 - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ СТ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦0,001%; уровень ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦бессбойной работы: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦0,001 x 1Ус; рабочая ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температура: -60 °C - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+125 °C ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ ¦Всего по разделу 2: ¦ 428,0 ¦ 61,6 ¦ 93,2 ¦ 125,1 ¦ 148,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 214,0 ¦ 32,8 ¦ 49,3 ¦ 67,7 ¦ 64,2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 214,0 ¦ 28,8 ¦ 43,9 ¦ 57,4 ¦ 83,9 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 98,0 ¦ 21,7 ¦ 23,6 ¦ 24,5 ¦ 28,2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 49,0 ¦ 11,4 ¦ 14,2 ¦ 12,7 ¦ 10,7 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 49,0 ¦ 10,3 ¦ 9,4 ¦ 11,8 ¦ 17,5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 330,0 ¦ 39,9 ¦ 69,6 ¦ 100,6 ¦ 119,9 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 165,0 ¦ 21,4 ¦ 35,1 ¦ 55,0 ¦ 53,5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 165,0 ¦ 18,5 ¦ 34,5 ¦ 45,6 ¦ 66,4 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 3. НИР по созданию нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому ¦ ¦ обеспечению разработок ЭКБ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 3.1 ¦Развитие методов ¦ 60,0 ¦ 7,2 ¦ 12,8 ¦ 18,4 ¦ 21,6 ¦Научно-технический ¦ ¦ ¦ускоренных испытаний¦ 30,0 ¦ 4,0 ¦ 6,5 ¦ 10,0 ¦ 9,5 ¦отчет о результатах ¦ ¦ ¦на безотказность и ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦исследований физических¦ ¦ ¦наработку до отказа ¦ 30,0 ¦ 3,2 ¦ 6,3 ¦ 8,4 ¦ 12,1 ¦процессов, вызывающих ¦ ¦ ¦применительно к ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отказы микросхем с ¦ ¦ ¦микросхемам с ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦субмикронными размерами¦ ¦ ¦субмикронными ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов, и ¦ ¦ ¦размерами элементов ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦разработанных методах ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ускоренных испытаний на¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦безотказность и ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦наработку на отказ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦применительно к ¦ ¦ ¦ ¦ 60,0 ¦ 7,2 ¦ 12,8 ¦ 18,4 ¦ 21,6 ¦микросхемам с ¦ ¦ ¦ ¦ 30,0 ¦ 4,0 ¦ 6,5 ¦ 10,0 ¦ 9,5 ¦субмикронными размерами¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦элементов ¦ ¦ ¦ ¦ 30,0 ¦ 3,2 ¦ 6,3 ¦ 8,4 ¦ 12,1 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ 3.2 ¦Исследование ¦ 31,8 ¦ 6,3 ¦ 7,7 ¦ 6,6 ¦ 11,2 ¦Научно-технический ¦ ¦ ¦надежности ¦ 15,9 ¦ 2,9 ¦ 4,3 ¦ 4,5 ¦ 4,2 ¦отчет с результатами ¦ ¦ ¦элементной базы КМОП¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦исследований ¦ ¦ ¦ИМС с проектными ¦ 15,9 ¦ 3,4 ¦ 3,4 ¦ 2,1 ¦ 7,0 ¦показателей надежности ¦ ¦ ¦нормами 0,5 - 0,35 ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементной базы ¦ ¦ ¦мкм и разработка ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦конкретного ¦ ¦ ¦методик оперативного¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦конструкторско- ¦ ¦ ¦контроля надежности ¦ 31,8 ¦ 6,3 ¦ 7,7 ¦ 6,6 ¦ 11,2 ¦технологического ¦ ¦ ¦ИМС специального ¦ 15,9 ¦ 2,9 ¦ 4,3 ¦ 4,5 ¦ 4,2 ¦исполнения и методиками¦ ¦ ¦назначения в ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦прогнозирования ¦ ¦ ¦процессе ¦ 15,9 ¦ 3,4 ¦ 3,4 ¦ 2,1 ¦ 7,0 ¦надежности микросхем на¦ ¦ ¦производства с ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этапе их изготовления ¦ ¦ ¦помощью тестовых ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦структур ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ ¦Всего по разделу 3: ¦ 91,8 ¦ 13,5 ¦ 20,5 ¦ 25,0 ¦ 32,8 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 45,9 ¦ 6,9 ¦ 10,8 ¦ 14,5 ¦ 13,7 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 45,9 ¦ 6,6 ¦ 9,7 ¦ 10,5 ¦ 19,1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 31,8 ¦ 6,3 ¦ 7,7 ¦ 6,6 ¦ 11,2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 15,9 ¦ 2,9 ¦ 4,3 ¦ 4,5 ¦ 4,2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 15,9 ¦ 3,4 ¦ 3,4 ¦ 2,1 ¦ 7,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 60,0 ¦ 7,2 ¦ 12,8 ¦ 18,4 ¦ 21,6 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 30,0 ¦ 4,0 ¦ 6,5 ¦ 10,0 ¦ 9,5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 30,0 ¦ 3,2 ¦ 6,3 ¦ 8,4 ¦ 12,1 ¦ ¦ +-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+ ¦ ¦Всего по Программе: ¦ 3000,0 ¦ 365,0 ¦ 630,0 ¦ 900,0 ¦1105,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1500,0 ¦ 195,0 ¦ 320,0 ¦ 500,0 ¦ 485,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ------ ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1500,0 ¦ 170,0 ¦ 310,0 ¦ 400,0 ¦ 620,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1050,0 ¦ 128,0 ¦ 218,0 ¦ 306,0 ¦ 398,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 525,0 ¦ 68,0 ¦ 113,0 ¦ 176,0 ¦ 168,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 525,0 ¦ 60,0 ¦ 105,0 ¦ 130,0 ¦ 230,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1950,0 ¦ 237,0 ¦ 412,0 ¦ 594,0 ¦ 707,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 975,0 ¦ 127,0 ¦ 207,0 ¦ 324,0 ¦ 317,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 975,0 ¦ 110,0 ¦ 205,0 ¦ 270,0 ¦ 390,0 ¦ ¦ ¦-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------ 4. Ресурсное обеспечение ПрограммыОпределение объемов запрашиваемых финансовых средств произведено исходя из предлагаемых мероприятий Программы, существующего уровня и порядка ценообразования на сложную научно-техническую продукцию, обобщения заявок предприятий и организаций, специализирующихся в области разработки электронной компонентной базы, и предварительного анализа организаций, осуществляющих экспертизу технико-экономического обоснования. Финансирование Программы осуществляется на 50% за счет средств бюджета Союзного государства и на 50% за счет внебюджетных средств. При этом отчисления в бюджет Союзного государства по Программе составят 1500,0 млн. росс. рублей, в том числе: за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525,0 млн. росс. рублей - для исполнителей Программы от Республики Беларусь; за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975,0 млн. росс. рублей - для исполнителей Программы от Российской Федерации. Все финансовые ресурсы Российской Федерации и Республики Беларусь будут направлены в полном объеме на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) для реализации мероприятий Программы. При этом бюджетные средства будут направляться на те работы по выполнению НИОКР, которые связаны с исследованиями, разработкой эскизных и технических проектов, разработкой конструкторской и технологической документации, изготовлением, измерениями и испытаниями экспериментальных и опытных образцов изделий. Источниками внебюджетных средств станут собственные средства исполнителей Программы; они будут направляться на те работы по выполнению НИОКР, которые связаны с обеспечением разработки микросхем и полупроводниковых приборов, с технологической подготовкой изготовления экспериментальных и опытных образцов, с подготовкой производства разработанных изделий, с изготовлением и проведением испытаний установочных партий разработанных микросхем и полупроводниковых приборов (разработка и изготовление нестандартного оборудования, развитие САПР, разработка оснастки, средств испытаний и измерений и т.п.). Замещение внебюджетных средств, привлекаемых для выполнения НИОКР по Программе, средствами бюджета Союзного государства не допускается. Капитальные вложения из средств бюджета Союзного государства не планируются. Освоение производства разработанной ЭКБ будет осуществляться на предприятиях радиоэлектронной промышленности России и Беларуси за счет их собственных средств без привлечения дополнительных бюджетных ассигнований. Объемы финансирования на реализацию Программы в целом и по каждому году с разбивкой по долевому участию Республики Беларусь и Российской Федерации и по направлениям расходования средств приведены в таблице 2. Таблица 2 (млн. росс. рублей) ----------------------------------+-------+-------+-------+-------+--- ¦ Финансирование Программы ¦ Всего ¦2010 г.¦2011 г.¦2012 г.¦2013 г.¦ +---------------------------------+-------+-------+-------+-------+-------+ ¦Всего, из них: ¦3000,0 ¦ 365,0 ¦ 630,0 ¦ 900,0 ¦1105,0 ¦ +---------------------------------+-------+-------+-------+-------+-------+ ¦из бюджета Союзного государства -¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦всего ¦1500,0 ¦ 195,0 ¦ 320,0 ¦ 500,0 ¦ 485,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из них: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦за счет долевых отчислений ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Республики Беларусь для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исполнителей Программы ¦ 525,0 ¦ 68,0 ¦ 113,0 ¦ 176,0 ¦ 168,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦от Республики Беларусь, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на НИОКР ¦ 525,0 ¦ 68,0 ¦ 113,0 ¦ 176,0 ¦ 168,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на капитальные вложения ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на прочие нужды ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦за счет долевых отчислений ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Российской Федерации для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исполнителей Программы от ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Российской Федерации, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦числе: ¦ 975,0 ¦ 127,0 ¦ 207,0 ¦ 324,0 ¦ 317,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на НИОКР ¦ 975,0 ¦ 127,0 ¦ 207,0 ¦ 324,0 ¦ 317,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на капитальные вложения ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на прочие нужды ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ +---------------------------------+-------+-------+-------+-------+-------+ ¦из внебюджетных источников для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исполнителей Программы - всего ¦1500,0 ¦ 170,0 ¦ 310,0 ¦ 400,0 ¦ 620,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из них: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Республики Беларусь (внебюджетные¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства белорусских участников) ¦ 525,0 ¦ 60,0 ¦ 105,0 ¦ 130,0 ¦ 230,0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Российской Федерации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(внебюджетные средства российских¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦участников) ¦ 975,0 ¦ 110,0 ¦ 205,0 ¦ 270,0 ¦ 390,0 ¦ ¦---------------------------------+-------+-------+-------+-------+-------- 5. Механизмы реализации ПрограммыРеализация Программы будет осуществляться в соответствии с Порядком разработки и реализации программ Союзного государства, утвержденным постановлением Совета Министров Союзного государства от 11 октября 2000 г. N 7 (в редакции постановления Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 8). Учитывая сложившуюся структуру федеральных органов исполнительной власти Российской Федерации и органов государственного управления Республики Беларусь, а также общепромышленное значение выполнения Программы, государственным заказчиком Программы от Российской Федерации является Министерство промышленности и торговли Российской Федерации с приданием ему функций государственного заказчика-координатора (распорядитель средств бюджета Союзного государства из отчислений Российской Федерации), а государственным заказчиком от Республики Беларусь - Министерство промышленности Республики Беларусь (распорядитель средств бюджета Союзного государства из отчислений Республики Беларусь). Минпромторг России: осуществляет общее руководство реализацией Программы; координирует действия Минпрома Беларуси по реализации Программы; взаимодействует с органами Союзного государства по всем вопросам реализации и финансирования Программы; несет ответственность за реализацию Программы и достижение ее целей, целевое и эффективное использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства, и осуществляет руководство реализацией Программы на территории Российской Федерации; контролирует в пределах своей компетенции ход выполнения мероприятий и достижение целей Программы, целевое использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства на реализацию Программы. Минпром Беларуси: несет ответственность за реализацию Программы и достижение ее целей, целевое и эффективное использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства, и осуществляет руководство реализацией Программы на территории Республики Беларусь; в пределах своей компетенции контролирует ход выполнения мероприятий и достижение целей Программы, целевое использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства на реализацию Программы; оперативно взаимодействует с органами Союзного государства, государственным заказчиком-координатором Программы - Минпромторгом России, другими органами государственного управления Республики Беларусь по текущим вопросам реализации и финансирования Программы. Минпромторг России совместно с Минпромом Беларуси обеспечивает в установленном порядке представление в Совет Министров Союзного государства, правительства и согласующие экономические органы Республики Беларусь и Российской Федерации отчетности о ходе работ по Программе и эффективности использования бюджетных средств на основе квартальной и годовой отчетности. Для осуществления планирования и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ Минпром Беларуси и Минпромторг России создают научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты Беларуси и России в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков Программы, а также заинтересованных министерств и ведомств, предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса Беларуси и России. Реализацию Программы Минпром Беларуси и Минпромторг России будут осуществлять через головных исполнителей программных мероприятий соответственно в Республике Беларусь и в Российской Федерации. Головные исполнители и исполнители отдельных НИОКР будут определяться на конкурсной основе. Головные исполнители Программы осуществляют: организационно-техническое обеспечение заседаний научно-технического координационного совета по Программе; представление государственным заказчикам статистической (по форме "1-Союз"), аналитической и финансовой отчетности о ходе реализации Программы за отчетный год и планов работ на следующий год; текущее планирование (на основе мероприятий Программы); координацию работ исполнителей мероприятий Программы; контроль использования исполнителями мероприятий Программы финансовых средств; текущий контроль выполнения мероприятий Программы. 6. Организация управления Программой и контроля за ходом ее реализацииВ целях реализации Программы Минпром Беларуси и Минпромторг России заключают с соответствующими головными исполнителями государственные контракты на выполнение мероприятий Программы, реализуемых на территории Беларуси и России соответственно. После заключения государственных контрактов и проведения конкурсов по определению исполнителей отдельных НИОКР головные исполнители заключают с ними договоры на выполнение соответствующих работ. Приемка результатов выполнения отдельных НИОКР осуществляется комиссиями, формируемыми головными исполнителями Программы по согласованию с соответствующими государственными заказчиками. В состав комиссий могут включаться представители государственных заказчиков, заинтересованных министерств и ведомств, ведущие ученые и специалисты в соответствующей области. Состав комиссий утверждается приказами руководителей головных исполнителей Программы, согласованными с соответствующими государственными заказчиками. Приемка результатов реализации Программы в целом осуществляется после завершения всех программных мероприятий совместной комиссией, формируемой государственным заказчиком-координатором по согласованию с государственным заказчиком от Республики Беларусь. В состав совместной комиссии по приемке результатов выполнения Программы в целом включаются представители государственных заказчиков, заинтересованных министерств и ведомств государств-участников, ведущие ученые и специалисты; в нее также могут входить представители Постоянного Комитета Союзного государства и контрольных органов. Состав совместной комиссии утверждается приказом руководителя государственного заказчика-координатора. До принятия нормативных правовых актов Союзного государства в области создания и управления собственностью Союзного государства права на объекты интеллектуальной собственности и продукцию, созданную в рамках реализации Программы, регулируются в соответствии с национальными законодательствами государств-участников с учетом их долевых отчислений на финансирование Программы в бюджет Союзного государства. Объекты интеллектуальной собственности и продукция, созданные за счет долевых отчислений Республики Беларусь, принадлежат Республике Беларусь, а созданные за счет долевых отчислений Российской Федерации - Российской Федерации. На созданные в процессе разработки объекты интеллектуальной собственности исполнители обеспечивают получение охранных документов (патентов, свидетельств, авторских свидетельств) в порядке, установленном законодательствами государств-участников. После создания нормативной правовой базы по учету, оценке и управлению активами, созданными и приобретенными за счет средств бюджета Союзного государства, урегулирование прав собственности на объекты интеллектуальной собственности и на имущество, созданное или приобретенное в рамках реализации Программы за счет средств бюджета Союзного государства, будет осуществляться в соответствии с Соглашением между Российской Федерацией и Республикой Беларусь о регулировании вопросов собственности Союзного государства от 24 января 2006 года. Учет имущества, созданного и приобретенного в рамках реализации Программы за счет средств бюджета Союзного государства, будет осуществляться в соответствии с Методикой выявления и инвентаризации имущества, созданного и приобретенного за счет средств бюджета Союзного государства, имущества, переданного государствами-участниками в собственность Союзного государства, и иного имущества, поступившего в собственность Союзного государства, утвержденной постановлением Совета Министров Союзного государства от 6 октября 2011 г. N 21. 7. Оценка эффективности социально-экономических и экологических последствий от реализации ПрограммыМероприятия Программы полностью соответствуют социально-экономической политике Союзного государства. Реализация Программы будет способствовать углублению межгосударственных отношений, формированию единого социального и экономического пространства в рамках развития Союзного государства, что является важнейшим приоритетом внешней и внутренней политики Республики Беларусь и Российской Федерации. В реализации Программы в качестве основных исполнителей и соисполнителей программных мероприятий будут участвовать коллективы около 40 научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий Беларуси и России. Потребителями разрабатываемых микросхем будут более 80 российских и белорусских предприятий. В общей сложности в реализации Программы будут участвовать более 5 тысяч ученых, конструкторов, технологов, высококвалифицированных рабочих и специалистов. Это будет способствовать не только сохранению имеющихся, но и созданию новых рабочих мест. Высокий научно-технический уровень планируемых в рамках Программы НИОКР будет способствовать притоку в научно-исследовательские институты и на промышленные предприятия научно-технической и рабочей молодежи. Разработанные интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы для аппаратуры специального назначения и двойного применения будут освоены в производстве на российских и белорусских предприятиях; потребителями микросхем, разработанных и изготовленных белорусскими предприятиями, будут, в основном, российские и некоторые белорусские предприятия ОПК. Такая кооперация белорусских и российских предприятий в рамках Программы будет способствовать углублению межгосударственных отношений. Программные мероприятия полностью отвечают оборонным и экономическим интересам каждого государства-участника, так как реализация Программы позволит: 1) повысить тактико-технические характеристики новых систем ВВСТ, создаваемых на отечественной ЭКБ; 2) сократить долю импортной ЭКБ, разрешенной к применению в системах ВВСТ: микросхемы, предусмотренные к разработке в рамках Программы, уже запланированы к применению рядом российских и белорусских предприятий оборонно-промышленного комплекса более чем в 120 разрабатываемых системах ВВСТ, их модификациях и составных частях (в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г. ставится задача уже в 2011 году резко уменьшить долю используемой импортной ЭКБ в общем объеме ее закупок организациями радиоэлектронного комплекса и изменить существующее в настоящее время соотношение 65%:35% в пользу импортной ЭКБ на 70%:30% в пользу отечественной ЭКБ); 3) наладить производство отечественной конкурентоспособной ЭКБ с повышенной степенью интеграции, стойкостью к специальным внешним воздействующим факторам, надежностными и точностными характеристиками (в ходе реализации Программы планируется разработать не менее 90 типономиналов новых микросхем и полупроводниковых приборов специального и двойного применения); 4) развить научно-технический потенциал радиоэлектронной промышленности, что важно как для Беларуси, не обладающей большими материально-энергетическими ресурсами, так и для России в плане снижения зависимости от импорта ЭКБ. В результате реализации Программы будут разработаны, изготовлены и испытаны опытные образцы следующих типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения: микропроцессоров и микроконтроллеров - 9 - 10; микросхем ЗУ - 7 - 8; ПЛИС и БМК - 11 - 12; матричных кремниевых мультиплексоров - 2 - 3; схем интерфейса - 4 - 5; схем для источников вторичного электропитания - 3 - 4; операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем - 5 - 6; микросхем для устройств отображения информации - 2 - 3; "систем на кристалле" - 2 - 3; ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения - 5 - 6; полупроводниковых приборов (ДМОП-транзисторов, n- и p-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки) - 30 - 35. Кроме того, будут развиты методы ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам специального и двойного применения с субмикронными размерами элементов. Указанные интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы будут включены в перечень изделий, разрешенных к применению во вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных системах и системах ВВСТ. Внедрение в производство (постановка на производство) разработанных в рамках реализации Программы опытных образцов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов будет осуществляться в соответствии с государственным стандартом Республики Беларусь СТБ 972-2000 "Разработка и постановка продукции на производство. Общие положения" и государственным стандартом Российской Федерации ГОСТ Р15.201-2000 "Система разработки и постановки продукции на производство. Продукция производственно-технического назначения. Порядок разработки и постановки продукции на производство", а также в соответствии с аналогичными государственными военными стандартами Российской Федерации серии СРПП ВТ за счет собственных средств исполнителей Программы. Использование результатов Программы будет заключаться в серийных поставках разработанных изделий заинтересованным предприятиям России и Беларуси (более 80 предприятий) для создания новых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ. Основными направлениями (областями) применения предлагаемых к разработке микросхем и полупроводниковых приборов являются: высокопроизводительные вычислительные комплексы для автоматизированных систем военного назначения, высокопроизводительные ЭВМ носимых и встроенных применений с повышенными требованиями к воздействию спецфакторов (космического, воздушного и наземного применения); АСУ атомных станций; встроенные системы управления и цифровой обработки сигналов различных средств ВВТ, в том числе перспективных ракетных комплексов, средства радиосвязи, модули электронной обработки сигналов и изображения, бортовые системы головок самонаведения и др., к которым предъявляются высокие требования по стойкости к спецфакторам; оптико-электронные системы пассивного обнаружения, наблюдения и наведения для различных видов вооружений; унифицированные электронные системы управления комплексов бортового оборудования космической и авиационной техники; системы управления летательными аппаратами, наземные контрольно-диагностические системы бортового оборудования, бортовые системы сбора и обработки данных; системы ПВО (как наземные радиолокационные станции обнаружения и слежения, так и бортовые РЛС), ракетная техника, авионика (бортовая аппаратура для самолетов 5-го поколения), космическая аппаратура, навигационная аппаратура пользователей систем космической навигации, цифровые устройства связи; прецизионные командные приборы электронных систем управления ракетно-космической техники, комплексы высокоточной военной техники всех видов базирования; специальные средства радиосвязи и радиоэлектронной борьбы, а также передающие станции эфирного телевещания стандарта DVB-T в IV - V телевизионных диапазонах; бортовые системы индикации, системы навигации и системы обработки данных; измерительно-информационные каналы чувствительных элементов (датчиков), устройств коммутации и нормализации сигналов, аналого-цифровых, цифро-аналоговых преобразователей, устройств ввода и распределения результирующих сигналов; системы контроля доступа, в том числе системы контроля доступа к защищенной информации и контроля доступа на режимные объекты; бесконтактные платежные средства; электронные идентификационные документы; системы сбора и обработки информации специального назначения, промышленная электроника, высокоточные электромеханические устройства и приборы, сотовая радиотелефония и цифровые системы звуковоспроизведения; комплексы мультимедийной цифровой бортовой платформы и трансиверы абонентской наземной станции в стандарте DVB-RCS; радиоприемники цифрового радиовещания в формате DRM и др. Прогнозируемая потребность предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси и России в предлагаемых к разработке интегральных микросхемах и полупроводниковых приборах на период 2014 - 2016 гг. составляет: микропроцессоров и микроконтроллеров - 600 - 700 тыс. шт./год (не менее 30 заинтересованных предприятий); микросхем ЗУ - 90 - 100 тыс. шт./год (не менее 12 заинтересованных предприятий); ПЛИС и БМК - 600 - 800 тыс. шт./год (не менее 15 заинтересованных предприятий); матричных кремниевых мультиплексоров - 20 - 25 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); схем интерфейса - 60 - 70 тыс. шт./год (не менее 10 заинтересованных предприятий); схем для источников вторичного электропитания - 800 - 1000 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем - 30 - 35 тыс. шт./год (не менее 8 заинтересованных предприятий); микросхем для устройств отображения информации - 15 - 20 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); "систем на кристалле" - 600 - 800 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения - 110 - 130 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); полупроводниковых приборов (ДМОП-транзисторов, n- и p-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки) - 5000 - 6000 тыс. шт./год (не менее 40 заинтересованных предприятий). При реализации Программы будут учтены экологические требования, предъявляемые к разработке электронной продукции. Поэтому программные мероприятия, планируемые в рамках Программы, соответствуют как оборонным, так и социально-экономическим интересам государств-участников (статьи 17 и 18 Договора о создании Союзного государства). Индикатор и показатели реализации мероприятий Программы приведены в приложении 1. Технико-экономическое обоснование Программы приведено в приложении 2. ПАСПОРТ программы Союзного государстваНаименование программы программа Союзного государства "Разработка и
освоение серий интегральных микросхем и
полупроводниковых приборов для аппаратуры
специального назначения и двойного применения"
Уровень, дата и номер
решений:
о разработке программы постановление Совета Министров Союзного
государства от 19 августа 2008 г. N 35;
об утверждении программы постановление Совета Министров Союзного
государства от 23 апреля 2010 г. N 7
Государственный Министерство промышленности и торговли Российской
заказчик-координатор Федерации
Государственные Министерство промышленности Республики Беларусь
заказчики
Основные разработчики Министерство промышленности Республики Беларусь,
программы Министерство промышленности и торговли Российской
Федерации,
ведущие ученые и специалисты предприятий
радиоэлектронного комплекса Беларуси и России
Основные цели и задачи целью Программы является создание
программы импортозамещающей ЭКБ специального и двойного
применения для стратегически значимых
радиоэлектронных систем и СВВТ;
задачей Программы является разработка и освоение
производства типономиналов ЭКБ повышенной степени
интеграции с высокими надежностными,
функциональными и точностными характеристиками и
соответствующей группой стойкости к специальным
внешним воздействующим факторам и освоение
производства разработанной ЭКБ на предприятиях
России и Беларуси
Важнейшие целевые уровень разработанной ЭКБ будет оцениваться по
индикаторы и показатели освоенному в производстве технологическому уровню
микропроцессоров и микроконтроллеров специального
назначения и двойного применения, который
выполняет роль целевого индикатора;
основным целевым показателем реализации Программы
принято увеличение количества типономиналов
интегральных микросхем и полупроводниковых
приборов специального назначения и двойного
применения (ожидается, что к 2014 г. будет
разработано не менее 90 типономиналов)
Сроки и этапы реализации программа реализуется с 2010 г. по 2013 г. в один
программы этап
Объемы и основные финансирование Программы осуществляется на 50% за
источники счет средств бюджета Союзного государства и на
финансирования, 50% за счет внебюджетных средств;
направления расходования при этом отчисления в бюджет Союзного государства
финансовых средств по Программе составят 1500,0 млн. росс. рублей, в
том числе:
за счет долевых отчислений Республики Беларусь -
525,0 млн. росс. рублей - для исполнителей
Программы от Республики Беларусь,
за счет долевых отчислений Российской Федерации -
975,0 млн. росс. рублей - для исполнителей
Программы от Российской Федерации;
все финансовые ресурсы Российской Федерации и
Республики Беларусь будут направлены в полном
объеме на проведение научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ (НИОКР) для
реализации мероприятий Программы;
капитальные вложения из средств бюджета Союзного
государства не планируются;
освоение производства разработанной ЭКБ будет
осуществляться на предприятиях радиоэлектронной
промышленности России и Беларуси за счет их
собственных средств без привлечения
дополнительных бюджетных ассигнований
Ожидаемые конечные в результате реализации Программы будут
результаты реализации разработаны, изготовлены и испытаны опытные
программы и показатели образцы не менее 90 типономиналов интегральных
социально-экономической микросхем и полупроводниковых приборов
эффективности специального назначения и двойного применения;
потребителями разработанных микросхем и
полупроводниковых приборов будут более 80
предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси
и России
Приложение 1 ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"--------------------------------+---------+------+-------+------+----------
¦ Единица ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 год
¦измерения¦ год ¦ год ¦ год ¦
--------------------------------+---------+------+-------+------+----------
Индикатор
Достигаемый технологический мкм 0,35 -
уровень радиационно-стойкой 0,18
электронной компонентной базы,
разработанной по программе в
рамках завершаемых в 2013 г.
мероприятий
Показатели
Количество разработанных 2 - 3 44 - 55 - 55 - 59
эскизных и технических проектов 47 59
микросхем и полупроводниковых
приборов (нарастающим итогом)
Количество разработанных 10 - 55 - 55 - 59
комплектов конструкторской и 12 59
технологической документации
микросхем и полупроводниковых
приборов (нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 9 - 10
типономиналов микросхем
микропроцессоров и
микроконтроллеров (нарастающим
итогом)
Количество разработанных - - - - 7 - 8
типономиналов микросхем ЗУ
(нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 11 - 12
типономиналов микросхем ПЛИС и
БМК (нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 2 - 3
типономиналов микросхем
матричных кремниевых
мультиплексоров (нарастающим
итогом)
Количество разработанных - - - - 4 - 5
типономиналов микросхем схем
интерфейса (нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 3 - 4
типономиналов микросхем для
источников вторичного
электропитания (нарастающим
итогом)
Количество разработанных - - - - 5 - 6
типономиналов микросхем
операционных усилителей,
компараторов, аналого-цифровых
схем (нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 2 - 3
типономиналов микросхем для
устройств отображения
информации (нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 2 - 3
типономиналов микросхем типа
"система на кристалле"
(нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 5 - 6
типономиналов других ИС для
аппаратуры специального и
двойного применения
(нарастающим итогом)
Количество разработанных - - - - 30 - 35
типономиналов полупроводниковых
приборов: ДМОП-транзисторов, n-
и p-канальных МОП-транзисторов,
биполярных транзисторов с
изолированным затвором,
стабилитронов, импульсных
диодов Шоттки (нарастающим
итогом)
---------------------------------------------------------------------------
Приложение 2 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"Технико-экономическое обоснование программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) базировалось на данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на НИОКР проекта Программы и ожидаемых объемах производства разработанных в рамках Программы интегральных схем и полупроводниковых приборов на предприятиях электронной промышленности России и Беларуси по годам расчетного периода (2010 - 2018 гг.). Прогнозируемая потребность предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси и России в предлагаемых к разработке интегральных микросхемах и полупроводниковых приборах на период 2014 - 2016 гг. составляет: микропроцессоров и микроконтроллеров - 600 - 700 тыс. шт./год (не менее 30 заинтересованных предприятий); микросхем ЗУ - 90 - 100 тыс. шт./год (не менее 12 заинтересованных предприятий); ПЛИС и БМК - 600 - 800 тыс. шт./год (не менее 15 заинтересованных предприятий); матричных кремниевых мультиплексоров - 20 - 25 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); схем интерфейса - 60 - 70 тыс. шт./год (не менее 10 заинтересованных предприятий); схем для источников вторичного электропитания - 800 - 1000 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем - 30 - 35 тыс. шт./год (не менее 8 заинтересованных предприятий); микросхем для устройств отображения информации - 15 - 20 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); "систем на кристалле" - 600 - 800 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения - 110 - 130 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий); полупроводниковых приборов (ДМОП-транзисторов, n- и p-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки) - 5000 - 6000 тыс. шт./год (не менее 40 заинтересованных предприятий). Эффективность Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом осуществления Программы вплоть до максимального уровня освоения разработанных изделий. За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций или 1-й год разработки интегральных схем и полупроводниковых приборов, в данном случае - 2010 год. Конечный год расчетного периода, в данном случае - 2018 г., определяется полным освоением в серийном производстве радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного применения, созданной с применением разработанных в период реализации Программы (2010 - 2013 гг.) интегральных схем и полупроводниковых приборов, и, соответственно, достижением объемов их реализации устойчивого прогнозного уровня. Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок предприятий, специализирующихся в области разработки и производства электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры. При определении коммерческой и бюджетной эффективности Программы были приняты следующие условия: данные об ассигнованиях на НИОКР, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет; расчеты произведены с учетом фактора времени, т.е. приведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования (Е = 0,15); величина всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определена в соответствии с действующими в настоящее время Налоговым кодексом РФ и Налоговым кодексом РБ; расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития РФ и Министерством экономики РБ до 2009 года с последующей экстраполяцией их до 2018 года (на период 2010 - 2018 гг. индекс-дефлятор для продукции радиоэлектронного комплекса в России и Беларуси принят равным 1,05). В силу определенной специфики инвестиционной и операционной деятельности в России и Беларуси расчет экономической эффективности реализации Программы проводился сначала отдельно по мероприятиям, финансирование которых планируется соответственно из российской и белорусской долей отчислений в бюджет Союзного государства; затем определялась экономическая эффективность реализации Программы в целом. Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности Программы, приведены в табл. 1(а), 1(б). Результаты расчетов приведены в табл. 2(а), 2(б). Итоговые показатели эффективности Программы приведены в табл. 3. Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется следующими показателями. При общей сумме инвестиций на выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ 3000,0 млн. руб., включая 1500,0 млн. руб. бюджетных ассигнований и 1500,0 млн. руб. внебюджетных ассигнований, реализация Программы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2010 - 2018 гг.) чистый дисконтированный доход (ЧДД) в размере 913,2 млн. руб., а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 2780,9 млн. руб. Всего налоговых поступлений от реализации Программы ожидается (с учетом дисконтирования) в размере 3951,4 млн. руб. Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли составит 7,4 года с начала реализации Программы (или 3,4 года после ее завершения), а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 5,9 года с начала реализации Программы (1,9 года после ее завершения). Соответственно индексы доходности (рентабельности) составят: для всех инвестиций - 1,39; для бюджетных ассигнований - 3,38. Уровень безубыточности равен 0,39 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости Программы к возможным отклонениям условий ее реализации. Таблица 1(а) Исходные данные для технико-экономического обоснования программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" в части мероприятий, выполняемых российскими исполнителями(в ценах соответствующих лет, млн. руб.) -----------------+-----T-----+-----T-----+------+------+------+------+------+----- ¦ ¦2010 ¦2011 ¦2012 ¦2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦ 2017 ¦ 2018 ¦ За ¦ ¦ Показатели ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦расчетный¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ период ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Годовой объем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продукции (объем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продаж) в ценах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦лет без НДС ¦237,0¦412,0¦594,0¦707,0¦1945,6¦3062,4¦4288,0¦5628,0¦5908,0¦ 22782,0 ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Инвестиции из ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦всех источников ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦финансирования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по Программе ¦237,0¦412,0¦594,0¦707,0¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1950,0 ¦ ¦В том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1. Средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦бюджета Союзного¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦государства из ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦доли отчислений ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Российской ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Федерации на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦капитальные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вложения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прочие нужды ¦127,0¦207,0¦324,0¦317,0¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 975,0 ¦ ¦из них: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦капитальные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вложения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦2. Внебюджетные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и КВ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(собственные, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦заемные и пр.) ¦110,0¦205,0¦270,0¦390,0¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 975,0 ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Налогооблагаемая¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦база налога на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦имущество ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(среднегодовая ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стоимость ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦основных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦промышленно- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производственных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фондов (ОППФ) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отрасли по ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦остаточной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стоимости) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Рентабельность ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продукции, % ¦ 5 ¦ 5 ¦ 5 ¦ 5 ¦ 40 ¦ 40 ¦ 40 ¦ 40 ¦ 40 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Амортизационные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отчисления, % к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦себестоимости ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ 0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Материалы, % к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦себестоимости, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦без НДС ¦ 5 ¦ 20 ¦ 25 ¦ 10 ¦ 50 ¦ 50 ¦ 50 ¦ 50 ¦ 50 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Фонд оплаты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦труда (ФОТ), % к¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦себестоимости ¦25,0 ¦25,0 ¦25,0 ¦25,0 ¦ 25,0 ¦ 25,0 ¦ 25,0 ¦ 25,0 ¦ 25,0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Налог на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦имущество, % ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ 2 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Налог на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прибыль, % ¦20,0 ¦20,0 ¦20,0 ¦20,0 ¦ 20,0 ¦ 20,0 ¦ 20,0 ¦ 20,0 ¦ 20,0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Подоходный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦налог, % ¦13,0 ¦13,0 ¦13,0 ¦13,0 ¦ 13,0 ¦ 13,0 ¦ 13,0 ¦ 13,0 ¦ 13,0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Единый ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦социальный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦налог, % ¦26,0 ¦26,0 ¦26,0 ¦26,0 ¦ 26,0 ¦ 26,0 ¦ 26,0 ¦ 26,0 ¦ 26,0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Ставка НДС в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦объеме ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и в объеме¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продаж, % ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Ставка НДС в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦материальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦затратах, % ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ 18,0 ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Налог с продаж, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦% ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦ ¦ ¦ +----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------+ ¦Норма дисконта ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Е, % ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ 15 ¦ ¦ ¦----------------+-----+-----+-----+-----+------+------+------+------+------+---------- Таблица 2(а) Расчет коммерческой и бюджетной эффективности от реализации программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" в части мероприятий, выполняемых российскими исполнителями(в ценах соответствующих лет, млн. руб.) -----------------+------------------------------------------------------------------+------ ¦ ¦ Расчетный период ¦ ¦ ¦ +------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+ ¦ ¦ ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦ 2017 ¦ 2018 ¦ За ¦ ¦ Наименование ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦расчетный ¦ ¦ показателей +------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+ период ¦ ¦ ¦ номер шага (m) ¦ ¦ ¦ +------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+ ¦ ¦ ¦ 0 ¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦ 4 ¦ 5 ¦ 6 ¦ 7 ¦ 8 ¦ ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦ Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность) ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Годовой объем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продукции (объем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продаж) в ценах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦лет без НДС ¦237,0 ¦412,0 ¦ 594,0 ¦ 707,0 ¦1945,6 ¦3062,4¦4288,0¦5628,0¦5908,0 ¦ 22782,0 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Себестоимость ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦годового объема ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продукции ¦225,7 ¦392,4 ¦ 565,7 ¦ 673,3 ¦1389,7 ¦2187,4¦3062,9¦ 4020 ¦ 4220 ¦ 16737,1 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Прибыль от ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продукции ¦ 11,3 ¦ 19,6 ¦ 28,3 ¦ 33,7 ¦555,9 ¦ 875 ¦1225,1¦ 1608 ¦ 1688 ¦ 6044,9 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Налогооблагаемая¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦база налога на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦имущество ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(среднегодовая ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стоимость ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦основных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦промышленно- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производственных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фондов отрасли ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(ОППФ) по ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦остаточной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стоимости) ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Налог на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦имущество ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Налогооблагаемая¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прибыль ¦ 11,3 ¦ 19,6 ¦ 28,3 ¦ 33,7 ¦555,9 ¦ 875 ¦1225,1¦ 1608 ¦ 1688 ¦ 6044,9 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Налог на прибыль¦ 2,3 ¦ 3,9 ¦ 5,7 ¦ 6,7 ¦111,2 ¦ 175 ¦ 245 ¦321,6 ¦ 337,6 ¦ 1209 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Чистая прибыль ¦ 9 ¦ 15,7 ¦ 22,6 ¦ 27 ¦444,7 ¦ 700 ¦980,1 ¦1286,4¦1350,4 ¦ 4835,9 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Амортизационные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦отчисления в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структуре ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦себестоимости ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Материальные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦затраты в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структуре ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦себестоимости ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦без НДС ¦ 11,3 ¦ 78,5 ¦ 141,4 ¦ 67,3 ¦694,9 ¦1093,7¦1531,5¦ 2010 ¦ 2110 ¦ 7738,6 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Фонд оплаты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦труда (ФОТ) в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структуре ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦себестоимости ¦ 56,4 ¦ 98,1 ¦ 141,4 ¦ 168,3 ¦347,4 ¦546,9 ¦765,7 ¦ 1005 ¦ 1055 ¦ 4184,2 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦НДС в объеме ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполненных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦НИОКР и в объеме¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продаж ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦350,2 ¦551,2 ¦771,8 ¦ 1013 ¦ 1063,4¦ 3749,6 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦НДС в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦материальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦затратах ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦125,1 ¦196,9 ¦275,7 ¦361,8 ¦ 379,8 ¦ 1339,3 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Налог с продаж ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ - ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ ¦Подоходный налог¦ 7,3 ¦ 12,8 ¦ 18,4 ¦ 21,9 ¦ 45,2 ¦ 71,1 ¦ 99,5 ¦130,7 ¦ 137,2 ¦ 544,1 ¦ +----------------+------+------+-------+-------+-------+------+------+------+-------+----------+ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
