Постановление Совета Министров Союзного государства № 26 "О научно-технической программе Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе"

Текст документа с изменениями и дополнениями по состоянию на ноябрь 2013 года

< Главная страница

Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ:

1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" (шифр "Прамень") (далее - Программа), представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Национальной академией наук Беларуси (прилагается).

2. Осуществить финансирование Программы в 2011 - 2014 годах из бюджета Союзного государства в объеме 1184000,0 тыс. рублей, в том числе за счет долевых отчислений Российской Федерации - 770000,0 тыс. рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 414000,0 тыс. рублей.

3. Финансирование Программы в 2011 году в объеме 134440,0 тыс. рублей (доля Российской Федерации - 87340,0 тыс. рублей, доля Республики Беларусь - 47100,0 тыс. рублей) осуществлять в соответствии со статьей 12 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства от 17 марта 2011 г. N 1 "О бюджете Союзного государства на 2011 год" по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России.

4. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2011 год по расходам, предусмотренным в пункте 3 настоящего постановления, и направить необходимые документы о внесении изменений в установленном порядке в Министерство финансов Республики Беларусь и Министерство финансов Российской Федерации.

5. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.

Председатель Совета Министров Союзного государства В.Путин

Проект

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ" (ШИФР "ПРАМЕНЬ")

СОДЕРЖАНИЕ

Перечень сокращений, условных обозначений, символов, единиц и терминов

1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки и реализации Программы для решения проблемы

2. Цели и задачи, срок реализации, показатели оценки достижения целей Программы

3. Система мероприятий Программы

4. Финансовое обеспечение Программы

5. Организация управления Программой и контроль за ходом ее реализации

6. Ожидаемые результаты реализации Программы

7. Вопросы собственности

8. Оценка ожидаемой социально-экономической и экологической эффективности Программы

9. Приложение 1 (Паспорт Программы)

10. Приложение 2 "Технико-экономическое обоснование научно-технической программы "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" на 2011 - 2014 годы <*>

--------------------------------

<*> Не приводится.

Перечень сокращений, условных обозначений, символов, единиц и терминов

Обозначение  Описание

    АФАР     Активная фазированная антенная решетка

     Дж      Джоуль - единица измерения энергии

     ИК      Инфракрасный

    КПД      Коэффициент полезного действия

    МИС      Монолитная интегральная схема

    ППМ      Приемо-передающий модуль

    РЛС      Радиолокационная станция

    РЭБ      Радиоэлектронная борьба

    СВЧ      Сверхвысокие частоты

    ЭКБ      Электронная компонентная база

                                                             3
    кГц      Килогерц - единица измерения частоты, 1 кГц = 10  Гц

                                                             9
    ГГц      Гигагерц - единица измерения частоты, 1 ГГц = 10  Гц

    мкм      Микрометр - единица измерения длины и расстояния,

                       -6
             1 мкм = 10   м

                                                                       -9
     нм      Нанометр - единица измерения длины и расстояния, 1 нм = 10   м

     Вт      Ватт - единица измерения мощности

                                                               -3
    мВт      Милливатт - единица измерения мощности, 1 мВт = 10   Вт

                                                               -9
     нс      Наносекунда - единица измерения времени, 1 нс = 10   с

     Л       Лямбда - обозначение длины волны излучения

--------------------------------

Л - маленькая греческая буква "лямбда"

1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки и реализации Программы для решения проблемы

Одним из важных аспектов сотрудничества Российской Федерации и Республики Беларусь, декларированных Договором о создании Союзного государства от 8 декабря 1999 года, является создание и эффективное функционирование общего научно-технического и производственного потенциала на основе реализации совместных научно-технических программ с учетом тенденций и перспектив научно-технического прогресса ведущих стран мирового сообщества.

Вопросы обеспечения жизнедеятельности, безопасности, качества жизни и экономики современных высокоразвитых государств все в большей степени решаются с применением сложных технических систем, в первую очередь на основе прорывных технологий наноэлектроники и микроэлектроники, которые позволяют обеспечить реализацию важнейших стратегических задач развития государств - участников Союзного государства, в том числе:

укрепление обороноспособности;

эффективное развитие ключевых отраслей народного хозяйства - связи, телекоммуникаций, высокопроизводительных систем и устройств хранения, обработки и передачи информации, всепогодной радиолокации, транспорта и других;

повышение уровня качества жизни граждан на основе реализации результатов разработок в области микроэлектроники, оптоэлектроники и радиоэлектроники, направленных на решение социально-значимых задач, таких как повышение безопасности и эффективности воздушного, морского и автомобильного транспорта, контроль окружающей среды с целью повышения уровня экологической безопасности, медицинского обслуживания и других аспектов социально-экономического развития.

1.1. Содержание проблемы

В настоящее время проблема создания наноэлектронных гетероструктур на различных полупроводниковых, в том числе на широкозонных материалах, является одной из наиболее значимых и наиболее сложных проблем в физико-технологическом аспекте их реализации. Она становится еще более актуальной для решения перспективных в научном и практическом плане задач достижения высоких технических и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона.

Полупроводниковые гетероструктуры представляют собой сложные структуры, изготавливаемые путем эпитаксиального выращивания двух и более монокристаллических слоев полупроводниковых материалов различного химического состава с толщинами слоев от нескольких единиц до сотен нанометров, в которых важнейшая роль принадлежит переходному слою, то есть границе раздела двух веществ (материалов). Конструкция и качество изготовления полупроводниковых гетероструктур определяют предельные свойства всех современных твердотельных электронных и оптоэлектронных изделий.

Поэтому именно полупроводниковые гетероструктуры являются фундаментальной основой для создания современных электронных и оптоэлектронных приборов и все шире применяются в науке, промышленности, связи, энергетике, коммунальном хозяйстве, медицине, на транспорте, а также для создания устройств специального назначения (радиолокация, системы связи, аппаратура РЭБ, радиоразведка и приборы ночного видения).

На приборах с гетероструктурами построены многие устройства средств связи, суммарный мировой годовой объем выпуска которых составляет в денежном выражении 160 млрд. долларов.

СВЧ МИС занимают все более значимое место в общем мировом выпуске интегральных схем, общий объем которых составляет более 3,6 млрд. долларов в год. Полупроводниковые лазеры, разработка технологии производства которых предлагается в большинстве мероприятий Программы, выпускаются в мире в объеме более 3 млрд. долларов в год, при этом удельный вес полупроводниковых лазеров в общемировом объеме производства лазеров постоянно увеличивается.

В основе всех новейших технологий полупроводниковых приборов лежит фундаментальное понятие гетероструктуры как главнейшего из новейших структурных образований, основанного на квантоворазмерных эффектах в физических конструкциях при применении современных полупроводниковых материалов. Разнообразие типов и параметров разрабатываемых СВЧ-транзисторов и МИС, лазеров и других оптоэлектронных приборов на различные частоты излучения, а также требование организации их промышленного производства приводит к необходимости создания промышленных технологий целого семейства гетероструктур с оптимальной для каждого применения конструкцией.

Причины возникновения проблемы. Основной причиной возникновения проблемы для Российской Федерации и Республики Беларусь является тот факт, что в последние годы снижены темпы развития полупроводниковой электроники и прежде всего из-за отсутствия технологического оборудования, обеспечивающего проектные нормы менее 100 нм и соответствующие технологии. Это может сказаться на уровне социально-экономического развития и особо на обороноспособности государств - участников Союзного государства.

Обоснование необходимости решения проблемы. Проблемой, решаемой при реализации Программы, являются:

разработка перспективных конструктивно-технологических решений полупроводниковых гетероструктур, необходимых для создания конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения;

получение опережающих научно-технических и практических результатов, позволяющих ликвидировать существующее технологическое отставание при разработке и производстве полупроводниковых гетероструктур;

решение задач импортозамещения и разработки на принципиально новой конструктивно-технологической основе перспективных систем для широкого круга социально-экономических задач и задач оборонного назначения государств - участников Союзного государства.

В целом выполнение Программы позволит внести существенный вклад в выполнение задачи, стоящей перед полупроводниковой СВЧ-техникой в части создания и освоения серийного производства широкой номенклатуры МИС в наиболее востребованных в настоящее время диапазонах сантиметровых и миллиметровых длин волн.

Не менее важным в плане обеспечения обороноспособности государств - участников Союзного государства является разработка технологии изготовления полупроводниковых лазеров, предусмотренная в Программе. Основные области применения разрабатываемых в Программе лазерных полупроводниковых диодов и излучателей охватывают лазерные и светодиодные системы инфракрасной подсветки приборов ночного видения; бортовые волоконно-оптические линии связи; беспроводную оптическую связь; лазерные дальномеры целеуказатели; системы наведения высокоточного оружия; медицинские системы лазерной терапии двойного назначения; ИК-спектрометры для обнаружения газов и взрывчатых веществ и др.

Выполнение предлагаемой Программы позволит создать необходимую компонентную базу - то есть фундамент для совершенствования и развития нового поколения систем специального и двойного назначения. На основе разрабатываемых в программе мощных СВЧ-транзисторов на гетероструктурах широкозонных полупроводников будут созданы новые поколения АФАР для локаторов наземного, корабельного воздушного базирования, систем ПВО. Новая ЭКБ позволит повысить предел дальности обнаружения цели в 1,8 - 2 раза, разрешение по дальности и угловым координатам систем ПВО - в 2 - 2,5 раза. Использование разрабатываемой ЭКБ в истребителях пятого поколения позволит увеличить дальность обнаружения цели со 110 км до 200 км, что увеличивает эффективность данного вида вооружения в 14 - 17 раз по сравнению с истребителями четвертого поколения.

Даже краткое перечисление применения СВЧ-транзисторов, МИС, полупроводниковых лазеров свидетельствует об исключительной необходимости решения проблем, сформулированных в Программе. Технологии создания полупроводниковых гетероструктур, разрабатываемые в данной Программе, - одна из немногих научно-технических областей, где сохранился и поддерживается на мировом уровне научный, технологический и кадровый потенциал как в Российской Федерации, так и в Республике Беларусь. Именно на использовании этого фактора и планируется разработка инновационных электронных компонентов и приборов. Теоретическая база, связанная с разработкой гетероструктур, по научно-техническим направлениям, предусмотренным в настоящей Программе, базируется на работах академика РАН России Ж.И.Алферова, за которые он удостоен Нобелевской премии.

1.2. Обоснование актуальности Программы для решения проблемы

Актуальность Программы состоит в разработке инновационных технологий создания гетероструктур на основе неорганических полупроводниковых материалов и широкой номенклатуры СВЧ-транзисторов, МИС и полупроводниковых лазеров. Разрабатываемые в Программе технологии относятся к критическим в соответствии с перечнем критических технологий Российской Федерации (Пр-842 от 21.05.2006) и включают в свой состав нанотехнологии и наноматериалы, технологии создания электронной компонентной базы, а также технологии обработки, хранения, передачи и защиты информации, в Республике Беларусь соответствуют Указу Президента Республики Беларусь от 22 июля 2010 г. N 378 "Об утверждении приоритетных направлений научно-технической деятельности в Республике Беларусь на 2011 - 2015 годы" (в разделах, соответствующих критическим технологиям: эпитаксиальные технологии полупроводниковых наногетероструктур; производство лазерно-оптического и плазменного оборудования и приборов; производство электронных приборов и устройств, в том числе сверхвысокочастотного диапазона, на основе квантоворазмерных гетероструктур) и постановлению Совета Министров Республики Беларусь от 19 апреля 2010 г. N 585 "Об утверждении перечня приоритетных направлений научных исследований Республики Беларусь на 2011 - 2015 годы" по разделам: новые оптические, волоконно-оптические и нелинейно-оптические компоненты, материалы и покрытия; новые материалы для приборов функциональной микро-, опто-, нано- и СВЧ-электроники.

1.3. Обоснование необходимости разработки и реализации Программы для решения проблемы

Программа объединяет в себе мероприятия, результатом реализации которых будет являться не только создание конкретных СВЧ-транзисторов и лазеров, но и разработка перспективных промышленных технологий полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур. Разрабатываемые технологии являются основой для развития ряда направлений микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники. Объединение усилий российских и белорусских предприятий совместно с национальными академиями наук послужит созданию основы развития научно-производственного потенциала государств - участников Союзного государства в этих областях электронной промышленности.

Все предлагаемые к разработке технологии, приборы и устройства соответствуют лучшим мировым образцам, а по некоторым параметрам и превосходят их, что обеспечит превышение указанного паритета к 2015 году. Следует учесть, что некоторые разрабатываемые технологии и приборы находятся в списке ограниченных к поставке государствам - участникам Союзного государства. Поэтому реализация предлагаемой Программы позволит параллельно с созданием передовой технологической базы микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники обеспечить конкурентоспособность, независимость и безопасность государств - участников Союзного государства по отношению к ведущим странам мирового сообщества.

Целесообразность реализации Программы в рамках Союзного государства обусловлена наличием совместных разработок академических институтов государств - участников Союзного государства, а также выполненными ранее работами рядом российских и белорусских предприятий. Эти работы показывают наличие существенного научного и технического задела, что подготавливает серьезную почву для обеспечения успешного выполнения поставленных в Программе проблем при относительно низких затратах на ее выполнение.

По оценкам экспертов Российской академии наук и Национальной академии наук Беларуси разрабатываемые технологии и приборы имеют высокий уровень востребованности как на российском и белорусском, так и на мировом рынках.

Все научно-технические мероприятия, содержащиеся в Программе, полностью соответствуют государственным приоритетам Российской Федерации и Республики Беларусь по развитию науки, технологий и техники. В Российской Федерации: "Приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники в Российской Федерации", утвержденным Президентом Российской Федерации 21 мая 2006 г., в пунктах "Индустрия наносистем и материалы" (все мероприятия Программы), "Безопасность и противодействие терроризму" и "Транспортные, авиационные и космические системы" (разработки радаров, лазеров и СВЧ-транзисторов), "Информационно-телекоммуникационные системы" (мероприятия по разработке ИК-лазеров). Предлагаемые разработки могут быть использованы для диагностики состояния человека ("Живые системы"), а также востребованы в приборах специального назначения. Мероприятия Программы соответствуют ряду пунктов перечня критических технологий Российской Федерации (утвержден Президентом Российской Федерации 21 мая 2006 г.), а именно: "Нанотехнологии и наноматериалы", "Технологии обработки, хранения, передачи и защиты информации", "Технологии создания электронной компонентной базы", "Технологии создания энергосберегающих систем транспортировки, распределения и потребления тепла и электроэнергии". Предлагаемые программные мероприятия развивают и дополняют мероприятия действующих в настоящее время Федеральных целевых программ: "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, "Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007 - 2010 годы и на период до 2015 года", "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007 - 2012 годы".

В Республике Беларусь: Указу Президента Республики Беларусь от 22 июля 2010 г. N 378 "Об утверждении приоритетных направлений научно-технической деятельности в Республике Беларусь на 2011 - 2015 годы" и постановлению Совета Министров Республики Беларусь от 19 апреля 2010 г. N 585 "Об утверждении перечня приоритетных направлений научных исследований Республики Беларусь на 2011 - 2015 годы".

2. Цели и задачи, срок реализации, показатели оценки достижения целей Программы

2.1. Цели и задачи Программы

Целью Программы является создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств - участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий, по своим количественным характеристикам и параметрам отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям, срокам службы и другим эксплуатационным характеристикам, и конкурентной продукции рынков государств - участников Союзного государства и мирового сообщества.

Заявляемая цель в соответствии с Договором о создании Союзного государства (статьи 17 и 18 Договора) обеспечивает развитие вооруженных сил и реализацию других мер для поддержания обороноспособности государств - участников Союзного государства на основе совместной разработки и производства оборонного и других государственных заказов, формирование общего научного, технологического и информационного пространства, решение задач охраны окружающей среды, экологической безопасности, предупреждения природных и техногенных катастроф и ряда других.

Задачами Программы являются:

1. Разработка конструктивно-технологических решений гетероструктур в системах материалов A3B5, A3N и A3N/A2Se для нескольких групп применений в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений, которые должны обеспечивать стандартизацию конструкций по областям применения и промышленное производство гетероструктур на пластинах диаметром не менее 76 мм.

2. Разработка технологий промышленного производства групп изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений на основе конструктивно-технологических решений гетероструктур и технологий их промышленного производства, которые должны соответствовать базовым технологиям Временного положения "Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия", ФГУ 22ЦНИИ МО России, 2009 г., и могут быть использованы в качестве технологий двойного применения.

3. Разработка конструкций и отработка технологий промышленного производства изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений с использованием разработанных в Программе гетероструктур и технологий их производства.

Реализация задач Программы позволяет обеспечить разработку:

1. Технологии изготовления гетероструктур на полупроводниковых материалах группы А3В5 и СВЧ МИС с перспективными требованиями по частотам и длинам волн (в том числе Х-диапазона 8 - 12 ГГц, К-диапазона в 36 ГГц и W-диапазона в 93 ГГц) сроком службы до 20000 час. и удельным мощностям, соответствующим зарубежным аналогам и другим эксплуатационным характеристикам, для создания на их основе новейших систем радиолокации с АФАР и радиовидения, имеющих двойное применение.

2. Технологии изготовления гетероструктур с двойным электронным ограничением на базе широкозонных полупроводников, позволяющих изготавливать СВЧ-транзисторы частотного диапазона выше 10 ГГц, повышенной мощности (до 5 Вт) и высокой радиационной стойкости для создания на их основе систем глобальной космической связи, радиолокации и мобильных систем связи двойного применения.

     3.  Технологии изготовления мощных полупроводниковых лазеров (мощность
до  15  Вт)  и  сверхмощных  лазерных линеек и матриц (мощность до 5 кВт) в
ближней  и  средней  ИК-областях  (с длиной волны генерации 808 +/- 3 нм) и

                                               9
наработкой  на  отказ  по  числу  импульсов  10  на  структурах  мышьяковых
соединений  для  создания  на  их  основе  систем целеуказания, метрологии,
строительства,  мониторинга  окружающей  среды,  медицинского  назначения и
спецприменений.

4. Принципиально нового лазерного излучателя в зеленой области спектра на основе конвертора соединений нитридов третьей группы и селенидов второй группы (A3N/A2Se) для создания на их основе перспективных оптических систем, в том числе с длиной волны генерации 500 - 550 нм.

В рамках настоящей Программы разработке и последующей коммерциализации подлежат следующие группы изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений:

СВЧ-монолитные интегральные схемы (МИС) миллиметрового диапазона длин волн для развития систем связи, радиолокационных станций и систем радиопротиводействия;

мощные СВЧ-транзисторы и СВЧ-монолитные интегральные схемы для ППМ АФАР;

мощные непрерывные диодные лазеры и сверхмощные квазинепрерывные лазерные линейки и матрицы;

лазерные источники накачки твердотельных лазеров и лазерных излучателей дальномеров;

мощные полупроводниковые импульсные лазеры ближнего ИК-диапазона;

полупроводниковые лазеры и светодиоды на среднюю ИК-область спектра;

QWIP-матрицы для фотоприемных модулей в среднем ИК-диапазоне;

полупроводниковые лазерные конвертеры зеленого спектрального диапазона.

Детальный перечень продукции, разрабатываемой в рамках Программы с указанием областей ее применения, приведен в таблице 5 "Перечень создаваемой по Программе "Прамень" электронной продукции, области ее применения и прогнозируемые потребность и объемы спроса производства в 2015 году".

Необходимость разработки указанных изделий определена на основании их потребности в новых или усовершенствованных технологиях, комплектующих изделиях предприятий - изготовителей продукции для ВПК, транспорта, метеорологии, медицины, металлообработки и других, что обеспечивает достижимость цели Программы.

Решение задач Программы осуществляется путем выполнения комплекса совместных мероприятий, таблица 2 "Перечень мероприятий, содержание работ, результаты, сроки их выполнения по Программе "Прамень".

Реализация Программы в части освоения технологии создания мощных СВЧ-приборов, импульсных и непрерывных полупроводниковых лазеров ближнего и среднего ИК-диапазона позволит сэкономить значительные валютные средства за счет отказа от закупок зарубежных материалов и комплектующих. При существующих ограничениях на продажу в ряд стран СНГ высокотехнологичных изделий реализация мероприятий Программы открывает широкие возможности для разработки и серийного изготовления конкурентоспособной на мировом рынке продукции, для защиты рынков Российской Федерации и Республики Беларусь от иностранных производителей и создания ряда приборов специального назначения на основе лазеров и СВЧ-устройств.

Использование научно-технической продукции, полученной при реализации мероприятий данной Программы, будет осуществляться в порядке, установленном национальными законодательствами и принятыми нормативно-правовыми актами Союзного государства по урегулированию вопросов, касающихся права собственности на результаты совместной научно-технической деятельности.

Созданные новые виды лазерных приборов, устройств преобразования световой энергии, СВЧ-элементов для перспективных систем передачи данных, основанных на теории квантовой оптики, квантовых и нанотехнологий, предусмотренных к выполнению в Программе "Прамень", будут предложены для их использования в разработках "Инновационного центра "Сколково", инициатором создания которого выступил Президент России Д.А.Медведев.

2.2. Срок реализации Программы

Программу предлагается реализовать за 4 года в срок с 2011 года по 2014 год в один этап.

2.3. Показатели оценки достижения целей Программы

Количественные и качественные результаты. Намечаемыми к достижению в результате реализации цели Программы являются:

Общее количество разработанных образцов изделий, в том числе:

- количество разработок, выполненных по Программе, которые превосходят технические требования аналогичных мировых разработок по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам;

- количество разработок, выполненных по Программе, отвечающих перспективным техническим требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам;

- количество разработок, выполненных по Программе, которые отвечают техническим требованиям по импортозамещению по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам.

Количество патентов и других объектов интеллектуальной собственности (научно-техническая документация).

Количество разработанных технологий.

Указанные целевые индикаторы равным образом применимы к каждому мероприятию Программы.

Определение целевого индикатора выполнения Программы базируется на технических параметрах электронных изделий и приборов, построенных на соответствующих гетероструктурах (таблица 1).

Таблица 1

Технические параметры электронных изделий и приборов по Программе

----+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-------
¦ N ¦Наименование ¦ Электронные изделия и  ¦ Единица ¦ 2011  ¦        ¦  Мировые  ¦
¦п/п¦ технических ¦        приборы         ¦измерения¦  год  ¦2014 год¦показатели ¦
¦   ¦ параметров  ¦                        ¦         ¦       ¦        ¦    <*>    ¦
+---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-----------+
¦ 1 ¦Частотный    ¦Тестовый транзистор     ¦   ГГц   ¦       ¦   93   ¦    93     ¦
¦   ¦диапазон     ¦характеризации          ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦гетероструктур          ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦InAlAs/InGaAs           ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-----------+
¦   ¦             ¦                        ¦     -2  ¦       ¦        ¦           ¦
¦ 2 ¦Плотность    ¦Эпитаксиальные          ¦   см    ¦ 300 - ¦80 - 120¦ 80 - 120  ¦
¦   ¦поверхностных¦гетероструктуры         ¦         ¦  500  ¦        ¦           ¦
¦   ¦дефектов     ¦InAlAs/InGaAs           ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-----------+
¦   ¦             ¦                        ¦     -2  ¦      9¦       8¦        8  ¦
¦ 3 ¦Плотность    ¦Слои полупроводниковых  ¦   см    ¦<=5·10 ¦ <=5·10 ¦  <=8·10   ¦
¦   ¦дислокаций   ¦гетероструктур GaN      ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-----------+
¦ 4 ¦Удельная     ¦Полевой транзистор на   ¦  Вт/мм  ¦ >=2,8 ¦  >=5   ¦    >=4    ¦
¦   ¦мощность на  ¦GaN                     ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦единицу      ¦                        ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦ширины       ¦                        ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦затвора      ¦                        ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-----------+
¦ 5 ¦Выходная     ¦Полевой транзистор на   ¦   Вт    ¦ >=10  ¦  >=40  ¦   >=40    ¦
¦   ¦мощность в   ¦GaN                     ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦непрерывном  ¦                        ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦режиме       ¦                        ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+------------------------+         +-------+--------+-----------+
¦ 6 ¦Выходная     ¦Непрерывные             ¦         ¦  >=5  ¦  >=15  ¦   >=15    ¦
¦   ¦оптическая   ¦полупроводниковые       ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦мощность     ¦диодные лазеры          ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +------------------------+         +-------+--------+-----------+
¦ 7 ¦             ¦Модули с волоконным     ¦         ¦ >=30  ¦ >=100  ¦ 100 - 200 ¦
¦   ¦             ¦выводом                 ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +------------------------+         +-------+--------+-----------+
¦ 8 ¦             ¦Сверхмощные лазерные    ¦         ¦  100  ¦ >=200  ¦   <=200   ¦
¦   ¦             ¦линейки                 ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +------------------------+         +-------+--------+-----------+
¦ 9 ¦             ¦Сверхмощные лазерные    ¦         ¦>=3000 ¦>=10000 ¦  <10000   ¦
¦   ¦             ¦матрицы                 ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +-------------+----------+---------+-------+--------+-----------+
¦10 ¦             ¦Импульсные   ¦с длиной  ¦   Вт    ¦ >=70  ¦ >=150  ¦ 150 - 300 ¦
¦   ¦             ¦диодные      ¦волны Л1 =¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦лазеры       ¦0,8 - 1,06¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦             ¦мкм       ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             ¦             +----------+---------+-------+--------+-----------+
¦11 ¦             ¦             ¦          ¦         ¦     -3¦      -3¦           ¦
¦   ¦             ¦             ¦с длиной  ¦   Вт    ¦ >=10  ¦>=5·10  ¦Отсутствуют¦
¦   ¦             ¦             ¦волны Л1 =¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦             ¦2 - 4 мкм ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +-------------+----------+---------+-------+--------+-----------+
¦12 ¦             ¦Полупроводниковый       ¦   Вт    ¦>=0,03 ¦ >=0,1  ¦Отсутствуют¦
¦   ¦             ¦лазерный конвертор      ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+-------------+----------+---------+-------+--------+-----------+
¦13 ¦Энергия в    ¦Импульсные   ¦с длиной  ¦   мДж   ¦ >=0,5 ¦ >=1,5  ¦  1,5 - 3  ¦
¦   ¦импульсе     ¦твердотельные¦волны Л1 =¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦лазеры с     ¦1,06 мкм  ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             ¦диодной      +----------+         +-------+--------+-----------+
¦14 ¦             ¦накачкой     ¦с длиной  ¦         ¦ >=0,5 ¦ >=1,5  ¦   1 - 2   ¦
¦   ¦             ¦             ¦волны Л1 =¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦             ¦0,53 мкм  ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦             ¦с длиной  ¦         ¦       ¦        ¦     3     ¦
¦   ¦             ¦             ¦волны Л1 =¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦             ¦0,266 мкм ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +-------------+----------+         +-------+--------+-----------+
¦15 ¦             ¦Излучатели для          ¦         ¦  >=2  ¦  >=8   ¦ 6,5 - 10  ¦
¦   ¦             ¦дальномеров             ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+-----------+
¦16 ¦Удельная     ¦Непрерывные диодные     ¦ мВт/мкм ¦ >=10  ¦  >=30  ¦   >=30    ¦
¦   ¦выходная     ¦лазеры                  ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+оптическая   +------------------------+         +-------+--------+-----------+
¦17 ¦мощность     ¦Импульсные диодные      ¦         ¦ >=500 ¦ >=1000 ¦1000 - 1500¦
¦   ¦             ¦лазеры с длиной волны   ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦Л1 = 0,8 - 1,06         ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
+---+             +------------------------+         +-------+--------+-----------+
¦18 ¦             ¦Импульсные диодные      ¦         ¦ >=0,3 ¦  >=1   ¦Отсутствуют¦
¦   ¦             ¦лазеры с длиной волны   ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦   ¦             ¦Л1 = 2 - 4 мкм          ¦         ¦       ¦        ¦           ¦
¦---+-------------+------------------------+---------+-------+--------+------------

--------------------------------

Л - маленька греческая буква "лямбда"

--------------------------------

<*> В качестве мировых показателей принят диапазон параметров продуктов, производимых или тех, о начале производства которых объявлено ведущими зарубежными компаниями, удерживающими совокупно более 50% мирового рынка соответствующих продуктов. Данные показатели являются обобщением опубликованных данных за последний календарный год. Список использованных источников приведен ниже:

1) Laser Focus World Issue 1, January 2011. ANNUAL REVIEW AND FORECAST;

2) Laser Focus World Issue 12, December 2010. Global laser market expected to recover positive trend in 2010;

3) Laser Technik Journal Issue 3, June 2010. Resetting the Laser Market Growth Returns, but to a More "Grown Up" Industry Volume 7, Issue 3, June 2010;

4) Europhotonics, July 2010. European Laser Market Looks Up, Despite a Down Economy;

5) Лазер-Информ (Бюллетень Лазерной Ассоциации, N 3-12, 2010);

6) R&D Magazine, 2010 - 2011;

7) LED's magazine, March 2010. LCD backlights and lighting drive largest growth yet seen in HB-LED market;

8) Online Digests of The International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology "Sharing Ideas Throughout the Industry" http://gaasmantech.org/, 2010 - 2011;

9) Microwave Journal. Online issues http://www.mwjournal.com/Journal/, 2010 - 2011;

10) Microwave Product Digest. Online issues http://www.mpdigest.com, 2010 - 2011;

11) Military & Aerospace Electronics. Online issues http://www.militaryaerospace.com, 2010 - 2011;

12) Digests of IEEE MTT-S International Microwave Symposiums. Online at http://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome.jsp?punumber=1000460, 2010 - 2011;

13) Proceedings of IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposiums. Online at http://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome.jsp?punumber=1000611, 2010 - 2011.

ОБЗОРЫ:

1) Мировой и российский рынок лазерного оборудования (лазеров). Автор: Discovery Research Group, февраль 2011.

2) Маркетинговое исследование рынка лазерного оборудования (лазеров). Автор: Маркетинговая группа Techart, Май 2010.

3) The Worldwide Market for Lasers: Market Review and Forecast 2011. Автор: Strategies Unlimited, апрель 2010.

3. Система мероприятий Программы

Программа включает научно-исследовательские и опытно-конструкторские (НИОКР) работы, направленные на восстановление на новом уровне паритета с постоянно прогрессирующей аналогичной зарубежной техникой. В Программе учтены первоочередные потребности в гетероструктурах нового поколения, приборов и систем на их основе для предприятий и организаций Республики Беларусь и Российской Федерации, занимающихся созданием средств гражданской, специальной техники и техники двойного применения.

Предлагаемая Программа направлена на решение ряда сложных научно-технических проблем и носит комплексный характер. Для обеспечения достижения поставленной цели и оптимального решения всех задач применен программно-целевой подход, обеспечивающий системное решение поставленных задач в рамках единой научно-технической программы для развития научно-технологического потенциала государств - участников Союзного государства для производства современной инновационной конкурентоспособной радиоэлектронной продукции и дальнейшего развития кооперационных связей России и Беларуси.

3.1. Программные мероприятия и проблемы, решаемые при их реализации

Для достижения поставленной цели Программы, по реализации сформулированных в Программе задач работы будут выполняться по следующим важнейшим мероприятиям, которые направлены на решение определенных проблем.

Мероприятие 1. ОКР "Разработка ряда СВЧ-монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений A3B5".

Конечный продукт предназначен для производства приемопередатчиков систем передачи информации по скрытым и защищенным цифровым радиоканалам и приемопередающих модулей АФАР бортовых систем самонаведения.

Проблема. В Российской Федерации и в Республике Беларусь в настоящее время нет технологий изготовления полупроводниковых гетероструктур, обеспечивающих производство элементной базы в частотных диапазонах от К- до W-диапазонов, отсутствуют современные методы проектирования интегральных схем на основе таких гетероструктур, что полностью исключает развитие широкого класса радиоэлектронных устройств, работающих на частотах 36 и 93 ГГц.

Способы решения данной проблемы.

1. Разработать на технологической базе российских предприятий промышленные технологии роста псевдоморфных и метаморфных гетероструктур AlGaInAs, реализованные на установках молекулярно-пучковой эпитаксии российского производства. Данный способ решения позволит после завершения Программы наладить промышленное производство гетероструктур в необходимых количествах вне зависимости от импортного технологического оборудования.

2. В процессе разработки технологии роста гетероструктур в тесной кооперации предприятиями Российской Федерации и Республики Беларусь (с использованием опыта и программных продуктов, а также технологических возможностей предприятий) разработать библиотеку стандартных элементов и принципов проектирования интегральных схем на основе метаморфных и псевдоморфных гетероструктур. После завершения Программы такое решение позволит организовать производство СВЧ-микросхем по принципу дизайн-центр и кристальное производство. К созданной производственной схеме в дальнейшем могут быть подключены любые заинтересованные предприятия электронной промышленности обоих государств.

Мероприятие 2. ОКР "Разработка мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ-монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением".

Конечный продукт предназначен для производства метеолокаторов, локаторов наземного, корабельного, воздушного базирования, систем ПВО.

Проблема. В Российской Федерации и Республике Беларусь в настоящее время нет технологий изготовления полупроводниковых гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением, обеспечивающих производство элементной базы для активных фазированных антенных решеток. Отсутствуют современные методы проектирования интегральных схем на основе таких гетероструктур, что полностью исключает разработку и производство широкого класса радиоэлектронных устройств двойного применения повышенной мощности и повышенной температурной стойкости.

Способы решения проблемы.

1. Разработать на технологической базе российских предприятий промышленную технологию роста гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением. В процессе отработки конструкции и предварительного технологического процесса выращивания гетероструктуры исследовать полученные гетероструктуры на предприятии в Республике Беларусь, где имеется необходимое оборудование и технологический опыт, на оптимальность с точки зрения приборного применения. По результатам тестирования доработать конструкцию гетероструктуры и довести технологию выращивания до промышленного уровня на однотипных отечественных установках молекулярно-пучковой эпитаксии большей производительности. Такое решение позволит после завершения Программы наладить производство гетероструктур в необходимых количествах вне зависимости от импортного технологического оборудования.

2. В процессе разработки технологии роста гетероструктур на основе тесной кооперации предприятий обоих государств (с использованием опыта, программных продуктов и имеющихся технологических возможностей предприятий) разработать физическую модель СВЧ-транзистора, физико-топологический базис и принципы проектирования интегральных схем на основе гетероструктур AlGaN/GaN. После завершения Программы такое решение позволит организовать производство СВЧ-транзисторов и микросхем по принципу дизайн-центр и кристальное производство. К созданной производственной схеме в дальнейшем возможно подключение других предприятий электронной промышленности обоих государств.

Мероприятие 3. ОКР "Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров".

Конечный продукт используется для создания медицинских лазерных систем, используемых для лечения онкологических заболеваний, хирургии, стоматологии, систем атмосферной передачи данных и управления оружием в условиях радиоэлектронного противодействия.

Проблема. В настоящее время твердотельные лазеры с торцевой диодной накачкой серийно выпускаются ведущими мировыми компаниями в США, Японии, Германии. Однако для накачки активной среды в них используются системы накачки на основе одиночных диодов с мощностью до 4 - 6 Вт, излучение которых объединяется с помощью оптических систем либо с помощью волоконных объединителей излучения. Наличие сложных систем объединения излучения большого числа диодов не позволяет получить малые весогабаритные характеристики лазеров, снижает их КПД и эксплуатационную надежность.

Способы решения проблемы. Имеющийся в Российской Федерации научный и технологический задел по созданию мощных полупроводниковых гетероструктур и опыт изготовления мощных полупроводниковых лазеров на их основе позволят разработать опытные образцы непрерывных диодов мощностью 15 Вт, длиной волны излучения 808 нм, а также модули на их основе мощностью 100 Вт. Для решения этой задачи потребуются разработка конструкции специальной лазерной гетероструктуры со сверхнизкими оптическими потерями, разработка планарной технологии изготовления чипов мощных непрерывных диодных лазеров и разработка технологии сборки диодных лазеров и модулей с волоконным выводом излучения.

В свою очередь предприятия Республики Беларусь разработают опытные образцы твердотельных лазеров на кристаллах ванадата иттрия с накачкой излучением мощных диодных лазеров и модулей с волоконным выводом излучения, разработанных и изготовленных в России. К особенностям таких лазерных кристаллов относятся: широкие спектры поглощения излучения накачки, обусловливающие высокий КПД лазеров; их хорошие термооптические характеристики, позволяющие получать высокие мощности генерируемого излучения. Кроме того, данные кристаллы имеют сравнительно невысокую стоимость и производятся в Республике Беларусь. Все это обеспечит выпуск конкурентоспособных лазеров ближнего ИК-диапазона и приборов на их основе с учетом взаимовыгодной научно-технической кооперации российских и белорусских предприятий.

Мероприятие 4. ОКР "Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров".

Конечный продукт является основным узлом лазерных систем для раскроя металлов и композитных материалов, систем дальнего и сверхдальнего космического позиционирования, систем космической навигации, управления космическими беспилотными объектами, систем подавления ПРО.

Проблема. В настоящее время российские и белорусские предприятия, имея большой задел и возможности разработки мощных твердотельных лазеров с диодной накачкой, начали отставать в их производстве и применении в связи с невозможностью использования в них мощных лазерных линеек и матриц. Применение импортных изделий для промышленного производства невозможно, поскольку они являются продуктами двойных технологий и поставляются только на основании разрешения (лицензии) от правительства страны-экспортера. Серийное производство сверхмощных лазерных линеек и матриц в Российской Федерации и Республике Беларусь отсутствует, несмотря на то, что технология их производства включена в список технологий, критических для национальной безопасности. Продукты, предлагаемые к разработке в настоящей Программе, по своим параметрам соответствуют лучшим из коммерчески доступных мировых образцов.

Способы решения проблемы. Будут проведены работы по разработке сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров, в том числе разработка технологии изготовления чипов сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек с выходной оптической мощностью 200 Вт, разработка и изготовление специализированного технологического оборудования и технологии сборки сверхмощных лазерных линеек и матриц на их основе. Опытные образцы сверхмощных лазерных линеек и матриц на их основе будут изготовлены на предприятии России и предназначены для боковой накачки мощных твердотельных лазеров.

Необходимым компонентом решения проблемы является разработка квантрона (твердотельного лазера с диодной накачкой) и проведение его комплексного тестирования. Эти работы будут выполнены на предприятии в Республике Беларусь. Указанное устройство является универсальной основой и базовым элементом для построения различных типов лазеров с диодной накачкой и определяющим образом влияет на характеристики таких устройств.

Мероприятие 5. ОКР "Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений".

Конечный продукт является основным узлом лазерных систем для обработки металлов и композитных материалов, а также хирургических и терапевтических медицинских приборов. Разработанные в ходе выполнения данного мероприятия импульсные твердотельные лазеры УФ видимого и инфракрасного диапазона спектра позволят создавать на их основе лазерные системы самого различного назначения (технологического, специального, медицинского и научного применения).

Проблема. В настоящее время на мировом рынке происходит массовая замена ламповой накачки твердотельных лазеров на накачку лазерными диодами. Подобный способ накачки является основой для создания современных электронных устройств и систем и массово применяется в промышленности для обработки материалов, в передовых научных исследованиях, связи, энергетике, медицине, на транспорте, а также для создания приборов специального назначения. Уровень развития этих технологий определяет конкурентоспособность, независимость и безопасность государств, обладающих ими. В Союзном государстве отсутствует серийное производство высокоэффективных квазинепрерывных импульсных твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений, что обуславливает недостаточную технологическую отработку и соответственно техническую оснащенность ведущих промышленных предприятий.

Способы решения проблемы. На одном из российских предприятий осуществить разработку импульсных твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений. Работа включает создание оптической схемы накачки на основе мощных лазерных диодов собственного производства, расчет и макетирование резонатора импульсного твердотельного лазера, а также разработку и изготовление электронного блока управления системой оптической накачки. Кроме того, будет изготовлен опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой для технологических применений с длиной волны генерации 1064 нм и энергией в импульсе 1,5 мДж.

В Республике Беларусь будут разработаны твердотельные лазеры с диодной накачкой УФ и видимого диапазонов спектра с длиной волны генерации 266 и 532 нм и энергией в импульсе 1,5 и 0,8 мДж, включая разработку конструкторской документации и изготовление по ней опытных образцов прибора. Данные лазеры будут разработаны с учетом жестких требований, предъявляемых к промышленному технологическому оборудованию, и по своим техническим характеристикам будут соответствовать лучшим мировым аналогам и требованиям, предъявляемым разработчиками оптоэлектронных систем специального назначения к лазерам такого типа. Такие лазеры требуют использования специальных высококачественных нелинейных кристаллов для преобразования частоты генерации лазера с длиной волны 1064 нм. Высококачественные нелинейные кристаллы производятся в Республике Беларусь и имеют сравнительно невысокую стоимость.

Мероприятие 6. ОКР "Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм), с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур".

Конечный продукт является основным узлом гражданских и армейских (поля боя) дальномеров.

Проблема. В последние годы в области дальнометрии все более актуальной становится задача использования лазеров с полупроводниковой накачкой, которые характеризуются более высокими параметрами и, принципиально, обладают большим сроком службы, чем традиционные лазеры с ламповой накачкой. Несмотря на актуальность развития такого направления техники и достижения ряда предприятий России (ФГУП "НИИ "Полюс", Институт лазерной физики, ГОИ им. С.И.Вавилова, ОАО "ЛОМО" и др.) в создании опытных образцов дальномеров на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой, пригодного для серийного производства дальномера с диодной накачкой пока не имеется.

Способы решения проблемы. На предприятиях Республики Беларусь имеется определенный научно-технологический задел по разработке схем таких лазеров. Переход в области дальнометрии для оборонной тематики, маркшейдерского дела, строительства к лазерам с диодной накачкой позволит приступить к выпуску нового класса приборов, обладающих улучшенными эксплуатационными параметрами, а также меньшей стоимостью.

В ходе работ по данному проекту в Российской Федерации должны быть созданы излучатели для дальномеров на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой с длиной волны генерации 1,5 мкм и энергией в импульсе 8 мДж и 2 мДж для различных классов дальномеров. Работа включает создание оптической схемы излучателя для дальномера с использованием мощных диодных лазерных источников накачки собственного производства, разработку и изготовление блока управления лазерным источником накачки, а также разработку и изготовление системы оптического затвора резонатора.

В свою очередь в Республике Беларусь будет разработан приемный тракт дальномера, компоновка излучателя и приемного тракта в едином корпусе с учетом жестких требований, предъявляемых к изделиям специального назначения, и будут изготовлены опытные образцы двух базовых блоков дальномеров с дальностью действия 10000 м и 5000 м при точности +/-5 м.

Мероприятие 7. ОКР "Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК-диапазона на квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их основе".

Конечный продукт предназначен для изготовления систем навигации, измерения дистанции, атмосферных лидаров, подсветки целей, авиационных прицелов, лазерных систем технологической обработки материалов.

Проблема. Состоит в разработке технологии мощных импульсных полупроводниковых лазеров ближнего ИК-диапазона и приборов на их основе.

Способы решения данной проблемы:

1. Разработка технологии лазерных гетероструктур методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений для импульсных мощных полупроводниковых лазеров. При этом в максимально возможной степени будут учтены фундаментальные причины ограничения максимально достижимой оптической мощности в полупроводниковом лазере.

2. Разработка планарной конструкции и технологии изготовления одиночного полупроводникового лазера будет направлена в первую очередь на увеличение температурной стабильности характеристик полупроводниковых лазеров.

3. Разработка мощных высокочастотных импульсных источников питания для полупроводниковых лазеров будет направлена на достижение максимальной оптической мощности в импульсе путем подбора частоты и длительности импульса тока накачки полупроводникового лазера.

4. Разработка опытных образцов оптических систем специального назначения нового поколения с улучшенными характеристиками по дальности действия, массогабаритным параметрам и энергопотреблению.

Мероприятие 8. ОКР "Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприемных модулей".

Конечные продукты используются для мониторинга окружающей среды, непрерывного контроля за технологическими процессами, медицинской диагностики, а также для создания приборов ночного видения поля боя и охраны периметров специальных объектов (например, охрана государственной границы).

Проблема. Состоит в разработке технологии полупроводниковых лазерных и светодиодных наногетероструктур, в том числе с набором квантовых ям (QW), создании перестраиваемых полупроводниковых лазеров и модулей, светодиодов и многоэлементных светодиодных линеек.

Способы решения проблемы:

1. Разработка конструкции и технологии выращивания лазерных и светодиодных наногетероструктур GalnAsSb/GaSb и InAsSb/InAs методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений.

2. Разработка конструкции и технологии выращивания эпитаксиальных гетероструктур с набором квантовых ям (QW) GaAlAs/GaAs.

3. Разработка постростовой технологии изготовления чипов QWIP-матриц.

4. Разработка постростовой технологии изготовления чипов лазеров и светодиодов средней ИК-области, работающих при комнатной температуре.

5. Изготовление опытной партии лазеров с максимумами излучения на 2,00 мкм, 2,35 мкм, 3,4, 3,7 и 4,0 мкм с мощностью 1 - 5 мВт, а также набор светодиодов, спектры излучения которых покрывают спектральный диапазон 1,6 - 4,6 мкм.

6. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний диодных лазеров и светодиодов в средней ИК-области спектра.

7. Разработка опытных образцов оптических анализаторов в средней ИК-области для определения концентраций углекислого газа, измерение содержания воды в нефти и других химических веществ.

Мероприятие 9. НИОКР "Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия".

Конечный продукт предназначен для создания систем проекционного лазерного телевидения, локальных волоконно-оптических линий связи, систем атмосферной и подводной лазерной локации и навигации, систем оптической записи информации повышенной плотности специального и общегражданского применения. По состоянию на 2011 год разработка лазерных конвекторов в мире находится в стадии лабораторных исследований и далека от завершения.

Проблема. Состоит в необходимости разработки технологии лазерных А2В6 гетероструктур с квантовыми точками CdSe, создании на их основе и исследовании интегрального лазерного конвертера зеленого спектрального диапазона (500 - 550 нм), накачиваемого сине-фиолетовым излучением лазеров и светодиодов на основе А3-нитридов.

Способы решения проблемы.

1. Разработка оптимальной конструкции лазерных наногетероструктур А2В6 с целью получения минимальной пороговой плотности мощности при оптической накачке и максимальной квантовой эффективности в зеленом спектральном диапазоне (500 - 550 нм). В процессе разработки будут использованы различные технологические и концептуальные подходы к формированию активной области в наногетероструктурах.

2. Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия.

3. Исследования по оптимизации конструкции II-VI/III-N лазерного конвертера с накачкой излучением промышленно изготавливаемых инжекционных источников света на основе нитрида галлия. Изготовление экспериментального образца и исследование его характеристик в импульсном и непрерывном режимах.

Сводный перечень программных мероприятий с указанием объемов финансирования по каждому из мероприятий и Программы в целом представлен в таблице 2.

Программа разработана исходя из основных положений ФЦП "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, "Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года", ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, Указа Президента Республики Беларусь от 22 июля 2010 г. N 378 "Об утверждении приоритетных направлений научно-технической деятельности в Республике Беларусь на 2011 - 2015 годы" и постановления Совета Министров Республики Беларусь от 19 апреля 2010 г. N 585 "Об утверждении перечня приоритетных направлений научных исследований Республики Беларусь на 2011 - 2015 годы".

Все мероприятия Программы базируются на перспективных и современных технологиях по созданию гетероструктур с квантовыми ямами и точками на основе различных полупроводниковых материалов. Поэтому теоретические, научно-практические и экспериментальные исследования, планируемые в Программе по выяснению сложных физических процессов, вопросов конструирования гетероструктур и приборов нового поколения, оптимизации параметров лазеров и транзисторов, являются ее базой и средством для решения актуальных и перспективных технических и технологических проблем.

Использование сложившейся специализации и кооперации позволяет прежде всего использовать максимальную компетентность участников, а также избежать финансовых затрат на создание необходимых производств и инфраструктуры. По всем мероприятиям программы "Прамень" в Республике Беларусь имеются технологические мощности по сборке и испытаниям функциональных изделий радиоэлектроники (радаров, лидаров, дальномеров, газоанализаторов и т.д.). Производство ключевого компонента - наногетероструктур - осуществляется в России, основываясь на созданных технологических мощностях и технологическом заделе. Распределение работ, проводимых в рамках реализации мероприятий Программы в привязке к территориям государств - участников Союзного государства, представлено в таблице 3. В мероприятиях Программы отсутствует дублирование вышеперечисленных и иных государственных и ведомственных программ. Следует отметить, что результаты реализации мероприятий предлагаемой Программы системно дополнят результаты проводимых в настоящее время федеральных целевых программ и от одновременного выполнения данной Программы и иных национальных и союзных программ можно ожидать существенного синергетического эффекта.

Предлагаемые программные мероприятия соответствуют оборонным, а также социально-экономическим интересам государств - участников Союзного государства (статьи 17 и 18 Договора о создании Союзного государства). Указанные мероприятия направлены на развитие высокотехнологичных секторов промышленности, занимающихся созданием и производством изделий и устройств, предназначенных для использования в оборонно-промышленном комплексе и в системах гражданского назначения.

Таблица 2

Перечень мероприятий, содержание работ, результаты, сроки их выполнения по программе "Прамень"

--------------------+----------+------------------------------------+--------------
¦                   ¦          ¦       Объем финансирования,        ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦         млн. руб. - всего,         ¦                  ¦
¦   Наименование    ¦          ¦            в том числе             ¦    Ожидаемые     ¦
¦   мероприятий,    ¦  Сроки   ¦  из бюджета Союзного государства   ¦    результаты    ¦
¦ содержание работ  ¦выполнения¦  -------------------------------   ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦     из внебюджетных источников     ¦                  ¦
¦                   ¦          +--------+------+------+------+------+------------------+
¦                   ¦          ¦ Всего  ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦1. ОКР "Разработка ряда СВЧ-монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового         ¦
¦диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур              ¦
¦соединений A3B5"                                                                      ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦1.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытная партия    ¦
¦технологии         ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктур    ¦
¦молекулярно-       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦InAlAs/InGaAs на  ¦
¦пучковой эпитаксии ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦подложках         ¦
¦и изготовление     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦InP(GaAs) для СВЧ-¦
¦опытной партии     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦устройств с       ¦
¦гетероструктур с   ¦          ¦ 462,00 ¦46,20 ¦161,70¦161,70¦92,40 ¦рабочими частотами¦
¦высокой            ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦36 и 93 ГГц.      ¦
¦подвижностью       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦электронов в       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦комплектов МИС мм ¦
¦системе материалов ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диапазона для     ¦
¦InAlAs/InGaAs на   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦систем            ¦
¦подложках InP(GaAs)¦          ¦ 308,00 ¦30,80 ¦107,80¦107,80¦61,60 ¦радиолокации и    ¦
¦для СВЧ-устройств  ¦          ¦ ------ ¦----- ¦------¦----- ¦----- ¦связи:            ¦
¦мм диапазона.      ¦          ¦ 154,00 ¦15,40 ¦53,90 ¦53,90 ¦30,80 ¦- усилитель       ¦
¦1.2. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦36 ГГц, выходная  ¦
¦технологии         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощность 17 дБм;  ¦
¦молекулярно-       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦- преобразователь ¦
¦пучковой эпитаксии ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦частоты 93 ГГц,   ¦
¦и изготовление     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦потери            ¦
¦опытной партии     ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦преобразования    ¦
¦гетероструктур     ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦12 дБ.            ¦
¦гетеробиполярных   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦для систем        ¦
¦транзисторов в     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦радиолокации и    ¦
¦системе материалов ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦связи.            ¦
¦InAlAs/InGaAs/InP  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Технологическая   ¦
¦для СВЧ-устройств  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация (ТД) ¦
¦мм диапазона.      ¦          ¦ 300,00 ¦30,00 ¦105,00¦105,00¦60,00 ¦с литерой "О1" на ¦
¦1.3. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦эпитаксиальные    ¦
¦технологии         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктуры с ¦
¦молекулярно-       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦привязкой к       ¦
¦пучковой эпитаксии ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Российскому       ¦
¦и изготовление     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологическому  ¦
¦опытной партии     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оборудованию.     ¦
¦гетероструктур     ¦          ¦ 200,00 ¦20,00 ¦70,00 ¦70,00 ¦40,00 ¦Конструкторская   ¦
¦резонансно-        ¦          ¦ ------ ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦(КД) и            ¦
¦туннельных диодов в¦          ¦ 100,00 ¦10,00 ¦35,00 ¦35,00 ¦20,00 ¦технологическая   ¦
¦системе материалов ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация (ТД) ¦
¦InAlAs/InGaAs/InP  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦с литерой "О1" на ¦
¦для устройств      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦МИС мм диапазона  ¦
¦миллиметрового     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦диапазона.         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦1.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦методов физико-    ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦топологического и  ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦схемотехнического  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦проектирования МИС ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦миллиметрового     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦диапазона.         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦1.5. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦комплекта КД и ТД  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦на эпитаксиальные  ¦          ¦ 162,00 ¦16,20 ¦56,70 ¦56,70 ¦32,40 ¦                  ¦
¦гетероструктуры для¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦приборов           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦миллиметрового     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦диапазона.         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦Разработка         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦комплекта КД и ТД  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦на линейку СВЧ МИС ¦          ¦ 108,00 ¦10,80 ¦37,80 ¦37,80 ¦21,60 ¦                  ¦
¦миллиметрового     ¦          ¦ ------ ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦                  ¦
¦диапазона.         ¦          ¦ 54,00  ¦ 5,40 ¦18,90 ¦18,90 ¦10,80 ¦                  ¦
¦1.6. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦опытных и          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦экспериментальных  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦образцов комплектов¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦МИС мм диапазона   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦2. ОКР "Разработка мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ-монолитных интегральных схем         ¦
¦для приемо-передающих модулей активных фазированных решеток на основе                 ¦
¦гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением"                          ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦2.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытная партия    ¦
¦конструкций        ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктур    ¦
¦гетероструктур на  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦GaN/AlGaN с       ¦
¦основе GaN/AlGaN с ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦электронной       ¦
¦двойным электронным¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦подвижностью не   ¦
¦ограничением.      ¦          ¦ 507,00 ¦27,60 ¦179,70¦179,70¦120,00¦менее 1300        ¦
¦2.2. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦кв.см/В·с и       ¦
¦технологии         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦слоевой           ¦
¦изготовления       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦электронной       ¦
¦гетероструктур на  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦концентрацией не  ¦
¦основе GaN/AlGaN с ¦          ¦ 338,00 ¦18,40 ¦119,80¦119,80¦80,00 ¦менее             ¦
¦двойным электронным¦          ¦ ------ ¦----- ¦------¦------¦----- ¦      13   -2     ¦
¦ограничением.      ¦          ¦ 169,00 ¦ 9,20 ¦59,90 ¦59,90 ¦40,00 ¦1,2·10   см  .    ¦
¦2.3. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦КД и ТД с литерой ¦
¦опытной партии     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦"О1" на           ¦
¦гетероструктур на  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктуры с ¦
¦основе GaN/AlGaN с ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦привязкой к       ¦
¦двойным электронным¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Российскому       ¦
¦ограничением.      ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологическому  ¦
¦2.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оборудованию.     ¦
¦конструкторской и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦технологической    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦транзисторов и МИС¦
¦документации,      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦усилителей        ¦
¦программы и методик¦          ¦ 330,00 ¦18,00 ¦117,00¦117,00¦78,00 ¦мощности (выходная¦
¦испытаний          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощность 38 дБм)  ¦
¦гетероструктур на  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦для АФАР          ¦
¦основе GaN/AlGaN с ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦X-диапазона.      ¦
¦двойным электронным¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦ограничением.      ¦          ¦ 220,00 ¦12,00 ¦78,00 ¦78,00 ¦52,00 ¦документация с    ¦
¦2.5. Проведение    ¦          ¦ ------ ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦литерой "О1" на   ¦
¦испытаний          ¦          ¦ 110,00 ¦ 6,00 ¦39,00 ¦39,00 ¦26,00 ¦транзисторы и МИС ¦
¦гетероструктур на  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦соответствие       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦требованиям СВЧ-   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦устройств с        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦рабочими частотами ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦в Х-диапазоне.     ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦2.6. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦топологии          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦комплектов         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦транзисторов и МИС ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦для АФАР на основе ¦          ¦ 177,00 ¦ 9,60 ¦62,70 ¦62,70 ¦42,00 ¦                  ¦
¦гетероструктур     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦GaN/AlGaN с двойным¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦электронным        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦ограничением.      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦2.7. Изготовление  ¦          ¦ 118,00 ¦ 6,40 ¦41,80 ¦41,80 ¦28,00 ¦                  ¦
¦опытных образцов   ¦          ¦ ------ ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦----- ¦                  ¦
¦транзисторов и МИС ¦          ¦ 59,00  ¦ 3,20 ¦20,90 ¦20,90 ¦14,00 ¦                  ¦
¦для АФАР и         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦проведение их      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦испытаний          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦3. ОКР "Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур        ¦
¦и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой            ¦
¦накачки твердотельных лазеров"                                                        ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦3.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытная партия    ¦
¦конструкции        ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощных непрерывных¦
¦лазерной           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодных лазеров на¦
¦гетероструктуры.   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦основе GaAs и его ¦
¦3.2. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердых растворов ¦
¦технологии         ¦          ¦ 111,00 ¦21,00 ¦33,30 ¦33,30 ¦23,40 ¦с выходной        ¦
¦изготовления чипов ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦мощных непрерывных ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 15 Вт,  ¦
¦диодных лазеров с  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦длиной волны      ¦
¦выходной оптической¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦генерации 808 нм. ¦
¦мощностью 15 Вт.   ¦          ¦ 74,00  ¦14,00 ¦22,20 ¦22,20 ¦15,60 ¦Опытная партия    ¦
¦3.3. Разработка    ¦          ¦ -----  ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦модулей с         ¦
¦технологии сборки  ¦          ¦ 37,00  ¦ 7,00 ¦11,10 ¦11,10 ¦ 7,80 ¦волоконным выводом¦
¦диодных лазеров.   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦излучения и       ¦
¦3.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦выходной          ¦
¦конструкции и      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦технологии сборки  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 100 Вт  ¦
¦модулей с          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦при диаметре      ¦
¦волоконным выводом ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦волокна 400 мкм.  ¦
¦излучения.         ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Технологическая   ¦
¦3.5. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦конструкторской и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦технологической    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологию        ¦
¦документации,      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦изготовления чипов¦
¦программы и методик¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощных непрерывных¦
¦испытаний диодных  ¦          ¦ 72,00  ¦13,50 ¦21,60 ¦21,60 ¦15,30 ¦лазеров, на       ¦
¦лазеров.           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологию сборки ¦
¦3.6. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров и модулей ¦
¦опытной партии и   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦с волоконным      ¦
¦проведение         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦выводом излучения.¦
¦испытаний мощных   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦непрерывных диодных¦          ¦ 48,00  ¦ 9,00 ¦14,40 ¦14,40 ¦10,20 ¦документация с    ¦
¦лазеров.           ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦----- ¦литерой "О1" на   ¦
¦3.7. Разработка    ¦          ¦ 24,00  ¦ 4,50 ¦ 7,20 ¦ 7,20 ¦ 5,10 ¦мощные непрерывные¦
¦конструкторской    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодные лазеры и  ¦
¦документации на    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦модули с          ¦
¦твердотельный лазер¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦волоконным выводом¦
¦квазинепрерывного  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦излучения.        ¦
¦режима работы с    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытный образец   ¦
¦торцевой накачкой  ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердотельного    ¦
¦диодными модулями, ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазера            ¦
¦изготовление и     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦квазинепрерывного ¦
¦испытание опытного ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦режима работы с   ¦
¦образца            ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Л = 1,06 мкм,     ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦частотой          ¦
¦лазера             ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦повторения        ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсов 10 - 30 ¦
¦                   ¦          ¦ 39,00  ¦ 7,50 ¦11,70 ¦11,70 ¦ 8,10 ¦кГц, длительностью¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсов 5 -     ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦30 нс, средней    ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 1 - 2 Вт¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦для               ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦дальнометрических ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦и информационных  ¦
¦                   ¦          ¦ 26,00  ¦ 5,00 ¦ 7,80 ¦ 7,80 ¦ 5,40 ¦систем.           ¦
¦                   ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦Конструкторская   ¦
¦                   ¦          ¦ 13,00  ¦ 2,50 ¦ 3,90 ¦ 3,90 ¦ 2,70 ¦документация с    ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердотельный     ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазер             ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦квазинепрерывного ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦режима работы     ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦4. ОКР "Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на           ¦
¦основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров"                      ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦4.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦технологии         ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощных            ¦
¦изготовления чипов ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦квазинепрерывных  ¦
¦сверхмощных        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодных линеек на ¦
¦квазинепрерывных   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦основе GaAs и его ¦
¦лазерных линеек с  ¦          ¦ 69,00  ¦13,80 ¦20,70 ¦20,70 ¦13,80 ¦твердых растворов ¦
¦выходной оптической¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦с выходной        ¦
¦мощностью 200 Вт.  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦4.2. Разработка и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 200 Вт, ¦
¦изготовление       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦длиной волны      ¦
¦специализированного¦          ¦ 46,00  ¦ 9,20 ¦13,80 ¦13,80 ¦ 9,20 ¦генерации 808 нм и¦
¦технологического   ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦ ---- ¦матрица на их     ¦
¦оборудования для   ¦          ¦ 23,00  ¦ 4,60 ¦ 6,90 ¦ 6,90 ¦ 4,60 ¦основе с выходной ¦
¦сборки сверхмощных ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦лазерных линеек.   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 10 кВт. ¦
¦4.3. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская и ¦
¦технологии сборки  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологическая   ¦
¦сверхмощных        ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦лазерных линеек и  ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦матриц на их       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощные            ¦
¦основе.            ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦квазинепрерывные  ¦
¦4.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодные линейки и ¦
¦конструкторской и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦матрицы на их     ¦
¦технологической    ¦          ¦ 45,00  ¦ 9,00 ¦13,50 ¦13,50 ¦ 9,00 ¦основе.           ¦
¦документации,      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Оптическая схема и¦
¦программы и методик¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦энергетический    ¦
¦испытаний          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦расчет квантрона с¦
¦сверхмощных        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодной накачкой. ¦
¦лазерных линеек и  ¦          ¦ 30,00  ¦ 6,00 ¦ 9,00 ¦ 9,00 ¦ 6,00 ¦Опытный образец   ¦
¦матриц на их       ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦квантрона с       ¦
¦основе.            ¦          ¦ 15,00  ¦ 3,00 ¦ 4,50 ¦ 4,50 ¦ 3,00 ¦диодной накачкой. ¦
¦4.5. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Протокол          ¦
¦опытных образцов   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦тестирования      ¦
¦сверхмощных        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦опытного образца  ¦
¦лазерных линеек и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦квантрона с       ¦
¦матрицы на их      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодной накачкой  ¦
¦основе. Проведение ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦их испытаний.      ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦4.6. Создание      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦стенда для сборки, ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦наладки и          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦тестирования       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦квантронов с       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦диодной накачкой.  ¦          ¦ 24,00  ¦ 4,80 ¦ 7,20 ¦ 7,20 ¦ 4,80 ¦                  ¦
¦4.7. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦оптической схемы   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦накачки и расчет   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦энергетических     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦характеристик      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦квантрона.         ¦          ¦ 16,00  ¦ 3,20 ¦ 4,80 ¦ 4,80 ¦ 3,20 ¦                  ¦
¦4.8. Сборка и      ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦                  ¦
¦проведение         ¦          ¦  8,00  ¦ 1,60 ¦ 2,40 ¦ 2,40 ¦ 1,60 ¦                  ¦
¦тестирования       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦опытного образца   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦квантрона с диодной¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦накачкой           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦5. ОКР "Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с              ¦
¦диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических       ¦
¦применений"                                                                           ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦5.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытный образец   ¦
¦оптической схемы   ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердотельного    ¦
¦накачки, расчет и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазера с диодной  ¦
¦макетирование      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦накачкой для      ¦
¦резонатора         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологических   ¦
¦квазинепрерывного  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦применений с      ¦
¦(импульсного)      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦длиной волны      ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦генерации 1064 нм,¦
¦лазера с длиной    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦энергией в        ¦
¦волны генерации    ¦          ¦ 123,00 ¦21,60 ¦39,90 ¦42,90 ¦18,60 ¦импульсе 1,5 мДж, ¦
¦1064 нм, энергией в¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦средней выходной  ¦
¦импульсе 1,5 мДж,  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦средней выходной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 10 Вт и ¦
¦мощностью 10 Вт и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦качеством         ¦
¦качеством лазерного¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерного пучка   ¦
¦       2           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦ 2                ¦
¦пучка М  < 2.      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦М  < 2, а также   ¦
¦5.2. Разработка и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦блоки питания и   ¦
¦изготовление       ¦          ¦ 82,00  ¦14,40 ¦26,60 ¦28,60 ¦12,40 ¦управления        ¦
¦электронного блока ¦          ¦ -----  ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦лазером.          ¦
¦управления системой¦          ¦ 41,00  ¦ 7,20 ¦13,30 ¦14,30 ¦ 6,20 ¦Опытный образец   ¦
¦оптической накачки.¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердотельного    ¦
¦5.3. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазера с диодной  ¦
¦конструкторской    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦накачкой для      ¦
¦документации для   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологических   ¦
¦излучателя         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦применений с      ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦длиной волны      ¦
¦лазера с диодной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦генерации 532 нм, ¦
¦накачкой с длиной  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦энергией в        ¦
¦волны генерации    ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсе 0,8 мДж, ¦
¦1064 нм, энергией в¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦средней выходной  ¦
¦импульсе 1,5 мДж,  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦средней выходной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 5 Вт    ¦
¦мощностью 10 Вт и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦соответственно и  ¦
¦качеством лазерного¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦качеством         ¦
¦       2           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерного пучка   ¦
¦пучка М  < 2.      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦ 2                ¦
¦5.4. Создание      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦М  < 2.           ¦
¦стенда для сборки, ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытный образец   ¦
¦наладки и          ¦          ¦ 60,00  ¦12,00 ¦18,00 ¦18,00 ¦12,00 ¦твердотельного    ¦
¦тестирования       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазера с диодной  ¦
¦лазеров с диодной  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦накачкой с длиной ¦
¦накачкой.          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦волны генерации   ¦
¦5.5. Расчет и      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦266 нм, энергией в¦
¦макетирование      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсе 1,5 мДж, ¦
¦квазинепрерывного  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦средней выходной  ¦
¦(импульсного)      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптической        ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 0,02 Вт.¦
¦лазера с           ¦          ¦ 40,00  ¦ 8,00 ¦12,00 ¦12,00 ¦ 8,00 ¦Конструкторская   ¦
¦генератором второй ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦ ---- ¦документация с    ¦
¦гармоники, гармоник¦          ¦ 20,00  ¦ 4,00 ¦ 6,00 ¦ 6,00 ¦ 4,00 ¦литерой "О1" на   ¦
¦с длиной волны     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердотельные     ¦
¦генерации 532 нм,  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеры для        ¦
¦энергией в импульсе¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологических   ¦
¦0,8 мДж, средней   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦применений        ¦
¦выходной мощностью ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦5 Вт и качеством   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦лазерного пучка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦ 2                 ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦М  < 2 и           ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦импульсного        ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦лазера с длиной    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦волны генерации 266¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦нм, энергией в     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦импульсе 1,5 мДж,  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦средней выходной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦мощностью 0,02 Вт. ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦5.6. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦конструкторской    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦документации для   ¦          ¦ 63,00  ¦ 9,60 ¦21,90 ¦24,90 ¦ 6,60 ¦                  ¦
¦излучателя         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦лазера с диодной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦накачкой с длиной  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦волны генерации 532¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦нм, энергией в     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦импульсе 0,8 мДж,  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦средней выходной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦мощностью 5 Вт и   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦качеством лазерного¦          ¦ 42,00  ¦ 6,40 ¦14,60 ¦16,60 ¦ 4,40 ¦                  ¦
¦       2           ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦ ---- ¦                  ¦
¦пучка М  < 2 и     ¦          ¦ 21,00  ¦ 3,20 ¦ 7,30 ¦ 8,30 ¦ 2,20 ¦                  ¦
¦импульсного        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦твердотельного     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦лазера с длиной    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦волны генерации 266¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦нм, энергией в     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦импульсе 1,5 мДж,  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦средней выходной   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦мощностью 0,02 Вт  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦6. ОКР "Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в                 ¦
¦безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм), с использованием лазерных            ¦
¦источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур"                        ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦6.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытная партия    ¦
¦оптической схемы   ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦излучателей для   ¦
¦излучателя для     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦дальномеров на    ¦
¦дальномера с       ¦          ¦ 78,00  ¦16,05 ¦23,40 ¦23,40 ¦15,15 ¦основе            ¦
¦использованием     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦твердотельных     ¦
¦лазерных источников¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров с диодной ¦
¦накачки на основе  ¦          ¦ 52,00  ¦10,70 ¦15,60 ¦15,60 ¦10,10 ¦накачкой с        ¦
¦полупроводниковых  ¦          ¦ -----  ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦энергией в        ¦
¦гетероструктур.    ¦          ¦ 26,00  ¦ 5,35 ¦ 7,80 ¦ 7,80 ¦ 5,05 ¦импульсе 8 и 2 мДж¦
¦6.2. Разработка и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦и длиной волны    ¦
¦изготовление блока ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦генерации 1,5 мкм.¦
¦управления лазерным¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦источником накачки.¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦6.3. Разработка и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦изготовление       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦излучатели для    ¦
¦системы оптического¦          ¦ 51,00  ¦10,50 ¦15,30 ¦15,30 ¦ 9,90 ¦дальномеров.      ¦
¦затвора резонатора.¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦6.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦двух базовых      ¦
¦конструкторской и  ¦          ¦ 34,00  ¦ 7,00 ¦10,20 ¦10,20 ¦ 6,60 ¦блоков дальномеров¦
¦технологической    ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦ ---- ¦с основными       ¦
¦документации,      ¦          ¦ 17,00  ¦ 3,50 ¦ 5,10 ¦ 5,10 ¦ 3,30 ¦параметрами:      ¦
¦программы и методик¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦- дальности 10000 ¦
¦испытаний лазерных ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦м и 5000 м;       ¦
¦излучателей для    ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦- точности +/-5 м.¦
¦дальномеров.       ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦6.5. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦опытной партии и   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦проведение         ¦          ¦ 27,00  ¦ 5,55 ¦ 8,10 ¦ 8,10 ¦ 5,25 ¦базовые блоки     ¦
¦испытаний.         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦дальномеров       ¦
¦6.6. Разработка и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦изготовление двух  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦базовых блоков     ¦          ¦ 18,00  ¦ 3,70 ¦ 5,40 ¦ 5,40 ¦ 3,50 ¦                  ¦
¦дальномеров.       ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦                  ¦
¦Испытания базовых  ¦          ¦  9,00  ¦ 1,85 ¦ 2,70 ¦ 2,70 ¦ 1,75 ¦                  ¦
¦блоков, оснащенных ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦излучателями       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦7. ОКР "Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК-           ¦
¦диапазона на квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их        ¦
¦основе"                                                                               ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦7.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Квантоворазмерные ¦
¦конструкции и      ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерные          ¦
¦технология роста   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктуры   ¦
¦квантоворазмерных  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦InGaAs/AlGaAs для ¦
¦лазерных           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсных        ¦
¦гетероструктур     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦полупроводниковых ¦
¦InGaAs/AlGaAs для  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров.          ¦
¦импульсных         ¦          ¦ 126,00 ¦19,50 ¦43,50 ¦43,50 ¦19,00 ¦Опытная партия    ¦
¦полупроводниковых  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсных        ¦
¦лазеров с мощностью¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦полупроводниковых ¦
¦150 Вт, с апертурой¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров с         ¦
¦100 мкм и с        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью 150 Вт, ¦
¦улучшенной         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦с апертурой       ¦
¦диаграммой         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦100 мкм и с       ¦
¦направленности в   ¦          ¦ 84,00  ¦13,00 ¦29,00 ¦29,00 ¦113,00¦улучшенной        ¦
¦спектральном       ¦          ¦ -----  ¦----- ¦----- ¦----- ¦------¦диаграммой        ¦
¦диапазоне 0,8 -    ¦          ¦ 42,00  ¦ 6,50 ¦14,50 ¦14,50 ¦ 6,50 ¦направленности в  ¦
¦1,06 мкм.          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦спектральном      ¦
¦7.2. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диапазоне 0,8 -   ¦
¦технологии сборки и¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦1,06 мкм.         ¦
¦монтажа лазерных   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Электрические     ¦
¦диодов на          ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦схемы и источники ¦
¦теплоотвод,        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦питания           ¦
¦согласованный с    ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦(генераторы       ¦
¦источником питания.¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦импульсов тока)   ¦
¦7.3. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощных импульсных ¦
¦источников питания ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦полупроводниковых ¦
¦(генераторы        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров.          ¦
¦импульсов тока) для¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦мощных импульсных  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощных импульсных ¦
¦полупроводниковых  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦полупроводниковых ¦
¦лазеров.           ¦          ¦ 111,00 ¦16,50 ¦39,00 ¦39,00 ¦16,50 ¦лазеров и         ¦
¦7.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦источников        ¦
¦конструкторской и  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦питания.          ¦
¦технологической    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская и ¦
¦документации с     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технологическая   ¦
¦литерой "О1" на    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦мощные импульсные  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦полупроводниковые  ¦          ¦ 74,00  ¦11,00 ¦26,00 ¦26,00 ¦11,00 ¦мощные импульсные ¦
¦лазеры и источники ¦          ¦ -----  ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦полупроводниковые ¦
¦питания.           ¦          ¦ 37,00  ¦ 5,50 ¦13,00 ¦13,00 ¦ 5,50 ¦лазеры.           ¦
¦7.5. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦опытной партии и   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптических систем ¦
¦проведение         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦специального      ¦
¦испытаний мощных   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦назначения нового ¦
¦импульсных         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦поколения с       ¦
¦источников         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦улучшенными       ¦
¦излучения.         ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦характеристиками  ¦
¦7.6. Изготовление  ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦по дальности      ¦
¦опытных образцов   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦действия,         ¦
¦лазерных диодных   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦массогабаритным   ¦
¦сборок с блоками   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦параметрам и      ¦
¦питания для систем ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦энергопотреблению.¦
¦диодной накачки,   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦подсветки,         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦технологических    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦применений и       ¦          ¦ 15,00  ¦ 3,00 ¦ 4,50 ¦ 4,50 ¦ 3,00 ¦оптические системы¦
¦опытных образцов   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦специального      ¦
¦оптических систем  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦назначения.       ¦
¦специального       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦назначения нового  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерных диодных  ¦
¦поколения на основе¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦сборок с блоками  ¦
¦мощных импульсных  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦питания для систем¦
¦лазеров            ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диодной накачки,  ¦
¦                   ¦          ¦ 10,00  ¦ 2,00 ¦ 3,00 ¦ 3,00 ¦ 2,00 ¦подсветки,        ¦
¦                   ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦технологических   ¦
¦                   ¦          ¦  5,00  ¦ 1,00 ¦ 1,50 ¦ 1,50 ¦ 1,00 ¦применений.       ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерные диодные  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦сборки с блоками  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦питания           ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦8. ОКР "Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-             ¦
¦область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и            ¦
¦QWIP-матриц для фотоприемных модулей"                                                 ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦8.1. Разработка    ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Гетероструктуры с ¦
¦конструкции        ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦квантовыми ямами  ¦
¦лазерной           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦GalnAsSb/GaSb и   ¦
¦гетероструктуры.   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦InAsSb/InAs и     ¦
¦8.2. Разработка    ¦          ¦ 189,00 ¦19,71 ¦65,40 ¦62,40 ¦41,49 ¦технология        ¦
¦технологии         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦изготовления      ¦
¦изготовления чипов ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров мощностью ¦
¦лазеров, работающих¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦1 - 5 мВт,        ¦
¦при комнатной      ¦          ¦ 126,00 ¦13,14 ¦43,60 ¦41,60 ¦27,66 ¦светодиодов и     ¦
¦температуре.       ¦          ¦ ------ ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦фотоприемных      ¦
¦8.3. Разработка    ¦          ¦ 63,00  ¦ 6,57 ¦21,80 ¦20,80 ¦13,83 ¦матриц.           ¦
¦технологии сборки  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦диодных лазеров.   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеров,          ¦
¦8.4. Разработка    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦светодиодов и     ¦
¦конструкторской и  ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦QWIP-матриц для   ¦
¦технологической    ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦фотоприемных      ¦
¦документации с     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦устройств среднего¦
¦литерой "О1" на    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦ИК-диапазона.     ¦
¦диодные лазеры в   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская и ¦
¦средней ИК-области ¦          ¦ 114,00 ¦11,01 ¦39,90 ¦39,90 ¦23,19 ¦технологическая   ¦
¦спектра.           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация с    ¦
¦8.5. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О1" на   ¦
¦опытной партии     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазеры, светодиоды¦
¦лазеров,           ¦          ¦ 76,00  ¦ 7,34 ¦26,60 ¦26,60 ¦15,46 ¦и QWIP-матрицы для¦
¦светодиодов и QWIP-¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦----- ¦фотоприемных      ¦
¦матриц для         ¦          ¦ 38,00  ¦ 3,67 ¦13,30 ¦13,30 ¦ 7,73 ¦модулей.          ¦
¦фотоприемных       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытные образцы   ¦
¦модулей, проведение¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦оптических        ¦
¦испытаний.         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦анализаторов в    ¦
¦8.6. Разработка    ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦средней ИК-области¦
¦конструкций        ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦для определения   ¦
¦оптического        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦концентраций      ¦
¦анализатора        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦углекислого газа, ¦
¦углекислого газа в ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦измерение         ¦
¦атмосфере воздуха и¦          ¦ 75,00  ¦ 8,70 ¦25,50 ¦22,50 ¦18,30 ¦содержания воды в ¦
¦измерителя         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦нефти и других    ¦
¦содержания воды в  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦химических        ¦
¦нефти.             ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦веществ.          ¦
¦8.7. Изготовление  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Конструкторская   ¦
¦опытных образцов   ¦          ¦ 50,00  ¦ 5,80 ¦17,00 ¦15,00 ¦12,20 ¦документация с    ¦
¦анализатора        ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦----- ¦литерой "О1" на   ¦
¦углекислого газа и ¦          ¦ 25,00  ¦ 2,90 ¦ 8,50 ¦ 7,50 ¦ 6,10 ¦оптические        ¦
¦измерителя         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦анализаторы в     ¦
¦содержания воды в  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦средней ИК-области¦
¦нефти              ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦9. НИОКР "Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии          ¦
¦гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого         ¦
¦спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой                ¦
¦излучением источников света на основе нитрида галлия"                                 ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦9.1. ОКР           ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦ОКР: КД и ТД с    ¦
¦"Разработка        ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦литерой "О" на    ¦
¦конструкции и      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктуры   ¦
¦технологии         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦для интегральных  ¦
¦молекулярно-       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦полупроводниковых ¦
¦пучковой эпитаксии ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерных          ¦
¦гетероструктур для ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦конвертеров       ¦
¦интегральных       ¦          ¦ 111,00 ¦16,20 ¦38,85 ¦38,85 ¦17,10 ¦зеленого          ¦
¦полупроводниковых  ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦спектрального     ¦
¦лазерных           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диапазона.        ¦
¦конвертеров        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Опытная партия    ¦
¦зеленого           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерных          ¦
¦спектрального      ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦гетероструктур для¦
¦диапазона на       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦интегральных      ¦
¦квантовых точках   ¦          ¦ 74,00  ¦10,80 ¦25,90 ¦25,90 ¦11,40 ¦полупроводниковых ¦
¦селенида кадмия с  ¦          ¦ -----  ¦----- ¦----- ¦----- ¦----- ¦лазерных          ¦
¦накачкой излучением¦          ¦ 37,00  ¦ 5,40 ¦12,95 ¦12,95 ¦ 5,70 ¦конвертеров       ¦
¦источников света на¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦зеленого          ¦
¦основе нитрида     ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦спектрального     ¦
¦галлия".           ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диапазона с       ¦
¦9.2. НИР "Создание ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦порогом генерации ¦
¦и реализация       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦менее 1 кВт/кв.см.¦
¦прототипов         ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦НИР: Научно-      ¦
¦лазерного          ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦технический отчет ¦
¦конвертера с       ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦по НИР и другая   ¦
¦заложенными        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦отчетная научно-  ¦
¦параметрами при    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦техническая       ¦
¦накачке излучением ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦документация по   ¦
¦промышленно        ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦НИР,              ¦
¦изготавливаемых    ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦предусмотренная   ¦
¦инжекционных       ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦ГОСТ, ТЗ и        ¦
¦источников света на¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦договором.        ¦
¦основе нитрида     ¦          ¦ 72,00  ¦10,50 ¦25,20 ¦25,20 ¦11,10 ¦Программа и       ¦
¦галлия"            ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦методики испытаний¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦экспериментальных ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦образцов лазеров  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦для оптической    ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦накачки по НИР.   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Экспериментальные ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦образцы           ¦
¦                   ¦          ¦ 48,00  ¦ 7,00 ¦16,80 ¦16,80 ¦ 7,40 ¦низкопороговых    ¦
¦                   ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦----- ¦----- ¦ ---- ¦лазеров для       ¦
¦                   ¦          ¦ 24,00  ¦ 3,50 ¦ 8,40 ¦ 8,40 ¦ 3,70 ¦оптической накачки¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦с квантовыми      ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦точками CdSe      ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦зеленого          ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦спектрального     ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦диапазона для     ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦использования в   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦качестве активного¦
¦                   ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦элемента          ¦
¦                   ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦III-N/II-VI       ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерного         ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦конвертера.       ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Экспериментальные ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦образцы по НИР    ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦III-N/II-VI       ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦лазерного         ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦конвертера с      ¦
¦                   ¦          ¦ 39,00  ¦ 5,70 ¦13,65 ¦13,65 ¦ 6,00 ¦накачкой          ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦излучением        ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦промышленно       ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦изготавливаемых   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦инжекционных      ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦источников света  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦на основе нитрида ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦галлия по НИР.    ¦
¦                   ¦          ¦ 26,00  ¦ 3,80 ¦ 9,10 ¦ 9,10 ¦ 4,00 ¦Программа и       ¦
¦                   ¦          ¦ -----  ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦методики испытаний¦
¦                   ¦          ¦ 13,00  ¦ 1,90 ¦ 4,55 ¦ 4,55 ¦ 2,00 ¦экспериментальных ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦образцов лазерных ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦конвертеров с     ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦мощностью более   ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦150 мВт.          ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦Отчет по патентным¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦исследованиям     ¦
+-------------------+----------+--------+------+------+------+------+------------------+
¦Всего по Программе ¦  2011 -  ¦ всего  ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦"Прамень"          ¦   2014   ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦1776,00 ¦201,66¦606,45¦606,45¦361,44¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦1184,00 ¦134,44¦404,30¦404,30¦240,96¦                  ¦
¦                   ¦          ¦------- ¦------¦------¦------¦------¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ 592,00 ¦67,22 ¦202,15¦202,15¦120,48¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ Россия ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦1155,00 ¦131,01¦394,50¦394,50¦234,99¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ 770,00 ¦87,34 ¦263,00¦263,00¦156,66¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ ------ ¦----- ¦------¦------¦------¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ 385,00 ¦43,67 ¦131,50¦131,50¦78,33 ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ в т.ч. ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦Беларусь¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ 621,00 ¦70,65 ¦211,95¦211,95¦126,45¦                  ¦
¦                   ¦          ¦        ¦      ¦      ¦      ¦      ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ 414,00 ¦47,10 ¦141,30¦141,30¦84,30 ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ ------ ¦----- ¦------¦------¦----- ¦                  ¦
¦                   ¦          ¦ 207,00 ¦23,55 ¦70,65 ¦70,65 ¦42,15 ¦                  ¦
¦-------------------+----------+--------+------+------+------+------+-------------------

--------------------------------

Л - маленька греческая буква "лямбда"

Порядок выполнения и приемки мероприятий (работ) Программы определяется на этапе согласования технических заданий в соответствии с регламентом, установленным законодательством соответствующего государства-участника.

Таблица 3

Распределение работ, проводимых в рамках реализации мероприятий Программы в привязке к территориям государств - участников Союзного государства

--------------------------+-----------------------+-------------------
¦Наименование мероприятий ¦ Работы, проводимые на ¦ Работы, проводимые на ¦
¦       Программы         ¦   территории России   ¦  территории Беларуси  ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦1. Разработка ряда СВЧ-  ¦Разработка конструкций ¦Разработка конструкций ¦
¦монолитных интегральных  ¦гетероструктур для СВЧ-¦МИС.                   ¦
¦схем (МИС)               ¦устройств мм диапазона ¦Изготовление           ¦
¦миллиметрового диапазона ¦и мощных СВЧ-          ¦нанометрового затвора  ¦
¦длин волн на основе      ¦транзисторов и МИС:    ¦МИС.                   ¦
¦псевдоморфных и          ¦- с высокой            ¦Разработка библиотеки  ¦
¦метаморфных              ¦подвижностью электронов¦стандартных элементов, ¦
¦гетероструктур           ¦в системе материалов   ¦методов и правил       ¦
¦соединений A3B5          ¦InAlAs/InGaAs на       ¦проектирования МИС.    ¦
¦                         ¦подложках InP(GaAs)    ¦Конструирование МИС мм ¦
¦                         ¦- гетеробиполярных     ¦диапазона.             ¦
¦                         ¦транзисторов в системе ¦Проведение приборных   ¦
¦                         ¦материалов             ¦испытаний МИС          ¦
¦                         ¦InAlAs/InGaAs/InP      ¦                       ¦
¦                         ¦- резонансно-туннельных¦                       ¦
¦                         ¦диодов в системе       ¦                       ¦
¦                         ¦материалов             ¦                       ¦
¦                         ¦InAlAs/InGaAs/InP.     ¦                       ¦
¦                         ¦Разработка промышленных¦                       ¦
¦                         ¦технологий выращивания ¦                       ¦
¦                         ¦гетероструктур.        ¦                       ¦
¦                         ¦Проведение планарных   ¦                       ¦
¦                         ¦технологических        ¦                       ¦
¦                         ¦операций (без          ¦                       ¦
¦                         ¦формирования затвора). ¦                       ¦
¦                         ¦Разработка библиотеки  ¦                       ¦
¦                         ¦стандартных элементов, ¦                       ¦
¦                         ¦методов и правил       ¦                       ¦
¦                         ¦проектирования         ¦                       ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦2. Разработка мощных     ¦Разработка конструкции ¦Разработка физико-     ¦
¦СВЧ-транзисторов и СВЧ-  ¦гетероструктур         ¦топологических моделей ¦
¦монолитных интегральных  ¦GaN/AlGaN с двойным    ¦проектирования с учетом¦
¦схем для приемо-         ¦электронным            ¦нелинейных эффектов    ¦
¦передающих модулей       ¦ограничением.          ¦СВЧ-приборов.          ¦
¦активных фазированных    ¦Разработка промышленной¦Разработка конструкций ¦
¦решеток на основе        ¦технологии выращивания ¦СВЧ-приборов.          ¦
¦гетероструктур AlGaN/GaN ¦гетероструктур.        ¦Разработка библиотеки  ¦
¦с двойным электронным    ¦Проведение полного     ¦стандартных элементов, ¦
¦ограничением             ¦цикла планарных        ¦методов и правил       ¦
¦                         ¦технологических        ¦проектирования.        ¦
¦                         ¦операций. Разработка   ¦Проведение приборных   ¦
¦                         ¦библиотеки стандартных ¦испытаний СВЧ-приборов ¦
¦                         ¦элементов, методов и   ¦                       ¦
¦                         ¦правил проектирования  ¦                       ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦3. Разработка мощных     ¦Разработка технологии  ¦Разработка схемы       ¦
¦непрерывных диодных      ¦изготовления чипов     ¦торцевой накачки       ¦
¦лазеров на основе        ¦мощных непрерывных     ¦твердотельных лазеров. ¦
¦гетероструктур и модулей ¦диодных лазеров.       ¦Изготовление образцов  ¦
¦с волоконным выводом на  ¦Разработка,            ¦твердотельных лазеров с¦
¦их основе для            ¦изготовление и         ¦диодной накачкой.      ¦
¦высокоэффективной        ¦испытание диодных      ¦Разработка,            ¦
¦торцевой накачки         ¦лазеров на основе      ¦изготовление и         ¦
¦твердотельных лазеров    ¦гетероструктур.        ¦испытание лазерного    ¦
¦                         ¦Разработка мощных      ¦модуля с волоконным    ¦
¦                         ¦лазерных диодов и      ¦выводом излучения      ¦
¦                         ¦модулей с волоконным   ¦                       ¦
¦                         ¦выводом                ¦                       ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦4. Разработка            ¦Разработка,            ¦Разработка оптической  ¦
¦сверхмощных              ¦изготовление и         ¦схемы накачки и расчет ¦
¦квазинепрерывных         ¦испытание              ¦энергетических         ¦
¦лазерных линеек и матриц ¦квазинепрерывных       ¦характеристик          ¦
¦на основе гетероструктур ¦лазерных линеек и      ¦квантрона.             ¦
¦для боковой накачки      ¦матриц на основе       ¦Создание стенда для    ¦
¦твердотельных лазеров    ¦гетероструктур         ¦сборки, наладки и      ¦
¦                         ¦                       ¦тестирования квантронов¦
¦                         ¦                       ¦с диодной накачкой.    ¦
¦                         ¦                       ¦Сборка и проведение    ¦
¦                         ¦                       ¦испытаний квантрона    ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦5. Разработка            ¦Разработка оптической  ¦Разработка,            ¦
¦квазинепрерывных         ¦схемы накачки, расчет и¦изготовление и         ¦
¦(импульсных)             ¦макетирование          ¦испытание излучателя   ¦
¦твердотельных лазеров с  ¦резонатора             ¦твердотельного лазера с¦
¦диодной накачкой на      ¦квазинепрерывного      ¦диодной накачкой с     ¦
¦основе полупроводниковых ¦(импульсного)          ¦генерацией второй и    ¦
¦гетероструктур для       ¦твердотельного лазера. ¦четвертой гармоник.    ¦
¦технологических          ¦Разработка,            ¦Создание стенда для    ¦
¦применений               ¦изготовление и         ¦сборки, наладки и      ¦
¦                         ¦испытание излучателя   ¦тестирования лазеров с ¦
¦                         ¦твердотельного лазера с¦диодной накачкой.      ¦
¦                         ¦диодной накачкой.      ¦Изготовление и         ¦
¦                         ¦Разработка и           ¦проведение испытаний   ¦
¦                         ¦изготовление           ¦опытных образцов       ¦
¦                         ¦электронного блока     ¦лазеров                ¦
¦                         ¦управления системой    ¦                       ¦
¦                         ¦оптической накачки     ¦                       ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦6. Разработка лазерных   ¦Разработка оптической  ¦Разработка и           ¦
¦излучателей для          ¦схемы излучателя для   ¦изготовление блока     ¦
¦дальномеров, работающих  ¦дальномера.            ¦управления лазерным    ¦
¦в безопасном для глаз    ¦Разработка,            ¦источником накачки.    ¦
¦диапазоне спектра (1,5   ¦изготовление и         ¦Разработка,            ¦
¦мкм) с использованием    ¦испытания лазерных     ¦изготовление и         ¦
¦лазерных источников      ¦излучателей            ¦испытания двух базовых ¦
¦накачки на основе        ¦                       ¦блоков дальномеров     ¦
¦полупроводниковых        ¦                       ¦                       ¦
¦гетероструктур           ¦                       ¦                       ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦7. Разработка мощных     ¦Разработка конструкции ¦Разработка и создание  ¦
¦полупроводниковых        ¦и технологии роста     ¦испытательного стенда  ¦
¦импульсных лазеров       ¦квантоворазмерных      ¦для определения        ¦
¦ближнего ИК-диапазона на ¦лазерных               ¦характеристик партий   ¦
¦квантоворазмерных        ¦гетероструктур.        ¦полупроводниковых      ¦
¦гетероструктурах         ¦Разработка технологии  ¦лазерных излучателей   ¦
¦InGaAs/AlGaAs и приборов ¦сборки и монтажа       ¦для организации        ¦
¦на их основе             ¦лазерных диодов на     ¦мелкосерийного         ¦
¦                         ¦теплоотвод,            ¦производства лазерных  ¦
¦                         ¦согласованный с        ¦диодных сборок.        ¦
¦                         ¦источником питания.    ¦Разработка и создание  ¦
¦                         ¦Изготовление и         ¦опытной серии блоков   ¦
¦                         ¦испытания лазерных     ¦питания                ¦
¦                         ¦диодов                 ¦полупроводниковых      ¦
¦                         ¦                       ¦лазерных излучателей.  ¦
¦                         ¦                       ¦Разработка и создание  ¦
¦                         ¦                       ¦опытных образцов       ¦
¦                         ¦                       ¦лазерных диодных сборок¦
¦                         ¦                       ¦и опытных образцов     ¦
¦                         ¦                       ¦оптических систем      ¦
¦                         ¦                       ¦специального назначения¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦8. Разработка            ¦Разработка конструкции ¦Разработка и           ¦
¦полупроводниковых        ¦лазерной               ¦изготовление опытных   ¦
¦лазеров и светодиодов на ¦гетероструктуры,       ¦образцов модулей на    ¦
¦среднюю ИК-область       ¦технологии изготовления¦основе QWIP-матриц для ¦
¦спектра для              ¦диодных лазеров.       ¦фотоприемных систем    ¦
¦экологического           ¦Изготовление диодных   ¦среднего ИК-диапазона. ¦
¦мониторинга и            ¦лазеров и проведение   ¦Разработка конструкции ¦
¦медицинской диагностики  ¦испытаний.             ¦и изготовление опытных ¦
¦и QWIP-матриц для        ¦Разработка конструкции ¦образцов оптических    ¦
¦фотоприемных модулей     ¦гетероструктуры,       ¦анализаторов в средней ¦
¦                         ¦технологии изготовления¦ИК-области             ¦
¦                         ¦кристаллов и QWIP-     ¦                       ¦
¦                         ¦матриц                 ¦                       ¦
+-------------------------+-----------------------+-----------------------+
¦9. Разработка            ¦Разработка,            ¦Моделирование, расчет и¦
¦конструкции и технологии ¦изготовление и         ¦разработка оптической  ¦
¦молекулярно-пучковой     ¦проведение испытаний   ¦схемы лазерного        ¦
¦эпитаксии гетероструктур ¦гетероструктур с       ¦конвертора зеленого    ¦
¦и интегральных           ¦квантовыми точками     ¦спектрального диапазона¦
¦полупроводниковых        ¦селенида кадмия для    ¦зеленого спектрального ¦
¦лазерных конвертеров     ¦лазерного конвертора   ¦диапазона.             ¦
¦зеленого спектрального   ¦                       ¦Разработка конструкции,¦
¦диапазона на квантовых   ¦                       ¦технологии сборки и    ¦
¦точках селенида кадмия с ¦                       ¦изготовление лазерного ¦
¦накачкой излучением      ¦                       ¦конвертора зеленого    ¦
¦источников света на      ¦                       ¦спектрального          ¦
¦основе нитрида галлия    ¦                       ¦диапазона.             ¦
¦                         ¦                       ¦Проведение испытаний   ¦
¦                         ¦                       ¦образцов лазерного     ¦
¦                         ¦                       ¦конвертора зеленого    ¦
¦                         ¦                       ¦спектрального диапазона¦
¦-------------------------+-----------------------+------------------------

4. Финансовое обеспечение Программы

Финансирование реализации Программы осуществляется в соответствии с Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного государства, утвержденным Постановлением Высшего Государственного Совета Союзного государства от 12 апреля 2002 г. N 3, в редакции Постановления Высшего Государственного Совета Союзного государства от 15 декабря 2006 г. N 11 и дополнения, утвержденного Постановлением Высшего Государственного Совета Союзного государства от 14 декабря 2007 г. N 5.

4.1. Обоснование объемов финансовых ресурсов

Запрашиваемые объемы финансовых средств рассчитаны исходя из предлагаемого перечня мероприятий Программы, существующего уровня и порядка ценообразования на сложную научно-техническую продукцию с учетом существующих методик планирования затрат на разработку сложных радиоэлектронных изделий методами прямого калькулирования и экспертных оценок. Расчет цен произведен в ценах соответствующих лет.

4.2. Распределение объемов финансовых ресурсов

Источники финансирования. Финансирование Программы осуществляется за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников. Распределение бюджетного финансирования составляет от Российской Федерации 65%, от Республики Беларусь - 35%.

Финансирование Программы со стороны Российской Федерации и Республики Беларусь осуществляется из расчета: на один рубль средств бюджета Союзного государства 0,5 рубля внебюджетных средств. Основным условием привлечения внебюджетных средств является финансовое состояние предприятий-исполнителей, позволяющее использовать в качестве внебюджетного финансирования мероприятий Программы их внебюджетные (собственные) средства. Условия привлечения внебюджетных средств будут отражены в государственных контрактах.

Программой не предусматривается привлечение кредитных ресурсов, получаемых в российских и белорусских кредитных организациях.

Участие в финансовом обеспечении реализации Программы государств-участников. Программу предполагается реализовать в течение 2011 - 2014 годов.

Общая потребность в финансовых ресурсах составит 1776,0 млн. российских рублей, в том числе:

- за счет средств бюджета Союзного государства - 1184 млн. российских рублей,

из них:

за счет долевых отчислений Российской Федерации в бюджет Союзного государства - 770,0 млн. российских рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь в бюджет Союзного государства - 414,0 млн. российских рублей;

- за счет внебюджетных источников - 592,0 млн. российских рублей,

из них:

в Российской Федерации - 385,0 млн. российских рублей;

в Республике Беларусь - 207,0 млн. российских рублей.

Расходование денежных средств в Программе "Прамень" предусматривает внесение всех обязательных платежей в государственные бюджеты России и Беларуси в определенных размерах и в установленные сроки в соответствии с действующими в Российской Федерации и Республике Беларусь налоговыми законодательствами.

Финансовые средства в объеме долевых отчислений Российской Федерации направляются только российским предприятиям и организациям, а финансовые средства в объеме долевых отчислений Республики Беларусь - только предприятиям и организациям Республики Беларусь.

Распределение финансирования по годам реализации Программы. По всем видам ресурсов сроки их привлечения увязаны со сроками реализации мероприятий Программы.

Распределение объемов финансирования Программы по годам за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных средств приведено в таблице 4.

Таблица 4

Объем финансирования и распределение ресурсов по Программе "Прамень"

(млн. росс. руб.)

----------------------+-------------+-------+-------+------+-------T--
¦      Источники      ¦    Срок     ¦ Всего ¦ 2011  ¦ 2012 ¦ 2013  ¦ 2014 ¦
¦   финансирования    ¦ реализации  ¦       ¦  год  ¦ год  ¦  год  ¦ год  ¦
¦                     ¦  Программы  ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
+---------------------+-------------+-------+-------+------+-------+------+
¦Всего                ¦ 2011 - 2014 ¦1776,00¦201,66 ¦606,45¦606,45 ¦361,44¦
+---------------------+-------------+-------+-------+------+-------+------+
¦В том числе:         ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦Российской Федерации ¦             ¦1155,00¦131,01 ¦394,50¦394,50 ¦234,99¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦Республики Беларусь  ¦             ¦621,00 ¦ 70,65 ¦211,95¦211,95 ¦126,45¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦Из них:              ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
+---------------------+-------------+-------+-------+------+-------+------+
¦Средства бюджета     ¦ 2011 - 2014 ¦1184,00¦134,44 ¦404,30¦404,30 ¦240,96¦
¦Союзного             ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦государства - всего  ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦Из них:              ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦долевые отчисления   ¦             ¦770,00 ¦ 87,34 ¦263,00¦263,00 ¦156,66¦
¦Российской Федерации ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦долевые отчисления   ¦             ¦414,00 ¦ 47,10 ¦141,30¦141,30 ¦84,30 ¦
¦Республики Беларусь  ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
+---------------------+-------------+-------+-------+------+-------+------+
¦Внебюджетные         ¦ 2011 - 2014 ¦592,00 ¦ 67,22 ¦202,15¦202,15 ¦120,48¦
¦источники - всего    ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦Из них:              ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦российских участников¦             ¦385,00 ¦ 43,67 ¦131,50¦131,50 ¦78,33 ¦
¦                     ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦белорусских          ¦             ¦207,00 ¦ 23,55 ¦70,65 ¦ 70,65 ¦42,15 ¦
¦участников           ¦             ¦       ¦       ¦      ¦       ¦      ¦
¦---------------------+-------------+-------+-------+------+-------+-------

Направления расходования средств. Средства бюджета Союзного государства и внебюджетные средства в полном объеме будут направлены непосредственно на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ Программы.

Источниками внебюджетных средств станут собственные средства исполнителей Программы; они будут направляться на разработку и изготовление оснастки, измерительных и испытательных стендов, нестандартного оборудования, изготовление и закупку нестандартных устройств, аттестацию производственных участков, монтаж оборудования.

5. Организация управления Программой и контроль за ходом ее реализации

Организация и координация работ, а также оперативное управление и контроль в рамках Программы осуществляются государственным заказчиком-координатором и государственным заказчиком в соответствии с Порядком разработки и реализации программ Союзного государства, утвержденным постановлением Совета Министров Союзного Государства от 11 октября 2000 г. N 7 (в редакции постановления Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 8), Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного Государства, утвержденным Постановлением Высшего Государственного Совета Союзного государства от 12 апреля 2002 г. N 3 (в редакции Постановления Высшего Государственного Совета Союзного государства от 14 декабря 2006 г. N 11), и законодательством государств - участников Союзного государства.

Государственный заказчик-координатор и государственный заказчик осуществляют свои функции по координации, оперативному управлению и контролю Программы во взаимодействии с Постоянным Комитетом Союзного государства и государственными органами исполнительной власти Российской Федерации и Республики Беларусь.

В соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 22 апреля 2011 г. N 8 государственными заказчиками Программы от государств-участников являются:

от Российской Федерации - государственный заказчик Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) (распорядитель бюджетных средств на территории Российской Федерации) с возложением на него функции государственного заказчика-координатора,

от Республики Беларусь - государственный заказчик Национальная академия наук Беларуси (НАН Беларуси) (распорядитель бюджетных средств на территории Республики Беларусь).

Головные исполнители Программы в Российской Федерации - Открытое акционерное общество "Светлана" (ОАО "Светлана"), в Республике Беларусь - Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси (Институт физики НАН).

5.1. Механизм управления Программой

Управление Программой будут осуществлять государственные заказчики в части мероприятий Программы, реализуемых на территории соответствующего государства-участника: на территории Российской Федерации - Минпромторг России, на территории Республики Беларусь - НАН Беларуси. Общее руководство управлением реализацией Программы будет осуществляться государственным заказчиком-координатором - Министерством промышленности и торговли Российской Федерации.

В ходе реализации Программы государственный заказчик-координатор и государственные заказчики осуществляют следующие функции:

Государственный заказчик-координатор Минпромторг России:

осуществляет общее руководство управлением реализацией Программы, в том числе координацию действий государственных заказчиков по управлению реализацией Программы;

осуществляет общий контроль за реализацией Программы в целом, целевым и эффективным использованием выделенных на ее реализацию средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников;

ежегодно в установленном порядке представляет в Постоянный Комитет Союзного государства, в экономические и финансовые органы государств-участников сводную заявку с необходимыми обоснованиями на финансирование Программы в целом из бюджета Союзного государства;

взаимодействует с отраслевыми органами Союзного государства и Постоянным Комитетом Союзного государства по всем вопросам реализации и финансирования Программы.

Государственные заказчики Минпромторг России, НАН Беларуси в части мероприятий Программы, относящихся к их компетенции и реализуемых на территории соответствующего государства-участника:

осуществляют управление реализацией мероприятий Программы и несут в установленном порядке ответственность за реализацию мероприятий Программы и достижение их результатов, своевременное, целевое и эффективное использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства;

распределяют средства бюджета Союзного государства, выделенные на реализацию Программы, в соответствии с Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного государства;

осуществляют контроль за реализацией мероприятий Программы, входят в состав структур, специально создаваемых в соответствии с механизмом контроля за реализацией Программы (если их создание предусматривается);

заключают государственные контракты на выполнение работ по реализации Программы;

ежегодно в течение 30 дней после начала каждого очередного финансового года заключают необходимые для реализации государственных контрактов дополнительные соглашения с головными исполнителями на реализацию мероприятий в соответствующем году;

ежегодно в установленном порядке формируют и представляют государственному заказчику-координатору заявки на финансирование соответствующих мероприятий Программы из бюджета Союзного государства с необходимыми обоснованиями;

в пределах своей компетенции контролируют ход выполнения мероприятий Программы и достижение целевых индикаторов и показателей, установленных Программой, своевременное, целевое и эффективное использование средств, выделенных из бюджета Союзного государства на реализацию Программы и внебюджетных источников;

взаимодействуют между собой, с государственным заказчиком-координатором, другими государственными органами, отраслевыми органами Союзного государства и Постоянным Комитетом Союзного государства по текущим вопросам реализации и финансирования соответствующих мероприятий Программы.

Для осуществления планирования и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ по Программе НАН Беларуси и Минпромторг России создают научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты Беларуси и России в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков Программы, а также заинтересованных министерств и ведомств, предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса Беларуси и России.

Научно-технический координационный совет работает на добровольной основе и осуществляет:

- координацию задач по разработке технических требований на работы Программы, формируемых в технических заданиях;

- контроль за научно-техническим уровнем выполняемых работ;

- комплексную экспертизу проектов;

- участие в приемке работ;

- разработку предложений по производству гетероструктур, приборов и систем на их основе.

Для реализации Программы в месячный срок после ее утверждения государственные заказчики (Минпромторг России, НАН Беларуси) в соответствии с национальным законодательством заключают государственные контракты на выполнение мероприятий Программы.

Головные исполнители Программы осуществляют:

проведение переговоров и подготовку государственных контрактов по реализации Программы, если условиями государственного контракта с исполнителями не предусматривается возложить на них реализацию всех мероприятий Программы;

сбор и систематизацию статистической и аналитической информации о ходе и результатах реализации мероприятий Программы;

организацию оценки и подтверждение показателей результативности и эффективности мероприятий Программы, их соответствие целевым индикаторам и показателям;

организационно-техническое обеспечение работ, создаваемых в соответствии с механизмом контроля за реализацией Программы;

организационно-техническое обеспечение заседаний научно-технического координационного совета по Программе;

представление государственным заказчикам статистической (по форме "1-Союз"), аналитической и финансовой отчетности о ходе реализации Программы за отчетный год и планов работ на следующий год.

5.2. Механизм контроля реализации Программы

Для осуществления контроля за ходом реализации Программы, достижением ее целей, своевременным, целевым и эффективным расходованием средств бюджета Союзного государства, соблюдением условий государственных контрактов на реализацию Программы государственный заказчик-координатор (Минпромторг России) совместно с государственными заказчиками (НАН Беларуси):

организует и обеспечивает ведение отчетности о ходе реализации Программы;

проводит проверки выполнения мероприятий и расходования финансовых средств в ходе реализации Программы и по ее завершении;

создает и формирует научно-технический координационный совет.

Государственный заказчик-координатор (Минпромторг России) представляет отчетность по Программе (статистическая, аналитическая, итоговая) в целом. Государственные заказчики (НАН Беларуси), исполнители мероприятий Программы представляют отчетность в части закрепленных за ними мероприятий (работ).

Непредставление отчетности в установленные сроки или нарушение требований к ее содержанию, выявление органом, исполняющим бюджет, и (или) органами финансового контроля фактов нецелевого использования бюджетных средств, выделенных на реализацию Программы, а также иные причины, предусмотренные нормативными актами Союзного государства, являются основаниями для приостановления финансирования Программы за счет средств бюджета Союзного государства с направлением уведомления в течение семи дней с момента принятия этого решения государственному заказчику - координатору Программы (Минпромторг России) и государственному заказчику (НАН Беларуси), допустившему нарушение, а также Парламентскому Собранию Союза Беларуси и России, Министерству финансов Республики Беларусь и Федеральному казначейству (Казначейство России).

Перечень показателей, порядок, сроки и форма представления статистической отчетности устанавливаются статистическими органами государств-участников по согласованию с экономическими органами государств-участников. Статистическая отчетность представляется в соответствии с постановлением Государственного комитета Российской Федерации по статистике от 26 декабря 2003 года N 115 и Министерства статистики и анализа Республики Беларусь от 15 декабря 2003 г. N 249.

В тех случаях, когда в статистической отчетности о ходе реализации Программы имеются расхождения между суммами выделенных средств, их фактическим поступлением и кассовым исполнением, в прилагаемой пояснительной записке приводятся соответствующие разъяснения.

За непредставление в установленный срок статистической отчетности должностные лица государственных заказчиков (государственных заказчиков-координаторов), ответственные за представление государственной статистической отчетности, несут ответственность, предусмотренную законодательством государств-участников.

Аналитическая отчетность (аналитический отчет) представляется ежегодно в следующие адреса и сроки:

головными исполнителями - государственным заказчикам (государственному заказчику-координатору и государственным заказчикам) - до 15 февраля;

государственными заказчиками - государственному заказчику-координатору, Постоянному Комитету Союзного государства, экономическим министерствам соответствующих государств-участников - до 1 марта;

государственными заказчиками-координаторами - Постоянному Комитету Союзного государства и экономическим министерствам государств-участников - до 1 апреля.

В аналитическую отчетность включаются:

информация о ходе выполнения мероприятий Программы и соответствии полученных результатов заданиям Программы;

информация о приемке результатов выполнения мероприятий Программы государственными заказчиками;

сведения о достигнутых в отчетном году показателях, их соответствии целевым индикаторам и другим показателям, установленным Программой;

данные об объемах, направлениях расходования, целевом использовании финансовых средств - в целом и по мероприятиям Программы с разбивкой по источникам финансирования;

информация об использовании полученных результатов;

сведения о внесенных в Программу дополнениях и изменениях;

выводы и предложения, в том числе о необходимости внесения в Программу соответствующих изменений или ее досрочном прекращении, об использовании полученных результатов, включая результаты интеллектуальной деятельности с предложениями по их коммерциализации.

В отчетном году после завершения Программы государственный заказчик-координатор (Минпромторг России) совместно с государственным заказчиком (НАН Беларуси) подготавливает и не позднее трех месяцев по истечении установленного в Программе срока ее реализации направляет в Постоянный Комитет Союзного государства, Комитет государственного контроля Республики Беларусь, Счетную палату Российской Федерации, экономические и финансовые министерства, а также в министерства (ведомства) государств-участников, ответственные за формирование и реализацию государственной политики в области науки и технологий государств-участников, итоговый отчет о выполнении Программы в целом и эффективности использования финансовых средств за весь период ее реализации.

В итоговый отчет включается информация (сведения, данные) за последний год реализации Программы в объеме, установленном Порядком разработки и реализации программ Союзного государства для аналитической отчетности, а также информация:

о результатах реализации Программы в целом, включая результаты интеллектуальной деятельности, их соответствии целям и задачам Программы, целевым индикаторам и другим показателям, установленным в Программе;

об объемах, направлениях расходования, целевом использовании финансовых средств в целом и по видам источников финансирования;

о результатах проверок государственными заказчиками хода и итогов выполнения мероприятий Программы, целевого и эффективного использования средств бюджета Союзного государства, выделенных на реализацию Программы, и привлеченных из внебюджетных источников;

о результатах оценки вновь созданных и приобретенных объектов собственности (включая интеллектуальную), их государственной регистрации и правовой охране, постановке на учет;

о фактическом или планируемом использовании полученных результатов, включая результаты интеллектуальной деятельности, и предложения об их коммерциализации, о внедрении и эффективности инноваций.

В конце итогового отчета приводится оценка ожидаемого влияния результатов реализации Программы на различные сферы экономики, формулируются выводы об эффективности реализации Программы и предложения о дальнейшей работе по решению заявленной в Программе проблемы и использованию полученных результатов.

Материалы по вопросу об итогах реализации Программы подготавливаются и вносятся на рассмотрение Совета Министров Союзного государства государственным заказчиком-координатором (Минпромторг России) совместно с государственным заказчиком (НАН Беларуси) в порядке и в сроки, установленные Регламентом Совета Министров Союзного государства, с учетом следующего:

перед внесением в Совет Министров Союзного государства материалы направляются также на заключение в те же республиканские органы государственного управления и федеральные органы исполнительной власти, с которыми осуществлялось согласование проекта Программы, а также в зависимости от характера полученных результатов в министерства (ведомства) государств-участников, ответственные за формирование и реализацию государственной политики в области имущественных отношений и (или) интеллектуальной собственности;

к материалам прилагается итоговый отчет о результатах реализации Программы и заключение контрольных органов государств-участников по нему.

Приемка результатов реализации Программы в целом осуществляется после завершения всех программных мероприятий совместной комиссией, формируемой государственным заказчиком-координатором (Минпромторг России) по согласованию с государственным заказчиком (НАН Беларуси). В состав совместной комиссии по приемке результатов выполнения Программы в целом включаются представители государственных заказчиков, заинтересованных министерств и ведомств государств-участников, ведущие ученые и специалисты; в них также могут входить представители Постоянного Комитета Союзного государства и контрольных органов. Состав совместной комиссии утверждается приказом руководителя государственного заказчика-координатора.

Решения о внесении в Программу изменений, продлении сроков реализации или досрочном прекращении реализации Программы принимает Совет Министров Союзного государства.

При необходимости внесения изменений в Программу, включая продление сроков ее реализации, государственный заказчик-координатор совместно с государственными заказчиками вносит в Совет Министров Союзного государства соответствующее предложение с обоснованиями. Продление срока реализации Программы допускается не более чем на один год.

Предложения о внесении изменений в Программу отражаются в ежегодных аналитических отчетах.

В случае утраты актуальности решения проблемы посредством реализации действующей Программы по решению Совета Министров Союзного государства Программа может быть досрочно прекращена.

6. Ожидаемые результаты реализации Программы

6.1. Основные ожидаемые результаты реализации Программы

Практическая значимость Программы и эффективность ее мероприятий отражены в таблице 5, где представлен перечень создаваемой электронной продукции по мероприятиям Программы, информация по областям применения этой продукции с указанием видов конечных изделий, а также прогнозируемые объемы их выпуска в 2015 году. Технические параметры и характеристики конечных изделий соответствуют и в большинстве случаев превосходят аналогичные мировые образцы, что подтверждается результатом анализа, проведенным Национальной академией наук Беларуси и Минпромторгом России.

Таблица 5

Перечень создаваемой по Программе "Прамень" электронной продукции, области ее применения и прогнозируемые потребность и объемы спроса производства в 2015 году

--------+-----------------+------------------+--------------+--------------+---------------
¦       ¦  Наименование   ¦                  ¦              ¦              ¦  Прогнозируемый   ¦
¦       ¦     научно-     ¦                  ¦Прогнозируемая¦              ¦   объем спроса    ¦
¦       ¦   технической   ¦Область применения¦ потребность  ¦              ¦   продукции при   ¦
¦       ¦   продукции,    ¦научно-технической¦ продукции по ¦Прогнозируемая¦    сохранении     ¦
¦ Номер ¦  которая будет  ¦продукции, которая¦ состоянию на ¦ цена изделия ¦   динамики цен    ¦
¦ меро- ¦  разработана в  ¦будет разработана ¦   2015 год   ¦              +-------+-----------+
¦приятия¦ ходе реализации ¦   по Программе   ¦              ¦              ¦  по   ¦ всего по  ¦
¦       ¦   мероприятий   ¦    "Прамень"     ¦              ¦              ¦изделию¦мероприятию¦
¦       ¦    Программы    ¦                  +--------------+--------------+-------+-----------+
¦       ¦    "Прамень"    ¦                  ¦     шт.      ¦  тыс. руб.   ¦ млн.  ¦ млн. руб. ¦
¦       ¦                 ¦                  ¦              ¦              ¦ руб.  ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   1   ¦СВЧ МИС на GaAs  ¦Приемопередатчики ¦    25000     ¦      23      ¦  575  ¦    755    ¦
¦       ¦36 ГГц           ¦системы передачи  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦информации по     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦скрытым и         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦защищенным        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦цифровым          ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦радиоканалам      ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦СВЧ МИС на GaAs  ¦Приемопередающие  ¦     7200     ¦      25      ¦  180  ¦           ¦
¦       ¦93 ГГц           ¦модули АФАР       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦бортовых систем   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦самонаведения     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   2   ¦СВЧ-транзистор на¦Метеолокаторы:    ¦    15000     ¦      15      ¦  225  ¦    705    ¦
¦       ¦GaN Х-диапазона  ¦выходной усилитель¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦(8 - 12 ГГц)     ¦ППМ АФАР          ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 +------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦                 ¦АФАР судовой РЛС, ¦    10000     ¦      18      ¦  180  ¦           ¦
¦       ¦                 ¦системы           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦радиовидения:     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦выходной усилитель¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦СВЧ МИС для АФАР ¦Метеолокаторы:    ¦    15000     ¦      20      ¦  300  ¦           ¦
¦       ¦на GaN Х-        ¦предварительный   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦диапазона (8 -   ¦усилитель ППМ АФАР¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦12 ГГц)          ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   3   ¦Полупроводниковый¦Медицинские       ¦     2500     ¦      20      ¦  50   ¦    150    ¦
¦       ¦лазерный диод    ¦применения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦15 Вт в          ¦(хирургия,        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦непрерывном      ¦косметология,     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦режиме, Л = 808  ¦стоматология,     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦нм               ¦онкология и пр.). ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦Накачка           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦твердотельных     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦лазеров различного¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦применения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Лазерный модуль с¦Для обработки     ¦     250      ¦     350      ¦  88   ¦           ¦
¦       ¦волоконным       ¦материалов и для  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦выводом 100 Вт,  ¦накачки           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦d = 400 мкм      ¦твердотельных     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦лазеров           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Твердотельный    ¦Датчик            ¦      60      ¦     200      ¦  12   ¦           ¦
¦       ¦лазер с диодной  ¦метеорологический ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦накачкой         ¦для мониторинга   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦окружающей среды  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   4   ¦Лазерная линейка ¦Для накачки       ¦     1200     ¦      20      ¦  24   ¦    105    ¦
¦       ¦200 Вт, Л = 808  ¦твердотельных     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦нм               ¦лазеров           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Матрица лазерных ¦Для накачки       ¦      60      ¦     700      ¦  42   ¦           ¦
¦       ¦линеек 5 и 10 кВт¦твердотельных     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦лазеров           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Квантрон с       ¦Для построения    ¦     130      ¦     300      ¦  39   ¦           ¦
¦       ¦диодной накачкой ¦твердотельных     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦лазеров           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   5   ¦Твердотельные    ¦Технологические   ¦     160      ¦     700      ¦  112  ¦    112    ¦
¦       ¦лазеры с диодной ¦применения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦накачкой         ¦(маркировка,      ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦(Л = 1064 нм и   ¦гравировка,       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦Л = 532 нм)      ¦клеймо, обработка ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦и резка материалов¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦и пр.)            ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   6   ¦Твердотельный    ¦Для стрелкового   ¦     120      ¦     500      ¦  60   ¦    103    ¦
¦       ¦лазер с диодной  ¦оружия            ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦накачкой и прицел¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦с дальномером на ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦его основе, 10 км¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Твердотельный    ¦Для стрелкового   ¦     400      ¦     100      ¦  40   ¦           ¦
¦       ¦лазер с диодной  ¦оружия            ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦накачкой и прицел¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦с дальномером на ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦его основе, 5 км ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Дальномеры на    ¦Технологические   ¦      30      ¦     100      ¦   3   ¦           ¦
¦       ¦основе           ¦применения,       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦твердотельного   ¦строительство     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦лазера с диодной ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦накачкой         ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   7   ¦Лазерный диод    ¦Для медицинских   ¦     400      ¦      13      ¦   5   ¦    170    ¦
¦       ¦(100 - 150 Вт в  ¦применений и      ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦импульсном       ¦обработки         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦режиме)          ¦материалов        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Диодная матрица  ¦Для атмосферных   ¦     400      ¦      70      ¦  28   ¦           ¦
¦       ¦(1 - 2 кВт в     ¦лидаров в         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦импульсном       ¦навигационных     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦режиме)          ¦системах          ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦аэродромов, для   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦нанопорошковой    ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦металлургии       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Электронный блок ¦Для одиночного    ¦     200      ¦      35      ¦   7   ¦           ¦
¦       ¦питания и        ¦полупроводникового¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦стабилизации     ¦импульсного лазера¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦(<100 нс)         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Электронный блок ¦Для матрицы       ¦     400      ¦     175      ¦  70   ¦           ¦
¦       ¦питания и        ¦полупроводниковых ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦стабилизации     ¦диодов в          ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦импульсном режиме ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦(<100 нс)         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Система          ¦Системы ночной    ¦     100      ¦     100      ¦  10   ¦           ¦
¦       ¦инфракрасной     ¦визуализации      ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦подсветки на     ¦(двойного         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦основе матрицы   ¦применения)       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦полупроводниковых¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦лазерных диодов, ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦работающих в     ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦импульсном       ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦режиме, Л = 0,8 -¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦1 мкм            ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Устройство       ¦Технологические   ¦      50      ¦     1000     ¦  50   ¦           ¦
¦       ¦маркировки на    ¦применения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦основе матрицы   ¦(устройства       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦полупроводниковых¦гравировки,       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦лазерных диодов, ¦маркировки и пр.) ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦работающих в     ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦импульсном       ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦режиме, Л = 0,8 -¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦1 мкм            ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   8   ¦Лазерный модуль, ¦Газоанализаторы   ¦     600      ¦      30      ¦  18   ¦    100    ¦
¦       ¦Л = 2 - 4 мкм    ¦различного        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦назначения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Электронный блок ¦Для лазерного     ¦     500      ¦      13      ¦  6,5  ¦           ¦
¦       ¦питания и        ¦модуля            ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦стабилизации     ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Светодиодные     ¦Газоанализаторы   ¦    15000     ¦      1       ¦  15   ¦           ¦
¦       ¦матрицы на основе¦различного        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦светодиодов, Л = ¦назначения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦2 - 4 мкм        ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦QWIP-матрицы для ¦Системы           ¦     100      ¦     300      ¦  30   ¦           ¦
¦       ¦фотоприемных     ¦тепловидения      ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦модулей в среднем¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦ИК-диапазоне     ¦                  ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Анализатор СО2   ¦Мониторинг        ¦     800      ¦      18      ¦ 14,5  ¦           ¦
¦       ¦                 ¦окружающей среды, ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦технологические   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦применения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Анализатор СН4   ¦Системы контроля  ¦     400      ¦      20      ¦   8   ¦           ¦
¦       ¦                 ¦для обеспечения   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦безопасности в    ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦горнорудной       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦промышленности    ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       +-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+           ¦
¦       ¦Анализатор Н2О   ¦Технологический   ¦     400      ¦      20      ¦   8   ¦           ¦
¦       ¦                 ¦контроль          ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦содержания воды в ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦нефти и           ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦нефтепродуктах    ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
+-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+-----------+
¦   9   ¦Интегральный     ¦Системы           ¦     1600     ¦      75      ¦  120  ¦    120    ¦
¦       ¦полупроводниковый¦проекционного     ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦лазерный         ¦лазерного         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦конвертор, Л =   ¦телевидения,      ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦500 - 550 нм     ¦цветной печати,   ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦локации и         ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦навигации,        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦медицинские       ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦       ¦                 ¦применения        ¦              ¦              ¦       ¦           ¦
¦-------+-----------------+------------------+--------------+--------------+-------+------------

--------------------------------

Л - маленька греческая буква "лямбда"

Прогнозируемый общий объем спроса на продукцию по всем мероприятиям Программы в 2015 году составит 2200 млн. руб.

Разработка новых технологий и новейших изделий микро-, нано- и оптоэлектроники позволит резко снизить отставание в технологическом плане от новейших достижений мировой техники и обеспечить независимость от импорта важнейших изделий электроники для промышленности и применения в системах двойного назначения.

Программа направлена на разработку импортозамещающих технологий и приборов, а также на осуществление совместной политики Союзного государства в области военно-технического сотрудничества.

Выполнение Программы будет способствовать более глубокой и всесторонней кооперации российских и белорусских научных организаций в создании и развитии передовых и востребованных во всем мире полупроводниковых технологий.

В результате реализации Программы предполагается обеспечить:

создание перспективной компонентной базы, необходимой для выпуска высокотехнологичной наукоемкой радиоэлектронной продукции мирового уровня для важнейших технических систем двойного применения (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное, энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, навигации, связи и информатики, медицинская техника, образование, экологический контроль и др.);

разработку высокоэффективных промышленных технологий, отработку требований к созданию технологического и метрологического оборудования, необходимых для технического перевооружения предприятий, производящих конкурентоспособную продукцию;

создание научно-технической базы для развития и технологического перевооружения предприятий, разрабатывающих и производящих перспективную компонентную базу для внутреннего и мирового рынка, на основе новых технических решений, технологий, специального технологического и метрологического оборудования;

повышение уровня научно-технической, экономической и технологической независимости государств - участников Союзного государства в части разработки и применения изделий на основе гетероструктур в перспективных системах вооружений и техники гражданского назначения.

6.2. Показатели выполнения мероприятий Программы "Прамень"

Научно-технический уровень планируемых работ Программы характеризуется техническими параметрами электронных изделий и приборов (таблица 1) и показателями выполнения мероприятий Программы "Прамень" (таблица 6).

Таблица 6

Показатели выполнения мероприятий Программы "Прамень"

----+-----------------------------------------------+---T--------+----
¦   ¦              Целевые индикаторы               ¦   ¦2012 год¦2014 год¦
+---+-----------------------------------------------+---+--------+--------+
¦ 1 ¦Общее количество разработанных образцов        ¦шт.¦   15   ¦   35   ¦
¦   ¦изделий, в том числе:                          ¦   ¦        ¦        ¦
+---+-----------------------------------------------+---+--------+--------+
¦1.1¦количество разработанных образцов изделий,     ¦шт.¦   1    ¦   5    ¦
¦   ¦которые превосходят технические требования     ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦аналогичных мировых разработок по частотам и   ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦длинам волн, удельным мощностям и другим       ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦эксплуатационным характеристикам               ¦   ¦        ¦        ¦
+---+-----------------------------------------------+---+--------+--------+
¦1.2¦количество разработанных образцов изделий,     ¦шт.¦   3    ¦   10   ¦
¦   ¦которые отвечают перспективным техническим     ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦требованиям по частотам и длинам волн, удельным¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦мощностям и другим эксплуатационным            ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦характеристикам                                ¦   ¦        ¦        ¦
+---+-----------------------------------------------+---+--------+--------+
¦1.3¦количество разработанных образцов изделий,     ¦шт.¦   9    ¦   20   ¦
¦   ¦которые отвечают техническим требованиям по    ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦импортозамещению по частотам и длинам волн,    ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦удельным мощностям и другим эксплуатационным   ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦характеристикам                                ¦   ¦        ¦        ¦
+---+-----------------------------------------------+---+--------+--------+
¦ 2 ¦Количество патентов и других объектов          ¦шт.¦   5    ¦   11   ¦
¦   ¦интеллектуальной собственности (научно-        ¦   ¦        ¦        ¦
¦   ¦техническая документация)                      ¦   ¦        ¦        ¦
+---+-----------------------------------------------+---+--------+--------+
¦ 3 ¦Количество разработанных технологий            ¦шт.¦   3    ¦   10   ¦
¦---+-----------------------------------------------+---+--------+---------

Планируемые целевые индикаторы (таблица 6) полностью соответствуют современному уровню мировых достижений.

В рамках реализации Программы в соответствии с ГОСТ 2.103-68 "ЕСКД. Стадии разработки" производятся изготовление и испытание установочной серии для последующей передачи на серийное (массовое) производство гетероструктур и изделий на их основе. Перечни изделий, в которых используются опытные образцы гетероструктур, определены в таблице 5.

7. Вопросы собственности

До принятия нормативных актов Союзного государства по реализации Соглашения между Российской Федерацией и Республикой Беларусь о регулировании вопросов собственности Союзного государства права на объекты собственности, созданные или приобретенные за счет средств бюджета Союзного государства, распределяются между Республикой Беларусь и Российской Федерацией в соответствии с вкладом (долями отчислений государств-участников на реализацию Программы), при этом:

Права собственности на объекты, созданные или приобретенные на территориях Российской Федерации и Республики Беларусь в рамках Программы, принадлежат Союзному государству, а до оформления собственности Союзного государства в определенном законодательством Союзного государства порядке - Российской Федерации и Республике Беларусь в соответствии с национальным законодательством.

По завершении Программы государственный заказчик-координатор совместно с государственными заказчиками вносит в Совет Министров Союзного государства предложения по правам владения и пользования результатами интеллектуальной деятельности, полученными в рамках Программы в Российской Федерации и в Республике Беларусь.

Учет указанных результатов осуществляется в порядке, установленном законодательством Союзного государства, а до его разработки - законодательством соответствующего государства-участника.

До принятия нормативных правовых актов Союзного государства, регулирующих правоотношения относительно объектов интеллектуальной собственности, к подлежащим охране объектам интеллектуальной собственности, созданным российскими организациями, применяются действующие нормы законодательства Российской Федерации (Гражданский кодекс Российской Федерации, часть четвертая), созданным белорусскими организациями, - применяются действующие нормы законодательства Республики Беларусь (Гражданский кодекс Республики Беларусь, раздел V; Закон Республики Беларусь от 16 декабря 2002 года "О патентах на изобретения, полезные модели, промышленные образцы").

Интеллектуальная собственность, в том числе права на патенты, принадлежит исполнителям Программы, если иное не определено в контрактах Минпромторга России с головным исполнителем мероприятий Программы и соответствует законодательству Российской Федерации, аналогичное право распространяется на права предприятий Беларуси, если указанное соответствует законодательству Республики Беларусь.

Соответствующие положения включаются в государственные контракты на реализацию Программы.

8. Оценка ожидаемой социально-экономической и экологической эффективности Программы

Реализация Программы позволит обеспечить следующие показатели экономической эффективности:

решить задачи создания инновационной продукции двойного применения на основе использования гетероструктур новых поколений и изделий на их основе, в том числе обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государств - участников Союзного государства;

повысить эффективность и конкурентоспособность изделий на гетероструктурах специального и двойного применения на внутреннем и внешнем рынках, доведя уровень поставок на внешний рынок к 2015 году ориентировочно до 0,6% от общего мирового уровня, что покроет первоочередную необходимую потребность Союзного государства для решения специальной и общегражданской продукции;

обеспечить технологическую независимость и технологический уровень радиоэлектронного комплекса государств - участников Союзного государства при производстве гетероструктур, соответствующий мировому уровню;

способствовать реализации инфраструктуры проектирования и производства гетероструктур, приборов систем, в том числе созданию центров проектирования компонентной базы, блоков и узлов аппаратуры, специализированных производств по заказу гетероструктур, научно-технологических, метрологических и испытательных центров;

организовать с использованием гетероструктур производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, реализующей современные виды систем жизнеобеспечения, коммунального обслуживания, медицины, информационных и телекоммуникационных услуг и других.

Экономическая эффективность Программы может быть оценена с использованием целевых показателей экономической эффективности и экономического эффекта от ее реализации.

Ключевые экономические показатели Программы приведены в таблице 7.

Таблица 7

Основные экономические показатели Программы "Прамень"

--------------------------------------------------------+-------------
¦               Наименование показателей                ¦    Значение     ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Срок окупаемости инвестиций, лет                       ¦       8,3       ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Срок окупаемости бюджетных средств, лет                ¦       5,8       ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Индекс доходности коммерческий                         ¦    1,216874     ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Индекс доходности бюджетных средств                    ¦    3,858712     ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Внутренняя доходность инвестиций, %                    ¦      15,13      ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Внутренняя доходность бюджета, %                       ¦      47,1       ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Чистый дисконтированный доход (коммерческий), млн. руб.¦     394,03      ¦
+-------------------------------------------------------+-----------------+
¦Чистый дисконтированный доход государства (бюджетный   ¦     2907,75     ¦
¦эффект), млн. руб.                                     ¦                 ¦
¦-------------------------------------------------------+------------------

По результатам расчетов экономической эффективности, приведенным в таблице 7, можно сделать следующие выводы:

дисконтированные доходы бюджета практически в 4 раза превышают дисконтированные расходы, что показывает высокую экономическую эффективность предлагаемой Программы;

показатели коммерческой окупаемости проекта (срок окупаемости 8,3 года, внутренняя доходность 15,13%) соответствуют мировой практике для проектов такого класса;

чистый дисконтированный доход бюджета составляет более 2,9 млрд. руб., что также свидетельствует о высокой экономической эффективности предлагаемой Программы.

В социально-экономической сфере реализация Программы позволит:

обеспечить интеллектуализацию труда и среды обитания и расширения возможности использования радиоэлектроники и информационных систем;

увеличить число рабочих мест в радиоэлектронном комплексе, снизить отток талантливой части научно-технических кадров, повысить спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечить привлечение молодых специалистов и ученых и улучшить возрастную структуру кадров;

существенно повысить технологический уровень производства гетероструктур, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание новых классов радиоэлектронной аппаратуры и систем и улучшит условия труда.

Экологическая эффективность Программы позволяет:

улучшить экологическую ситуацию за счет разработки экологически чистых технологий получения и обработки специальных материалов, развития новых радиоэлектронных производств с повышенными требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и аварий;

обеспечить новый уровень химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистыми технологиями нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизацией и нейтрализацией отходов непосредственно в технологическом цикле;

применить технологию использования экологически чистых материалов и безотходных технологий на всех этапах производства МСТУ или их значительным уменьшением;

использовать высокоэффективные методы подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, внедрение систем экологического мониторинга окружающей территории для производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерных технологических систем обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества, которые могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации; технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам; получение сверхчистой воды и сверхчистых реактивов, экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры);

разработать технологии утилизации гетероструктур, приборов и радиоэлектронной аппаратуры на их основе в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.

Приложение 1

ПАСПОРТ ПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "ПРАМЕНЬ"

Наименование Программы "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и
                       приборы на их основе" (шифр "Прамень")

Дата принятия решения  Постановление Совета Министров Союзного государства
о разработке Программы от 22 апреля 2011 г. N 8
(наименование, номер и
дата нормативного
акта)

Государственный        Министерство промышленности и торговли Российской
заказчик-координатор   Федерации (Минпромторг России)

Государственные        Министерство промышленности и торговли Российской
заказчики              Федерации (Минпромторг России)
                       Национальная академия наук Беларуси (НАН Беларуси)

Головные исполнители   От Российской Федерации - открытое акционерное
                       общество "Светлана" (ОАО "Светлана"), г. Санкт-
                       Петербург
                       От Республики Беларусь - Институт физики
                       им. Б.И.Степанова НАН Беларуси (Институт физики
                       НАН), г. Минск

Цели и задачи          Цель Программы - создание конструкций и технологий
                       производства перспективных полупроводниковых
                       гетероструктур и на их основе конкурентоспособных
                       изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-
                       электроники новых поколений специального и двойного
                       применения для решения широкого круга социально-
                       экономических и оборонных задач государств -
                       участников Союзного государства, в том числе
                       импортозамещающих изделий, по своим количественным
                       характеристикам и параметрам отвечающих
                       перспективным требованиям по частотам и длинам волн,
                       удельным мощностям и другим эксплуатационным
                       характеристикам, и конкурентной продукции рынков
                       государств - участников Союзного государства и
                       мирового сообщества.
                       Задачами Программы являются:
                       1. Разработка конструктивно-технологических решений
                       гетероструктур в системах материалов A3B5, A3N и
                       A3N/A2Se для нескольких групп применений в областях
                       микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники
                       новых поколений, которые должны обеспечивать
                       стандартизацию конструкций по областям применения и
                       промышленное производство гетероструктур на
                       пластинах диаметром не менее 76 мм.
                       2. Разработка технологий промышленного производства
                       групп изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и
                       СВЧ-электроники новых поколений на основе
                       конструктивно-технологических решений гетероструктур
                       и технологий их промышленного производства, которые
                       должны соответствовать базовым технологиям
                       Временного положения "Изделия электронной техники,
                       квантовой электроники и электротехнические военного
                       назначения. Пластины с кристаллами заказанных
                       элементов. Общие технические условия", ФГУ 22ЦНИИ МО
                       России, 2009 г., и могут быть использованы в
                       качестве технологий двойного применения.
                       3. Разработка конструкций и отработка технологий
                       промышленного производства изделий микроэлектроники,
                       оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений с
                       использованием разработанных в Программе
                       гетероструктур и технологий их производства.

                       Реализация задач Программы позволяет обеспечить
                       разработку:
                       1. технологии изготовления гетероструктур на
                       полупроводниковых материалах группы А3В5 и СВЧ МИС с
                       перспективными требованиям по частотам и длинам волн
                       (в том числе Х-диапазона 8 - 12 ГГц, К-диапазона в
                       36 ГГц и W-диапазона в 93 ГГц) сроком службы до
                       20000 час. и удельным мощностям, соответствующим
                       зарубежным аналогам и другим эксплуатационным
                       характеристикам, для создания на их основе новейших
                       систем радиолокации с АФАР и радиовидения, имеющих
                       двойное применение;
                       2. технологии изготовления гетероструктур с двойным
                       электронным ограничением на базе широкозонных
                       полупроводников, позволяющих изготавливать СВЧ-
                       транзисторы частотного диапазона выше 10 ГГц,
                       повышенной мощности (до 5 Вт) и высокой радиационной
                       стойкости для создания на их основе систем
                       глобальной космической связи, радиолокации и
                       мобильных систем связи двойного применения;
                       3. технологии изготовления мощных полупроводниковых
                       лазеров (мощность до 15 Вт) и сверхмощных лазерных
                       линеек и матриц (мощность до 5 кВт) в ближней и
                       средней ИК-областях (с длиной волны генерации
                       808 +/- 3 нм) и наработкой на отказ по числу
                                   9
                       импульсов 10  на структурах мышьяковых соединений
                       для создания на их основе систем целеуказания,
                       метрологии, строительства, мониторинга окружающей
                       среды, медицинского назначения и спецприменений;
                       4. принципиально нового лазерного излучателя в
                       зеленой области спектра на основе конвертора
                       соединений нитридов третьей группы и селенидов
                       второй группы (A3N/A2Se) для создания на их основе
                       перспективных оптических систем, в том числе с
                       длиной волны генерации 500 - 550 нм.
                       Указанные задачи определены на основании потребности
                       в новых или усовершенствованных технологиях,
                       комплектующих изделиях предприятий - изготовителей
                       продукции для ВПК, транспорта, метеорологии,
                       медицины, металлообработки и другого, что
                       обеспечивает достижимость цели Программы.

Целевые индикаторы и   Количество разработанных образцов изделий - 35, в
показатели             том числе:
                       количество разработанных образцов изделий, которые
                       превосходят требования аналогичных мировых
                       разработок по частотам и длинам волн, удельным
                       мощностям и другим эксплуатационным
                       характеристикам, - 5;
                       количество разработанных образцов изделий, которые
                       отвечают перспективным требованиям по частотам и
                       длинам волн, удельным мощностям и другим
                       эксплуатационным характеристикам, - 10;
                       количество разработанных образцов изделий, которые
                       отвечают требованиям по импортозамещению по частотам
                       и длинам волн, удельным мощностям и другим
                       эксплуатационным характеристикам, - 20;
                       количество патентов и других объектов
                       интеллектуальной собственности (научно-техническая
                       документация) - 11;
                       количество разработанных технологий - 10

Срок реализации        2011 - 2014 годы

Объемы и источники     Общая потребность в финансовых ресурсах составит
финансирования         1776,0 млн. российских рублей, в том числе:
                       -  за счет средств бюджета Союзного государства -
                       1184,0 млн. российских рублей, из них:
                       -  за счет долевых отчислений Российской Федерации в
                       бюджет Союзного государства - 770,0 млн. российских
                       рублей, за счет долевых отчислений Республики
                       Беларусь в бюджет Союзного государства - 414,0
                       млн. российских рублей;
                       -  за счет внебюджетных источников - 592,0
                       млн. российских рублей, из них: в Российской
                       Федерации - 385,0 млн. российских рублей; в
                       Республике Беларусь - 207,0 млн. российских рублей.
                       Бюджетные средства используются для проведения
                       научно-исследовательских и опытно-конструкторских
                       работ. Распределение бюджетных средств по годам:
                       2011 год - 134,44 млн. рублей, в том числе
                       Российская Федерация - 87,34 млн. рублей, Республика
                       Беларусь - 47,10 млн. рублей;
                       2012 год - 404,30 млн. рублей, в том числе
                       Российская Федерация - 263,00 млн. рублей,
                       Республика Беларусь - 141,30 млн. рублей;
                       2013 год - 404,30 млн. рублей, в том числе
                       Российская Федерация - 263,00 млн. рублей,
                       Республика Беларусь - 141,30 млн. рублей;
                       2014 год - 240,96 млн. рублей, в том числе
                       Российская Федерация - 156,66 млн. рублей,
                       Республика Беларусь - 84,30 млн. рублей

Ожидаемые конечные     Технологическое обеспечение, необходимое для
результаты реализации  создания промышленного производства гетероструктур,
Программы              составляющих фундаментальную основу современных
                       электронных и оптоэлектронных приборов, и тем самым
                       ликвидация технологического отставания при
                       разработке и производстве полупроводниковых
                       гетероструктур.
                       Создание конструкций, технологий и основ
                       промышленного производства широкой номенклатуры
                       перспективных изделий микроэлектроники,
                       оптоэлектроники и СВЧ-электроники в наиболее
                       востребованных в настоящее время диапазонах
                       сантиметровых и миллиметровых длин волн, в том
                       числе:
                       СВЧ-монолитные интегральные схемы (МИС)
                       миллиметрового диапазона длин волн для развития
                       систем связи, радиолокационных станций и систем
                       радиопротиводействия;
                       мощные СВЧ-транзисторы и СВЧ-монолитные интегральные
                       схемы для ППМ АФАР;
                       мощные непрерывные диодные лазеры и сверхмощные
                       квазинепрерывные лазерные линейки и матрицы;
                       лазерные источники накачки твердотельных лазеров и
                       лазерных излучателей дальномеров;
                       мощные полупроводниковые импульсные лазеры ближнего
                       ИК-диапазона;
                       полупроводниковые лазеры и светодиоды на среднюю ИК-
                       область спектра;
                       QWIP-матрицы для фотоприемных модулей в среднем ИК-
                       диапазоне.
                       Создание компонентной базы лазерных излучателей для
                       обеспечения производства лазерных и светодиодных
                       систем инфракрасной подсветки приборов ночного
                       видения; бортовых волоконно-оптических линий связи;
                       беспроводной оптической связи; лазерных дальномеров
                       целеуказателей; систем наведения высокоточного
                       оружия, медицинских систем лазерной терапии двойного
                       назначения и др.
                       В целом выполнение Программы позволит создать
                       необходимую компонентную базу - фундамент для
                       совершенствования и развития нового поколения систем
                       специального и двойного назначения.
                       Повышение уровня научно-технической, экономической и
                       технологической независимости Союзного государства в
                       части разработки и применения изделий на основе
                       гетероструктур в перспективных системах вооружений и
                       техники гражданского назначения.
                       Разработка и освоение производства 28
                       унифицированных изделий электронной и
                       оптоэлектронной техники, в том числе 11 стандартных
                       технологических процессов, 3 комплекта Правил
                       проектирования СВЧ-изделий. Три из разрабатываемых
                       продуктов превысят мировой уровень.
                       Сохранение и создание 850 - 1100 новых рабочих мест
                       в организациях высокотехнологичных отраслей
                       промышленности.
                       Уменьшение материало- и энергоемкости производства,
                       снижение экологической нагрузки, улучшение условий
                       труда.
                       Формирование научных и технологических предпосылок
                       для кардинального изменения структуры экспорта в
                       пользу наукоемкой продукции с увеличением ее доли в
                       2018 году по отношению к 2010 году не менее чем в 20
                       раз за счет повышения потребительских свойств,
                       конкурентоспособности выпускаемой продукции,
                       закрепления традиционных и освоения новых сегментов
                       мирового рынка.
                       Обеспечение налоговых поступлений в бюджет от
                       организаций-исполнителей и пользователей
                       результатами Программы в размере до 7200,0
                       млн. рублей, что превысит размер инвестиций и
                       создаст бюджетный эффект в размере более 2907,75
                       млн. рублей.
                       Обеспечение индекса доходности (рентабельность)
                       бюджетных ассигнований - 3,8587 при коммерческом
                       индексе доходности 1,22

dokumenty archiwalne Папярэдні | Наступны


	Под общей редакцией Валерия Левоневского